液晶面板及制作方法、半透半反顯示裝置及顯示控制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種半透半反式液晶面板及其制作方法、以及半透半反式顯示裝置及其顯示控制方法，用以解決制作反射層的工藝比較復(fù)雜，反射層的金屬薄膜會造成靜電累計，以及反射層表面凹凸不平、從而不利于反射區(qū)液晶分子取向的問題。本發(fā)明實施例提供一種半透半反式液晶面板，包括矩陣式排布的像素單元，每個像素單元設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述反射區(qū)內(nèi)設(shè)置有反射層；其中：所述反射層包括電子墨水層。
【專利說明】液晶面板及制作方法、半透半反顯示裝置及顯示控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半透半反式液晶面板及其制作方法、以及半透半反式顯示裝置及其顯示控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶面板是被動發(fā)光器件，其按照照明光源可以分為:反射式、透射式和半透半反式。其中，半透半反式液晶面板由于結(jié)合了反射式和透射式液晶面板的特點，同時具備背光源和反射層，在使用時既可以利用自身的背光源也可以利用環(huán)境光，因而得到快速發(fā)展與普及。
[0003]目前半透半反式液晶面板包括:彩膜基板、陣列基板、以及位于所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶，所述陣列基板上形成有多個像素單元，每個像素單元設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述反射區(qū)對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有反射層。為了使反射層具有漫反射能力以提高顯示效果，如圖1所示，目前的反射層I 一般包括表面刻蝕為凹凸?fàn)畹幕w樹脂Ia和鍍在基體樹脂Ia表面用于反射環(huán)境光的金屬薄膜lb。
[0004]目前的反射層會導(dǎo)致如下問題:由于在制作反射層時，需要先將基體樹脂表面刻蝕為凹凸?fàn)?，再在基體樹脂表面鍍金屬薄膜，因此，制作反射層的工藝比較復(fù)雜；由于反射層的金屬薄膜會吸附游離在半透半反式液晶面板中的電子，因此，會造成靜電累計；另外，由于反射層的基體樹脂表面和金屬薄膜為不平的凹凸?fàn)睿虼?，不利于反射區(qū)的液晶分子的取向，降低了反射區(qū)的顯示效果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明實施例提供了一種半透半反式液晶面板及其制作方法、以及半透半反式顯示裝置及其顯示控制方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的制作反射層的工藝比較復(fù)雜，反射層的金屬薄膜會造成靜電累計，以及反射層表面凹凸不平、從而不利于反射區(qū)液晶分子的取向的問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明實施例提供的一種半透半反式液晶面板，包括矩陣式排布的像素單元，每個像素單元設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述反射區(qū)內(nèi)設(shè)置有反射層；其中:
[0007]所述反射層包括電子墨水層。
[0008]較佳地，所述液晶面板為扭曲向列型。
[0009]第二方面，本發(fā)明實施例提供的一種半透半反式顯示裝置，包括所述的液晶面板。
[0010]較佳地，每個所述像素單元內(nèi)具有像素電極，所述像素電極對應(yīng)所述透射區(qū)和反射區(qū)，且所述像素電極位于所述反射層面向液晶的一側(cè)；
[0011]所述液晶面板還包括:與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊，或者，與行像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀行電極塊；其中，所述行電極塊或者列電極塊位于所述反射層背向液晶的一側(cè)；
[0012]所述顯示裝置還包括:通過電極引線與每個所述行電極塊或者列電極塊電性連接的電極塊驅(qū)動1C。
[0013]較佳地，每一列/行像素單元設(shè)置有所述列/行電極塊，或者部分列/行像素單元設(shè)置有所述列/行電極塊。
[0014]較佳地，所述電極塊驅(qū)動IC與控制圖像顯示的時序控制器電性連接；
[0015]所述顯示裝置還包括:外部處理器，與所述時序控制器電性連接，用于根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器，使所述時序控制器根據(jù)所述控制信號，分別控制與柵線電性連接的柵驅(qū)動1C、與數(shù)據(jù)線電性連接的源驅(qū)動1C、以及所述電極塊驅(qū)動1C。
[0016]較佳地，所述外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器；
[0017]所述光線感應(yīng)器通過所述開關(guān)與所述比較器電性連接，所述比較器與所述時序控制器電性連接，或者，
[0018]所述光線感應(yīng)器與所述比較器電性連接，所述比較器通過所述開關(guān)與所述時序控制器電性連接；
[0019]其中，所述外部控制器與所述開關(guān)電性連接，用于根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)閉合或斷開。
[0020]第三方面，本發(fā)明實施例提供的一種半透半反式液晶面板的制作方法，包括:
[0021]在第一襯底基板上形成矩陣式排布的像素單元，并在每個像素單元中設(shè)置透射區(qū)和反射區(qū)；
[0022]在每個所述像素單元內(nèi)的反射區(qū)內(nèi)形成包含電子墨水層的反射層；
[0023]將第二襯底基板和所述第一襯底基板對盒，并在二者之間形成液晶，以形成所述的液晶面板。
[0024]第四方面，本發(fā)明實施例提供的一種所述的半透半反式顯示裝置的顯示控制方法，包括:
[0025]所述外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器；
[0026]所述時序控制器根據(jù)所述控制信號，分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C。
[0027]較佳地，在所述外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器，并且所述光線感應(yīng)器通過開關(guān)與所述比較器電性連接時，所述外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器，具體包括:
[0028]所述外部控制器根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)閉合；
[0029]所述光線感應(yīng)器將由接收的光信號得到的電信號值輸出給比較器；
[0030]所述比較器將所述電信號值分別與第一信號值和第二信號值進行比較，得到三種比較結(jié)果中的一種，并將得到的比較結(jié)果對應(yīng)的控制信號輸出給所述時序控制器。
[0031]較佳地，所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值小于第一信號值，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，具體包括:
[0032]所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第一電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第二電壓值；
[0033]所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值不小于所述第一信號值且不大于第二信號值，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，具體包括:[0034]所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第二電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第一電壓值；
[0035]所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值大于第二信號值，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，具體包括:
[0036]所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第三電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第四電壓值；
[0037]其中，所述第一電壓值大于第二電壓值，且所述第一電壓值與第二電壓值的差值大于第一差值閾值；所述第三電壓值與第四電壓值差值的絕對值小于第二差值閾值，所述第二差值閾值小于第一差值閾值。
[0038]本發(fā)明實施例的有益效果包括:
[0039]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的半透半反式液晶面板的反射層包括電子墨水層，其中，電子墨水層包括多個帶正電的散射粒子和帶負(fù)電的吸光粒子、以及包覆所述散射粒子和吸光粒子的明膠，電子墨水層中的多個散射粒子能夠?qū)饩€起到漫反射作用；由于本發(fā)明實施例的反射層可以采用印刷的方式成型，而不需要對其進行刻蝕處理，因此，制作反射層的工藝簡單；由于本發(fā)明實施例的反射層的外表層為絕緣物質(zhì)明膠，因此，反射層發(fā)生靜電累計的概率比較??；另外，由于本發(fā)明實施例的反射層的表面平坦，因此，不會對反射區(qū)液晶分子的取向產(chǎn)生消極影響或者影響很小，從而提高了反射區(qū)的顯示效果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中半透半反式液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖2為本發(fā)明實施例提供中半透半反式液晶面板的制作方法流程示意圖；
[0042]圖3A?圖3C為本發(fā)明實施例中半透半反式液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖4A為本發(fā)明實施例中列電極塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖4B為本發(fā)明實施例中行電極塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖5A?圖5C為本發(fā)明實施例中半透半反式顯示裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0046]圖6為本發(fā)明實施例提供中半透半反式顯示裝置的顯示控制方法流程示意圖。
【具體實施方式】
[0047]在本發(fā)明實施例中，半透半反式液晶面板，包括矩陣式排布的像素單元，每個像素單元設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述反射區(qū)內(nèi)設(shè)置有反射層；其中:所述反射層包括電子墨水層；與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的半透半反式液晶面板的反射層包括電子墨水層，其中，電子墨水層包括多個帶正電的散射粒子和帶負(fù)電的吸光粒子、以及包覆所述散射粒子和吸光粒子的明膠，電子墨水層中的多個散射粒子能夠?qū)饩€起到漫反射作用；
[0048]由于本發(fā)明實施例的反射層可以采用印刷的方式成型，而不需要對其進行刻蝕處理，因此，制作反射層的工藝簡單；由于本發(fā)明實施例的反射層的外表層為絕緣物質(zhì)明膠，因此，反射層發(fā)生靜電累計的概率比較?。涣硗?，由于本發(fā)明實施例的反射層的表面平坦，因此，不會對反射區(qū)液晶分子的取向產(chǎn)生消極影響或者影響很小，從而提高了反射區(qū)的顯示效果。
[0049]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例的【具體實施方式】進行詳細(xì)地說明。[0050]其中，附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反映陣列基板或彩膜基板的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0051]較佳地，本發(fā)明實施例提供一種半透半反式液晶面板，包括矩陣式排布的像素單元，每個像素單元設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述反射區(qū)內(nèi)設(shè)置有反射層；其中:
[0052]所述反射層包括電子墨水層。
[0053]下面將對電子墨水層進行簡單介紹。
[0054]電子墨水層包括多個帶正電的散射粒子和帶負(fù)電的吸光粒子、以及包覆所述散射粒子和吸光粒子的明膠；其中:
[0055]帶正電的散射粒子一般為粒徑為納米級別的金屬氧化物粒子，其一般為白色粒子;
[0056]帶負(fù)電的吸光粒子一般為粒徑為納米級別的黑色粒子；
[0057]絕緣物質(zhì)明膠為一種容易均勻涂覆的透明彈性體。
[0058]實施中，電子墨水層包括多個散射粒子，因此，電子墨水層能夠?qū)饩€起到反射作用；而且，由于電子墨水層中散射粒子的形狀類似于球狀，因此，電子墨水層中排布的散射粒子表面凹凸不平，從而使得電子墨水層中的散射粒子能夠?qū)饩€起到漫反射作用。
[0059]實施中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的半透半反式液晶面板的反射層包括電子墨水層；
[0060]本發(fā)明實施例的反射層可以采用印刷的方式成型，而不需要對其進行刻蝕處理，因此，制作反射層的工藝簡單；
[0061]本發(fā)明實施例的反射層的外表層為絕緣物質(zhì)明膠，因此，反射層發(fā)生靜電累計的概率比較??；
[0062]另外，本發(fā)明實施例的反射層的表面平坦，因此，不會對反射區(qū)液晶分子的取向產(chǎn)生消極影響或者影響很小，從而提高了反射區(qū)的顯示效果。
[0063]較佳地，本發(fā)明實施例中的半透半反式液晶面板可以為任一種液晶兩側(cè)電場為垂直電場的半透半反式液晶面板。
[0064]較佳地，本發(fā)明實施例中的半透半反式液晶面板為扭曲向列型。
[0065]實施中，扭曲向列型液晶面板比較適合用來制作半透半反式液晶面板，而且扭曲向列型半透半反式液晶面板的工藝簡單和成熟。
[0066]較佳地，本發(fā)明實施例的半透半反式液晶面板包括第一襯底基板、第二襯底基板、以及位于所述第一襯底基板和第二襯底基板之間的液晶；
[0067]所述矩陣式排布的像素單元位于所述第一襯底基板面向液晶的一面上。
[0068]基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖2所示，本發(fā)明實施例提供一種半透半反式液晶面板的制作方法，包括:
[0069]步驟201、在第一襯底基板上形成矩陣式排布的像素單元，并在每個像素單元中設(shè)置透射區(qū)和反射區(qū)；
[0070]步驟202、在每個所述像素單元內(nèi)的反射區(qū)內(nèi)形成包含電子墨水層的反射層；
[0071]步驟203、將第二襯底基板和所述第一襯底基板對盒，并在二者之間形成液晶，以形成所述的液晶面板。
[0072]實施中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的半透半反式液晶面板的反射層包括電子墨水層；
[0073]本發(fā)明實施例的反射層可以采用印刷的方式成型，而不需要對其進行刻蝕處理，因此，制作反射層的工藝簡單；
[0074]本發(fā)明實施例的反射層的外表層為絕緣物質(zhì)明膠，因此，反射層發(fā)生靜電累計的概率比較??；
[0075]另外，本發(fā)明實施例的反射層的表面平坦，因此，不會對反射區(qū)液晶分子的取向產(chǎn)生消極影響或者影響很小，從而提高了反射區(qū)的顯示效果。
[0076]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例提供一種半透半反式顯示裝置，包括:本發(fā)明實施例中所述的半透半反式液晶面板。
[0077]實施中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的半透半反式顯示裝置的反射層包括電子墨水層；
[0078]本發(fā)明實施例的反射層可以采用印刷的方式成型，而不需要對其進行刻蝕處理，因此，制作反射層的工藝簡單；
[0079]本發(fā)明實施例的反射層的外表層為絕緣物質(zhì)明膠，因此，反射層發(fā)生靜電累計的概率比較??；
[0080]另外，本發(fā)明實施例的反射層的表面平坦，因此，不會對反射區(qū)液晶分子的取向產(chǎn)生消極影響或者影響很小，從而提高了反射區(qū)的顯示效果。
[0081]較佳地，每個所述像素單元內(nèi)具有像素電極，所述像素電極對應(yīng)所述透射區(qū)和反射區(qū)，且所述像素電極位于所述反射層面向液晶的一側(cè)；
[0082]所述液晶面板還包括:與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊，或者，與行像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀行電極塊；其中，所述行電極塊或者列電極塊位于所述反射層背向液晶的一側(cè)；
[0083]所述顯示裝置還包括:通過電極引線與每個所述行電極塊或者列電極塊電性連接的電極塊驅(qū)動1C。
[0084]實施中，可以將對應(yīng)透射區(qū)和反射區(qū)、且位于反射層面向液晶一側(cè)的像素電極作為反射層的上電極，將對應(yīng)反射區(qū)、且位于反射層背向液晶一側(cè)的行/列電極塊作為反射層的下電極，通過在所述反射層的上下電極上施加電壓，實現(xiàn)控制反射層(即，電子墨水層)中的散射粒子和吸光粒子的重新排布。
[0085]較佳地，像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)可以沿著水平方向設(shè)置，也可以沿著垂直方向設(shè)置；并且，在像素單元中透射區(qū)和反射區(qū)的設(shè)置方式不同時，液晶面板包括的長條狀電極塊位置也不同，下面將分別進行介紹。
[0086]實施中，可以依據(jù)像素單元中透射區(qū)和反射區(qū)的設(shè)置方式，制作長條狀電極塊，從而可以降低制作長條狀電極塊的難度。
[0087]1、像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著水平方向設(shè)置。
[0088]較佳地，在像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著水平方向設(shè)置時，所述液晶面板包括:與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊。
[0089]比如，以圖3A為例，圖3A為一個像素單元的截面圖，如圖3A所示，像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著水平方向設(shè)置；反射層10位于反射區(qū)內(nèi)；像素單元內(nèi)的像素電極20a位于反射層10面向液晶30的一側(cè)，且覆蓋透射區(qū)和反射區(qū)；與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊20b位于反射層10背向液晶30的一側(cè)。
[0090]較佳地，每一列像素單元設(shè)置有所述列電極塊，或者部分列像素單元設(shè)置有所述列電極塊。
[0091]以圖4A為例，圖4A為矩陣式排布的像素單元的俯視圖，如圖4A所示，每個像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著水平方向設(shè)置，每一列像素單元設(shè)置有一個與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊20b。
[0092]較佳地，在部分列像素單元設(shè)置有所述列電極塊時，具體可以為:
[0093]每隔N列設(shè)置一個與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊，其中，N為自然數(shù)。
[0094]2、像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著垂直方向設(shè)置。
[0095]較佳地，在像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著垂直方向設(shè)置時，所述液晶面板包括:與行像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀行電極塊。
[0096]較佳地，每一行像素單元設(shè)置有所述行電極塊，或者部分行像素單元設(shè)置有所述行電極塊。
[0097]以圖4B為例，圖4B為矩陣式排布的像素單元的俯視圖，如圖4B所示，每個像素單元中的透射區(qū)和反射區(qū)沿著垂直方向設(shè)置，每一行像素單元設(shè)置有一個與行像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀行電極塊20b。
[0098]較佳地，在部分行像素單元設(shè)置有所述行電極塊時，具體可以為:
[0099]每隔N行設(shè)置一個與行像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀行電極塊，其中，N為自然數(shù)。
[0100]較佳地，如圖4A和圖4B所示，電極塊驅(qū)動IClOOa通過電極引線與每個行電極塊或者列電極塊20b電性連接，實現(xiàn)給行電極塊或者列電極塊20b提供電壓。
[0101]較佳地，每個像素單元內(nèi)具有柵極、源極和漏極分別與柵線、數(shù)據(jù)線和所述像素電極電性連接的TFT (薄膜晶體管)；
[0102]所述顯示裝置具有與每個所述柵線電性連接的柵驅(qū)動1C、與每個所述數(shù)據(jù)線電性連接的源驅(qū)動1C、以及與所述柵驅(qū)動IC和源驅(qū)動IC電性連接的控制圖像顯示的時序控制器。
[0103]較佳地，如圖5A所示，電極塊驅(qū)動IClOOa與控制圖像顯示的時序控制器200電性連接；
[0104]所述顯示裝置還包括:外部處理器300，與時序控制器200電性連接，用于根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給時序控制器200,使所述時序控制器200根據(jù)所述控制信號，分別控制與柵線電性連接的柵驅(qū)動IClOOb、與數(shù)據(jù)線電性連接的源驅(qū)動IClOOc、以及所述電極塊驅(qū)動IClOOa。
[0105]實施中，時序控制器控制柵驅(qū)動和源驅(qū)動，以控制施加到與柵線電性連接的柵極和與數(shù)據(jù)線電性連接的源極的電壓值，從而控制與漏極電性連接的像素電極的電壓值；
[0106]時序控制器控制電極塊驅(qū)動，以控制施加到行/列電極塊的電壓值；
[0107]S卩，本發(fā)明實施例可以實現(xiàn):根據(jù)環(huán)境光強弱控制施加在像素電極和行/列電極塊上的電壓值，以控制反射層中的散射粒子和吸光粒子的排布，以調(diào)節(jié)透射區(qū)和/或反射區(qū)的亮度，從而提高顯示裝置的顯示效果和性能。[0108]較佳地，所述外部處理器，具體用于在接收到用戶的操作指令時，根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給時序控制器。
[0109]實施中，根據(jù)用戶控制，調(diào)節(jié)透射區(qū)和/或反射區(qū)的亮度，可以提高用戶體驗。
[0110]較佳地，所述外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器；其中:
[0111]如圖5B所示，光線感應(yīng)器301通過開關(guān)302與比較器303電性連接，比較器303與時序控制器200電性連接，其中，外部控制器304與開關(guān)302電性連接，用于根據(jù)用戶操作控制開關(guān)302閉合或斷開；或者，
[0112]如圖5C所示，光線感應(yīng)器301與比較器303電性連接，所述比較器303通過開關(guān)302與時序控制器200電性連接，其中，外部控制器304與開關(guān)302電性連接，用于根據(jù)用戶操作控制開關(guān)302閉合或斷開。
[0113]實施中，外部控制器根據(jù)用戶操作控制開關(guān)閉合；光線感應(yīng)器將由接收的光信號得到的電信號值輸出給比較器；比較器將所述電信號值與設(shè)定信號值閾值進行比較，得到比較結(jié)果，并將得到的比較結(jié)果對應(yīng)的控制信號輸出給所述時序控制器。
[0114]較佳地，本發(fā)明實施例中的外部控制器可以為現(xiàn)有技術(shù)中任一種能夠?qū)崿F(xiàn)接收用戶操作指令，并根據(jù)接收的用戶操作指令觸發(fā)開關(guān)閉合或斷開的器件。
[0115]實施中，在外部控制器根據(jù)接收的用戶操作指令觸發(fā)開關(guān)閉合時，可以實現(xiàn)根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給時序控制器；在外部控制器根據(jù)接收的用戶操作指令觸發(fā)開關(guān)斷開時，可以實現(xiàn)停止向時序控制器輸出與環(huán)境光強弱對應(yīng)的控制信號。
[0116]較佳地，本發(fā)明實施例中的光線感應(yīng)器、比較器和開關(guān)的實施方式與現(xiàn)有技術(shù)中中的光線感應(yīng)器、比較器和開關(guān)的實施方式類似，在此不再贅述。
[0117]需要說明的是，如圖5B和圖5C所示的外部處理器的具體結(jié)構(gòu)僅用于解釋本發(fā)明實施例，而不用于限制本發(fā)明實施例，其他可以實現(xiàn)本發(fā)明實施例中的外部處理器的功能的具體結(jié)構(gòu)也適用于本發(fā)明實施例。
[0118]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的圖3A所示的半透半反式液晶面板結(jié)構(gòu)僅用于解釋本發(fā)明實施例，而不用于限制本發(fā)明實施例，其他可以實現(xiàn)包括分別位于反射層的上下側(cè)的具體半透半反式液晶面板結(jié)構(gòu)也適用于本發(fā)明實施例，比如，在像素電極和反射層之間設(shè)置一層與圖3A所示的列電極塊20b位置對應(yīng)的列電極塊，并將其作為反射層的上電極；或者，將圖3A所不的列電極塊20b設(shè)置于第一襯底基板40背向液晶30的一側(cè)。
[0119]基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖6所示，本發(fā)明實施例提供一種所述的半透半反式顯示裝置的顯示控制方法，包括:
[0120]步驟601、外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器；
[0121]步驟602、所述時序控制器根據(jù)所述控制信號，分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C。
[0122]實施中，根據(jù)環(huán)境光強弱控制施加在像素電極和行/列電極塊上的電壓值，以控制反射層中的散射粒子和吸光粒子的排布，以調(diào)節(jié)透射區(qū)和/或反射區(qū)的亮度，從而提高顯示裝置的顯示效果和性能。
[0123]較佳地，在步驟601中，外部處理器在接收到用戶的操作指令時，根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給時序控制器。[0124]實施中，根據(jù)用戶控制，發(fā)送控制信號給時序控制器，以調(diào)節(jié)透射區(qū)和/或反射區(qū)的売度，可以提聞用戶體驗。
[0125]較佳地，在外部處理器的具體結(jié)構(gòu)不同時，外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給時序控制器的流程略有不同，下面將分別進行介紹。
[0126]1、外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器，并且光線感應(yīng)器通過開關(guān)與比較器電性連接，比較器與時序控制器電性連接，外部控制器與開關(guān)電性連接。
[0127]較佳地，在步驟601中，所述外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器，具體包括:
[0128]所述外部控制器根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)閉合；
[0129]所述光線感應(yīng)器將由接收的光信號得到的電信號值輸出給比較器；
[0130]所述比較器將所述電信號值分別與第一信號值和第二信號值進行比較，得到三種比較結(jié)果中的一種，并將得到的比較結(jié)果對應(yīng)的控制信號輸出給所述時序控制器。
[0131]2、外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器，并且光線感應(yīng)器與比較器電性連接，比較器通過開關(guān)與時序控制器電性連接，外部控制器與開關(guān)電性連接。
[0132]較佳地，在步驟601中，所述外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器，具體包括:
[0133]所述光線感應(yīng)器將由接收的光信號得到的電信號值輸出給比較器；
[0134]所述比較器將所述電信號值分別與第一信號值和第二信號值進行比較，得到三種比較結(jié)果中的一種，并確定得到的比較結(jié)果對應(yīng)的控制信號；
[0135]所述外部控制器根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)閉合；
[0136]所述比較器將確定的控制信號輸出給所述時序控制器。
[0137]具體實施中，光線感應(yīng)器接收的光信號越強，光線感應(yīng)器將由接收的光信號得到的電信號值越大；且
[0138]在比較器將所述光線感應(yīng)器輸出的電信號值分別與第一信號值和第二信號值進行比較時，可能存在三種比較結(jié)果，下面將分別進行介紹。
[0139]1、所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值小于第一信號值。
[0140]較佳地，在步驟602中，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動IC,具體包括:
[0141]所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第一電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第二電壓值；
[0142]其中，所述第一電壓值大于第二電壓值，且所述第二電壓值與第一電壓值的差值大于第一差值閾值。
[0143]實施中，在所述電信號值小于第一信號值時，表不環(huán)境光比較弱，此時，顯不裝置可能位于非戶外環(huán)境中；
[0144]通過在像素電極上施加第一電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第二電壓值，由于同性相斥異性相吸原理，如圖3A所示，反射層10中的散射粒子IOa靠近行電極塊或者列電極塊20b，反射層10中的吸光粒子IOb靠近像素電極20a ；[0145]S卩，相當(dāng)于散射粒子反射層直接成型于玻璃基板上，能很大程度上減小背光的損失，使其被反射到背光模組上，并在被背光模組反射后，部分從透射區(qū)射出，從而提高透射區(qū)的顯不売度，以提聞像素單兀的整體顯不売度，進而提聞了背光的利用率。
[0146]2、所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值不小于所述第一信號值且不大于
第二信號值。
[0147]較佳地，在步驟602中，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動IC,具體包括:
[0148]所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第二電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第一電壓值。
[0149]實施中，在所述電信號值不小于所述第一信號值且不大于第二信號值時，表示環(huán)境光不是很強也不是很弱，屬于正常強度，此時，顯示裝置可能位于光強正常的戶外環(huán)境中；
[0150]通過在像素電極上施加第二電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第一電壓值，由于同性相斥異性相吸原理，如圖3B所示，反射層10中的散射粒子IOa靠近像素電極20a，反射層10中的吸光粒子IOb靠近行電極塊或者列電極塊20b ；
[0151]即，相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中反射區(qū)內(nèi)的反射層的作用，反射層對環(huán)境光具有很好的漫反射作用。
[0152]3、所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值大于第二信號值。
[0153]較佳地，在步驟602中，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動IC,具體包括:
[0154]所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第三電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第四電壓值；
[0155]其中，所述第三電壓值與第四電壓值差值的絕對值小于第二差值閾值，并且所述第二差值閾值小于第一差值閾值。
[0156]實施中，在所述電信號值大于第二信號值時，表不環(huán)境光比較強，此時，顯不裝置可能位于光強較大的戶外環(huán)境中；
[0157]通過在像素電極上施加第三電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第四電壓值，由于同性相斥異性相吸原理，如圖3C所示，反射層10中的一部分散射粒子IOa和吸光粒子IOb靠近像素電極20a，反射層10中的另一部分散射粒子IOa和吸光粒子IOb靠近行電極塊或者列電極塊20b ；
[0158]S卩，通過在像素電極和行/列電極塊上施加大小相近或相同的電壓值，以使上下兩側(cè)均有散射粒子和吸光粒子，使得分布于上側(cè)的吸光粒子能吸收部分環(huán)境光以降低反射區(qū)的顯示亮度，而分布于下側(cè)的散射粒子能反射背光使其能重復(fù)利用以提高透射區(qū)的顯示亮度，從而可以調(diào)節(jié)反射區(qū)與透射區(qū)的顯示亮度以減小二者的顯示亮度差，以提高顯示裝置的顯示效果和性能。
[0159]較佳地，通過控制在像素電極和行/列電極塊上施加的電壓值，以調(diào)節(jié)反射區(qū)域與透射區(qū)域的亮度差異，以適應(yīng)不同環(huán)境光強度的戶外環(huán)境。
[0160]較佳地，在步驟602之后，還包括:
[0161]在到達(dá)設(shè)定時間長度后，所述外部控制器根據(jù)接收到的用戶的操作指令，停止向時序控制器輸出與環(huán)境光強弱對應(yīng)的控制信號。
[0162]實施中，可以保證在到達(dá)設(shè)定時間長度后，時序控制器控制圖像進行正常顯示。
[0163]實施中，由于反射層(電子墨水)具有雙穩(wěn)態(tài)，只需瞬間充電，而不需維持電壓，因此，在到達(dá)設(shè)定時間長度后，反射層能夠維持充電時的穩(wěn)態(tài)。
[0164]較佳地，在外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器時，所述外部處理器根據(jù)接收到的用戶的操作指令，停止向時序控制器輸出與環(huán)境光強弱對應(yīng)的控制信號，具體為:
[0165]所述外部控制器根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)斷開，以停止向時序控制器輸出與環(huán)境光強弱對應(yīng)的控制信號。
[0166]較佳地，設(shè)定時間長度為開關(guān)閉合的時間長度，所述設(shè)定時間長度具體可以根據(jù)經(jīng)驗或者需要設(shè)定，比如，根據(jù)經(jīng)驗或者需要設(shè)定為不小于I毫秒。
[0167]為了詳細(xì)、清楚地對本發(fā)明實施例中半透半反式液晶面板的制作方法進行介紹，下面以一個具體的實施例進行介紹。
[0168]實施例一
[0169]在本發(fā)明實施例一中，以制作如圖3A所示的半透半反式液晶面板為例，對本發(fā)明實施例的半透半反式液晶面板制作方法進行介紹。
[0170]步驟Al、在第一襯底基板上形成矩陣式排布的像素單元，并在每個像素單元中設(shè)置透射區(qū)和反射區(qū)；
[0171]其中，如圖3A所示，第一襯底基板40上的一個像素單元內(nèi)設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)。
[0172]步驟A2、在透射區(qū)形成包含柵極、源極和漏極的TFT;以及，在反射區(qū)形成與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊；
[0173]其中，如圖3A所示，TFT50位于透射區(qū)，長條狀列電極塊20b位于反射區(qū)。
[0174]步驟A3、在反射區(qū)內(nèi)的所述列電極塊上印刷一層電子墨水層，作為反射層；以及，在透射區(qū)形成覆蓋TFT、且上表面與電子墨水層上表面平齊的平坦化層；
[0175]其中，如圖3A所示，反射層10位于反射區(qū)，平坦化層60位于透射區(qū)。
[0176]步驟A4、在所述平坦化層中形成一個露出TFT的漏極的過孔；
[0177]步驟A5、形成覆蓋所述平坦化層和電子墨水層、且通過所述過孔與漏極電性連接的像素電極；
[0178]其中，如圖3A所示，像素電極20a通過過孔70與TFT50的漏極電性連接。
[0179]步驟A6、在像素電極上涂覆一層取向?qū)樱?br>
[0180]其中，如圖3A所示，在像素電極上形成有取向?qū)?0。
[0181]步驟A7、將形成有取向?qū)拥牡诙r底基板和所述第一襯底基板對盒，并在二者之間形成液晶，以形成所述的液晶面板。
[0182]其中，如圖3A所示，形成有取向?qū)?0的第二襯底基板和第一襯底基板之間形成有液晶30。
[0183]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。[0184]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半透半反式液晶面板，包括矩陣式排布的像素單元，每個像素單元設(shè)置有透射區(qū)和反射區(qū)，在所述反射區(qū)內(nèi)設(shè)置有反射層，其特征在于， 所述反射層包括電子墨水層。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述液晶面板為扭曲向列型。
3.—種半透半反式顯示裝置，包括:權(quán)利要求1或2所述的液晶面板。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，每個所述像素單元內(nèi)具有像素電極，所述像素電極對應(yīng)所述透射區(qū)和反射區(qū)，且所述像素電極位于所述反射層面向液晶的一側(cè)； 所述液晶面板還包括:與列像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀列電極塊，或者，與行像素單元的反射區(qū)對應(yīng)的長條狀行電極塊；其中，所述行電極塊或者列電極塊位于所述反射層背向液晶的一側(cè)； 所述顯示裝置還包括:通過電極引線與每個所述行電極塊或者列電極塊電性連接的電極塊驅(qū)動1C。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，每一列/行像素單元設(shè)置有所述列/行電極塊，或者部分列/行像素 單元設(shè)置有所述列/行電極塊。
6.如權(quán)利要求4或5所述的顯示裝置，其特征在于，所述電極塊驅(qū)動IC與控制圖像顯示的時序控制器電性連接； 所述顯示裝置還包括:外部處理器，與所述時序控制器電性連接，用于根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器，使所述時序控制器根據(jù)所述控制信號，分別控制與柵線電性連接的柵驅(qū)動1C、與數(shù)據(jù)線電性連接的源驅(qū)動1C、以及所述電極塊驅(qū)動1C。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器； 所述光線感應(yīng)器通過所述開關(guān)與所述比較器電性連接，所述比較器與所述時序控制器電性連接，或者， 所述光線感應(yīng)器與所述比較器電性連接，所述比較器通過所述開關(guān)與所述時序控制器電性連接； 其中，所述外部控制器與所述開關(guān)電性連接，用于根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)閉合或斷開。
8.—種半透半反式液晶面板的制作方法，其特征在于，包括: 在第一襯底基板上形成矩陣式排布的像素單元，并在每個像素單元中設(shè)置透射區(qū)和反射區(qū)； 在每個所述像素單元內(nèi)的反射區(qū)內(nèi)形成包含電子墨水層的反射層； 將第二襯底基板和所述第一襯底基板對盒，并在二者之間形成液晶，以形成所述的液晶面板。
9.一種如權(quán)利要求6所述的半透半反式顯示裝置的顯示控制方法，其特征在于，包括: 所述外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器； 所述時序控制器根據(jù)所述控制信號，分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動ICo
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述外部處理器具體包括:光線感應(yīng)器、比較器、開關(guān)和外部控制器，并且所述光線感應(yīng)器通過開關(guān)與所述比較器電性連接時，所述外部處理器根據(jù)環(huán)境光強弱輸出相應(yīng)控制信號給所述時序控制器，具體包括: 所述外部控制器根據(jù)用戶操作控制所述開關(guān)閉合； 所述光線感應(yīng)器將由接收的光信號得到的電信號值輸出給比較器； 所述比較器將所述電信號值分別與第一信號值和第二信號值進行比較，得到三種比較結(jié)果中的一種，并將得到的比較結(jié)果對應(yīng)的控制信號輸出給所述時序控制器。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值小于第一信號值，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動IC,具體包括: 所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第一電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第二電壓值； 所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值不小于所述第一信號值且不大于第二信號值，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，具體包括: 所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第二電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第一電壓值； 所述比較器得到的比較結(jié)果為:所述電信號值大于第二信號值，所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、 源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，具體包括: 所述時序控制器分別控制所述柵驅(qū)動1C、源驅(qū)動IC和電極塊驅(qū)動1C，以使在像素電極上施加第三電壓值，以及在行電極塊或者列電極塊上施加第四電壓值； 其中，所述第一電壓值大于第二電壓值，且所述第一電壓值與第二電壓值的差值大于第一差值閾值；所述第三電壓值與第四電壓值差值的絕對值小于第二差值閾值，所述第二差值閾值小于第一差值閾值。
【文檔編號】G02F1/1333GK103969874SQ201410174880
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月28日
【發(fā)明者】王新星 申請人:京東方科技集團股份有限公司