一種掩模板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及過孔形成技術，尤其涉及一種掩模板。
【背景技術】
[0002]現有技術中的掩模板大多采用如圖1所示的結構:在具有熱光電性能較穩(wěn)定的襯底上通過工藝形成線性圖形；通常襯底材料選用石英等透明介質，厚度為Icm左右，之后通過線性圖形材料的沉積，一般線性圖形材料使用不透過光的Cr、Mo等材料，通過光刻、顯影、刻蝕、剝離等工序在襯底上形成不透明的圖形，使用該掩模板可以將線性圖形投影在基板上，完成圖形的轉印。
[0003]目前在TFT-1XD等電子產品的制造中，通常通過減小過孔的尺寸來滿足高分辨率的要求，但是因為曝光機精度的限制，如果過孔的尺寸小于設備的精度，則會容易造成過孔形成不良；還可以通過提高曝光量來滿足高分辨率的要求，但是因為提高曝光量會極大地損失產能。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明主要提供一種掩模板，能夠提高第一過孔的光透過率，提高產品的分辨率、增大過孔的開口率。
[0005]本發(fā)明的技術方案是這樣實現的:
[0006]本發(fā)明提供的一種掩模板，該掩模板包括:透光區(qū)域和不透光區(qū)域，所述透光區(qū)域內設置有第一過孔，所述第一過孔的周圍設置有第二光學增強輔助過孔；所述第二光學增強輔助過孔的尺寸小于曝光機的精度。
[0007]上述方案中，所述第二光學增強輔助過孔設置至少兩個時，所述第二光學增強輔助過孔對稱設置在第一過孔的周圍。
[0008]上述方案中，所述第二光學增強輔助過孔的幾何重心在第一過孔中心所在的緯度線或者經度線上。
[0009]上述方案中，所述第二光學增強輔助過孔全包圍或半包圍在第一過孔的邊緣。
[0010]上述方案中，所述第二光學增強輔助過孔與第一過孔同心，或者，所述第二光學增強輔助過孔的幾何重心與第一過孔的中心在一條直線上。
[0011]上述方案中，所述第二光學增強輔助過孔的邊界與第一過孔的邊界之間設置有間隔或者相接。
[0012]上述方案中，所述第二光學增強輔助過孔的部分范圍設置在第一過孔內，并且所述第二光學增強輔助過孔至少有一個邊長或內徑在緯度線或者經度線上的長度小于曝光機的精度。
[0013]本發(fā)明提供了一種掩模板，通過掩模板上的第一過孔以及第一過孔周圍設置的第二光學增強輔助過孔對陣列基板進行掩模曝光，提高了第一過孔的光透過率，能夠在不增大光強，并且不影響產能的基礎上，實現產品對高分辨率的要求，增大第一過孔的開口率。
【附圖說明】
[0014]圖1為現有技術的掩模板的結構示意圖；
[0015]圖2為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0016]圖3為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0017]圖4為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0018]圖5為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0019]圖6為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0020]圖7為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0021]圖8為本發(fā)明提供的一種掩模板的結構示意圖；
[0022]圖9為現有技術中掩模板的光透過率與光強以及過孔尺寸的曲線圖；
[0023]圖10為一種掩模板的第二光學增強輔助過孔的光透過率與光強以及過孔尺寸的曲線圖；
[0024]圖11為本發(fā)明提供的一種掩模板的光透過率與光強以及第一過孔尺寸的曲線圖。
[0025]附圖標記說明:1，第一過孔；2，第二光學增強輔助過孔；3，掩模板；401，第一孔；402，第二孔;403，第三孔;404，第四孔;405，第五孔;406，第六孔;407，第七孔;408，第八孔；409，第九孔；410，第十孔；411，第^ 孔；412，第十二孔;4，第一曲線;5，第二曲線；6,第三曲線；7，第四曲線；8，第五曲線；9，第六曲線。
【具體實施方式】
[0026]下面通過附圖及具體實施例對本發(fā)明做進一步的詳細說明。
[0027]本發(fā)明實施例涉及一種掩模板，如圖2所示，該掩模板3包括:透光區(qū)域和不透光區(qū)域，所述透光區(qū)域內設置有第一過孔1，第一過孔I的周圍設置有第二光學增強輔助過孔2。
[0028]其中，所述第二光學增強輔助過孔2有至少一個時，所述第二光學增強輔助過孔2可以設置在第一過孔I的左側、右側、上側、或下側。
[0029]當所述第二光學增強輔助過孔2有兩個及兩個以上時，各第二光學增強輔助過孔2可以對稱設置在第一過孔I的周圍，每個第二光學增強輔助過孔2的幾何重心與第一過孔I的中心在一條直線上。
[0030]所述第二光學增強輔助過孔2為均勻的幾何圖形時，幾何重心即為幾何圖形的中心；所述第一過孔I通常采用圓形或者矩形，故幾何重心與中心為同一點，但本發(fā)明不局限于第一過孔I僅可以為圓形或者矩形，當第一過孔I采用均勻或者不均勻的幾何圖形時，第一過孔I的幾何重心與第二光學增強輔助過孔2的幾何重心在一條直線上。
[0031]所述第一過孔I的幾何重心與第二光學增強輔助過孔2的幾何重心在一條直線上，這樣能夠提高所述直線上的光學透過率，達到無需增大曝光機的光強，就能增大第一過孔I光強的效果，從而提高了產品的分辨率。
[0032]所述第二光學增強輔助過孔2的尺寸小于曝光機的精度。
[0033]其中，所述第二光學增強輔助過孔2在結構上與第一過孔I類似，均為一個過孔，但因為第二光學增強輔助過孔2的尺寸要小于曝光機的精度，所以第二光學增強輔助過孔2在對陣列基板進行掩模曝光時，即對自身下方的光刻膠進行曝光，由于曝光量不足，故第二光學增強輔助過孔2下方的光刻膠無法顯影成形。所述第二光學增強輔助過孔2為圓形時，所述尺寸為圓形直徑的尺寸，直徑的尺寸小于曝光機的精度。所述第二光學增強輔助過孔2為多邊形時，所述尺寸為多邊形中心線或者邊長中最長線段的尺寸，中心線或者邊長中最長線段的尺寸要小于曝光機的精度。例如，第二光學增強輔助過孔2為矩形時，矩形的對角線為最長線段，對角線的尺寸要小于曝光機的精度，第二光學增強輔助過孔2為三角形時，三角形中最長的邊長要小于曝光機的精度，這樣，才能保證第二光學增強輔助過孔2下方的光刻膠不會顯影成形。
[0034]所述曝光機的精度為曝光機的分辨能力，也就是曝光機成形的最小圖形的尺寸。比如:采用Canon7800曝光機的精度是4um,而采用Nikon曝光機的精度是3um。
[0035]例如:對于TFT來說，第一過孔I的尺寸在4um?1um左右，而曝光機的精度為4um，如圖3所示，第一過孔I為正方形，第二光學增強輔助過孔2為圓形，第二光學增強輔助過孔2設置在第一過孔I的周圍，并且第二光學增強輔助過孔2的圓心與第一過孔I的中心在直線a上，第二光學增強輔助過孔2的尺寸(即圓形的直徑b)要小于曝光機的精度4um ;還可以根據實際的工藝情況確定第二光學增強輔助過孔2的寬度，所述寬度是指第二光學增強輔助過孔2在緯度線或經度線上尺寸比較小的寬度，寬度的值在O到曝光機的精度之間選擇，按照工藝情況確認，比如:根據生產設備需要達到的產能，或者第一過孔I的形貌，通常第一過孔I需要有比較好的光刻膠坡度角以及過孔尺寸，通過調整第二光學增強輔助過孔2的寬度可以使得滿足生產設備需要的產能或者第一過孔I的形貌，而對于現有技術中的過孔，可調的范圍極小。
[0036]所述第二光學增強輔助過孔2的幾何重心可以位于第一過孔I中心所在的緯度線或者經度線上。
[0037]其中，所述第二光學增強輔助過孔2有任意數量個時，所有第二光學增強輔助過孔2的幾何重心與第一過孔I的中心在同一緯度線上或者經度線上，這樣，第二光學增強輔助過孔2能夠提高同一緯度線或者經度線上的光學透過率，進而均勻地增大第一過孔I的光強，提聞廣品的分辨率。
[0038]如圖4所示，所述第二光學增強輔助過孔2設置12個，分別為第一孔401、第二孔402、第三孔403、第四孔404、第五孔405、第六孔406、第七孔407、第八孔408、第九孔409、第十孔410、第十一孔411、第十二孔412，其中，第一孔401、第五孔405的幾何重心與第一過孔I的中心在同一緯度線上，還有第八孔408、第十一孔411的幾何重心與第一過孔I的中心在同一經度線上，剩余的第二孔402、第三孔403、第四孔404、第六孔406、第七孔407、第九孔409、第十孔410、第十二孔412可以以第一過孔I的中心為對稱中心，中心對稱設置在第一過孔I的周圍。這樣，以便在掩模板的長度或寬度有限時，第二光學增強輔助過孔2分散設置不僅占用較小的空間，而且還可以均勻地提高第一過孔I的光透過率，增大第一過孔I的光強，保證通過對第一過孔I下方的光刻膠曝光時形成規(guī)則的圖形。
[0039]所述第二光學增強輔助過孔2可以全包圍或半包圍在第一過孔I的周圍。
[0040]其中，如圖5所述，所述第二光學增強輔助過孔2為環(huán)形，所述環(huán)形為圓形或者三角形、矩形、菱形等多邊形的中心挖去同心的圓形或多邊形形狀后剩余的部分；
[0041]所述第二光學增強輔助過孔2為環(huán)形時，即為全包圍設置，并且第一過孔I與第二光學增強輔助過孔2同心。
[0042]所述第二光學增強輔助過孔2為半環(huán)形時，即為半包圍設置，并且第一過孔I與第二光學增強輔助過孔2同心。
[0043]所述第二光學增強輔助過孔2的邊界與第一過孔I的邊界之間可以設置有間隔或者相接。
[0044]其中，如圖6所示，第二光學增強輔助過孔2的邊界與第一過孔I的邊界之間可以設置有間隔。
[0045]如圖7所述，所述第二光學增強輔助過孔2的邊界與第一過孔I的邊界相接。
[0046]其中，所述第二光學增強輔助過孔2的任意兩條邊界