鏡元件，其中，可分別設(shè)定反射鏡元件相對基底的取向；以及監(jiān)視系統(tǒng)，用于確定反射鏡元件的取向，其中，監(jiān)視系統(tǒng)包括:監(jiān)視輻射源，其構(gòu)造成以具有多個不同波長的光照明多個反射鏡元件；監(jiān)視透鏡，具有物平面、像平面以及布置在物平面和像平面之間的光瞳平面；濾色器，在不同位置處具有彼此不同的依賴于波長的透鏡屬性；以及具有檢測區(qū)的空間解析和波長解析光檢測器，其中，反射鏡元件布置在監(jiān)視透鏡的物平面區(qū)域中，其中，光檢測器的檢測區(qū)布置在監(jiān)視透鏡的像平面區(qū)域中，其中，濾色器布置在監(jiān)視透鏡的光瞳平面區(qū)域中，并且其中，反射鏡系統(tǒng)的反射鏡元件布置在EUV輻射源和成像光學(xué)單元的物平面之間的EUV光路中。
[0023]根據(jù)示例性實(shí)施例，反射鏡系統(tǒng)包括多于1000個反射鏡元件、多于10000個反射鏡元件、或者甚至多于100000個反射鏡元件。
[0024]根據(jù)其它示例性實(shí)施例，反射鏡元件的反射鏡區(qū)在總反射鏡區(qū)內(nèi)彼此鄰近布置，其中，總反射鏡區(qū)的直徑大于10mm或大于150mm。
[0025]根據(jù)示例性實(shí)施例，反射鏡元件的反射鏡區(qū)具有小于Imm2的面積。舉例來說，反射鏡元件可具有方形反射鏡區(qū)，其邊長為0.5mm或更小。
[0026]根據(jù)其它示例性實(shí)施例，反射鏡元件的取向可均改變多于±0.05rad，尤其改變多于±0.lrad。而且，反射鏡元件的取向可以在兩個彼此獨(dú)立的方向上改變。
[0027]根據(jù)示例性實(shí)施例，通過監(jiān)視透鏡的成像是縮小的成像。舉例來說，監(jiān)視透鏡的將監(jiān)視透鏡的物平面成像至監(jiān)視透鏡的像平面的線性放大率的絕對值可以小于0.6或小于0.3。
[0028]根據(jù)示例性實(shí)施例，光檢測器具有多個檢測器像素，其中，檢測器像素的數(shù)量充分(substantially)大于布置在監(jiān)視透鏡的物場中的反射鏡元件的數(shù)量。舉例來說，檢測器像素的數(shù)量為布置在監(jiān)視透鏡的物場中的反射鏡元件的數(shù)量的10倍或100倍。結(jié)果，由特定反射鏡元件反射的光同時入射在檢測器的多個像素上，并由這些像素檢測，使得檢測器的多個像素有助于確定入射光的顏色。如此可增加檢測的光的顏色的精度，因此，增加確定特定反射鏡元件的取向的精度。
[0029]根據(jù)其它示例性實(shí)施例，由特定反射鏡元件反射的光入射在檢測器的正好一個像素上，使得通過評估由檢測器的單個像素檢測的光強(qiáng)，特定反射鏡元件的樞轉(zhuǎn)位置是可能的。
【附圖說明】
[0030]參考附圖，從下面對示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本公開的前述和其它有利特征將更明顯。應(yīng)注意，并非所有可能實(shí)施例都必須呈現(xiàn)本文所確認(rèn)的優(yōu)點(diǎn)的每個或任一個。
[0031]圖1示出根據(jù)一個實(shí)施例的EUV光刻系統(tǒng)的EUV光路的示意圖；
[0032]圖2示出圖1的EUV光刻系統(tǒng)的具有多個反射鏡元件的反射鏡系統(tǒng)的頂視圖的示意圖；
[0033]圖3示出用于圖2所示反射鏡系統(tǒng)的監(jiān)視系統(tǒng)的示意圖；
[0034]圖4示出圖3所示監(jiān)視系統(tǒng)的濾色器的示意圖；
[0035]圖5示出說明使用多個監(jiān)視輻射源的示意圖；以及
[0036]圖6示出具有多個監(jiān)視透鏡的監(jiān)視系統(tǒng)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]在下述示例性實(shí)施例中，在功能和結(jié)構(gòu)上類似的部件盡可能由類似的參考標(biāo)號表示。因此，為了理解特定實(shí)施例的單獨(dú)部件的特征，可以參考本公開的對
【發(fā)明內(nèi)容】
和其它實(shí)施例的描述。
[0038]圖1以示意圖示出EUV光刻系統(tǒng)1，并用于說明EUV光刻系統(tǒng)的EUV光路3。光刻系統(tǒng)I的EUV光路3用于成像要成像的結(jié)構(gòu)5，要成像的結(jié)構(gòu)的表面布置在光刻系統(tǒng)I的物平面7中。為此，要成像的結(jié)構(gòu)5由EUV輻射照明，EUV輻射由EUV輻射源9產(chǎn)生。EUV輻射源9可以例如是等離子體輻射源，其發(fā)射處于例如5nm至15nm的波長區(qū)域中的EUV輻射。由EUV輻射源發(fā)射的一部分輻射以準(zhǔn)直方式在聚焦反射鏡11處反射，使得其入射在第一反射鏡系統(tǒng)13上，第一反射鏡系統(tǒng)包括基底15和附接到基底15的多個反射鏡元件17。在反射鏡元件17處反射的EUV輻射入射在第二反射鏡系統(tǒng)19上，第二反射鏡系統(tǒng)包括基底21和附接到基底的多個反射鏡元件23?？芍苯踊蜷g接在于一個或多個其它反射鏡處反射之后，將在反射鏡元件23處反射的EUV輻射引導(dǎo)至要成像的結(jié)構(gòu)5。在所示示例性實(shí)施例中，在于三個反射鏡25、26和27 (其在EUV光路中一個布置在另一個之后)處反射之后，將在反射鏡元件23處反射的EUV輻射引導(dǎo)至要成像的結(jié)構(gòu)5。
[0039]兩個反射鏡系統(tǒng)13和19用于照明EUV光刻系統(tǒng)的物平面7中的選擇的場，從而通過改變反射鏡元件的取向和/或通過改變兩個反射鏡系統(tǒng)的反射鏡元件的取向設(shè)定物平面7中的被照明場的設(shè)計和范圍來設(shè)定光入射在物平面7上的角分布。為此，兩個反射鏡系統(tǒng)可具有相似的設(shè)計。
[0040]圖2示出基于反射鏡系統(tǒng)19的反射鏡系統(tǒng)的設(shè)計的示例的示意圖。反射鏡系統(tǒng)19的反射鏡元件23的反射區(qū)具有方形設(shè)計。反射區(qū)的其它設(shè)計是可能的。反射鏡系統(tǒng)19的反射鏡元件23的數(shù)量可以大于1000、大于10000、大于100000。舉例來說，反射鏡系統(tǒng)19的直徑可位于從200mm至300mm的區(qū)域中。單獨(dú)反射鏡元件均可通過致動器31在兩個線性獨(dú)立的方向上從休止(rest)位置偏離±0.1rado致動器可根據(jù)壓電原理、靜電原理或其它原理操作。
[0041]反射鏡系統(tǒng)19具有多個致動器31，圖2僅以示例方式示出兩個致動器，用于改變?nèi)舾苫蛩蟹瓷溏R元件23的反射鏡區(qū)相對于基底15的取向。致動器31借助控制線34由控制器33控制。致動器31通過控制器33致動，以設(shè)定入射在物平面7上的EUV輻射的期望角分布和/或空間分布?？蓮腅Pl 202 101 A2和DElO 2009 054 540.9中收集與如此設(shè)定EUV輻射有關(guān)的背景信息，這些文獻(xiàn)的公開內(nèi)容全部并入本申請。
[0042]EUV光刻系統(tǒng)I還包括成像光學(xué)單元37，其布置在物平面7和像平面39之間的EUV光路3中，輻射敏感結(jié)構(gòu)41的表面可布置在像平面中，要成像的結(jié)構(gòu)5通過成像光學(xué)單元37成像在像平面中。為此，成像光學(xué)單元37包括多個反射鏡43、44、45、46、47和48，在于要成像的結(jié)構(gòu)5上反射之后，EUV輻射相繼在這些反射鏡上反射。盡管所示示例性實(shí)施例的成像光學(xué)單元37具有六個反射鏡43至48 (其沿成像光學(xué)單元37的光軸49布置)，但是成像光學(xué)單元的其它示例可包括更多個或更少個反射鏡，用于在像平面39中獲得物平面7的成像。
[0043]圖3示出EUV光刻系統(tǒng)I的監(jiān)視光路51的示意圖。監(jiān)視光路51包括監(jiān)視系統(tǒng)52，并用于確定反射鏡系統(tǒng)19的反射鏡元件23的反射鏡區(qū)相對于反射鏡系統(tǒng)基底21的取向。在圖3中，僅以示例性方式在截面圖中示出反射鏡系統(tǒng)19的三個反射鏡元件23p232、233。反射鏡元件23布置在球形彎曲區(qū)53上，其曲率半徑為約lm。
[0044]反射鏡兀件23由光55照明，光55由監(jiān)視福射源57產(chǎn)生，監(jiān)視福射源57是點(diǎn)光源。自然地，點(diǎn)光源實(shí)際上并非無限小，而是具有有限范圍，使得監(jiān)視輻射源57的直徑為例如0.5mm。由監(jiān)視輻射源57產(chǎn)生并被引導(dǎo)至反射鏡元件23的光具有許多不同波長，即許多不同顏色，并可尤其為可見白光。
[0045]監(jiān)視系統(tǒng)52包括監(jiān)視透鏡59，其在圖3中示意性示出為光學(xué)透鏡元件。實(shí)際上，監(jiān)視透鏡將包括若干透鏡元件，以提供具有高光學(xué)質(zhì)量的成像。為此，監(jiān)視透鏡可尤其為顏色校正的。
[0046]監(jiān)視透鏡59具有物平面61，其成像至與其光學(xué)共軛的像平面63。光檢測器67的檢測區(qū)65布置在像平面63中，以便以空間解析和波長解析方式檢測物平面61的像，并將像輸出到控制器33。
[0047]反射鏡系統(tǒng)19的反射鏡元件23布置在監(jiān)視透鏡51的物平面61周圍的區(qū)域中?；诜瓷溏R元件23所布置的區(qū)域53的曲率，可看出，反射鏡元件并不需要正好位于物平面61上。然而，反射鏡元件23位于物平面61周圍的區(qū)域中，使得可以足夠的成像質(zhì)量將反射鏡元件23成像至光檢測器67的檢測區(qū)65上。而且，監(jiān)視透鏡59可實(shí)現(xiàn)為使得其物平面具有近似反射鏡元件23所布置的區(qū)域53的設(shè)計的場曲。
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