測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法，首先采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第n標(biāo)記和第n+1標(biāo)記，n為大于0的整數(shù)；而后顯示所述第一圖像，并將第一圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)；最后根據(jù)第n標(biāo)記與第n+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的第一圖像中第n標(biāo)記與第n+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的方案相較于現(xiàn)有的采用專(zhuān)門(mén)測(cè)量overlay的套刻測(cè)量?jī)x來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供的方案不僅極大的降低了成本，節(jié)省了套刻測(cè)量?jī)x的占用空間資源，而且實(shí)現(xiàn)測(cè)量的過(guò)程簡(jiǎn)單，易于控制。
【專(zhuān)利說(shuō)明】測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光刻工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體的說(shuō)，涉及一種測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新，在一片晶圓上形成晶體管的數(shù)量也越來(lái)越多，如何提高集成度，成為人們不斷探索研究的主題。
[0003]在集成電路的生產(chǎn)制造過(guò)程中，需要將多個(gè)層進(jìn)行物理關(guān)聯(lián)，以滿(mǎn)足使用需求。那么，相鄰兩層就需要在一定范圍內(nèi)對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度(overlay)，套刻精度主要包括相鄰兩層之間的偏移量和偏轉(zhuǎn)角度，其是制約著光刻工藝的水平的一個(gè)重要因素。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法，在光刻過(guò)程中，對(duì)硅片相鄰兩光刻層之間的偏移量和偏轉(zhuǎn)角度的測(cè)量過(guò)程簡(jiǎn)單，極大的降低了成本，而且易于控制。
[0005]一種測(cè)量套刻精度的方法，包括:
[0006]采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，所述第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)；
[0007]顯示所述第一圖像，并將所述第一圖像放大至第一預(yù)設(shè)倍數(shù)；
[0008]根據(jù)所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第一圖像中所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0009]優(yōu)選的，所述采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像為:
[0010]采用電子顯微鏡采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像。
[0011]優(yōu)選的，所述電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡。
[0012]優(yōu)選的，所述第η標(biāo)記和所述第η+1標(biāo)記均包括矩形標(biāo)記或十字標(biāo)記。
[0013]優(yōu)選的，所述將所述第一圖像放大至第一預(yù)設(shè)倍數(shù)為:
[0014]將所述第一圖像至少放大2000倍。
[0015]優(yōu)選的，所述硅片還包括第二套刻測(cè)量區(qū)域，所述第二套刻測(cè)量區(qū)域包括第m標(biāo)記和第m+1標(biāo)記，m與η的數(shù)值相同；在得到所述第一偏移量和所述第一偏轉(zhuǎn)角度后，所述方法還包括:
[0016]采集所述第二套刻測(cè)量區(qū)域的第二圖像；
[0017]顯示所述第二圖像，并將所述第二圖像放大至第二預(yù)設(shè)倍數(shù)；
[0018]根據(jù)所述第m標(biāo)記與所述第m+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第二圖像中所述第m標(biāo)記與所述第m+1標(biāo)記之間的第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度，且所述第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度與所述第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度為同一坐標(biāo)系中測(cè)量出的數(shù)值；
[0019]獲取所述第一偏移量和第二偏移量的平均值，以及所述第一偏轉(zhuǎn)角度和第二偏轉(zhuǎn)角度的平均值。
[0020]一種光刻方法，包括上述的測(cè)量套刻精度的方法。
[0021]一種測(cè)量套刻精度的裝置，包括:
[0022]采集裝置，用于采集硅片的圖像，所述硅片包括第一套刻測(cè)量區(qū)域，所述第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)，所述硅片的圖像包括所述第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，
[0023]顯示裝置，用于顯示所述硅片的圖像，并將所述第一圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)；
[0024]測(cè)量裝置，用于根據(jù)所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第一圖像中所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0025]優(yōu)選的，所述采集裝置為電子顯微鏡。
[0026]優(yōu)選的，所述電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0028]本發(fā)明提供的一種測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法，首先采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)；而后顯示所述第一圖像，并將第一圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)；最后根據(jù)第η標(biāo)記與第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的第一圖像中第η標(biāo)記與第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0029]由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的方案相較于現(xiàn)有的采用專(zhuān)門(mén)測(cè)量over lay的套刻測(cè)量?jī)x來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供的方案不僅極大的降低了成本，節(jié)省了套刻測(cè)量?jī)x的占用空間資源，而且實(shí)現(xiàn)測(cè)量的過(guò)程簡(jiǎn)單，易于控制。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種測(cè)量套刻精度的方法的流程圖；
[0032]圖2a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2b為圖2a中A區(qū)域的放大圖；
[0034]圖2c為圖2b中第一標(biāo)記和第二標(biāo)記之間有錯(cuò)位時(shí)的示意圖；
[0035]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種測(cè)量套刻精度的方法流程圖；
[0036]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種測(cè)量套刻精度的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]正如【背景技術(shù)】所述，套刻精度是制約著光刻工藝的水平的一個(gè)重要因素?，F(xiàn)有技術(shù)中有采用利用光的干涉性能制作而成的專(zhuān)門(mén)測(cè)量overlay的套刻測(cè)量?jī)x，來(lái)測(cè)量硅片上相鄰兩個(gè)光刻層之間的套刻精度。但是套刻測(cè)量?jī)x的功能單一，造價(jià)昂貴，而且還需占用空間資源，極大的提高了成本。
[0039]基于此，本發(fā)明提供了一種測(cè)量套刻精度的方法，結(jié)合圖1?3對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0040]參考圖1所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種測(cè)量套刻精度的方法的流程圖，該方法包括:
[0041]S1、采集第一圖像。
[0042]采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)。
[0043]對(duì)于第一圖像的采集，可以采用電子顯微鏡采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像。優(yōu)選的，電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡(⑶SEM，Critical Dimens1nScanning Electron Microscope)。選用 CDSEM,提高了 CDSEM 的利用率，使得 CDSEM 不僅能夠測(cè)量硅片光刻的關(guān)鍵尺寸，而且還能夠采集硅片上任意區(qū)域的圖像，一機(jī)多用，降低了生產(chǎn)成本。
[0044]具體結(jié)合圖2a和2b所示，圖2a為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種硅片的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為圖2a中A區(qū)域的放大圖。
[0045]需要說(shuō)明的是，由于套刻精度為相鄰兩光刻層之間的對(duì)準(zhǔn)情況，因此硅片為至少經(jīng)過(guò)了兩次光刻后的硅片。為了方便后續(xù)的介紹，本申請(qǐng)實(shí)施例以經(jīng)過(guò)兩次光刻的硅片進(jìn)行描述。
[0046]即參考圖2a，硅片I包括有第一套刻測(cè)量區(qū)域A，第一套刻測(cè)量區(qū)域A包括第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12。其中，第一標(biāo)記11為硅片I經(jīng)過(guò)第一次光刻后形成的標(biāo)記，第二標(biāo)記12為硅片I經(jīng)過(guò)第二次光刻后形成的標(biāo)記。
[0047]對(duì)于第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，兩者可以為相同的標(biāo)記，也可以為不同的標(biāo)記，本申請(qǐng)實(shí)施例中，第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記均包括矩形標(biāo)記或十字標(biāo)記。即參考圖2a和2b所示，第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12均包括有一矩形標(biāo)記，且第一標(biāo)記11的長(zhǎng)度LI小于第二標(biāo)記12的長(zhǎng)度L2，第一標(biāo)記11的寬度Dl大于第二標(biāo)記12的寬度D2。
[0048]S2、放大第一圖像。
[0049]顯示第一圖像，并將第一圖像放大至第一預(yù)設(shè)倍數(shù)。
[0050]由于硅片上的套刻測(cè)量區(qū)域的標(biāo)記非常小，達(dá)到微米級(jí)別，因此需要第一圖像進(jìn)行放大，直到能夠測(cè)量的倍數(shù)即可。對(duì)于放大的倍數(shù)，可選的將第一圖像至少放大2000倍；另外，在本申請(qǐng)其他實(shí)施例中，也可以將第一圖像放大至顯示屏的四分之三所需的倍數(shù)，以便后續(xù)的測(cè)量。
[0051]S3、測(cè)量第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0052]根據(jù)第η標(biāo)記與第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的第一圖像中第η標(biāo)記與第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0053]第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記的預(yù)設(shè)關(guān)系需要根據(jù)兩者的具體形狀確定，對(duì)此不作具體限制。舉例說(shuō)明，
[0054]參考圖2a和2b所示，圖2a和2b中所示的第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12為對(duì)準(zhǔn)時(shí)的形狀，即第一標(biāo)記11所在的光刻層和第二標(biāo)記12所在的光刻層之間沒(méi)有錯(cuò)位，亦即第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12之間的預(yù)設(shè)關(guān)系為第一標(biāo)記11的對(duì)稱(chēng)軸和第二標(biāo)記12的對(duì)稱(chēng)軸均為同一軸線(xiàn)13,且第一標(biāo)記11的中心點(diǎn)Ol和第二標(biāo)記12的中心點(diǎn)02為同一點(diǎn)。
[0055]當(dāng)?shù)讦菢?biāo)記所在的光刻層和第η+1標(biāo)記所在的光刻層之間有錯(cuò)位時(shí)，即沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)時(shí)。具體參考圖2c所示,為圖2b中所示的第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12之間有錯(cuò)位時(shí)的示意圖，考慮到圖2b所示的第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，進(jìn)而測(cè)量圖2c中所示的第一標(biāo)記11和第二標(biāo)記12之間的偏移量和偏激角度；
[0056]參考圖2c所示，可以建立一坐標(biāo)系，將軸線(xiàn)13作為X軸，而將過(guò)第一標(biāo)識(shí)11的中心點(diǎn)01、且垂直于軸線(xiàn)13的線(xiàn)作為Y軸，進(jìn)而通過(guò)測(cè)量第二標(biāo)識(shí)12的中心點(diǎn)02相對(duì)于X軸的垂直距離y和Y軸的垂直距離X，得到第一標(biāo)識(shí)11相對(duì)于第二標(biāo)識(shí)12的偏移量。
[0057]對(duì)于偏轉(zhuǎn)角度Θ，選取兩點(diǎn)(參考圖2c中點(diǎn)A和點(diǎn)B),測(cè)量得A點(diǎn)和B點(diǎn)在坐標(biāo)系中的坐標(biāo)分別為(xl，yl)和(12，72)，通過(guò)計(jì)算公式:
[0058]tan Θ = (x2~xl) / (yl-y2)；
[0059]計(jì)算得到第二標(biāo)識(shí)12相對(duì)于第一標(biāo)識(shí)11的偏轉(zhuǎn)角度Θ。
[0060]需要說(shuō)明的是，在本申請(qǐng)上述實(shí)施例中，對(duì)于硅片的形狀、套刻測(cè)量區(qū)域中標(biāo)記的形狀及尺寸等不作具體限制。即在上述實(shí)施例中硅片可以為圓形，而標(biāo)記可以為矩形標(biāo)記；在本申請(qǐng)其他實(shí)施例中，硅片還可以為矩形或其他形狀，而標(biāo)記可以為十字標(biāo)記或其他形狀標(biāo)記。另外，對(duì)于相鄰兩個(gè)光刻層之間的套刻精度的測(cè)量，并不局限于上述一種測(cè)量方式，還可以采用其他方式測(cè)量，具體需要根據(jù)光刻層之間標(biāo)記的形狀進(jìn)行確定測(cè)量方式，對(duì)此，本申請(qǐng)實(shí)施例不作限制。
[0061]基于圖1所對(duì)應(yīng)的實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的方法，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了另一種測(cè)量套刻精度的方法。參考圖3所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種測(cè)量套刻精度的方法的流程圖。
[0062]其中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的硅片還包括第二套刻精度測(cè)量區(qū)域，第二套刻測(cè)量區(qū)域包括第m標(biāo)記和第m+1標(biāo)記，m與上述實(shí)施例中η的數(shù)值相同。
[0063]首先進(jìn)行上述實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的步驟，即首先得到第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度后，還包括:
[0064]S4、采集第二圖像。
[0065]即采集第二套刻測(cè)量區(qū)域的第二圖像。
[0066]與上述實(shí)施例中步驟SI相同的，可以采用電子顯微鏡采集硅片的第二套刻測(cè)量區(qū)域的第二圖像。優(yōu)選的，電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡。另外，第m標(biāo)記和第m+1標(biāo)記，兩者可以為相同的標(biāo)記，也可以為不同的標(biāo)記；本申請(qǐng)實(shí)施例優(yōu)選的，第m標(biāo)記和第η標(biāo)記相同，第m+1標(biāo)記和第η+1標(biāo)記相同，保證兩次測(cè)量可以采用同一種測(cè)量方式，節(jié)約時(shí)間，提聞生廣效率。
[0067]S5、放大第二圖像。
[0068]顯示第二圖像，并將第二圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)。
[0069]由上述內(nèi)容可知，優(yōu)選的，第m標(biāo)記和第η標(biāo)記相同，第m+1標(biāo)記和第η+1標(biāo)記相同。因此，對(duì)于第二圖像的放大倍數(shù)至少為2000倍。或者，將第二圖像放大至顯示屏的四分之三所需的倍數(shù)，以便后續(xù)的測(cè)量。
[0070]S6、測(cè)量第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度。
[0071]根據(jù)第m標(biāo)記與第m+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的第二圖像中第m標(biāo)記與第m+1標(biāo)記之間的第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度,且第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度與第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度為同一坐標(biāo)系中測(cè)量出的數(shù)值。
[0072]將第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度，以及第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度,均有同一坐標(biāo)系測(cè)量得出，保證后續(xù)取平均值時(shí)的準(zhǔn)確。
[0073]S7、獲取均值。
[0074]獲取第一偏移量和第二偏移量的平均值，以及第一偏轉(zhuǎn)角度和第二偏轉(zhuǎn)角度的平均值，保證了測(cè)量套刻精度更加精確。
[0075]另外，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種光刻方法，包括上述所有實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的方法。
[0076]與上述實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的方法對(duì)應(yīng)的，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供了一種測(cè)量套刻精度的裝置，參考圖4所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0077]其中，該裝置包括:
[0078]采集裝置41，用于采集硅片的圖像，所述硅片包括第一套刻測(cè)量區(qū)域，所述第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)，所述硅片的圖像包括所述第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，
[0079]顯示裝置42，用于顯示所述硅片的圖像，并將所述第一圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)；
[0080]測(cè)量裝置43，用于根據(jù)所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第一圖像中所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0081]可選的，采集裝置為電子顯微鏡。進(jìn)一步的，電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡。
[0082]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的測(cè)量套刻精度的方法及裝置、光刻方法，首先采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)；而后顯示所述第一圖像，并將第一圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)；最后根據(jù)第η標(biāo)記與第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的第一圖像中第η標(biāo)記與第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
[0083]由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的方案相較于現(xiàn)有的采用專(zhuān)門(mén)測(cè)量over lay的套刻測(cè)量?jī)x來(lái)說(shuō)，本發(fā)明提供的方案不僅極大的降低了成本，節(jié)省了套刻測(cè)量?jī)x的占用空間資源，而且實(shí)現(xiàn)測(cè)量的過(guò)程簡(jiǎn)單，易于控制。另外，采用測(cè)量型掃描電子顯微鏡采集硅片上的圖像，而測(cè)量型掃描電子顯微鏡作為光刻過(guò)程中測(cè)量關(guān)鍵尺寸的必備設(shè)備，擴(kuò)大了測(cè)量型掃描電子顯微鏡的適用范圍，進(jìn)一步降低了制作成本。
【權(quán)利要求】
1.一種測(cè)量套刻精度的方法，其特征在于，包括: 采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像，所述第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)； 顯示所述第一圖像，并將所述第一圖像放大至第一預(yù)設(shè)倍數(shù)； 根據(jù)所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第一圖像中所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量套刻精度的方法，其特征在于，所述采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像為: 采用電子顯微鏡采集硅片的第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)量套刻精度的方法，其特征在于，所述電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量套刻精度的方法，其特征在于，所述第η標(biāo)記和所述第η+1標(biāo)記均包括矩形標(biāo)記或十字標(biāo)記。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測(cè)量套刻精度的方法，其特征在于，所述將所述第一圖像放大至第一預(yù)設(shè)倍數(shù)為: 將所述第一圖像至少放大2000倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量套刻精度的方法，其特征在于，所述硅片還包括第二套刻測(cè)量區(qū)域，所述第二套刻測(cè)量區(qū)域包括第m標(biāo)記和第m+1標(biāo)記，m與η的數(shù)值相同；在得到所述第一偏移量和所述第一偏轉(zhuǎn)角度后，所述方法還包括: 采集所述第二套刻測(cè)量區(qū)域的第二圖像； 顯示所述第二圖像，并將所述第二圖像放大至第二預(yù)設(shè)倍數(shù)； 根據(jù)所述第m標(biāo)記與所述第m+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第二圖像中所述第m標(biāo)記與所述第m+1標(biāo)記之間的第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度，且所述第二偏移量和第二偏轉(zhuǎn)角度與所述第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度為同一坐標(biāo)系中測(cè)量出的數(shù)值； 獲取所述第一偏移量和第二偏移量的平均值，以及所述第一偏轉(zhuǎn)角度和第二偏轉(zhuǎn)角度的平均值。
7.一種光刻方法，其特征在于，包括權(quán)利要求1?6任意一項(xiàng)所述的測(cè)量套刻精度的方法。
8.一種測(cè)量套刻精度的裝置，其特征在于，包括: 采集裝置，用于采集硅片的圖像，所述硅片包括第一套刻測(cè)量區(qū)域，所述第一套刻測(cè)量區(qū)域包括第η標(biāo)記和第η+1標(biāo)記，η為大于O的整數(shù)，所述硅片的圖像包括所述第一套刻測(cè)量區(qū)域的第一圖像， 顯示裝置，用于顯示所述硅片的圖像，并將所述第一圖像放大至預(yù)設(shè)倍數(shù)； 測(cè)量裝置，用于根據(jù)所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的預(yù)設(shè)關(guān)系，測(cè)量放大后的所述第一圖像中所述第η標(biāo)記與所述第η+1標(biāo)記之間的第一偏移量和第一偏轉(zhuǎn)角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)量套刻精度的裝置，其特征在于，所述采集裝置為電子顯微鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測(cè)量套刻精度的裝置，其特征在于，所述電子顯微鏡為測(cè)量型掃描電子顯微鏡。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK104317170SQ201410648626
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】徐利輝, 朱本均, 鄒雨佑, 李朝陽(yáng) 申請(qǐng)人:四川飛陽(yáng)科技有限公司