一種光配向膜雜質去除裝置和方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種光配向膜雜質去除裝置和方法。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的進步，顯示器在人們日常生活中的應用越來越廣泛，其中，薄膜晶體管液晶顯不器(英文全稱:Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，簡稱:TFT-LCD)因為具有低驅動電壓、靠性高、無輻射、無閃爍、適用范圍寬等眾多優(yōu)勢，因此TFT-1XD是目前的主流顯示器。
[0003]在TFT-1XD的制造過程中需要對液晶進行配向，控制液晶分子在TFT-1XD中的初始排列方式，進而精確控制液晶分子在TFT-LCD顯示過程的排列方式以實現(xiàn)顯示效果，因此，對液晶配向是TFT-1XD制造工藝中十分重要的一道工序?，F(xiàn)有的配向技術包括:接觸式配向技術和非接觸式配向技術。其中，應用最為廣泛的接觸式配向技術為磨刷配向(英文全程:Rubbing Alignment)法，磨刷配向法可對液晶分子較好的進行配向，但是由于在接觸過程中會在配向膜上產生靜電以及雜質顆粒，且靜電以及雜質顆粒很可能會直接造成液晶元件的損壞。通過非接觸式配向技術則可以避免直接與配向膜接觸，因此可以很好的避免靜電以及雜質顆粒的產生，目前本領域技術人員所熟知的非接觸式配向方法為紫外光配向法，簡稱光配向。具體的，光配向是以線偏極紫外光照射有感光劑的聚酰亞胺薄膜(英文全稱=Polyimide Film，簡稱PI膜)。然而光配向雖然避免了靜電以及雜質顆粒的產生，但是PI膜經過線偏極紫外光照射后，PI膜的部分分子鏈會斷裂，產生的小分子雜質，若這些小分子雜質殘留在TFT-1XD內部，在TFT-1XD顯示過程中會形成異物型亮點，從而影響TFT-1XD的顯示效果?，F(xiàn)有技術中通過加熱蒸發(fā)來去除這些小分子雜質，然而，加熱溫度過低時，仍會有較多雜質未蒸發(fā)，雜質去除效果不理想，加熱溫度過高時，高溫可能會影響配向膜以及其他元件。因此，如何去除光配向過程中光配向膜產生的小分子雜質且不影響配向膜以及其他元件是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種配向膜雜質去除裝置和方法，用于去除光配向過程中光配向膜中產生的小分子雜質且不影響配向膜以及其他元件。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0006]第一方面，提供一種光配向膜雜質去除裝置，包括:加熱設備、氣體抽出設備以及氣體輸入設備；
[0007]所述加熱設備形成一個密封腔體，用于對放置于所述密封腔體內部的配向膜進行加熱；
[0008]所述氣體抽出設備通過抽氣管道與所述密封腔體連通，用于抽取所述密封腔體內的氣體；
[0009]所述氣體輸入設備包括供氣管道和控制開關，所述供氣管道與所述密封腔體連通，所述控制開關用于控制所述供氣管道的導通或截止；所述氣體輸入設備用于在所述控制開關的控制下通過供氣管道向所述密封腔體內輸送氣體。
[0010]可選的，所述抽氣管道設置于所述密封腔體的第一側，所述氣體輸入設備的供氣管道設置于所述密封腔體的第二側；其中，所述密封腔體的第一側與所述密封腔體的第二側相互遠離。
[0011]可選的，所述氣體輸入設備還包括過濾網；所述過濾網用于對進入所述密封腔體的氣體進行過濾。
[0012]可選的，所述加熱設備用于將放置于腔體內部的配向膜加熱至預設溫度，所述預設溫度大于190°C且小于250°C。
[0013]第二方面，提供一種光配向膜雜質去除方法，應用于第一方面任一項所述的光配向膜雜質去除裝置；該方法包括:
[0014]控制所述氣體抽出設備開始工作并通過所述氣體輸入設備的控制開關控制所述氣體輸入設備的供氣管道導通，對所述加熱設備形成的密封腔體內的氣體進行換氣；
[0015]當換氣時間達到預設時間時，控制所述加熱設備開始工作；
[0016]當放置于所述密封腔體內部的配向膜的溫度達到預設溫度時，通過所述氣體輸入設備的控制開關控制所述氣體輸入設備的供氣管道截止。
[0017]可選的，在對所述加熱設備形成的密封腔體內的氣體進行換氣前，所述方法還包括:
[0018]通過過濾網對進入所述密封腔體的氣體進行過濾。
[0019]可選的，所述預設溫度大于190°C且小于250°C。
[0020]第三方面，提供一種光配向膜雜質去除方法，應用于第一方面任一項所述的光配向膜雜質去除裝置；該方法包括:
[0021]控制所述氣體抽出設備開始工作并通過所述氣體輸入設備的控制開關控制所述氣體輸入設備的供氣管道導通，對所述加熱設備形成的密封腔體內的氣體進行換氣；
[0022]當換氣時間達到預設時間時，通過所述氣體輸入設備的控制開關控制所述氣體輸入設備的供氣管道截止；
[0023]當所述密封腔體內部的壓強達到預設壓強時，控制所述加熱設備開始工作，將放置于所述密封腔體內部的配向膜加熱至預設溫度。
[0024]可選的，在對所述加熱設備形成的密封腔體內的氣體進行換氣前，所述方法還包括:
[0025]通過過濾網對進入所述密封腔體的氣體進行過濾。
[0026]可選的，所述預設溫度大于190°C且小于250°C。
[0027]本發(fā)明實施例提供的光配向膜雜質去除裝置，包括加熱設備、氣體抽出設備以及氣體輸入設備，加熱設備形成一個密封腔體用于可以對放置于密封腔體內部的配向膜進行加熱，氣體抽出設備通過抽氣管道與密封腔體連通，用于抽取密封腔體內的氣體，氣體輸入設備用于在控制開關的控制下通過供氣管道向密封腔體內輸送氣體，在上述光配向膜雜質去除裝置工作時，可以通過控制氣體抽出設備開始工作且控制氣體輸入設備的供氣管道截止，從而減小密封腔體內部的壓強，進而在較低溫度時使光配向中產生小分子雜質蒸發(fā)，所以本發(fā)明實施例能夠去除光配向過程中光配向膜產生的小分子雜質且不影響配向膜以及其他元件。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明的實施例提供的光配向膜雜質去除裝置示意性結構圖；
[0030]圖2為本發(fā)明的實施例提供的光配向膜中的雜質含量隨溫度變化的示例圖；
[0031]圖3為本發(fā)明的實施例提供的蒸發(fā)溫度隨真空度變化的示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明的實施例提供的光配向膜雜質去除方法的步驟流程圖；
[0033]圖5為本發(fā)明的實施例提供的另一種光配向膜雜質去除方法的步驟流程圖。
【具體實施方式】
[0034]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0035]需要理解的是，術語“中心”、