嵌入有電容接觸式傳感器的薄膜液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)，更具體地，涉及一種嵌入有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(IXD)通過(guò)使用電場(chǎng)調(diào)節(jié)液晶屏的透光率來(lái)顯示圖像。這種液晶顯示器分為水平電場(chǎng)施加型液晶顯示器和垂直電場(chǎng)施加型液晶顯示器。
[0003]垂直電場(chǎng)施加型液晶顯示器能夠使TN(扭曲向列)模式的液晶顯示器由與上基板和下基板相對(duì)設(shè)置的公共電極與像素電極之間所形成的垂直電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)。垂直電場(chǎng)施加型液晶顯示器的優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)口率大，而缺點(diǎn)是視角窄，約為90°。
[0004]水平電場(chǎng)施加型液晶顯示器能夠使平面轉(zhuǎn)換(下文中，稱為“IPS”)模式的液晶顯示器由在下基板上呈直線設(shè)置的公共電極與像素電極之間所形成的水平電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)。該水平電場(chǎng)施加型液晶顯示器的優(yōu)點(diǎn)是視角寬為約160°，而缺點(diǎn)是開(kāi)口率和透射率低。
[0005]為了提高垂直電場(chǎng)施加型液晶顯示器的這種優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)提出了由邊緣場(chǎng)操作的邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(下文中稱為“FFS”)型液晶顯示器。該FFS型液晶顯示器在每個(gè)像素區(qū)中具有公共電極和像素電極，并且在公共電極與像素電極之間設(shè)有絕緣膜，其中，在公共電極與像素電極之間形成的間距窄于上基板和下基板之間的距離，從而能夠形成邊緣場(chǎng)。而且，在上基板和下基板之間的間隙中所填充的液晶分子由邊緣場(chǎng)操作，從而能夠提高開(kāi)口率和透射率。
[0006]通常，電容接觸式傳感器形成在按如上描述所形成的液晶顯示器的上部。這是因?yàn)椋鶕?jù)該接觸式傳感器的原理，在用戶手指與感測(cè)電極之間形成的電容的大小隨著與用戶手指接觸部分的距離的增加而減小，因而用戶手指的接觸與用戶手指的不接觸所產(chǎn)生的電壓差不大。另外，即使電容的大小隨著感測(cè)電極面積的增加而增加，當(dāng)接觸式傳感器和液晶顯示器驅(qū)動(dòng)部件在該液晶顯示器的上部形成時(shí)，接觸式傳感器的感測(cè)電極面積的充分保證存在限制。
[0007]也就是說(shuō)，根據(jù)常規(guī)技術(shù)，因?yàn)橐壕э@示器和電容接觸式傳感器分別形成在下基板上，所以其問(wèn)題是，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，并且該接觸式傳感器容易被外部環(huán)境損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]技術(shù)問(wèn)題
[0009]因此，本發(fā)明充分考慮到現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，并且本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)，該TFT IXD以邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)模式驅(qū)動(dòng)，并且被配置為將顯示像素部的區(qū)域用作接觸式傳感器部的感測(cè)電極的區(qū)域，從而顯示像素部和接觸式傳感器部能夠在一個(gè)液晶顯示層中形成。
[0010]本發(fā)明的另一目的是提供一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)，在該TFT IXD中用于形成接觸式傳感器的工藝包括于形成下基板的工藝中，從而能夠簡(jiǎn)化工藝，增加工藝效率，并且能夠降低生產(chǎn)成本。而且，能夠防止外部環(huán)境對(duì)接觸式傳感器的損壞，并且能夠最小化顯示器和接觸式傳感器的整個(gè)厚度。
[0011]技術(shù)方案
[0012]為了解決上述問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，嵌入有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)可以包括:接觸式傳感器源極跟隨器TFT，形成在基板上；第一電極，連接到所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極；接觸式傳感器復(fù)位TFT，包括所述第一電極；絕緣膜，形成在所述第一電極上；第二電極，形成在所述絕緣膜上；以及顯示開(kāi)關(guān)TFT，連接到所述第二電極，其中，所述第二電極連接到所述顯示開(kāi)關(guān)TFT的漏電極，所述接觸式傳感器復(fù)位TFT和所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極共用所述第一電極，并且所述第一電極連接到所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，嵌入有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)可以包括:接觸式傳感器源極跟隨器TFT (TFT)，形成在基板上；第一電極，連接到所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極；接觸式傳感器復(fù)位TFT，連接到所述第一電極；顯示開(kāi)關(guān)TFT，連接到第二電極，所述第二電極形成在與形成所述第一電極的平面相同的平面上，其中，所述第一電極連接到所述顯示開(kāi)關(guān)TFT的漏電極，所述接觸式傳感器復(fù)位TFT和所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極共用所述第一電極，并且所述第一電極連接到所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述TFT IXD可以進(jìn)一步包括顯示復(fù)位TFT，該顯示復(fù)位TFT被配置為將漏電極連接到所述第一電極。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述TFT IXD可以進(jìn)一步包括接觸式傳感器開(kāi)關(guān)TFT,其連接到所述接觸式傳感器源極跟隨器TFT的柵電極以共用漏電極。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述第二電極可以為像素電極。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述顯示開(kāi)關(guān)TFT可以包括用低溫多晶硅半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體或非晶硅半導(dǎo)體制成的有源層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述TFT IXD可以進(jìn)一步包括:傳感器掃描線驅(qū)動(dòng)電路部、顯示掃描線驅(qū)動(dòng)電路部、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路部，以及傳感器信號(hào)前置放大電路部。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述TFT LCD可以被配置為將所述顯示掃描線設(shè)置為上下對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述TFT IXD可以進(jìn)一步包括耦合電容，該耦合電容包括作為下電極的所述接觸式傳感器開(kāi)關(guān)TFT的柵電極，以及作為上電極的連接到源極跟隨器柵電極的感測(cè)電極。
[0021]發(fā)明的有益效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)以邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(FFS)模式驅(qū)動(dòng)，并且顯示像素部的區(qū)域被配置為用作接觸式傳感器部的感測(cè)電極的區(qū)域，從而該顯示像素部和該接觸式傳感器部都能夠在一個(gè)液晶顯示層中形成。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，用于形成接觸式傳感器的工藝包括于形成TFT IXD的下基板的工藝中，從而能夠簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，增加工藝效率，并且能夠降低生產(chǎn)成本。而且，能夠減少外部環(huán)境對(duì)接觸式傳感器的損壞，并且能夠最小化顯示器和接觸式傳感器的總厚度。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1和圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)的橫截面圖；
[0025]圖3和圖4為根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的具有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)的橫截面圖；
[0026]圖5為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有電容接觸式傳感器的TFT LCD的等效電路圖；
[0027]圖6為示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有電容接觸式傳感器的TFT LCD的構(gòu)成元件的驅(qū)動(dòng)時(shí)序的視圖；
[0028]圖7為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有電容接觸式傳感器的TFT LCD的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]在下文中，將參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。下文將會(huì)省略被視為會(huì)造成本發(fā)明的要點(diǎn)不必要地不清楚的已知功能和結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述。附圖中部件的尺寸可以被夸大以使本描述更清楚，而不表示實(shí)際的尺寸。
[0030]圖1和圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的具有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)的橫截面圖。更具體地，圖1為示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的TFT IXD的接觸式傳感器部橫截面的視圖，以及圖2為示出了顯示復(fù)位部橫截面的視圖。圖1和圖2為示出了一個(gè)實(shí)施例的視圖，其中液晶顯示器以FFS(邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān))模式操作。
[0031]將參照?qǐng)D1和圖2來(lái)描述嵌入有電容接觸式傳感器的薄膜晶體管液晶顯示器(TFTLCD)。
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