專利名稱：極紫外微光刻的基底與反射鏡以及制造它們的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及反射鏡，其包含基底以及用于EUV(極紫外)波長區(qū)的反射涂層。然而， 本發(fā)明涉及此類反射鏡的基底，以及涉及制造此類反射鏡及基底的方法。
背景技術(shù)：
利用離子束處理材料及組件的不同方法已由現(xiàn)有技術(shù)公開。因此，例如，已知使用聚焦離子束(FIB)來成像及調(diào)節(jié)表面。這些方法使用對離子(例如鎵)的加速電壓，例如從5至50kV范圍中的電壓，以及相應(yīng)的電流強(qiáng)度從2pA直到20nA。在靜電透鏡的幫助下， 可將離子束聚焦到幾nm的直徑上，然后通過適當(dāng)?shù)钠D(zhuǎn)將其按線(Iinewise)的方式在表面上引導(dǎo)。離子束與表面之間的相互作用產(chǎn)生所謂的濺鍍(sputter)處理，其導(dǎo)致以納米尺度處理材料的能力。然而，因?yàn)橹苯右瞥砻?，所以此方法的使用領(lǐng)域不能用于光學(xué)元件的形貌 (topographic)校正，這是因?yàn)榫植渴褂么朔椒ㄒ簿植康馗淖兾⒂^粗糙度。此外，例如，已知使用具有相對低加速能量的離子束方法(即能量范圍從1. 2keV 起的離子)，來處理光學(xué)元件(例如用于微光刻中的物鏡的透鏡)的表面。在此示例中使用的加速電壓低于聚焦離子束方法，所以僅在表面上1至2nm的層中直接發(fā)生輕微的移除。 因此，可維持表面的微觀粗糙度，且可僅校正較大尺寸的形貌誤差。然而，此方法因?yàn)橐瞥实投实?。再者，因?yàn)殡x子在此能量范圍中難以聚焦，所以在該定位精度的情況下，這里難以滿足橫向范圍< Imm的形貌誤差的校正。再者，還已知高能量離子束方法，其中借助于高達(dá)3MeV或更高的加速能量，將離子注入組件及/或材料。此離子注入方法主要用于摻雜半導(dǎo)體。由于這些不同的使用領(lǐng)域，已密集研究了離子束與材料間的相互作用的原理。由這些研究可知，當(dāng)撞擊材料時(shí)，離子會(huì)被各種制動(dòng)(brake)機(jī)制制動(dòng)，例如與束縛電子的非彈性碰撞、與原子核的非彈性碰撞、與束縛電子的彈性碰撞、以及與原子核的彈性碰撞等。因此造成的對非晶二氧化硅的宏觀與微觀效應(yīng)的概述可從例如R. A. B. Devine的論著 "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research (^MiJfftrjP ^Μ Χ^ j^Tl 法)”B91(1994)第378至390頁中找到。此外，已知如下方法，其中使用能量范圍在200keV至5MeV之間的離子束來通過壓縮(compacting)基底材料而改變靠近基底表面的區(qū)域的形貌或折射率，參見 US20080149858。
由于微光刻將來依靠EUV波長區(qū)來進(jìn)一步提升分辨率，且由于因此而使用的反射鏡由于它們的涂層而僅能反射約70%的入射光，并相應(yīng)吸收了約30%的入射光，所以必須使用低熱膨脹系數(shù)的材料作為此類反射鏡的基底材料。此類所謂的“低膨脹系數(shù)的材料”為例如Zerodur 、ULE 、或Clearcemm 。所有這些材料具有大于約50%的非晶硅酸鹽玻璃含量，極端的例子甚至是100%。從而，投射曝光機(jī)器的長期功能性需要確保在操作期間材料所吸收的能量不會(huì)導(dǎo)致基底的改變，并因此不會(huì)導(dǎo)致反射鏡表面的衰退。換言之，必須確保不會(huì)發(fā)生造成不可容忍的像差或散射光增加的表面形狀或粗糙度的改變。非晶二氧化硅因?yàn)楦吣芰抗鈱W(xué)輻射的照射而歷經(jīng)體積變化，這是因?yàn)槟芰康妮斎刖植看驍噫I(bond)，并且以幾何形狀改變的方式重新形成新的鍵，這導(dǎo)致材料的壓縮。已知因照射而引起的體積改變可達(dá)到輻射達(dá)到的穿透深度內(nèi)的體積的幾個(gè)百分點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供用于EUV波長區(qū)的反射鏡或反射鏡的基底，其在EUV 照射下不再呈現(xiàn)表面形狀的改變。本發(fā)明的另一目的在于提供制造此類反射鏡或基底的方法。此外，本發(fā)明的目的在于提供具有此類反射鏡或基底的微光刻投射曝光機(jī)器。技術(shù)方案借助于具有權(quán)利要求1的特征的反射鏡、具有權(quán)利要求12的特征的基底、具有權(quán)利要求21或23的特征的制造反射鏡的方法、具有權(quán)利要求22的特征的制造基底的方法、 以及具有權(quán)利要求34的特征的投射曝光機(jī)器，來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本發(fā)明的基礎(chǔ)在于發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了 在EUV波長范圍的光的強(qiáng)烈照射下，非晶二氧化硅在照射引起的體積變化方面呈現(xiàn)與現(xiàn)有技術(shù)公知的非晶二氧化硅在高能離子或電子的粒子照射下的飽和行為類似的飽和行為。因此提出根據(jù)EUV波長區(qū)的光穿透深度，通過利用離子或電子照射的初始破壞和/或老化來進(jìn)行反射鏡或基底的體積改變，將離子和/ 或電子的能量和數(shù)量選擇為，使得其對于穿透深度造成足夠的初始破壞和/或壓縮。此過程的優(yōu)點(diǎn)在于，電子或離子照射可使用簡單而有利的裝置，以造成反射鏡或基底的初始破壞，而不需要使用昂貴的EUV光源來達(dá)到此目的。在一個(gè)實(shí)施例中，由表面向下看到2μπι的深度，反射鏡或基底的表面區(qū)域受到此類方式照射的初始破壞，導(dǎo)致此表面區(qū)域的密度相比于其余基底高了 3%。在另一實(shí)施例中，反射鏡或基底的表面區(qū)域受到照射的初始破壞，從而在通過EUV 波長區(qū)中劑量超過10kJ/mm2的光進(jìn)一步照射期間，反射鏡的反射譜的平均反射波長因此偏離小于0.25nm，尤其是小于0. 15nm。平均反射波長在本申請的范圍內(nèi)被理解為針對用于 EUV波長區(qū)的反射涂層的波長而描繪的反射曲線下的質(zhì)心(centroid)的波長。利用離子或電子的本發(fā)明的均勻照射的結(jié)果為基底或反射鏡的表面形狀由于照射導(dǎo)致的改變少于Inm PV。這通過以下事實(shí)而實(shí)現(xiàn)沿著要照射的表面均勻地照射，使得照射的表面區(qū)域的各個(gè)區(qū)(zone)經(jīng)歷相同的壓縮。結(jié)果，表面整體降低，但未改變其表面形狀。針對此目的，在離子束的情況中，在每cm2基底表面具有IOw至IO16個(gè)照射離子的總粒子密度的情況下，使用具有0. 2至IOMeV的能量的離子，而在電子束的情況中，在能量為10 至SOkeV之間的情況下，使用具有0. lj/mm2至2500J/mm2之間的劑量的電子，優(yōu)選在0. IJ/mm2至100J/mm2之間，甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間。在本申請的范圍內(nèi)，PV值被理解為兩個(gè)相互比較的表面形狀間的差異的最大值與最小值之間的絕對差異。本發(fā)明的初始破壞或壓縮的反射鏡在劑量超過lkj/mm2的進(jìn)一步EUV照射下，其表面形狀不會(huì)有更顯著的變化，因此該表面形狀與在EUV照射前的表面形狀相比偏離少于 5nm PV0特別地，在劑量約為0. lkj/mm2的情況下，此改變小于2nm PV0此外，本發(fā)明基于以下事實(shí)在照射反射鏡或基底的方法中，可在不同的應(yīng)用步驟之間或之后，根據(jù)本發(fā)明，利用離子或電子束來處理反射鏡或基底。首先，在預(yù)處理步驟中被處理到與期望表面形狀最多偏離2nm PV的基底可以在這些預(yù)處理步驟之后被照射，并可以接著在最終處理步驟中對其提供期望的表面形狀/或拋光的質(zhì)量。然后，可利用離子或電子照射已最終處理并涂敷的反射鏡，用于足夠的均勻初始破壞。優(yōu)選在最終處理步驟前對基底的處理期間，在每cm2基底表面具有IO14至個(gè)照射離子的總粒子密度的情況下，這里可以使用具有0. 2至IOMeV的能量的離子束，因?yàn)殡x子照射導(dǎo)致照射的表面的粗糙度增加，因此用后續(xù)的拋光步驟來平滑表面是有利的。對于用于EUV波長區(qū)的反射鏡的制造的所有階段，從基底直到最終拋光并涂敷的反射鏡，為了充分地初始破壞和/或老化反射鏡或基底的表面區(qū)域的目的，在能量為10至 SOkeV的情況下，可以使用具有0. lj/mm2至2500J/mm2之間的劑量的電子束，優(yōu)選在0. IJ/ mm2至100J/mm2之間，甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間。這里，電子束提供如下優(yōu)點(diǎn) 對應(yīng)的照射不會(huì)導(dǎo)致表面的破壞或使表面變粗糙。在這些方法的情況中，這里首選重要的是均勻地執(zhí)行照射，使得表面區(qū)域被均勻地壓縮，并由此維持已通過預(yù)處理步驟獲得的表面形狀。其次，重要的是僅在預(yù)處理步驟之后執(zhí)行照射步驟，這是因?yàn)閮H在幾μ m深的表面區(qū)域中執(zhí)行照射步驟，而且這樣的表面區(qū)域否則會(huì)被用于制造表面形狀的預(yù)處理步驟移除。替代地，利用離子或電子束將基底初始地破壞和/或老化到很大的深度或者將其完全破壞和/或老化，這會(huì)導(dǎo)致時(shí)間長成本高的處理過程。本發(fā)明的創(chuàng)新方法的其他有利實(shí)施例包含本發(fā)明的反射鏡和/或基底的實(shí)施例的上述特征。而且，本發(fā)明的其他有利實(shí)施例由從屬權(quán)利要求的特征所給出。


在以下借助于純示意性的附圖以及示例實(shí)施例的詳細(xì)描述，其他的優(yōu)點(diǎn)、特性、及特征變得清晰，其中圖1示出了可用于本發(fā)明的方法的裝置的圖；圖2示出了基底的均勻照射的表面區(qū)域的示意圖；圖3示出了在強(qiáng)烈EUV照射下關(guān)于基底材料壓縮的測量值的圖示；圖4示出了在強(qiáng)烈離子輻射下關(guān)于基底材料壓縮的測量值的圖示；以及圖5示出了在強(qiáng)烈電子照射下關(guān)于基底材料壓縮的測量值的圖示。優(yōu)選實(shí)施方式圖1在示意圖中顯示實(shí)施本發(fā)明的方法的裝置。在離子或電子源1中產(chǎn)生通過利用電壓源6適當(dāng)施加的電壓而被加速到孔徑板2上的離子或電子。由合適的電和/或磁組件構(gòu)成的離子束或電子束光學(xué)系統(tǒng)3可用于聚焦離子或電子束5。聚焦束5可被具有適當(dāng)?shù)碾姾?或磁組件的偏轉(zhuǎn)單元4在兩個(gè)不同方向上偏轉(zhuǎn)，如雙箭頭所示。可相應(yīng)地在要處理和/或處置的組件7上以并行掃描(raster)的方式引導(dǎo)離子或電子束5，在那里離子與要處理的組件7的材料相互作用?？筛鶕?jù)已知方法，在離子或電子源1中產(chǎn)生離子或電子，以及利用靜電場對離子或電子進(jìn)行可能的提取，和/或根據(jù)質(zhì)量在磁場中進(jìn)行離子的分離，在此不再詳細(xì)說明和解釋。根據(jù)示例實(shí)施例，使用圖1所示的裝置利用500至2000keV范圍的能量將硅離子照射到石英上。對于700keV的Si離子，材料中的離子范圍約為1 μ m，其是根據(jù)所用離子的能量E2/3的最大范圍。在每cm2有IO"5個(gè)離子照射的情況中，表面處的物理材料移除為 lnm，而由于離子制動(dòng)區(qū)域中材料結(jié)構(gòu)的改變而導(dǎo)致的有效表面降低約為數(shù)十nm，參見圖4。圖2顯示基底或包含具有表面區(qū)域的基底的反射鏡的示意圖，表面區(qū)域在反射涂層區(qū)之下沿著該區(qū)均勻地延伸，且從基底的表面觀察起具有直到5μπι的深度d。在此情況中，由于利用離子或電子的適當(dāng)?shù)谋景l(fā)明的均勻照射，表面區(qū)域具有的密度P2比其余基底的密度P1至少高2%。在此反射涂層區(qū)顯示為細(xì)點(diǎn)區(qū)域。在離子或電子的制動(dòng)區(qū)域中，能量的輸入在表面區(qū)域中導(dǎo)致非晶二氧化硅的密度的增加和/或壓縮，如開始已提到的。此初始破壞或老化優(yōu)選僅在以后還會(huì)暴露于EUV輻射的基底區(qū)域中，這防止了此區(qū)域被以后的EUV照射進(jìn)一步改變。如根據(jù)本發(fā)明所認(rèn)識到的， 其原因在于，利用離子、電子、或EUV束的所有類型的破壞僅導(dǎo)致一定程度的壓縮，而且，在進(jìn)一步照射時(shí)，對于壓縮程度沒有進(jìn)一步的增加，在本申請的范圍內(nèi)稱為飽和壓縮。因此， 在照射基底的情況中，利用離子或電子均勻照射圖2示意地示出的表面區(qū)域，或者使基底保持未處理，這是因?yàn)樵谝院蟮牟僮髦袃H反射涂層下方的此表面區(qū)域暴露于EUV輻射。在此情況中，圖2中的表面區(qū)域的初始破壞和/或老化應(yīng)沿著表面均勻地執(zhí)行，從而整個(gè)表面區(qū)域經(jīng)歷均勻的壓縮直到飽和壓縮。否則，非均勻的照射會(huì)導(dǎo)致表面區(qū)域中非均勻的初始破壞，從而表面區(qū)域中尚未初始破壞或老化到飽和壓縮的區(qū)域在反射鏡被EUV輻射的操作中進(jìn)一步改變，直到飽和壓縮，因而降低所影響的區(qū)域中的反射鏡表面，結(jié)果造成操作期間反射鏡的表面形狀不容許地改變。利用離子或電子束對基底或反射鏡的表面區(qū)域的初始破壞和/或老化應(yīng)在此情況中被向下執(zhí)行到一深度，從而造成向下到以后EUV照射的穿透深度的基底材料被充分壓縮達(dá)到飽和壓縮。這里，此深度是離子或電子束撞擊反射鏡或基底的表面時(shí)的能量的函數(shù)， 如上所述。相對地，直到達(dá)到飽和壓縮，初始破壞和/或老化的程度都是受影響的離子或電子的總數(shù)和輸出能量的函數(shù)。其物理度量是表面區(qū)域暴露于離子或電子束的以[J/mm2]為單位的劑量。圖3與圖5顯示反射鏡或基底的表面降低的情況中對應(yīng)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，其被表示為表面區(qū)域的壓縮的度量(以[nm]為單位)，并相對于EUV照射的劑量(圖3)以及相對于電子束的劑量(圖幻而畫出。在此示例中，飽和壓縮對應(yīng)于各個(gè)輻射的飽和劑量，在 EUV照射的情況中(圖3)，飽和劑量約為10kJ/mm2。圖3顯示來自摻鈦的硅酸鹽玻璃的基底材料(作為方塊)以及來自玻璃陶瓷的基底材料(作為三角形)的壓縮，其為照射表面區(qū)域的表面降低(單位為[nm])的形式，并相對于EUV輻射的劑量(單位為[J/mm2])而畫出。實(shí)心和空心方塊對應(yīng)于硅酸鹽玻璃的不同樣品/測量?？梢钥闯霰砻娼档图s30nm的值表示劑量的飽和行為，從而超過10kJ/mm2的劑量不會(huì)通過基于EUV照射對其下材料的壓縮來導(dǎo)致進(jìn)一步的表面降低，因?yàn)樵?0kJ/mm2的劑量處已達(dá)到上述飽和壓縮。圖4顯示基底材料的壓縮，其為照射表面區(qū)域的表面降低(單位為[nm])的形式， 且相對于離子束能量、針對每cm2基底表面IOw至IO16之間的不同總粒子密度畫出。這里， 關(guān)聯(lián)的劑量相應(yīng)地來自于離子束的能量與粒子密度的乘積。從圖4可以看出，根據(jù)針對給定能量的劑量，僅可以獲得表面的特定降低。例如，在能量為700keV的情況下，不論離子輻射的劑量多高，僅可獲得45nm的降低。這可通過飽和壓縮來解釋在達(dá)到飽和壓縮后，離子束劑量的增加不會(huì)造成進(jìn)一步的壓縮。因此，借助于特定劑量的700keV的離子輻射，已可獲得大致對應(yīng)于圖3所示的基于EUV照射的飽和壓縮的飽和壓縮。在此情況中，具有45nm 表面降低的700keV離子束的飽和壓縮，可比具有約30nm降低的EUV輻射的飽和壓縮的情況更向下方區(qū)域深入一點(diǎn)。因此，相比于以后的EUV照射，在破壞深度方面，700keV的離子輻射具有一定程度的安全富余。借助于圖4還可看出，甚至在高劑量的情況中，表面的降低僅取決于離子輻射的能量。這與以下事實(shí)相關(guān)聯(lián)離子輻射的能量決定其穿透深度，如上所解釋的，并且由某劑量開始，超過飽和壓縮的進(jìn)一步壓縮是不可能的，同樣如上文所解釋的。因此，若希望進(jìn)一步降低表面或?qū)Ω钕路絽^(qū)域進(jìn)行壓縮，僅可利用更高能量的離子輻射開發(fā)更深下方表面區(qū)域來獲得這些更深下方區(qū)域的進(jìn)一步壓縮。圖5顯示由摻鈦的硅酸鹽玻璃制成的基底材料的壓縮，其為照射表面區(qū)域的表面降低(單位為[nm])的形式，且被相對于電子輻射的劑量(單位為[J/mm2])畫出?？梢钥闯觯趧┝考s為500J/mm2的情況中，可達(dá)到30nm的表面降低，其足以達(dá)到基底或反射鏡的表面的本發(fā)明的初始破壞。在此情況中，根據(jù)期望的穿透深度，電子束的能量可在10至 SOkeV間變化，結(jié)果，覆蓋了最深達(dá)25 μ m的穿透深度。但是即使電子輻射劑量約為10J/mm2 時(shí)，也可達(dá)到超過5nm的表面降低。如此低劑量的電子輻射降低了輻射和產(chǎn)生時(shí)間，且高到足以由所產(chǎn)生的壓縮反射鏡來保護(hù)EUV投射物鏡內(nèi)的EUV反射鏡的基底，其將不接收到太多的EUV光。由于EUV微光刻設(shè)備內(nèi)的反射損失，此類反射鏡在投射透鏡內(nèi)更多地位于偏向晶片的方向而不是偏向掩模的方向。雖然已通過優(yōu)選示例實(shí)施例詳細(xì)說明了本發(fā)明，但對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言很顯然，可在不悖離所附權(quán)利要求的范圍的情況下，可以進(jìn)行修改和改變，尤其是本發(fā)明的所述特征的不同組合，或者省略個(gè)別特征。
權(quán)利要求
1.一種反射鏡，包含基底和用于EUV波長區(qū)的反射涂層，其特征在于所述基底的表面區(qū)域在所述反射涂層之下沿著所述反射涂層均勻地延伸，且從所述基底的表面觀察起，所述表面區(qū)域具有最深達(dá)5 μ m的深度，所述表面區(qū)域具有比其余基底高 2%的密度。
2.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中，所述基底的所述表面區(qū)域的深度大于在所述反射鏡的使用期間所述EUV波長區(qū)中的光的穿透深度。
3.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中，從所述表面觀察起，所述基底的所述表面區(qū)域具有最深達(dá)2 μ m的深度，并且具有比其余基底高3 %的密度。
4.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中，從所述表面觀察起，所述基底的所述表面區(qū)域具有最深達(dá)1 μ m的深度，并且具有比其余基底高4%的密度。
5.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中，在所述EUV波長區(qū)中的光以超過10kJ/mm2的劑量照射后，所述反射鏡在其反射譜內(nèi)的平均反射波長與在所述照射前的平均反射波長的偏離小于0. 25nm0
6.如權(quán)利要求5所述的反射鏡，其中，所述平均反射波長的改變小于0.15nm。
7.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中，在所述EUV波長區(qū)中的光以超過0.lkj/mm2的劑量照射后，所述反射鏡的表面形狀與所述照射前的原始表面形狀的偏離小于2nm PV0
8.如權(quán)利要求7所述的反射鏡，其中，在所述EUV波長區(qū)中的光以超過lkj/mm2的劑量進(jìn)一步照射后，所述反射鏡的表面形狀與第一次照射后的表面形狀的偏離小于5nm PV0
9.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中，利用能量在0.2MeV至IOMeV之間的離子在每cm2 有IO14至IO"5個(gè)離子的總粒子密度的情況下對基底表面的均勻照射而產(chǎn)生所述表面區(qū)域的較高密度，并且其中執(zhí)行所述均勻照射，使得所述反射鏡的表面形狀在被照射時(shí)最多改變 Inm PV0
10.如權(quán)利要求1所述的反射鏡，其中利用劑量在0.lj/mm2至2500J/mm2之間、優(yōu)選在 0. lj/mm2至100J/mm2之間、甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間的電子在能量在10至 SOkeV之間的情況下對基底表面的均勻照射產(chǎn)生所述表面區(qū)域的較高密度，并且其中執(zhí)行所述均勻照射，使得所述反射鏡的表面形狀在被照射時(shí)最多改變Inm PV0
11.如權(quán)利要求7、9、或10所述的反射鏡，其中所述表面形狀的改變最多為0.5nmPV0
12.一種用于EUV波長區(qū)的反射鏡的基底，其特征在于從所述基底的表面觀察起，所述基底的表面區(qū)域在反射EUV涂層區(qū)之下均勻地向下延伸到最深達(dá)5 μ m的深度，且所述表面區(qū)域具有比其余基底高2 %的密度。
13.如權(quán)利要求12所述的基底，其中，所述基底的所述表面區(qū)域的深度大于在包含所述基底的反射鏡的使用期間所述EUV波長區(qū)中的光的穿透深度。
14.如權(quán)利要求12所述的基底，其中所述表面區(qū)域具有最深達(dá)2μ m的深度，并且具有比其余基底高3%的密度。
15.如權(quán)利要求12所述的基底，其中所述表面區(qū)域具有最深達(dá)Ιμπι的深度，并且具有比其余基底高4%的密度。
16.如權(quán)利要求12所述的基底，其中，在所述EUV波長區(qū)中的光以超過0.lkj/mm2的劑量照射后，所述基底具有的表面形狀與照射前的原始表面形狀的偏離小于2nm PV0
17.如權(quán)利要求12所述的基底，其中在所述EUV波長區(qū)中的光以超過lkj/mm2的劑量進(jìn)一步照射后，所述基底具有的表面形狀與第一次照射后的表面形狀的偏離小于5nm PV0
18.如權(quán)利要求12所述的基底，其中，利用能量在0.2MeV至IOMeV之間的離子在每cm2 有IO14至IO"5個(gè)離子的總粒子密度的情況下對基底表面的均勻照射而產(chǎn)生所述表面區(qū)域的較高密度，并且其中執(zhí)行所述均勻照射，使得所述基底的表面形狀在被照射時(shí)最多改變Inm PV0
19.如權(quán)利要求12所述的基底，其中，利用劑量在0.lj/mm2至2500J/mm2之間、優(yōu)選在 0. lj/mm2至100J/mm2之間、甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間的電子在能量在10至 SOkeV之間的情況下對基底表面的均勻照射產(chǎn)生所述表面區(qū)域的較高密度，并且其中執(zhí)行所述均勻照射，使得所述基底的表面形狀在被照射時(shí)最多改變Inm PV0
20.如權(quán)利要求16、18、或19所述的基底，其中，所述表面形狀的改變最多為0.5nm PV0
21.一種制造反射鏡的方法，所述反射鏡包含基底和用于EUV波長區(qū)的反射涂層，其特征在于在預(yù)處理步驟期間，處理所述基底，直到與期望表面形狀有高達(dá)50ymPV的偏離；在照射步驟期間，利用具有0. 2MeV至IOMeV之間的能量的離子在每cm2有IOw至個(gè)離子的總粒子密度的情況下、或者利用劑量在0. lj/mm2至2500J/mm2之間、優(yōu)選在0. IJ/ mm2至100J/mm2之間、甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間的電子在能量在10至80keV之間的情況下，在所述反射涂層的指定區(qū)上均勻照射所述預(yù)處理步驟中處理過的所述基底；在所述照射步驟之后的最終處理步驟期間，所述基底的表面獲得所期望的表面形狀以及拋光質(zhì)量；以及在所述最終處理步驟之后的涂敷步驟期間，向所述基底提供用于所述EUV波長區(qū)的所述反射涂層。
22.一種制造用于反射鏡的基底的方法，所述反射鏡包含用于EUV波長區(qū)的反射涂層， 其特征在于在預(yù)處理步驟期間，處理所述基底，直到與期望表面形狀有高達(dá)50ymPV的偏離；在照射步驟期間，利用具有0. 2MeV至IOMeV之間的能量的離子在每cm2有IOw至個(gè)離子的總粒子密度的情況下、或者利用劑量在0. lj/mm2至2500J/mm2之間、優(yōu)選在0. IJ/ mm2至100J/mm2之間、甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間的電子在能量在10至80keV之間的情況下，在所述反射涂層的指定區(qū)上均勻照射所述預(yù)處理步驟中處理過的所述基底。
23.一種制造反射鏡的方法，所述反射鏡包含基底和用于EUV波長區(qū)的反射涂層，其特征在于在照射步驟期間，利用具有0. 2MeV至IOMeV之間的能量的離子在每cm2有IOw至個(gè)離子的總粒子密度的情況下、或者利用劑量在0. lj/mm2至2500J/mm2之間、優(yōu)選在0. IJ/ mm2至100J/mm2之間、甚至更優(yōu)選在0. lj/mm2至10J/mm2之間的電子在能量在10至80keV 之間的情況下，在所述反射涂層的區(qū)上均勻照射已經(jīng)提供了用于EUV波長區(qū)的反射涂層的反射鏡。
24.如權(quán)利要求21至23中的任一項(xiàng)所述的方法，其中執(zhí)行均勻照射步驟，直到在一表面區(qū)域中達(dá)到一密度，當(dāng)從所述基底的表面觀察起，所述表面區(qū)域在所述反射涂層的區(qū)之下均勻地向下延伸到最深達(dá)5 μ m的深度，并且所述密度比其余基底的密度高2%。
25.如權(quán)利要求M所述的方法，其中，所述基底的所述表面區(qū)域的深度大于在所述反射鏡的使用期間所述EUV波長區(qū)中的光的穿透深度。
26.如權(quán)利要求M所述的方法，其中，從所述表面觀察起，所述基底的所述表面區(qū)域具有最深達(dá)2 μ m的深度，并且具有比其余基底高3 %的密度。
27.如權(quán)利要求M所述的方法，其中，從所述表面觀察起，所述基底的所述表面區(qū)域具有最深達(dá)1 μ m的深度，并且具有比其余基底高4%的密度。
28.如權(quán)利要求21至23中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，均勻照射步驟足以壓縮所述基底的表面區(qū)域、所述表面區(qū)域從所述基底的表面觀察起在所述反射涂層的區(qū)之下均勻地向下延伸到最深達(dá)5 μ m的深度，使得在所述EUV波長區(qū)中的光以超過0. lkj/mm2的劑量進(jìn)行進(jìn)一步的有用照射之后，所述基底的表面形狀與所述有用照射之前的原始表面形狀偏離小于 ^m PV0
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中，在所述EUV波長區(qū)中的光以超過lkj/mm2的劑量進(jìn)行第二次有用照射之后，所述基底的表面形狀與第一次有用照射之后的表面形狀偏離小于 5nm PV0
30.如權(quán)利要求21至23中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，執(zhí)行均勻照射步驟，使得所述基底的表面形狀在所述照射期間最多改變Inm PV0
31.如權(quán)利要求觀或30所述的方法，其中所述表面形狀的改變最多為0.5nm PV0
32.一種反射鏡，包含基底與用于EUV波長區(qū)的反射涂層，其中，利用根據(jù)權(quán)利要求21 及23至31中的任一項(xiàng)所述的方法處理所述反射鏡，或者根據(jù)權(quán)利要求22及對至31中的任一項(xiàng)處理所述反射鏡的基底。
33.一種反射鏡，包含基底與用于EUV波長區(qū)的反射涂層，其具有根據(jù)權(quán)利要求12至 20中的任一項(xiàng)所述的基底。
34.一種用于微光刻的投射曝光機(jī)器，包含投射物鏡與照明系統(tǒng)，并且具有至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1至11、32及33中的任一項(xiàng)所述的用于EUV波長區(qū)的反射鏡。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種反射鏡，其包含基底以及用于EUV波長區(qū)的反射涂層，其中基底的表面區(qū)域在反射涂層之下沿著反射涂層均勻地延伸，并且從基底的表面觀察起，該表面區(qū)域具有最深達(dá)5μm的深度。這里，該表面區(qū)域具有比其余基底高2％的密度。此外，本發(fā)明涉及同樣具有此類表面區(qū)域的基底。本發(fā)明還涉及通過離子或電子照射而制造具有此類表面區(qū)域的此類反射鏡與基底的方法。
文檔編號G02B1/12GK102472980SQ201080034899
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月18日
發(fā)明者威爾弗里德.克勞斯, 馬丁.韋瑟 申請人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司