專利名稱：深n阱工藝去除光刻膠的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造工藝，尤其涉及一種深N阱工藝去除光刻膠的方法。
背景技術：
在半導體制造工藝過程中，由于采用深N阱(De印N Well)工藝可以有效地抑制噪聲傳播，因此在半導體制造領域廣泛應用深N阱工藝制造低噪聲半導體器件。在采用深N阱工藝進行半導體器件制造的過程中，需要去除掩膜環(huán)節(jié)所引入的光刻膠。在清洗晶圓表面的光刻膠之前，需要對晶圓表面的光刻膠進行灰化處理來使光刻膠易于清洗。由于灰化溫度直接影響光刻膠的粘稠度，當灰化溫度低時，光刻膠就會很粘稠， 這樣就增大了污染制造環(huán)境的可能。而當灰化溫度高時，光刻膠在晶圓表面的附著能力就會增強，這樣就增大了通過清洗環(huán)節(jié)去除晶圓表面光刻膠的難度。現(xiàn)有技術為了防止光刻膠污染制造環(huán)境，往往采用較高的灰化溫度，這樣也就相應增大了通過清洗環(huán)節(jié)去除晶圓表面光刻膠的難度。同時，光刻膠去除能力與光刻膠的厚度和附著能力有關，由于深N阱工藝采用了較厚的光刻膠，并且現(xiàn)有技術的灰化溫度較高， 因此采用現(xiàn)有技術進行去除光刻膠時，晶圓表面會有光刻膠殘渣殘留，并且這些殘留的微小的光刻膠殘渣的附著力也相對較強。這些殘留的頑固的微小的光刻膠殘渣會影響深N阱工藝的其他工藝環(huán)節(jié)，并且會影響所制造的半導體器件的一致性，去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣越多，半導體器件的一致性就越低。同時，去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣會給所制造的半導體器件帶來器件散點問題。圖IA是現(xiàn)有技術的65納米深N阱工藝中去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的示意圖。如圖IA所示，其中，采用現(xiàn)有技術進行去除光刻膠處理后的半導體器件101A、102A和103A上均殘留有微小的光刻膠殘渣101。由圖IA可以看出，對于采用較厚光刻膠的深N阱工藝來說，隨著半導體器件上殘留的光刻膠殘渣101的增加，半導體器件的一致性就開始降低，殘留的光刻膠殘渣101最多的半導體器件IOlA的一致性最低。圖IB是現(xiàn)有技術深N阱工藝光刻處理的流程圖。如圖IB所示，深N阱工藝光刻處理分為以下步驟步驟IOlB光刻、步驟102B離子注入、步驟10 晶圓表面灰化、步驟104B 光刻膠清洗、步驟105B工藝效果檢驗。由于深N阱工藝選用的光刻膠較厚，因此現(xiàn)有技術深N阱工藝的光刻膠去除的步驟10 和步驟104B中存在一定的缺陷，導致采用現(xiàn)有技術進行去除光刻膠處理的光刻膠去除效果不佳，會有頑固的微小的光刻膠殘渣殘留在深N阱工藝制造的晶圓表面，進而影響深N阱工藝的其他工藝環(huán)節(jié)，并且會影響深N阱工藝制造的半導體器件的一致性，給深N阱工藝制造的半導體器件帶來器件散點問題。因此，提高深N阱工藝的光刻膠去除能力成為亟待解決的問題。

發(fā)明內容
在發(fā)明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式
部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。為解決現(xiàn)有技術深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的問題，提高深N阱工藝制造的半導體器件的一致性，本發(fā)明提供了一種深N阱工藝去除光刻膠的方法，所述深N阱工藝去除光刻膠的方法包括以下步驟對晶圓表面進行灰化處理，所述灰化處理包括控制所述晶圓表面的灰化溫度，使所述晶圓表面保持低于 285°C的灰化溫度；對光刻膠進行清洗處理；清除經所述清洗處理后的光刻膠殘渣。進一步的，所述灰化處理還包括向灰化處理室中充入氧氣，或氧氣和氮氣的混合氣體來產生相應的等離子體。進一步的，所述控制所述晶圓表面的灰化溫度包括保持加熱板的加熱溫度為^5°C，控制晶圓夾具和所述加熱板的位置，或控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置并改變所述加熱板的加熱溫度。進一步的，所述控制所述晶圓夾具和所述加熱板的位置包括使所述晶圓夾具升降并同時使所述加熱板下降，所述晶圓夾具升降包括將所述晶圓夾具由距離所述加熱板最近的位置上升至所述晶圓夾具可動距離的 40%至 50%處，將所述晶圓夾具復位；所述加熱板下降包括將所述加熱板下降至機臺允許的最大位置處，當所述加熱板下降至所述機臺允許的最大位置處后保持固定；在所述控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置的過程中，所述晶圓夾具與所述加熱板間的最大距離為5厘米。進一步的，所述晶圓夾具在所述晶圓夾具可動距離的40%至50%處保持30至50 秒，所述晶圓夾具在復位位置保持5至15秒。進一步的，所述對光刻膠進行清洗處理包括在第一清洗槽中使用H2SO4和H2A混合溶液清洗4 6分鐘，在第二清洗槽中使用所述和H2A混合溶液清洗4 6分鐘；所述H2SO4和H2A混合溶液的體積比例為H2SO4 (98wt% ) H202 (30wt% ) =5:1，所述H2SO4和H2A混合溶液的溫度為120°C至130°C。進一步的，所述清除經所述清洗處理后的光刻膠殘渣包括
使用NH4OH和H2A混合溶液清除所述光刻膠殘渣，所述NH4OH和H2A混合溶液的體積比例為NH4OH (29wt% ) H202(30wt% ) H20(蒸溜水)，所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為20°C至50°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進行清除處理的時間為5至15分鐘。
進一步的所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為35°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進行清除處理的時間為10分鐘。進一步的，所述清除經所述清洗處理后的光刻膠殘渣還包括在所述清除過程中使用超聲波對晶圓加震，所述超聲波的功率為300W至800W。根據(jù)本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法可以有效解決現(xiàn)有技術深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的問題，提高深N阱工藝制造的半導體器件的一致性，可以有效提高深N阱工藝制造的半導體器件的性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖IA是現(xiàn)有技術的65納米深N阱工藝中去除光刻膠后晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的示意圖；圖IB是現(xiàn)有技術深N阱工藝光刻處理的流程圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的深N阱工藝去除光刻膠的流程圖；圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的深N阱工藝去除光刻膠的灰化處理的示意圖；圖3是采用本發(fā)明的優(yōu)選實施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法制造的晶圓表面的效果圖。
具體實施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便說明本發(fā)明是如何解決現(xiàn)有技術深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的問題。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導體領域的技術人員所熟習的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。為了克服現(xiàn)有技術深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的問題，本發(fā)明提出了一種深N阱工藝去除光刻膠的方法來克服這一問題。 圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法的流程圖，圖2B 是根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法的灰化處理的示意圖。如圖2A和圖2B所示，本實施例的光刻膠去除方法包括
步驟20IA對晶圓20 表面進行灰化處理。
具體地，步驟201A包括在灰化處理過程中控制晶圓20 表面的灰化溫度，使晶圓20 表面保持低于的灰化溫度。通過控制灰化溫度，使晶圓20 表面的光刻膠保持適當?shù)幕一瘻囟?，可以使晶圓2(X3B表面的光刻膠在后續(xù)的清洗和清除處理步驟中容易去除。為防止灰化溫度過高而導致光刻膠較強地附著在晶圓2(X3B表面，因此將晶圓2(Χ3Β 表面的灰化溫度限定在觀51以下。相比現(xiàn)有技術來說，本發(fā)明的灰化溫度較低。需要進行說明的是，本發(fā)明并沒有對灰化溫度的下限進行限定，這是因為本領域技術人員在進行灰化處理時，為防止光刻膠流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，不會將灰化溫度設得過低。并且由于各種光刻膠成分的差異，具體的灰化溫度下限值也不同。優(yōu)選的，灰化處理過程可包括向灰化處理室中充入氧氣，或氧氣和氮氣的混合氣體來產生相應的等離子體。在灰化處理過程中向灰化處理室中充入上述氣體來產生相應的等離子體，可減小灰化工藝期間對圖案化的介電層側壁的損傷。由于產生等離子體的過程屬于現(xiàn)有技術范疇，因此為防止與本發(fā)明產生混淆，不對相應的等離子體的產生過程進行詳細說明。優(yōu)選的，控制晶圓20 表面的灰化溫度可以通過以下方法實現(xiàn)保持加熱板202B 的加熱溫度為，控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置，或控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置并改變加熱板202B的加熱溫度。通過上述方法均可以有效地達到控制晶圓20 表面灰化溫度的目的。具體地，控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置，使晶圓20!3B表面保持低于 285 0C的灰化溫度。通過控制晶圓夾具20IB和加熱板202B的位置，可使晶圓20 處于一個適當?shù)募訜嵛恢?，這樣晶圓2(X3B表面就可以獲得適當?shù)妮^低灰化溫度。適當?shù)妮^低灰化溫度需要既保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，又保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會由于灰化溫度過高而很強地附著在晶圓2(X3B表面，從而使晶圓 2(X3B表面的光刻膠易于清洗和清除。相比現(xiàn)有技術而言，本發(fā)明所采用的低于的灰化溫度要低于現(xiàn)有技術的灰化溫度。需要進行說明的是，由于各半導體廠商所選用的光刻膠各不相同，各種光刻膠在某一灰化溫度下的附著能力也存在一定的差別。因此，本發(fā)明不對灰化溫度進行嚴格限制，本領域技術人員根據(jù)本發(fā)明所披露的內容和所用光刻膠的具體情況得到的低于觀51的既保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，又保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會由于灰化溫度過高而很強地附著在晶圓2(Χ3Β 表面的灰化溫度也應納入本發(fā)明的范圍。優(yōu)選地，加熱板202Β的溫度可以保持為285°C。由于加熱板202B是灰化處理的熱源，使加熱板202B的溫度保持為285°C可以保證灰化溫度不會超過285°C，進而可以保證晶圓20 表面的光刻膠不會由于灰化溫度過高而很強地附著在晶圓20 表面。需要進行說明的是，雖然本發(fā)明的較佳實施例為將加熱板的溫度保持為285°C，但本發(fā)明并不局限于此。本領域技術人員也可以通過將加熱板202B保持為其他溫度，同時調整晶片夾具201B 與加熱板的距離或保持加熱板202B和晶圓夾具201B的位置不變而改變加熱板202B的加熱溫度，同樣可以達到使晶圓20 表面獲得適當?shù)妮^低灰化溫度的技術效果。本領域技術人員根據(jù)本發(fā)明所披露的內容得出的上述技術方案也應納入本發(fā)明的范圍。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置可以包括使晶圓夾具升降并同時使加熱板202B下降。晶圓夾具201B升降可以包括
將晶圓夾具201B由距離加熱板202B最近的位置上升至晶圓夾具201B可動距離的40%至50%處，將晶圓夾具201B復位。加熱板202B下降可以包括將加熱板202B下降至機臺允許的最大位置處，當加熱板202B下降至機臺允許的最大位置處后保持固定。在控制晶圓夾具201B和加熱板202B的位置的過程中，晶圓夾具201B與加熱板202B間的最大距離為5厘米。將晶圓夾具201B與加熱板202B間的距離限定在5厘米內，相當于限定了晶圓夾具20IB和加熱板202B間的最大距離。這樣就限定了晶圓夾具20IB和加熱板202B 的活動范圍，從而保證了晶圓20 表面的光刻膠不會因為距離加熱板202B過遠而難以吸收熱量，進而導致光刻膠的灰化溫度過低而流淌到制造環(huán)境中污染制造環(huán)境。優(yōu)選地，晶圓夾具201B在晶圓夾具201B可動距離的40%至50%處保持30至50 秒，晶圓夾具201B在復位位置保持5至15秒。采用上述參數(shù)進行晶圓20 表面的灰化處理，可在短時間內達到保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會由于灰化溫度過低而流淌到制造環(huán)境中而污染制造環(huán)境，又可以保證晶圓2(X3B表面的光刻膠不會由于灰化溫度過高而很強地附著在晶圓2(X3B表面的技術效果。通過上述操作，可以有效地改變晶圓20 與加熱板202B間的距離，從而可以有效地控制晶圓20 的加熱溫度。進而可以保證晶圓20 表面的光刻膠不會由于灰化溫度過高而很強地附著在晶圓2(X3B表面，使晶圓2(X3B表面的光刻膠易于清洗。步驟202A對光刻膠進行清洗處理。具體地，步驟202A包括使用和H2O2混合溶液對晶圓20 進行清洗。優(yōu)選地，使用和H2A混合溶液對晶圓20 進行清洗可以包括在第一清洗槽中使用KSO4和H2A混合溶液清洗4 6分鐘。在第二清洗槽中使用和H2A混合溶液清洗4 6分鐘。采用酸性的和H2A混合溶液分別在兩個清洗槽中對晶圓20 進行清洗，可以有效地去除晶圓20 表面的大部分光刻膠。同時將清洗時間控制在4 6 分鐘內即可基本達到去除大部分晶圓20 表面的光刻膠的目的。本優(yōu)選實施例所采用的H2SO4和H2A混合溶液的體積比例為 H2SO4(98wt% ) H202(30wt% ) =5:1。需要說明的是，由于本領域技術人員可選用不同重量比的H2SO4和H2A溶液，來配置H2SO4和H2A混合溶液，此時H2SO4和H2R的體積比例也會有所不同。因此采用其它重量比的和H2A溶液進行混合來得到本優(yōu)選實施例所給出的H2SO4和H2A混合溶液的技術方案也應納入本發(fā)明的范圍。所采用的H2SO4和H2A混合溶液的溫度為120°C至130°C。采用上述參數(shù)的和H2A混合溶液進行清洗即可有效地去除晶圓2(X3B表面的大部分光刻膠。進一步地，在第一清洗槽中使用和H2A混合溶液清洗5分鐘。在第二清洗槽中使用H2SO4和H2A混合溶液清洗5分鐘。H2SO4和H2A混合溶液的溫度為125°C。采用上述參數(shù)的和H2A混合溶液進行清洗的清洗處理效率較高，相比采用其他參數(shù)的H2SO4 和H2A混合溶液進行清洗，去除的光刻膠的清洗處理效果較好，并且可以節(jié)約工藝流程的時間。在這個清洗過程中可以將晶圓2(X3B表面的光刻膠基本去除，但由于深N阱工藝光刻膠的特性，經過和H2A混合溶液清洗處理后的晶圓20 表面還是會有微小的光刻膠殘渣殘留。步驟203A清除經清洗處理后的光刻膠殘渣。
為去除經過H2SO4和H2A混合溶液清洗后的晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘渣，需要對經KSO4和H2A混合溶液清洗后的晶圓20 進行進一步清除處理。優(yōu)選地，本發(fā)明采用NH4OH和H2A混合溶液對晶圓20 進一步進行清除處理。
具體來說，采用NH4OH和H2A混合溶液對晶圓20 進一步進行清除處理是為了清除經過H2SO4和H2A混合溶液清洗后的晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘渣，利用晶圓 203B表面和晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘渣在堿性NH4OH和H2A混合溶液中都帶有正電的特性，晶圓20 表面和晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘渣間就會相互排斥。優(yōu)選地，NH4OH和H2O2混合溶液的體積比例為 NH4OH (29wt% ) H2O2 (30wt % ) H20(蒸餾水)=1 2 50。相比其他體積比例的 NH4OH和H2A混合溶液進行清除的清除處理效果來說，采用這個體積比例的NH4OH和H2A混合溶液進行清除的清除處理質量較好，清除處理效率較高。需要說明的是，由于本領域技術人員可選用不同重量比的NH4OH和H2A溶液，來配置NH4OH和H2A混合溶液，此時NH4OH和 H2O2的體積比例也會有所不同。因此采用其它重量比的NH4OH和H2A溶液進行混合來得到本優(yōu)選實施例所給出的NH4OH和H2A混合溶液的技術方案也應納入本發(fā)明的范圍。NH4OH 和H2A混合溶液的溫度為20°C至50°C。保持20°C至50°C可以很好地達到清除處理的要求。其中，當NH4OH和HA混合溶液為35°C時，清除處理的效果最優(yōu)。NH4OH和H2A混合溶液進行清除處理的時間為5至15分鐘。清除處理的時間為5至15分鐘就可以很好地達到清除處理的要求，可以有效地去除深N阱工藝制造的半導體器件上殘留的微小的光刻膠殘渣，滿足深N阱工藝制造的半導體器件的性能要求。為保證光刻膠殘渣的清除更徹底，在清除處理過程中可使用超聲波對晶圓2(Χ3Β 加震以清除晶圓20 表面的光刻膠殘渣。在清除處理過程中使用超聲波對晶圓20 加震可以有效地使晶圓2(X3B表面殘留的微小的光刻膠殘渣從晶圓2(X3B表面剝離，這樣就可以有效地達到清除晶圓20 表面殘留的微小的光刻膠殘渣的目的。優(yōu)選地，在清除處理過程中使用超聲波對晶圓2(X3B加震時的超聲波的功率為 300W至800W。采用這個功率范圍可保證晶圓20 充分震動，可以有效地保證清除處理的效率。在對深N阱工藝晶圓表面進行光刻膠去除時，采用本實施例所提供的方法可以完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣。通過本實施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法，可達到完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的目的， 進而也就有效地保證了去除光刻膠的徹底性。從而提高深N阱工藝制造的半導體器件的一致性，可以有效地提高深N阱工藝制造的半導體器件的性能。圖3是采用本發(fā)明的優(yōu)選實施例的深N阱工藝去除光刻膠的方法制造的晶圓表面的效果圖。如圖3所示，可以看出，采用本發(fā)明的深N阱工藝光刻膠去除方法，深N阱工藝制造的晶圓301和302表面沒有附著微小的光刻膠殘渣。本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法取得了良好的技術效果。需要說明的是，本優(yōu)選實施例是根據(jù)本領域技術人員常用的半導體制造機臺所給出的優(yōu)選技術方案。這并不是對本發(fā)明的限制，本領域技術人員根據(jù)本發(fā)明所披露的內容并結合實際操作的半導體制造工藝機臺對具體深N阱半導體制造工藝的光刻膠去除環(huán)節(jié)所進行的改進也應納入本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明在對深N阱工藝晶圓表面進行光刻處理時，可以完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣。通過本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法，可達到完全去除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的目的，提高深N阱工藝制造的半導體器件的一致性，可以有效提高深N阱工藝制造的半導體器件的性能。本發(fā)明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
權利要求
1.一種深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟 對晶圓表面進行灰化處理，所述灰化處理包括控制所述晶圓表面的灰化溫度，使所述晶圓表面保持低于285°C 的灰化溫度；對光刻膠進行清洗處理； 清除經所述清洗處理后的光刻膠殘渣。
2.根據(jù)權利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述灰化處理還包括向灰化處理室中充入氧氣，或氧氣和氮氣的混合氣體來產生相應的等離子體。
3.根據(jù)權利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述控制所述晶圓表面的灰化溫度包括保持加熱板的加熱溫度為^5°C，控制晶圓夾具和所述加熱板的位置，或控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置并改變所述加熱板的加熱溫度。
4.根據(jù)權利要求3所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述控制所述晶圓夾具和所述加熱板的位置包括使所述晶圓夾具升降并同時使所述加熱板下降，所述晶圓夾具升降包括將所述晶圓夾具由距離所述加熱板最近的位置上升至所述晶圓夾具可動距離的40% 至50%處，將所述晶圓夾具復位； 所述加熱板下降包括將所述加熱板下降至機臺允許的最大位置處，當所述加熱板下降至所述機臺允許的最大位置處后保持固定；在所述控所述制晶圓夾具和所述加熱板的位置的過程中，所述晶圓夾具與所述加熱板間的最大距離為5厘米。
5.根據(jù)權利要求4所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述晶圓夾具在所述晶圓夾具可動距離的40%至50%處保持30至50秒，所述晶圓夾具在復位位置保持5 至15秒。
6.根據(jù)權利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述對光刻膠進行清洗處理包括在第一清洗槽中使用和H2A混合溶液清洗4 6分鐘， 在第二清洗槽中使用所述和H2A混合溶液清洗4 6分鐘； 所述H2SO4和H2A混合溶液的體積比例為 H2SO4 (98wt% ) H202(30wt% ) =5:1， 所述H2SO4和H2A混合溶液的溫度為120°C至130°C。
7.根據(jù)權利要求1所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述清除經所述清洗處理后的光刻膠殘渣包括使用NH4OH和H2A混合溶液清除所述光刻膠殘渣， 所述NH4OH和H2A混合溶液的體積比例為 NH4OH(29wt% ) H202 (30wt% ) H20(蒸溜水)=1 2 50， 所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為20°C至50°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進行清除處理的時間為5至15分鐘。
8.根據(jù)權利要求7所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于 所述NH4OH和H2A混合溶液的溫度為35°C，所述NH4OH和H2A混合溶液進行清除處理的時間為10分鐘。
9.根據(jù)權利要求7所述的深N阱工藝去除光刻膠的方法，其特征在于，所述清除經所述清洗處理后的光刻膠殘渣還包括在所述清除過程中使用超聲波對晶圓加震，所述超聲波的功率為300W至800W。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種深N阱工藝去除光刻膠的方法，包括以下步驟對晶圓表面進行灰化處理，灰化處理包括控制晶圓表面的灰化溫度，使晶圓表面保持低于285℃的灰化溫度，對光刻膠進行清洗處理，清除經清洗處理后的光刻膠殘渣。根據(jù)本發(fā)明的深N阱工藝去除光刻膠的方法可以有效解決現(xiàn)有技術深N阱工藝的光刻膠去除工藝環(huán)節(jié)無法完全清除深N阱工藝晶圓表面上殘留的微小的光刻膠殘渣的問題，提高深N阱工藝制造的半導體器件的一致性，可以有效提高深N阱工藝制造的半導體器件的性能。
文檔編號G03F7/36GK102193344SQ20101013183
公開日2011年9月21日 申請日期2010年3月15日 優(yōu)先權日2010年3月15日
發(fā)明者樊強 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司