一種圖案化方法及陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圖案化方法及陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示裝置分辨率的提高，對關(guān)鍵顯示器件的尺寸要求越來越小。一直以來，關(guān)鍵顯示器件的尺寸的縮小都依賴于光刻工藝。例如，現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板上各膜層的圖案化一般都采用光刻工藝形成。光刻工藝一般包括旋涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕等工序。
[0003]如圖1所示，曝光就是要將掩模板I上的圖形轉(zhuǎn)移到形成膜層2的基底上。顯影就是將曝光后感光部分的膜層2用顯影液溶解并去除，留下未感光部分的膜層2，從而形成圖形。膜層2—般由光刻膠構(gòu)成，光刻膠有正性光刻膠、負性光刻膠之分，負性光刻膠就是感光了的光刻膠留下，正性光刻膠則相反。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:人們對顯示分辨率要求的越來越高，圖案化時的圖形被設(shè)計的越來越小，受到曝光機臺(Optical exposure tool)的分辨率極限的影響，在進行高密度的曝光顯影以完成圖案化時，相鄰的圖案之間便容易發(fā)生光學接近效應(yīng)(optical proximity effect，0PE)。如圖2所示，曝光時，光并非是完全沿直線方向轉(zhuǎn)播，相鄰的圖形密度過高，光照射的區(qū)域3容易形成交疊照射區(qū)4，以至于最終顯影后的圖形失真產(chǎn)生不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對現(xiàn)有的高密度的曝光顯影時，相鄰的圖案之間容易發(fā)生光學接近效應(yīng)導致顯影后的圖形失真產(chǎn)生不良的問題，提供一種圖案化方法及陣列基板的制備方法。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0007]—種圖案化方法，包括以下步驟:
[0008]對形成在基底上的膜層進行第一次曝光顯影，以使膜層的第一區(qū)域的厚度小于第二區(qū)域的厚度；
[0009]硬烘，以使膜層遠離基底一側(cè)的第二區(qū)域的表面硬化；
[0010]進行第二次曝光顯影，以使第一區(qū)域的膜層完全去除。
[0011]優(yōu)選的，所述第一區(qū)域的厚度為h，第二區(qū)域的厚度為h2，其中，h1:出為4:5至1:3。
[0012]優(yōu)選的，所述硬烘包括在膜層遠離基底的一側(cè)進行加熱。
[0013]優(yōu)選的，所述加熱溫度為100_120°C，所述加熱時間為1-50秒。
[0014]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括在基底上形成膜層的步驟，以及對上述膜層進行圖案化的步驟，所述圖案化通過上述的圖案化方法進行。
[0015]優(yōu)選的，所述膜層由正性光刻膠構(gòu)成，所述第一區(qū)域為曝光區(qū)，所述第二區(qū)域為非曝光區(qū)。
[0016]優(yōu)選的，所述膜層由負性光刻膠構(gòu)成，所述第一區(qū)域為非曝光區(qū)，所述第二區(qū)域為曝光區(qū)。
[0017]優(yōu)選的，所述膜層包括柵極金屬層或源漏金屬層。
[0018]本發(fā)明的圖案化方法，包括兩次曝光顯影，且在兩次曝光顯影中間增加了硬烘工藝，使得相鄰的曝光圖形之間的膜層表面硬化，防止相鄰的曝光圖形之間發(fā)生光學接近效應(yīng)，導致顯影后的圖形失真產(chǎn)生不良。本發(fā)明的圖案化方法適用于陣列基板的各膜層的制備工藝中，尤其適用于制備顯示分辨率高的陣列基板的各膜層。
【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有的圖案化方法不意圖；
[0020]圖2為現(xiàn)有的圖案化方法產(chǎn)生不良的示意圖；
[0021 ]圖2為本發(fā)明的實施例1的圖案化方法示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明的實施例2的圖案化方法示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明的實施例3的圖案化方法步驟流程圖；
[0024]其中，附圖標記為:1、掩模板;2、膜層;21、第一區(qū)域;22、第二區(qū)域;3、光照射的區(qū)域;4、交疊照射區(qū)。
【具體實施方式】
[0025]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0026]實施例1:
[0027]本實施例提供一種圖案化方法，如圖3所示，包括以下步驟:
[0028]對形成在基底上的膜層2進行第一次曝光顯影，以使膜層2的第一區(qū)域21的厚度小于第二區(qū)域22的厚度；
[0029]硬烘，以使膜層遠離基底一側(cè)的第二區(qū)域22的表面硬化；
[0030]進行第二次曝光顯影，以使第一區(qū)域21的膜層2完全去除。
[0031]本實施例的圖案化方法，包括兩次曝光顯影，且在兩次曝光顯影中間增加了硬烘工藝，使得相鄰的曝光圖形之間的膜層2表面硬化，防止相鄰的曝光圖形之間發(fā)生光學接近效應(yīng)導致顯影后的圖形失真產(chǎn)生不良。本發(fā)明的圖案化方法適用于陣列基板的各膜層的制備工藝中，尤其適用于制備顯示分辨率高的陣列基板的各膜層。
[0032]實施例2:
[0033]本實施例提供一種圖案化方法，包括以下步驟:
[0034]對形成在基底上的膜層2進行第一次曝光顯影，以使膜層2的第一區(qū)域21的厚度小于第二區(qū)域22的厚度；
[0035]硬烘，以使膜層2遠離基底一側(cè)的第二區(qū)域22的表面硬化；
[0036]進行第二次曝光顯影，以使第一區(qū)域21的膜層2完全去除。
[0037]本實施例的圖案化方法，包括兩次曝光顯影，且在兩次曝光顯影中間增加了硬烘工藝，使得相鄰的曝光圖形之間的膜層2表面硬化，防止相鄰的曝光圖形之間發(fā)生光學接近效應(yīng)導致顯影后的圖形失真產(chǎn)生不良。其中，顯影是將曝光后第一區(qū)域21的膜層2用顯影液溶解并去除，留下第二區(qū)域22的膜層2，從而形成圖形。顯影液通常為堿性物質(zhì)如氫氧化鉀、氫氧化鈉等。
[0038]優(yōu)選的，所述第一區(qū)域21的厚度為出，第二區(qū)域22的厚度為h2，其中，1η:1ι2*4:5至1:3。
[0039]也就是說，如圖3所示，進行第一次曝光顯影是為了減少部分第一區(qū)域21的膜層2厚度，并不完全將第一區(qū)域21的膜層2完全去除，其中，可以通過