專利名稱：涂有包含基于氧化錫的導電薄膜的抗反射或反射涂層的光學制品及其制造方法
涂有包含基于氧化錫的導電薄膜的抗反射或反射涂層的光
學制品及其制造方法 本發(fā)明一般地涉及光學制品，尤其是鏡片，其具有抗靜電和抗反射或反射性能，其有利地不會由于受到抗靜電處理而隨著時間產生表觀缺陷，以及涉及制造所述光學制品的方法。已知的是，通過硬質涂層(抗磨和/或抗劃痕涂層)，其一般基于聚硅氧烷，來保護眼科鏡片的表面，不論它們是礦物的或有機的。還已知的是，處理眼科鏡片，使得防止任何雜亂的或者不需要的反射光出現，其會干擾鏡片佩戴者，和他們正在對話的人們。然后給鏡片提供單層或多層的抗反射涂層，其一般由礦物材料制成。當鏡片在其結構中包含硬質抗磨涂層時，抗反射涂層一般被沉積到該抗磨層表面之上。此類堆疊通過硬化該體系，然后變脆，減低了沖擊強度。在用有機玻璃制成的眼科鏡片工業(yè)領域，這問題為大家所熟知。為了克服該缺點，已經建議在有機玻璃鏡片和抗磨硬質涂層之間提供一抗沖擊底層。還熟知的是，基本上用絕緣材料制成的光學制品傾向于使得它們的表面容易帶上靜電荷(摩擦起電)，尤其是在干燥條件下用擦拭布，一片合成泡沫或者聚酯來摩擦它們的表面進行清潔的時候。在它們的表面存在的電荷會產生靜電場，其能夠吸引好保留附近 (數個厘米外)極低重量的物體，一般地，很小尺度的顆粒，諸如粉塵，并且只要電荷保留在制品上就總是有效。為了減少或者抑制對顆粒的吸弓丨，有必要減低靜電場強度，S卩，減少制品表面的靜電荷數目。這可通過使得電荷具有遷移性，例如通過插入產生"電荷載體(charge carrier)“的強遷移性的層，來實現。產生最強遷移性的材料是所謂的導電材料。因此，具有高電導率的材料使得電荷的快速散逸成為可能?，F有技術中揭示了，光學制品可通過在功能涂層堆疊中，往它們的表面引入至少一個導電層(或者"抗靜電層"，兩種表述可以互換使用)，來賦予抗靜電性能。所述抗靜電層可形成功能性涂層堆疊體的外層，或者中間層(內層)，或可直接沉積到光學制品基材之上。將所述層結合到堆疊中為制品提供了抗靜電性能，即使抗靜電涂層插入到兩個非抗靜電涂層或基材之間。在此使用的，“抗靜電"指的是不保留和/或產生值得注意的靜電荷的能力。在其表面之一用適當擦拭布進行摩擦之后，其不會吸引或者固定粉塵或者小顆粒的時候，該制品一般被認為具有可接受的抗靜電性能。它能夠迅速地散逸掉積累的靜電荷，使得所述制品在擦拭后似乎變得更干凈。可使用各種定量測定材料的抗靜電性能的方法。材料的抗靜電性常常與其的靜電位(static potential)有關系。當材料的靜電位(當材料未帶電荷時進行測量)是0KV+/-0. IKV(絕對值)時，該材料被認為是抗靜電的， 另一方面當它的靜電位不同于0KV+/-0. 1KV(絕對值)，該材料被認為是帶靜電的。根據另一方法，玻璃疏散靜電荷的能力，所述靜電荷通過與布進行摩擦或者任何適合產生靜電荷的手段(例如電暈充電)來獲得，可以通過測量將所述電荷散逸所需的時間來定量。因此，在本申請中，玻璃被認為是抗靜電的，如果它的放電時間等于或小于500 毫秒。靜電玻璃可具有數十秒的放電時間，剛剛進行摩擦的靜電玻璃因此可吸附周圍的粉塵，在其電荷漸漸枯竭所需要的時間里。已知的抗靜電涂料包括至少一種抗靜電劑，其一般是金屬氧化物(半)導體，任選摻雜的，諸如銦-錫氧化物(ITO)，氧化鋅。銦-錫氧化物(ITO)是最流行的材料。其可以是銦-摻雜的氧化錫或錫-摻雜的氧化銦。最常用的材料一般是錫-摻雜的氧化銦，錫的用量為5到17重量％。申請或專禾U EP0834092, DE3942990, DE4117257，US6, 852，406，US2008/028984 和 US2002/018887公開了光學制品，尤其是眼科鏡片，其提供有抗反射堆疊體，其實質上是礦物，包括在真空下沉積的礦物，透明的導電層，其基于二氧化鈦，銦-錫氧化物(ITO)，氧化鋅，氧化錫，等等。該ITO層在專利US6，852，406有描述，其一般由包括90%氧化銦和10% 氧化錫的來源來形成。專利W02009/004222，以本申請人的名義申請，公開了具有抗反射性能的光學制品，其包括具有涂覆有抗反射涂層的至少一個主要表面的基材，所述抗反射涂層可包括至少一個導電層。這層優(yōu)選包含金屬氧化物，其選自銦，錫，鋅氧化物和它們的組合，優(yōu)選的材料是銦-錫氧化物(ITO)。然而，包含基于ITO的抗靜電層的抗反射涂層無法完全令人滿意。基于ITO的抗靜電層，其缺點是，在可見光范圍的吸收無法忽略，因此它們的厚度必須相對低，以便不會損害光學制品的透明度性能。因此，ITO層具有輕微過度黃色，當沉積到一些基材，諸如ORMA 基材之上時，其對肉眼是可感覺到的，如果ITO層厚度超過6. 5nm。但是使用所述導電性抗靜電層，尤其ITO層的主要缺點，在于在給光學制品提供抗反射和抗靜電性能之后相對短的時期后，在光學制品上缺陷的發(fā)生，其也被稱為外觀缺陷(cosmetic defect)。此類缺陷對所述光學制品的市場推廣是一個阻礙。取決于基材，這些缺陷或者最初就出現，或者在眼科鏡片使用中，有時在幾天到數個月的時間之內或者之后，逐漸出現。此類缺陷以點或者線的形式出現在制品表面。導電層一般通過離子輔助沉積來進行沉積。本發(fā)明人已經發(fā)現，所述離子輔助的沉積可顯著地減低缺陷的發(fā)生率。外觀缺陷問題的發(fā)生并未在前述任一文獻中有所討論。因此，本發(fā)明的一個目的是提供透明光學制品，尤其是鏡片，其具有抗靜電和抗反射或反射性能，任選抗磨和/或抗劃痕和/或抗沖擊性能，但是其不會隨時間而產生外觀缺陷，并且保持在涂層的各種層之間突出的粘附性能。本發(fā)明的另一個目的是提供一光學制品，其具有隨著時間穩(wěn)定的抗靜電性能。本發(fā)明的進一步目的是提供一種制備上述定義的制品的方法，其可容易地與常規(guī)方法進行整合，來制備所述制品，同時避免任何基材加熱步驟。本發(fā)明人已經確定，解決該技術問題與形成抗靜電層的材料性質和選擇特定的材料有關。該問題不能通過改進堆疊體內部抗靜電涂層的位置來解決。本發(fā)明人還已經確定了一旦它們涂覆上抗靜電抗反射(或反射)涂層后傾向于發(fā)展這類缺陷的基材的特性，以及哪種基材無論抗靜電層的性質如何不會有這類缺陷。
本發(fā)明強調了這樣的事實，即使用抗反射或反射涂層，一些基于SnA的抗靜電層， 不會引起在基材上可見的外觀缺陷，該基材吸水率大于0. 6重量％，并因此保持了所述涂層的透明度，尤其是隨著時間的透明度，因此阻止了其被損壞。根據本發(fā)明設定目標的目的在于，一種具有抗靜電性能和抗反射或反射性能的光學制品，其包括具有至少一個主要表面的基材，所述主要表面帶有抗反射或反射涂層，所述涂層包括含有至少30重量％，優(yōu)選至少40重量％和更優(yōu)選至少50重量％氧化錫(SnO2) 的至少一個導電層，基于導電層的總重量，所述導電層通過離子輔助沉積進行沉積，并且所述基材吸水率等于或大于0. 6重量％，基于基材的總重量，在預干燥所述基材、然后將其在 50°C下100%相對濕度和大氣壓力的腔室中儲存800小時后，測定該吸水率。本發(fā)明還涉及一種制造所述光學制品的方法，其至少包括-提供包含帶有至少一主要表面的基材的光學制品，所述基材具有等于或大于 0. 6重量％的吸水率，基于基材總重量，吸水率按照上文所述進行測量；-將抗反射或反射涂層沉積到所述基材的主要表面之上，所述涂層包括至少一個導電層，包括至少30重量％氧化錫(SnO2)，基于導電層的總重量，所述導電層通過離子輔助沉積來進行沉積，-獲得包含基材的光學制品，所述基材的主要表面已經涂覆有包含導電層的抗反射或反射涂層。說明書的剩下部分基本上涉及抗反射涂層，也適用于反射涂層，細節(jié)上已作必要改動。本發(fā)明仍然優(yōu)選適用于抗反射涂層。本申請中，當光學制品在其表面包含一層或多層涂層時，所使用的短語"在制品上沉積層或涂層"指的是層或涂層沉積在制品外涂層的外(暴露)表面上，即，最遠離基材的涂層。在所述基材"上"或沉積在基材"上"的涂層，是指這樣的涂層(i)位于基材上方，( )不一定與基材接觸，即在基材和所述涂層之間可能沉積有一層或多層中間涂層， 和(iii)不必完全覆蓋基材。當“層1位于層2下方"時，指的是層2比層1距離基材遠。根據本發(fā)明制備的光學制品包含基材，優(yōu)選透明基材，具有主要正面和背面，其中所述主要面中的至少一個包含抗反射涂層，優(yōu)選兩個主面均包含。在此使用的，基材的背面(一般是凹面)指的是當使用制品時，最接近佩戴者眼睛的面。相反地，基材的正面(一般是凸面)指的是當使用制品時，最遠離佩戴者眼睛的面。雖然本發(fā)明的制品可以是任何光學制品，諸如屏幕或鏡子，這優(yōu)選是光學鏡片，更優(yōu)選眼科鏡片，或者光學鏡片毛坯或眼科鏡片毛坯。該鏡片可以是偏振的，著色的或光致變色的鏡片。優(yōu)選地，本發(fā)明的眼科鏡片具有高透射率。本發(fā)明的抗反射涂層可以在裸露基材即非涂敷的基材的至少一個主要面上形成， 或者在早已涂覆上一種或多種功能性涂層的基材的至少一個主要面之上形成。用于本發(fā)明的光學制品的基材必須為有機玻璃，例如熱塑性塑料或熱固塑料材料。它應具有等于或大于0. 6重量％的吸水率，基于基材總重量，優(yōu)選等于或大于0. 7 重量％，在預干燥所述基材并將其在50°C，100%相對濕度和大氣壓力下的腔室中進行儲存 800小時之后，測定該吸水率。本發(fā)明人確實已經觀察到，在上文所述的測試條件下的吸水率低于0. 6重量％的基材不導致外觀缺陷的形成。基材吸水率的測定需要本領域技術人員熟知的常規(guī)程序，并且可以容易地實施。 它們在下文的實驗部分中詳細描述。用于本發(fā)明的光學制品的基材可選自下列材料家族，只要它們滿足上文提及的吸水率特性(甲基)丙烯酸(共)聚合物，尤其聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)，硫基(甲基) 丙烯酸(共)聚合物，聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，聚氨酯(PU)，聚(硫代氨基甲酸酯)，多元醇烯丙基碳酸酯(共)聚合物，熱塑性乙烯/乙酸乙烯酯共聚物，聚酯諸如聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(PET)或聚(對苯二甲酸丁二醇酯)(PBT)，聚環(huán)氧化物，聚碳酸酯/聚酯共聚物，環(huán)烯烴共聚物諸如乙烯/降冰片烯或乙烯/環(huán)戊二烯共聚物，以及它們的組合。當然這些基材可通過單體混合物的聚合來獲得，或者可包含所述聚合物或者共聚物的混合物。特別優(yōu)選的基材種類包括聚(硫代氨基甲酸酯)，聚環(huán)硫化物和由亞烷基二醇雙烯丙基碳酸酯的聚合或者共聚合而得到的樹脂，只要它們具有等于或大于0. 6%的吸水率。適用于本發(fā)明的基材實例包括得自MR6 ，MR7 和MR8 的樹脂(熱固性聚硫代氨基甲酸酯樹脂)的那些?；诰哿虼被姿狨渲母鞣N基材已經由Mitsui Toatsu Chemicals company銷售，這些基材以及用于它們制備的單體在專利US4，689，387， US4, 775，733，US5, 059，673，US5, 087，758 和 US5, 191，055 中有特別描述。通過二乙二醇雙烯丙基碳酸酯的(共)聚合而獲得基材也同樣適合(鏡片0RMA ESSIL0R)。作為合成基礎的單體，例如，以PPG Industriescompany的商品名CR-39 來進行銷售。不用于本發(fā)明的基材實例，因為它們的吸水率比0.重量6%低得多，是礦物基材 (二氧化硅型玻璃)，1，74 基材，基于聚環(huán)硫化物樹脂，和基于雙酚A均聚碳酸酯樹脂的基材，尤其是TEIJIN公司的商品名為PANLITE 的產品，GENERAL ELECTRIC COMPANY的商品名LEXAN 的產品，BAYER公司商品名BATOLEND 的產品，MOBAY CHEMICHAL Corp.商品名 MAKR0L0N 的產品，和DOW CHEMICAL Co.公司的商品名CALIBRE 的產品。在沉積該抗靜電涂料到基材上之前，常見的是，對所述基材表面進行化學或物理活化預處理，其用于增加抗反射涂層的粘附。這預處理一般在真空下進行，并由用能量物質和/或反應活性物質進行轟擊組成，例如用離子束(“離子預清洗"或"IPC")或用電子束，電暈放電處理，離子散裂，紫外線處理或在真空中等離子處理，典型地用氧或氬氣類型的等離子處理。它可同時是酸或堿性處理和/或溶劑基表面處理(水或任何有機溶劑)。 可以組合使用這些方法中的多種。所述清洗處理使得優(yōu)化基材表面的清潔度和反應性成為可能。如在此使用的，能量(和/或反應活性)物質尤其指的是具有能量范圍為1到 300eV的離子物質，優(yōu)選從1到150eV，更優(yōu)選從10到150eV，并且更優(yōu)選從40到150eV。能量物質可以是化學物質，諸如離子，自由基或諸如光子或電子的物質。對基材表面的最優(yōu)選的預處理法為使用離子槍來進行離子轟擊，離子是由抽走一個或者多個電子形成的氣體原子構成的粒子。氬(Ar+離子)優(yōu)選用作電離氣體，但也可使用氧，或者它們的組合，加速電壓范圍典型地為50到200V，在活化表面上的電流密度范圍典型地為從10到100 μ A/cm2，并且典型地在真空室內，殘余壓力為8. 10_5毫巴到2. 10_4毫巴。
本發(fā)明的光學制品包括抗反射(或反射)涂層，優(yōu)選在抗磨涂層上形成。除了其含有的一個或者多個基于氧化錫的層外，抗反射或反射涂層可以是任何常規(guī)用于光學器件領域的抗反射或反射涂層，尤其在眼科光學器件領域?？狗瓷渫繉佣x為一種涂層，其沉積在光學制品表面，改進光學制品成品的抗反射性能。在可見光譜的相對大的范圍內，它能夠減低制品-空氣界面的光反射。反射涂層獲得了相反的效果，即其提高了光線的反射。此類型涂層，例如，用于在太陽鏡上獲得鏡子的效果?？狗瓷浠蚍瓷渫繉右部删哂幸粋€或多個在可見光譜進行吸收的層，其導致光學制品適用于墨鏡。眾所周知，抗反射涂層傳統上包括介電材料組成的單層或多層堆疊體。這些優(yōu)選是多層涂層，包括高折射率(HI)的層和低折射率(Li)的層。反射涂層由與抗反射涂層同類性質的層組成，但其折射率，數量和層厚度經過選擇使得該涂層具有反射效果，這是本領域技術人員熟知的。在本申請，在抗反射堆疊體中的層，當其折射率高于1. 55時，被認為是高折射率層，優(yōu)選高于或等于1. 6，更優(yōu)選高于或等于1. 8，并且更優(yōu)選高于或等于2. 0。在抗反射堆疊體中的層，當其折射率低于或等于1. 55時，被認為是低折射率層，優(yōu)選低于或等于1. 50， 更優(yōu)選低于或等于1. 45。除另有說明，在此涉及的折射率在25°C，波長550nm下測定。在本領域中熟知，HI層是傳統的高折射率層。它們典型地包括一種或多種礦物氧化物諸如，非限定性地，二氧化鋯(ZrO2), 二氧化鈦(TiO2),五氧化二鉭(Tii2O5),氧化錢 (Nd2O5),氧化鐠(Pr2O3),鈦酸鐠(PrTiO3), La2O3, Dy2O5, Nb2O5, Y2O30 在本發(fā)明的一個實施方案中，本發(fā)明的基于SnO2的層在抗反射涂層中形成HI層。優(yōu)選的材料是Ti02，PrTiO3JrO2, SnO2和它們的組合。在本發(fā)明的一個特定實施方案中，抗反射涂層的至少一個HI層是基于TiO2的層， 其高折射率特別重要。它優(yōu)選通過離子輔助沉積(ion-assisted deposition, IAD)來進行沉積，這增加了該層的壓縮，并且由此增加了折射率。在本發(fā)明的另一個特定實施方案中，抗反射涂層的至少一個HI層是基于IVTiO3 的層，其高耐熱性特別重要。LI層也是眾所周知的，其可包括，非限定性地，SiO2，氟化鎂，ZrF4,氧化鋁(Al2O3)， 少量的，AlF3,錐冰晶石(Na3[Al3F14])，冰晶石(Na3[AlF6])，和它們的組合，優(yōu)選SW2或用氧化鋁摻雜的SiO2，其促進了抗反射涂層的耐熱性的提高。也可使用SiOF層(用氟摻雜的 SiO2)。當使用包括SW2和Al2O3的混合物的LI層時，這優(yōu)選包括從1到10重量％，更優(yōu)選從1到8重量％，甚至更優(yōu)選從1到5重量％的Al2O3，基于在該層中Si&+Al203的總重量。過高量的氧化鋁對AR涂層的粘附是有害的，并會過分提高該層的折射率。在一個優(yōu)選的實施方案中，抗反射涂層的至少一個LI層包含SiO2和Al2O3的混合物，優(yōu)選由S^2和 Al2O3的混合物組成。本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案在于，在本發(fā)明的抗反射涂層中使用一個或多個包含 SiO2和Al2O3的混合物的LI層，其能夠獲得同時具有抗靜電和改進的臨界溫度的抗反射涂層，即，當溫度升高時，具有良好的抗碎裂性。本發(fā)明人已經注意到，在本發(fā)明的堆疊體中，含有SiO2和Al2O3混合物的一個或多個LI層的存在能夠有助于，甚至非常顯著地促進外觀缺陷的發(fā)生。本發(fā)明人發(fā)現，優(yōu)選的是，在所述混合的SiO2Al2O3層的沉積過程中，往沉積室中引入氣體，優(yōu)選稀有氣體，諸如氬，氙，氪，氖或氧，或者它們兩種或者多種的混合物，來將所述混合的SiO2AI2O3層進行沉積。因此，本發(fā)明提供了優(yōu)選的抗反射涂層，其包括至少一個導電層和至少一個SiO2/ Al2O3低折射率層，所述導電層包含至少30重量％的SnO2，所述SiO2Al2O3低折射率層在所述沉積時在真空室中在氣體供應下進行沉積。在SiO2Al2O3層的沉積過程中，此類氣體的供應使得能夠在沉積室內調整壓力。在一種或多種氣體的供應過程中，在室內推薦的壓力范圍典型地為5. 10_5毫巴到3. 10_4毫巴， 優(yōu)選1. 10_4到3. 10_4毫巴，更優(yōu)選1. 5. 10_4到3. 10_4毫巴。此類氣體供應不同于離子轟擊諸如離子輔助沉積(IAD)，并且也不同于蒸發(fā)諸如 SiO2和Al2O3的材料的步驟。一般地，HI層的物理厚度為從10到120nm，LI層的物理厚度為10到lOOnm。優(yōu)選地，抗反射涂層總厚度低于1微米，更優(yōu)選低于或等于800nm，甚至更優(yōu)選低于或等于500nm?？狗瓷渫繉涌偤穸鹊湫偷馗哂贗OOnm，優(yōu)選高于150nm。還更優(yōu)選的是，抗反射涂層包括至少兩個低折射率層(Li)和至少二個的高折射率層(HI)。優(yōu)選地，抗反射涂層中，層的總數低于或等于8，更優(yōu)選低于或等于6。HI層和BI層不需要在抗反射涂層內部交替排列，雖然根據本發(fā)明的一個實施方案它們也可以如此。兩個HI層(或更多)可相互沉積在彼此上，而且兩個LI層(或更多) 可相互沉積在彼此上。在本發(fā)明的一個實施方案中，該抗反射涂層包括下層。在那種情況下，它典型地形成在層沉積給定順序中的抗反射涂層的第一層，也就是說，抗反射涂層的接觸其下的涂層 (典型地是抗磨和抗劃痕涂層)或基材的層，當抗反射涂層直接沉積在基材上的時候，除了在本發(fā)明的基于氧化錫的層形成了抗反射涂層的第一層的特定情況下。如在此使用的，抗反射(或反射)涂層的下層，或者粘附層，指的是，具有相對高的厚度的涂層，用于改進所述涂層的抗磨和/或抗劃性，和/或促進它們對基材或者對其下的涂層的粘附。考慮到它的比較高的厚度，該下層典型地不參與抗反射(或反射)光學活性，特別是當其具有接近裸露基材的折射率時，如果下層沉積在裸露基材之上，或者當其具有接近涂層的折射率時，如果下層沉積在涂覆的基材之上。在下面說明書中，為了區(qū)別下層和沉積在該下層上的抗反射涂層的層，將后者稱為光學層，與不形成提供光學效應的層的下層相對。該下層應具有足夠的厚度來促進抗反射涂層的抗磨性，但優(yōu)選不會高到引起光吸收的程度，光吸收取決于下層的性質，應該會顯著地降低光透射率τ ν。該下層優(yōu)選包括基于SW2的層，其厚度優(yōu)選高于或等于75nm，更優(yōu)選高于或等于 80nm，更優(yōu)選高于或等于lOOnm，甚至更優(yōu)選高于或等于150nm。它的厚度一般低于250nm， 更優(yōu)選低于200nm。在一個特定實施方案中，該下層由SiO2層組成。該基于S^2的層可包括，除了二氧化硅之外，一種或多種傳統上用于制造下層的其它材料，例如一種或多種選自本說明書前述的介電材料的材料。
優(yōu)選地，使用單層型的下層。然而，該下層可以是層壓材料的(多層的)。在本發(fā)明范圍內，適用的下層在申請W02008/107325和W02009/004222中有更纖細的描述，在此弓I 入作為參考?？狗瓷渫繉拥母鞣N層(其中包括抗靜電層)優(yōu)選通過真空下沉積來進行沉積，根據下列任一種方法i)通過任選離子束輔助的蒸發(fā)；ii)通過離子束濺射；iii)通過陰極濺射；iv)通過等離子體輔助的化學蒸氣沉積。這些各種方法分別在1978和1991的"Thin Film Processes"禾口" Thin Film Processes II" ，Vossen & Kern,Ed. ，Academic Press 中有所描述。最推薦的方法是真空下蒸發(fā)。優(yōu)選地，抗反射涂層每一層的沉積在真空下通過蒸發(fā)進行。有可能的是，用能量物質、諸如前述定義的來進行處理步驟，伴隨著進行一種或者多種不同層的沉積來形成抗反射涂層。離子輔助的沉積方法或“IAD 〃尤其在專利申請US2006/017011和在專利 US5, 268, 781有所描述。它不需要任何對基材的加熱，這對涂覆熱敏感的基材諸如有機玻璃的基材是重要的。離子輔助蒸發(fā)，由如下組成將材料的層通過同時用離子槍產生的離子束轟擊基材表面通過真空下的蒸發(fā)來沉積到基材之上，離子是由抽取一個或者多個電子的氣體原子制成的顆粒。離子轟擊導致在沉積過程中在層中的原子重排，其允許了在其形成過程中其自身的沉降。除了致密化之外，IAD允許改進沉積層的粘附并且增加了它們的折射率。它優(yōu)選由如下組成用氧離子轟擊被處理的表面，其在活化表面的電流密度典型地從10到200 μ A/cm2，優(yōu)選從30到100 μ A/cm2,典型地在真空室內的剩余壓力為6. 10_5毫巴到2. 10_4毫巴，優(yōu)選8. 10_5毫巴到2. 10_4毫巴。其它電離氣體可以與氧一起使用或者不與氧一起使用，例如氬氣，氮氣，尤其是O2和氬氣的體積比2 1到1 2的混合物。任選地，在沉積下一層之前，對一個或者多個抗反射涂層的表面進行化學或物理活化處理，尤其是當存在時，對該涂層的倒數第二層的表面和/或下層的表面進行處理?；瘜W或物理活化處理選自基材可以進行的并且其已經在上文提及的預處理。優(yōu)選的預處理是離子轟擊。通常在真空下，通過使用例如離子槍生成的氬離子束來進行，其典型地使得一方面改進抗反射涂層的抗磨性、另一方面增強它的粘附性能成為可能。適用的抗反射涂層及它們的制備方法在專利W02009/004222中有更詳細的描述， 其在此引入作為參考。本發(fā)明的制品通過往抗反射涂層中引入至少一個導電層來給予抗靜電性能，所述導電層包括至少30重量％，優(yōu)選至少40重量％，更優(yōu)選至少50重量％的氧化錫(SnO2)，基于該導電層的總重量。在本申請中，該層通常被稱為"基于氧化錫的層"。優(yōu)選地，氧化錫相對于導電層的重量比高于或等于下列值之一 70^,75^,80%, 90%,95%,97%,99%,99. 5%,99. 9%,99. 95%。最優(yōu)選地，該導電層由 SnO2 層組成。本發(fā)明的所述基于氧化錫的層可包括其它組分，尤其是金屬氧化物，尤其是導電性金屬氧化物，其優(yōu)選是高度透明的。它尤其可以包括二氧化鈦和/或氧化鋅。優(yōu)選地，本發(fā)明的導電層不包括銦，無論以何種形式，例如金屬銦或氧化銦。導電層可在抗反射涂層內部各種位置上提供，只要不影響其抗反射性能。它可例如沉積到下層(當存在時)之上，即，在下層和抗反射涂層的另一個層之間插入。它也可沉積到下層(當存在時)之下，即，在下層和基材之間插入，所述基材任選涂有功能性涂層。更一般地，它可以形成抗反射涂層的第一層(以沉積順序)，就是說，直接沉積到基材上，所述基材任選涂有功能性涂層。它優(yōu)選位于抗反射涂層的兩個光學介電層之間，和/或在抗反射涂層的低折射率光學層之下。在本發(fā)明的最優(yōu)選實施方案中，該基于SnA的層為抗反射涂層在堆疊體順序中的倒數第二層，所述抗反射涂層的最后一層優(yōu)選是LI層。在本發(fā)明的一特定實施方案中，所述基于SnO2的層不是抗反射涂層的最后一層 (外層)。在本發(fā)明的另一個特定實施方案中，所述基于SnA的層不是抗反射涂層的第一層。該導電層應該足夠薄，使得不會改變抗反射涂層的透明度。一般地，它的厚度為 0. 1到150nm，更優(yōu)選從0. 1到50歷。低于0. Inm的厚度典型地不允許獲得足夠的導電性， 而高于150nm的厚度典型地不允許獲得所需要的透明度和低吸收性能。一般地，它的厚度優(yōu)選為0. 1到30nm，更優(yōu)選從1到20nm，甚至更優(yōu)選從1到15nm。在本發(fā)明的一個實施方案中，所述導電層厚度高于或等于6nm。在本申請中的任何厚度指的是物理厚度。一般地，基于SnA的導電層有助于獲得抗反射性能，尤其在不位于任選的下層之下，并在抗反射涂層中形成高折射率層(折射率約2)的時候。根據本發(fā)明的一個基本特征，導電層的沉積在離子輔助下進行，該技術在前文已經描述為用來降低基于SnA的層在可見光中的吸收和獲得良好的粘附。本發(fā)明人注意到，在沉積具有足夠SnO2量的導電層時，可以增加離子轟擊力，而不會顯著提高隨后產生的外觀缺陷發(fā)展的出現次數，相反地，所述離子轟擊力的增加典型地導致收到所述轟擊的層的外觀缺陷的強烈增加，特別是基于導電性金屬氧化物的導電層。 尤其有利地，該抗反射涂層包括，除至少一個、優(yōu)選僅一個給制品提供抗靜電性能的導電層之外，至少四個介電層(dielectric layers)，優(yōu)選四個或五個。在一個優(yōu)選的實施方案中，本發(fā)明的抗反射涂層包括，以沉積到任選涂覆的基材表面的順序表示，ZrO2層，厚度范圍典型地從10到40nm，優(yōu)選從15到35nm，SiO2層或SiO2/ Al2O3層，厚度范圍典型地從10到40nm，優(yōu)選從15到35nm，ZrO2層或TW2層，厚度范圍典型地從40到150nm，優(yōu)選從50到120nm，本發(fā)明的基于SnA的層，優(yōu)選SnO2層，厚度范圍典型地從4到25nm，優(yōu)選從5到20nm，以及SW2層或SiO2Al2O3層，厚度范圍典型地從40到 150nm，優(yōu)選從 50 到 lOOnm。該抗反射涂層可以直接沉積到裸露基材之上。在一些應用場合中，優(yōu)選的是，在沉積本發(fā)明抗反射涂層之前，在基材主要表面上涂覆一個或多個功能性涂層。這些功能性涂層傳統地用于光學器件，其可以是，非限定性地，抗沖擊底層，抗磨和/或抗劃痕涂層，偏振涂層，光致變色涂層或著色涂層，尤其是涂有抗磨和/或抗劃痕層的抗沖擊底層。該抗反射涂層優(yōu)選沉積到抗磨和/或抗劃痕涂層之上。該抗磨和/或抗劃痕涂層可以是任何傳統上用作眼科鏡片的抗磨和/或抗劃痕涂層的層?？鼓ズ?或抗劃痕涂層優(yōu)選是硬質涂層，其基于聚(甲基)丙烯酸酯或硅烷，典型地包含一種或多種礦物填料來提高硬化后涂層的硬度和/或折射率。如在此使用的，術語"(甲基)丙烯酸酯"指的是甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯。抗磨和/或抗劃痕硬質涂層優(yōu)選從這樣的組合物制備，即其包含至少一種烷氧基硅烷和/或其水解產物，其例如這樣地獲得，即通過用鹽酸溶液進行的水解，任選的縮合和/或固化催化劑和/或表面活性劑。在本發(fā)明推薦涂層中，可以提到的是基于環(huán)氧基硅烷水解產物的涂層，諸如在專利 EP0614957, US4, 211，823 和 US5, 015，523 中提及的那些。可使用的許多縮合和/或固化促進劑的實例在〃 Chemistry and Technology of the Epoxy Resins " , B.Ellis (Ed. ) Chapman Hall, New York,1993 禾口" Epoxy Resins Chemistry and Technology" 2d 版，C. A. May (Ed.)，Marcel Dekker, New York, 1988 中進行過描述。優(yōu)選的抗磨和/或抗劃痕涂料組合物是在本申請人名下專利EP0614957公開的那個。在實驗部分將對其進行描述。該抗磨和/或抗劃痕涂料組合物可以通過浸涂或者旋涂來沉積到基材的主要表面上。其后，以適當的方式進行固化(優(yōu)選使用熱處理或者UV處理)?？鼓ズ?或抗劃痕涂層的厚度典型地是2到10 μ m,優(yōu)選從3到5 μ m。在沉積該抗磨和/或抗劃痕涂層之前，有可能的是，沉積一底涂層到基材之上，由此改進成品的此后的層的抗沖擊性和/或粘附性。該涂層可以是任何傳統上用于透明聚合物材料的制品如眼科鏡片上的抗沖擊底層。優(yōu)選的底層組合物包括基于熱塑性聚氨酯的組合物，諸如專利JP63-141001和 JP63-87223描述的那些，聚(甲基)丙烯酸底層組合物，諸如專利US5，015，523描述的那些，基于熱固性聚氨酯的組合物，諸如專利EP0404111描述的那些，和基于聚(甲基)丙烯酸膠乳或聚氨酯膠乳的組合物，諸如專利US5，316，791和EP0680492描述的那些。優(yōu)選的底層組合物是基于聚氨酯的組合物和基于膠乳的組合物，尤其是聚氨酯膠乳和聚(甲基)丙烯酸膠乳，以及它們的組合。聚(甲基)丙烯酸膠乳是基于基本上由(甲基)丙烯酸酯，諸如例如乙基(甲基) 丙烯酸酯，丁基(甲基)丙烯酸酯，甲氧基乙基(甲基)丙烯酸酯或乙氧基乙基(甲基)丙烯酸酯，與一般較低量的至少一種其它共聚單體，諸如例如苯乙烯制成的共聚物的膠乳。適用于本發(fā)明的市購底層組合物包括Witcobond 232，Witcobond 234， Witcobond 240，Witcobond 242 組合物(由 BAXENDENCHEMICALS 銷售)，Neorez R_962， Neorez R_972，Neorez R-986 和 Neorez R-96O3 (由 ZENECA RESINS 銷售)。這些底層組合物可以通過浸涂或者旋涂來沉積到制品表面，然后在至少70°C和至多100°C下，優(yōu)選約90°C下干燥2分鐘到2小時，典型地約15分鐘，來形成具有固化后厚度為從0. 2到2. 5 μ m，優(yōu)選從0. 5至Ij 1. 5 μ m的底層。本發(fā)明的光學制品也可包括在抗反射涂層上形成的涂層，其可改進其表面性能， 諸如疏水性和/或疏油性涂層(防污外涂層)。這些涂層優(yōu)選沉積到抗反射涂層的外層之上。它們的厚度一般低于或等于lOnm，優(yōu)選從1到lOnm，更優(yōu)選從1到5nm。典型涂層是氟化硅烷或者氟化硅氮烷類型。它們可由沉積氟化硅烷或氟化硅氮烷前體，其每分子包括優(yōu)選至少兩個可水解的基團，來獲得。氟化硅烷前體優(yōu)選包括氟化聚醚基團，更優(yōu)選全氟聚醚基團。這些氟化硅烷是熟知的，并且在US專利No 5，081，192， 5，763，061，6，183，872，5，739，639，5，922，787，6，337，235，6，277，485 和歐洲專利 No 0933377中有所描述。
優(yōu)選的疏水性和/或疏油性涂料組合物是Siin-Etsu Chemical銷售的，商品名為 KP801M 。另一優(yōu)選的疏水性和/或疏油性的涂料組合物由Daikin Industries銷售，商品 gOPTOOL DSX 。它是氟化樹脂，其包括全氟化丙烯基團。典型地，本發(fā)明的光學制品包含依次用抗沖擊底層，抗磨和/或抗劃痕涂層，本發(fā)明的抗反射(或反射)和抗靜電涂層和疏水性和/或疏油性涂層進行涂覆的基材。與包含基于諸如ΙΤ0，氧化銦或氧化鋅的材料的抗靜電層的具有抗反射性能的光學制品相比，在抗反射涂層中使用基于氧化錫的層具有許多優(yōu)點。實際上，ITO層，氧化銦 (In2O3)層，氧化鋅層或摻雜的氧化鋅層，當在抗反射涂層中存在時，全部都會引起外觀缺陷，所述抗反射涂層沉積在本發(fā)明的基材上，其吸水率等于或者大于0. 6重量％，而這不是適用于本發(fā)明的基于SnA的層的情況。另外，作為一個缺點，基于ITO的抗靜電層在可見光譜上的吸收遠遠超過相同厚度的SnO2層，由于它較高的黃色指數。對于相對較小的厚度的層，此類缺陷可以強烈地感覺到，當基材在邊緣進行肉眼觀察時，厚度約為13nm的ITO層典型地感覺到黃色，盡管進行了離子輔助沉積，而50nm厚度的SnA層仍然是透明的。用非常透明的SnO2層替換傳統的包含約5% SnO2的ITO層，導電性材料得到了相同抗靜電性能，并且保持了光學性質，尤其是光學制品的透明度。另外，本發(fā)明的涉及氧化錫的方法可以更容易地進行控制，相比涉及ITO的相應方法而言，由此改進了生產能力。本發(fā)明的抗反射涂層的各層具有良好的粘附性能，尤其在基材界面。對抗反射涂層的基材的粘合性能，整體上已經通過通常稱為"ηΧΙΟ計數"的測試進行校核，按照WO 專利W099/49097中所描述的程序進行。優(yōu)選地，本發(fā)明的光學制品在可見光譜不會吸收，或者極少吸收，這意味著，根據本發(fā)明，其可見光透射系數τ ν，也稱為可見光透射率，大于90 %，更優(yōu)選大于95 %，更優(yōu)選大于96 %和最優(yōu)選大于97 %。系數τν對應于國際標準定義(ISO 13666標準1998)，并且根據IS08980-3標準進行測定。其在從380到780nm波長范圍內進行定義。優(yōu)選地，根據本發(fā)明進行涂覆的光學制品的光吸收率低于或等于1%。更優(yōu)選地，對于涂覆有本發(fā)明的抗反射涂層的制品，在可見光譜G00-700nm)的平均反射系數，標記為Rm，為制品每面低于2. 5 %，更優(yōu)選制品每面低于2%，更優(yōu)選制品每面低于1%。在一個特別優(yōu)選實施方案中，包含基材的制品，其兩個主要表面涂有本發(fā)明的抗反射涂層，具有Rm總值(兩面的累積反射)低于1%，優(yōu)選0.7到0.8%。對于本領域技術人員而言，實現所述Rm值的手段是熟知的。本發(fā)明抗反射涂層的光折射系數Rv，制品每面低于2. 5%，更優(yōu)選每面低于2%，更優(yōu)選每面低于1%，更優(yōu)選< 0. 75%，更優(yōu)選< 0. 5%，最優(yōu)選< 0.4%。在本申請中，〃平均反射系數〃 Rm(在整個400-700nm可見光譜中的光譜反射率平均值)和光折射系數Rv，按照ISO 13666 :1998標準來定義，并且根據ISO 8980-4標準來測定。本發(fā)明的光學制品的放電時間(也就是，靜電荷散逸所需時間)< 500毫秒。本發(fā)明光學制品甚至能夠達到放電時間< 200毫秒，更優(yōu)選< 100，甚至更優(yōu)選<75毫秒。有利地，它們的抗靜電性能隨著時間是穩(wěn)定的，這意味著上述提及的與放電時間有關的特性， 在光學制品生產之后至少6個月內是穩(wěn)定的。下列實施例用于更詳細地說明本發(fā)明，但不是對其的限制。
實施例1. 一般程序實施例中使用的光學制品包括ORMA ESSIL0R鏡片的基材，直徑65nm，屈光度-2，00和厚度1. 2mm,其涂覆有i)基于聚氨酯膠乳的抗沖擊底涂層，其含有聚酯單元， 在 90°C 固化 1 小時(BAXENDEN CHEMICALS 的 ffitcobond 234,以 1500rpm 旋涂 10 到 15 秒鐘)；ii)抗磨和抗劃痕涂層(硬膜)，公開在EP0614957的實施例3中(折射率1. 50)，基于環(huán)氧三烷氧基硅烷水解產物(基于Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷，GLYM0)和二烷基二烷氧基硅烷(二甲基二乙氧基硅烷，DMDES)，膠態(tài)氧化硅和乙酰丙酮酸鋁；iii)抗反射涂層；和i)防污涂層。將包含2 重量份的GLYM0，80. 5重量份的HCl 0. 1N, 120重量份的DMDES，718重量份的在甲醇中30重量％的膠態(tài)氧化硅，15重量份的乙酰丙酮酸鋁(固化催化劑)和44 重量份的乙基溶纖素的組合物進行沉積和固化，來獲得所述的抗磨和抗劃痕涂層。組合物另外包括0. 1重量％的得自3M的表面活性劑FLUORAD FC-430 ，基于組合物總重量?？狗瓷渫繉拥膶右呀浽诓患訜峄牡那闆r下，通過在真空下蒸發(fā)并且任選地，當有說明時，在沉積過程中在氧離子束輔助下來進行沉積(蒸發(fā)源電子槍)。通過在真空下蒸發(fā)Daikin hdustries公司的Optool DSX 化合物來獲得防污涂層(厚度l_5nm)。該沉積框架是BAK 760PhySimeCa機，其裝有蒸發(fā)氧化物的電子槍(8kV)，通過焦耳效應來加熱以沉積外涂層的坩鍋，和裝備有Veeco電源供應的Commonwealth Mark II離子槍，用于使用氬離子(IPC)的基材表面的制備初步階段，以及用于對需要進行離子輔助沉積(IAD)的層。根據本發(fā)明，從由Cerac公司提供的SnO2粒料(參照T_1218，直徑3-12mm，制品 n° :H618828，純度99，9%)形成抗靜電層，并且在對比實施例中，從由Optron Inc.公司提供的ITO粒料(重量百分數，氧化錫( 氧化銦(％))形成抗靜電層。抗反射涂層的另一個層從&02粒料(Umicore)或SiO2粒料(Optron Inc.)形成。作為對比手段，還提供了對Cerac In2O3 單層 3-12mm(l-1071 制品 η。Η608830)， B2O3摻雜的ZnO單層Cerac 3-12mm(Z-2070制品η 614757_1)，Al摻雜的ZnO單層的分析。使用石英微量天平來控制層的厚度。使用kiss Company的分光光度計，在鏡片準備之后一小時，進行對穿透玻璃的光透射率的測定。獲得的τν的穩(wěn)定性通過在一周后進行第二次測試來進行檢驗。2.操作程序制備光學制品的方法包括，將涂有底涂層和上文所述的抗磨涂層的基材放入真空沉積腔室，接著泵抽直到獲得高度真空，用氬離子束來活化基材表面(IPC 1分鐘，100V， 1A)，中斷離子輻射，通過蒸發(fā)來沉積-ZrO2 層，沉積速率為 0. 3nm/s，
-SiO2 層，速率為 0. 7nm/s，-ZrO2 層，速率為 0. 3nm/s,-導電層，在氧離子輔助下(1.2A/100V)，沉積速率0.15nm/S(Sn02，或者對比實施例的ΙΤ0)，-SiO2層，沉積速率為lnm/s，-防污涂層(外涂層)(Daikin的 Optool DSX )，-和最后的通風步驟。 上述提的沉積速率中的厚度是物理厚度。3.表征a.抗磨性的表征抗磨性通過按照專利申請W02008/001011描述的方法(ASTM F735. 81標準)在涂覆有抗反射涂層的基材上測定BAYER ASTM值(Bayer砂)和Bayer ISTM值(Bayer氧化鋁)來進行測定。BAYER測定值越高，抗磨性能越強。因此，當R等于或大于3. 4并且低于4. 5時，Bayer ASTM值(Bayer砂)被認為是良好。當R等于或大于3并且低于4. 5，Bayer ISTM值被認為是良好的。當數值達到4. 5 或更高，Bayer砂或者ISTM值被認為是優(yōu)異的。b.抗反射涂層對基材的粘附性能的表征(nX 10計數測試)該定性試驗被稱為"ηΧΙΟ計數"，其使得能夠評價沉積到基材之上的層的粘附性能，尤其是用于眼科鏡片的抗反射涂層對基材的粘附。按照專利W099/49097所述的程序，對鏡片的凸面進行。一次施壓(或循環(huán))由將擦除器前后移動10次組成。操作者每3次施壓到至多 9次施壓目測控制被檢驗鏡片的情況。評估值由直到出現缺陷時鏡片可以承受的施壓次數組成。在本專利申請范圍中，當該鏡片在9次施壓以后無變化時，該鏡片被認為成功地通過測試。c)放電時間的評價光學制品的放電時間通過放電時間測量裝置JCI 155 (John Chubb Instrumentation)，按照制造商說明，在將所述光學制品暴露在-9000伏特電暈放電下 30ms后，在室溫(25°C )下進行測定。在對受到電暈放電的玻璃表面的這些充電和放電測量實驗中，分析下列兩個參數玻璃表面的最大測量電壓，記作Umax，和達到1/e = 36. 7%的最大電壓的時間，其對應于放電時間。使用的鏡片屈光度應該嚴格一致，以便使得對各種鏡片的性能比較成為可能，因為設備記錄的數值取決于鏡片的幾何結構。d)可能發(fā)生的外觀缺陷的評價存在局部的光學缺陷。雖然所述缺陷憑肉眼是可感覺到，但為了讓它們更顯著，用使用弧光燈的帶有傾角的反射使得對它們的檢查更加容易。在制品儲存之后，在制品剛制備后之后(參比時間t)，在受控環(huán)境(溫度40°C，相對濕度80%，大氣壓力)的"氣候"腔室中，以及受限時間段內，在光學制品上可能存在的外觀缺陷(本發(fā)明的制品，或者對比例的制品)在弧光燈(高強度燈)進行視覺評價。這些儲藏條件使得光學制品的過早老化成為可能，并且加速了可能發(fā)生的外觀缺陷?？梢栽诨」鉄粝掠^察的缺陷顯示為點或者小線條。在此使用的，大氣壓指的是1.01325巴的壓力。e)基材吸水率的表征該測試在光學制品裸露基材上進行，并允許來測定一旦涂覆有含有傳統的抗靜電層的抗反射涂層，即，沒有包含本發(fā)明數量的氧化錫的層，哪個基材將隨著時間傾向于發(fā)生外觀缺陷。本發(fā)明人發(fā)展了該測試，其提供了裸露基材的吸水率和在接受抗反射和抗靜電處理之后發(fā)展外觀缺陷的傾向之間的良好對應關系。在放入儲存室中來測定其吸水率之前，在烘箱或者45°C的腔室中，在大氣壓中將裸露基材干燥(脫水)4 ，不使用任何附加的脫水手段。對于這樣的脫水，烘箱中的水分含
量接近0%。然后將該基材儲藏在用水飽和(即在大氣壓下相對濕度(RH)為100% )的50°C 腔室中800小時。使用天平AD6l(Mettler Toledo)，通過稱重脫水的基材、然后在濕儲存腔室中保持之后大約30秒鐘，測定裸露基材的吸水率，基于如下公式吸水率(％)=("基材重量(t = 800H) ‘‘ 脫水基材的初始重量〃)/("脫水基材的初始重量")測試具有相同幾何結構的各種基材(雙平面，65mm直徑，2mm厚度)。它們在下文中描述，并且在表1中給出測試結果。使用的腔室都是Type UT 6060 腔室，HERAEUS Instruments D-6450HANAU。表權利要求
1.一種具有抗靜電性能和抗反射或反射性能的光學制品，其包括具有至少一個主要表面的基材，所述主要表面涂覆有抗反射或反射涂層，所述涂層包括至少一個導電層，其中-所述導電層含有至少30重量％、優(yōu)選至少40重量％、更優(yōu)選至少50重量％的氧化錫 (SnO2),基于導電層的總重量，-所述導電層在離子輔助下進行沉積，并且-所述基材吸水率等于或大于0. 6重量％，基于基材的總重量，在預干燥所述基材、然后將其在50°C下在100%相對濕度和大氣壓力下的腔室中儲存800小時后，測定該吸水率。
2.權利要求1的光學制品，其中導電層的厚度為0.1到150nm，優(yōu)選0. 1到50nm，更優(yōu)選從1到20nm。
3.前述任一項權利要求的光學制品，其中導電層不含有銦。
4.前述任一項權利要求的光學制品，其中所述導電層含有至少90重量％的氧化錫 (SnO2),基于導電層的總重量。
5.前述任一項權利要求的光學制品，其中所述導電層由SnO2層組成。
6.前述任一項權利要求的光學制品，其中所述導電層在堆疊體順序中不形成抗反射或者反射涂層的外層。
7.前述任一項權利要求的光學制品，其中所述導電層在堆疊體順序中形成抗反射或者反射涂層的倒數第二層。
8.前述任一項權利要求的光學制品，其中基材是聚(硫代氨基甲酸酯)，或者由亞烷基二醇雙烯丙基碳酸酯的聚合或者共聚合來生成。
9.前述任一項權利要求的光學制品，其中抗反射或反射涂層是多層涂層，其包括交替的高折射率層和低折射率層。
10.前述任一項權利要求的制品，其進一步定義為光學鏡片，優(yōu)選眼科鏡片。
11.前述任一項權利要求的制品，其中抗反射或反射涂層包括含有Si02*Al203的混合物的至少一層，并且在真空室內、在沉積過程中往該室內供應氣體的情況下進行該層的沉積。
12.權利要求11的制品，其中在氣體供應過程中，真空室內的壓力為5.ΙΟ"5到3. ΙΟ"4 毫巴。
13.—種制造前述任一項權利要求所述的光學制品的方法，其包括_提供包含具有至少一主要表面的基材的光學制品，所述基材具有等于或大于0.6重量％的吸水率，基于基材總重量，吸水率按照權利要求1所述進行測量；-將抗反射或反射涂層沉積到所述基材的主要表面之上，所述涂層包括至少一個導電層，其包括至少30重量％、優(yōu)選至少40重量％、更優(yōu)選至少50重量％的氧化錫(SnO2)，基于導電層的總重量，所述導電層通過離子輔助沉積來進行沉積，-獲得包含基材的光學制品，所述基材的主要表面已經涂覆有包含所述導電層的所述抗反射或反射涂層。
14.權利要求13的方法，其中抗反射或反射涂層的每一層的沉積在真空下通過蒸發(fā)進行。
15.包含至少30重量％SnO2的層在沉積在光學制品基材之上的抗反射或反射抗靜電涂層中的應用，所述基材具有至少0. 6重量％的吸水率，用于保持所述涂層的透明度。
16.包含至少30重量％ SnO2的層在沉積在光學制品基材之上的抗反射或反射抗靜電涂層中的應用，所述基材具有至少0.6重量％的吸水率，用于防止在光學制品中外觀缺陷的發(fā)生。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有抗靜電性能和抗反射或反射性能的光學制品，其包括具有至少一個主要表面的基材，所述主要表面涂覆有抗反射或反射涂層，所述涂層包括至少一個導電層，所述導電層含有至少30重量％氧化錫(SnO2)，基于導電層的總重量，所述導電層通過離子輔助進行沉積，并且所述基材吸水率等于或大于0.6重量％，基于基材的總重量，在預干燥所述基材、然后將其在50℃下100％相對濕度和大氣壓力的腔室中儲存800小時后測定該吸水率。
文檔編號G02B1/10GK102449507SQ201080022914
公開日2012年5月9日 申請日期2010年3月26日 優(yōu)先權日2009年3月27日
發(fā)明者D·孔特, D·帕薩爾德, J-L·希爾簡, K·謝勒 申請人:埃西勒國際通用光學公司