專利名稱：利用象場(chǎng)圖產(chǎn)生輔助特征的方法、程序產(chǎn)品和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)的技術(shù)領(lǐng)域概括而言涉及微光刻中根據(jù)象場(chǎng)圖產(chǎn)生輔助特征的方法、程序產(chǎn)品和裝置。
背景技術(shù)：
光刻裝置可用于例如集成電路(IC)制造。在此情形中，掩?？梢园cIC各層對(duì)應(yīng)的電路圖案，并且該圖案可以成像在涂覆有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅晶片)的目標(biāo)部分上(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路小片)。通常，單個(gè)晶片包含由相鄰目標(biāo)部分構(gòu)成的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)，該相鄰目標(biāo)部分由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在一種光刻投影裝置中，通過(guò)將整個(gè)掩模圖案一次性曝光在目標(biāo)部分上而使各個(gè)目標(biāo)部分受到照射；這種裝置常稱作晶片分檔器。在另一種通常稱作步進(jìn)掃描裝置的替代裝置中，沿給定參考方向(“掃描”方向)使投影光束依次掃描掩模圖案，而同時(shí)平行或反向平行于該方向掃描基底臺(tái)，從而使各目標(biāo)部分受到照射。通常，投影系統(tǒng)具有放大系數(shù)M(通常＜1)，因此掃描基底臺(tái)的速度V是掃描掩模臺(tái)速度的M倍。有關(guān)此處所述光刻裝置的更多信息，可從例如美國(guó)專利US6,046,792中獲得，這里將其作為參考引入。
在使用光刻投影裝置的制造過(guò)程中，掩模圖案成像在至少部分地覆蓋有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底上。在該成像步驟之前，基底可以經(jīng)歷多種工序，如涂底漆，涂覆抗蝕劑和軟焙。在曝光之后，基底可以經(jīng)歷其他工序，如曝光后烘焙(PEB)，顯影，硬焙和測(cè)量/檢測(cè)成像特征。這一系列工序構(gòu)成在例如IC裝置單層上形成圖案的基礎(chǔ)。然后，這種圖案層可以經(jīng)歷各種處理，如蝕刻，離子注入(摻雜)，金屬化，氧化，化學(xué)-機(jī)械拋光等形成一個(gè)單層所需的所有處理。如果需要多層，則必須為每個(gè)新層重復(fù)整個(gè)過(guò)程或其變化。最終，在基底(晶片)上形成裝置陣列。此后，通過(guò)諸如切割或鋸開(kāi)的技術(shù)將這些裝置彼此分隔開(kāi)，從而各裝置可以安裝在載體上，以管腳連接等等。
為了簡(jiǎn)化，下面將投影系統(tǒng)稱作“鏡頭“；不過(guò)，該術(shù)語(yǔ)廣義上應(yīng)當(dāng)解釋為包含各種投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)和反射折射光學(xué)系統(tǒng)。照射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任何一種設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、整形或控制照射投影光束，下面將所述部件統(tǒng)稱或者單獨(dú)稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以為具有兩個(gè)或多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的類型。在這種“多級(jí)”裝置中，可以并行地使用附加的臺(tái)，或者在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟，同時(shí)其它一個(gè)或多個(gè)臺(tái)用于曝光。例如，US5,969,441中描述了兩級(jí)光刻裝置，這里作為參考引入。
上述光刻掩模包括與將要在硅晶片上集成的電路部件相應(yīng)的幾何圖案。利用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序產(chǎn)生用于生成這種掩模的圖案，該過(guò)程常稱作EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)。大多數(shù)CAD程序遵從一組預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則，以便產(chǎn)生功能掩模。由加工限度和設(shè)計(jì)限度設(shè)定這些規(guī)則。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則定義電路裝置(如門、電容器等)或互連線之間的空間容差，以保證電路裝置或線不會(huì)以所不期望的方式相互作用。設(shè)計(jì)規(guī)則的限度通常稱作“臨界尺寸”(CD)。電路的臨界尺寸定義為線或孔的最小寬度，或者兩條線或兩個(gè)孔之間的最小空間。因此，CD決定所設(shè)計(jì)電路的總體尺寸和密度。
可使用掩模中的“輔助特征”改善投射到抗蝕劑的圖像和最終顯影出的裝置。輔助特征并非為抗蝕劑中顯影出的圖案表現(xiàn)出的特征，而是在掩模中所提供的特征，它利用衍射效應(yīng)使得顯影出的圖像更接近所需電路圖案。輔助特征通常為“亞分辨率”或者“深度亞分辨率”，表明它們至少一個(gè)尺寸小于晶片上實(shí)際分辨出的掩模中最小特征。輔助特征的尺寸可以為臨界尺寸的一部分。換言之，由于掩模圖案通常用小于1的放大率投射，例如1/4或1/5，掩模上輔助特征的物理尺寸可以比晶片的最小特征的要大。
可以使用至少兩類輔助特征。散射條為具有亞分辨率寬度的線條，其設(shè)置在孤立特征的一側(cè)或兩側(cè)，以此模擬圖案密集拼合區(qū)域中產(chǎn)生的鄰近效應(yīng)。襯線是設(shè)置在特征角部和邊緣，或者矩形特征角部的各種形狀的附加區(qū)域，它使線條的邊緣或者角部更接近于方形或圓形，這正是人們所期望的(注意在本文中通常稱作“錘頭”的輔助特征視作襯線的形式)。有關(guān)散射條和襯線的使用的更多信息，可以在例如美國(guó)專利No.5,242,770和5,707,765中獲得，在此將其引作參考。
當(dāng)然，集成電路制造中的一個(gè)目標(biāo)是如實(shí)地在晶片上(通過(guò)掩模)再現(xiàn)出原始電路設(shè)計(jì)，這可以借助于輔助特征來(lái)改善。這些輔助特征的設(shè)置通常遵循一組預(yù)定規(guī)則。根據(jù)這種方法，設(shè)計(jì)者決定例如如何使線偏斜，并且根據(jù)一組預(yù)定規(guī)則確定輔助特征的設(shè)置。該組規(guī)則是通過(guò)將試驗(yàn)掩模重復(fù)暴露于不同照射設(shè)置和NA設(shè)置下而獲得的。根據(jù)試驗(yàn)掩模組來(lái)為輔助特征設(shè)置創(chuàng)建一組規(guī)則。
不過(guò)，這些規(guī)則是在一維分析或者一維半分析的基礎(chǔ)上產(chǎn)生的。利用一維分析產(chǎn)生的規(guī)則是以平行線分析為基礎(chǔ)的。利用一維半分析產(chǎn)生的規(guī)則則考慮到兩條平行線之間的間隔、線寬和平行線附近的直線。一維半方法常用于平行線之間非均勻間隔的情形。顯然，考慮的因素越多，規(guī)則越復(fù)雜。
基于規(guī)則的方法本身不能很好地適用于優(yōu)選二維分析的復(fù)雜設(shè)計(jì)。二維分析基于一維分析和一維半分析中考慮的所有因素，但是還基于對(duì)環(huán)境因素的完整分析，即基于對(duì)全部設(shè)計(jì)布局及其任何部分的分析。結(jié)果，基于二維分析的規(guī)則很難用公式表示和表達(dá)，并且通常會(huì)產(chǎn)生非常復(fù)雜的多維矩陣。設(shè)計(jì)者常常優(yōu)選使用一維或一維半方法。
與基于規(guī)則的二維分析不同，已經(jīng)提出了一種通過(guò)考慮對(duì)環(huán)境因素的完整分析而形成輔助特征的方法，這種分析不太復(fù)雜并且操作簡(jiǎn)單。

發(fā)明內(nèi)容
這里所闡述的概念包括用于針對(duì)基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征的方法及程序產(chǎn)品。包括以下步驟產(chǎn)生與圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；抽取出象場(chǎng)圖的特征；以及根據(jù)所抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)輔助特征。象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將光刻裝置的特征或限制進(jìn)行因素分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。有利地考慮對(duì)圖案環(huán)境進(jìn)行完整分析用于利用象場(chǎng)圖產(chǎn)生輔助特征。這與基于規(guī)則的二維分析不同，復(fù)雜度更小且更易于操縱。
在所披露的概念的一個(gè)獨(dú)特方面，以預(yù)先確定的閾值抽取出象場(chǎng)圖的特征如輪廓。確定輪廓的主軸，并且相對(duì)于主軸確定輔助特征的取向。對(duì)預(yù)定閾值處得到的其他輪廓重復(fù)這一過(guò)程，甚至對(duì)于不同預(yù)定閾值處的其他輪廓也重復(fù)這一過(guò)程。所產(chǎn)生的輔助特征可以為預(yù)定尺寸，或者可以根據(jù)其相關(guān)輪廓設(shè)定輔助特征的大小。
在所披露概念的另一獨(dú)特方面，并非確定主軸并由此確定輔助特征的取向，而將輔助特征設(shè)定成多邊形形狀并且將大小設(shè)計(jì)成緊緊圍繞各輪廓?；蛘撸梢詫⑤o助特征設(shè)計(jì)成吻合在相應(yīng)輪廓之內(nèi)。甚至可以將多邊形輔助特征緊緊圍繞各輪廓與其配合在相應(yīng)輪廓之內(nèi)這兩種設(shè)計(jì)組合使用。
在又一獨(dú)特方面，可以識(shí)別象場(chǎng)圖的極值特征。根據(jù)各個(gè)極值確定最小曲率的軸向。因此，輔助特征可以相對(duì)于軸向的各極值來(lái)取向。輔助特征可以具有預(yù)定大小，或者甚至可以根據(jù)預(yù)定閾值和從象場(chǎng)圖抽取出的相應(yīng)輪廓設(shè)定大小。
在再一獨(dú)特方面，所披露的概念包括利用掩模將圖案成像在基底表面上的裝置。該裝置包括用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；用于接收輻射投影光束并將經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輻射光束投射到一部分掩模上的照明器；以及將掩模的相應(yīng)被照射部分成像在基底目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。利用根據(jù)與圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖的并非基于規(guī)則的二維分析產(chǎn)生的輔助特征來(lái)形成掩模。
該裝置還包括計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通過(guò)產(chǎn)生與圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖，抽取象場(chǎng)圖的特征，并根據(jù)所抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)輔助特征，從而產(chǎn)生輔助特征。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)用于產(chǎn)生與預(yù)定閾值處的象場(chǎng)圖輪廓相應(yīng)的輔助特征和輪廓的主軸。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還用于產(chǎn)生與象場(chǎng)圖的極值相應(yīng)的輔助特征?？梢岳眠@些特征產(chǎn)生、設(shè)定大小和設(shè)置輔助特征。
根據(jù)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見(jiàn)。


圖1表示用于實(shí)現(xiàn)所披露的實(shí)施例的示例性流程圖。
圖2表示基底表面上形成的示例圖案。
圖3表示與圖2的圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖。
圖4表示根據(jù)實(shí)施例1的示例流程圖。
圖5表示圖3象場(chǎng)圖的導(dǎo)出圖。
圖6表示用于確定主軸的示例輪廓形狀。
圖7表示圖5的一部分以及根據(jù)實(shí)施例1的輔助特征處理。
圖8表示圖5的一部分以及根據(jù)實(shí)施例1的另一輔助特征處理。
圖9表示根據(jù)實(shí)施例2的示例流程圖。
圖10表示圖5的一部分以及根據(jù)實(shí)施例2的輔助特征處理。
圖11表示圖5的一部分以及根據(jù)實(shí)施例2的另一輔助特征處理。
圖12表示根據(jù)實(shí)施例2和實(shí)施例3的示例輪廓和輔助特征處理。
圖13表示根據(jù)實(shí)施例2和實(shí)施例3的另一示例輪廓和輔助特征處理。
圖14表示根據(jù)實(shí)施例3的示例流程圖。
圖15表示圖5的一部分和根據(jù)實(shí)施例3的輔助特征處理。
圖16表示圖5的一部分和根據(jù)實(shí)施例3的另一輔助特征處理。
圖17表示根據(jù)實(shí)施例4的示例流程圖。
圖18表示根據(jù)實(shí)施例5的示例流程圖。
圖19表示圖5的一部分，其中包括根據(jù)實(shí)施例5得到的極值。
圖20表示圖5的一部分以及根據(jù)實(shí)施例5的輔助特征處理。
圖21表示圖5的一部分以及根據(jù)實(shí)施例5的輔助特征處理。
圖22示意地表示適合采用由這里闡述的概念設(shè)計(jì)出的掩模的示例性光刻投影裝置。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明者已設(shè)計(jì)出一種考慮到基底表面上形成的圖案的二維象場(chǎng)來(lái)確定輔助特征位置和大小的新穎技術(shù)。
圖1為用于優(yōu)化輔助特征在掩模上的位置、同時(shí)考慮基底表面上形成的整個(gè)圖案或其任何部分的二維象場(chǎng)的方法的示例流程圖。下面，術(shù)語(yǔ)“圖案”包括整個(gè)圖案或其任何部分。
在步驟(Step)100(下面，術(shù)語(yǔ)步驟(Step)將縮寫為“S”)中，產(chǎn)生與圖案或者要在基底表面上形成的圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖。可以通過(guò)模擬器產(chǎn)生象場(chǎng)圖，或者通過(guò)照射基底表面上形成的圖案獲得象場(chǎng)圖。術(shù)語(yǔ)“象場(chǎng)圖”包括體現(xiàn)強(qiáng)度特征，干涉特征，e-場(chǎng)特征的幅值和/或符號(hào)變化的任何類型的象圖，甚至可為考慮到光刻裝置像差或者任何其他特征或限制的強(qiáng)度圖，下面將對(duì)其進(jìn)行描述。此外，象場(chǎng)圖可以包括這些特征的任何導(dǎo)出或者任意組合。例如，象場(chǎng)圖可用于表示強(qiáng)度導(dǎo)數(shù)幅值的變化。這些不同類型的象場(chǎng)圖是光刻技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的。例如，由以下文獻(xiàn)說(shuō)明多種象場(chǎng)圖
(1)2004年1月14日提交的題為“Method of Opical Proximity CorrectionDesign for Contact Hole Mask”的美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)No.10/756,829；和(2)也是在2004年1月14日提交的題為“Method And Apparatus for ProvidingOptical Proximity Features To A Reticle Pattern For Deep Sub-Wavelength OPticalLithography”的美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)No.10/756,830。
圖2表示包含多個(gè)接觸孔22的示例性接觸孔圖案20，由此可以產(chǎn)生象場(chǎng)圖。不過(guò)，其應(yīng)用不限于所示的接觸孔圖案，還可包括其他圖案，例如包括線條特征構(gòu)成的圖案，線條特征和接觸孔構(gòu)成的圖案等。為了易于說(shuō)明和解釋此處披露的新穎概念，選擇了接觸孔圖案20。
圖3表示利用圖2的示例性接觸孔圖案20產(chǎn)生的象場(chǎng)圖30，它與根據(jù)S100產(chǎn)生的象場(chǎng)圖相應(yīng)。根據(jù)多個(gè)接觸孔22中的每個(gè)的影響和相互作用，用輪廓線(輪廓32)畫出象場(chǎng)圖30。此外，該特定象場(chǎng)圖30為強(qiáng)度圖，輪廓34相當(dāng)于基底表面處圖像強(qiáng)度的某個(gè)幅值。
下面所討論的各實(shí)施例提供基于圖2的圖案20和由圖1的S100產(chǎn)生的圖3的相應(yīng)象場(chǎng)圖30的示例。選擇象場(chǎng)圖30的某部分36以備隨后的說(shuō)明。在附圖中將該部分36賦予相同標(biāo)記。不過(guò)實(shí)施例無(wú)論如何都不限于所示的象場(chǎng)圖30、象場(chǎng)圖30的類型或者相應(yīng)圖案20。
在下面討論實(shí)施例1-5中詳細(xì)描述圖1的S102和S104。例如，S102相當(dāng)于實(shí)施例1的S200和S202(圖4)，實(shí)施例2的s300(圖9)，實(shí)施例3的S400(圖14)，實(shí)施例4的S500(圖17)，以及實(shí)施例5的S600和S602(圖18)。S104相當(dāng)于實(shí)施例1的S204(圖4)，實(shí)施例2的S302(圖9)，實(shí)施例3的S402(圖14)，實(shí)施例4的S504(圖17)以及實(shí)施例5的S604-S608(圖18)。
實(shí)施例1再次參照?qǐng)D1，在S102中，抽取出象場(chǎng)圖30的特征。轉(zhuǎn)到圖4，圖4表示本實(shí)施例的示例流程圖，在S200中，這些特征與在預(yù)定閾值處抽取出的輪廓34(多個(gè)輪廓34)相應(yīng)。圖5表示象場(chǎng)圖30的導(dǎo)出圖50，其中輪廓34是以預(yù)定閾值水平抽取出的。為了易于說(shuō)明，用實(shí)線表示輪廓34。
再次參照?qǐng)D4，在S202中，確定各輪廓34的主軸。用于確定任何形狀的主軸的技術(shù)是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的。一種方法需要根據(jù)多個(gè)軸來(lái)確定主軸。例如，圖6表示形狀60和處于形狀60的質(zhì)心64上或附近的多個(gè)軸62。當(dāng)然，可利用的軸62的個(gè)數(shù)是任意的。精度隨著所用軸62的數(shù)量增大而增大。不過(guò)，處理時(shí)間也會(huì)增加。主軸相應(yīng)于與形狀60重疊最多的軸。從而，在圖6中，多個(gè)軸62中的軸66相當(dāng)于主軸。
參照?qǐng)D4和7，在S204中，預(yù)定大小的輔助特征70可以相應(yīng)于各輪廓34設(shè)置，并且相對(duì)于其相關(guān)輪廓34的主軸(未示出)取向?；蛘撸梢韵鄬?duì)于相關(guān)輪廓34設(shè)計(jì)輔助特征72的大小，相關(guān)輪廓34中設(shè)置有輔助特征72。與前面所述相同，大小設(shè)定的輔助特征72相對(duì)于其相關(guān)輪廓34的主軸(未示出)取向。
可根據(jù)相應(yīng)輪廓34設(shè)定輔助特征70的大小，或者輔助特征72可以對(duì)應(yīng)某一預(yù)定大小?；蛘呖梢韵鄬?duì)于相應(yīng)輪廓34的主軸(未示出)的長(zhǎng)度來(lái)改變輔助特征70或72的預(yù)定大小。
再次參照?qǐng)D4，在S206中，如果已經(jīng)對(duì)圖案進(jìn)行了充分的輔助特征處理，那么可以無(wú)需再去產(chǎn)生輔助特征?？赏ㄟ^(guò)設(shè)計(jì)者觀察，創(chuàng)建檢測(cè)圖像或者甚至通過(guò)模擬確定輔助特征處理。不過(guò)，如果輔助特征處理不充分，則如S208那樣，可以將該預(yù)定閾值改變成不同閾值。例如，如果輪廓，如圖7的輪廓76，太小以至于不能精確地產(chǎn)生輔助特征，則可以選擇更低或更高的預(yù)定閾值來(lái)擴(kuò)展輪廓76的面積。再次參照?qǐng)D2，如同S208，可以抽取出不同預(yù)定閾值的輪廓38。用圖8表示所抽取出的輪廓80。因此，在S210，確定輪廓80的主軸。重復(fù)S204，產(chǎn)生相應(yīng)的輔助特征82。
可以重復(fù)步驟S204-S210，直至完成充分的輔助特征處理。并且，對(duì)于為了進(jìn)行充分輔助特征處理而選擇的一定范圍的閾值重復(fù)步驟S204-S210。
因此，實(shí)施例1有利于通過(guò)將完整圖案的特征進(jìn)行因數(shù)分解而產(chǎn)生象場(chǎng)圖的輔助特征，并且能夠避免基于二維規(guī)則方法的復(fù)雜計(jì)算特征。
實(shí)施例2圖9表示根據(jù)實(shí)施例2產(chǎn)生輔助特征的示例性流程圖。S300相應(yīng)于圖4的S200。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，將不再重復(fù)相似的描述。
根據(jù)實(shí)施例2設(shè)定輔助特征的尺寸，與實(shí)施例1不同。取代如實(shí)施例1中那樣確定輪廓34的主軸，形成與每個(gè)相應(yīng)輪廓34的區(qū)域相應(yīng)的多邊形輔助特征70-75。
實(shí)施例2以及下面描述的實(shí)施例3，采用的是八角形的輔助特征70-75(參見(jiàn)圖10)。本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，輔助特征70-75優(yōu)選八角形因?yàn)榘私切蔚妮o助特征70-75的各頂點(diǎn)的角度為45度的整數(shù)倍。從而，對(duì)于45度整數(shù)倍的角度，幾何和數(shù)學(xué)分析更加容易。當(dāng)然，可以使用邊數(shù)為任何數(shù)量的多邊形。多邊形形狀輔助特征的邊數(shù)越多，則匹配輪廓34越多。不過(guò)，計(jì)算量大大增多。
再次參照?qǐng)D9，在S302中，每個(gè)輪廓34被多邊形形狀的輔助特征圍繞(八角形的輔助特征70-75)。從而，如圖10表示，每個(gè)輔助特征70-75的大小設(shè)計(jì)成緊緊圍繞或者包圍其相應(yīng)輪廓34。
基本上，設(shè)置規(guī)則的八角形輔助特征(未示出)包圍相應(yīng)輪廓34。然后，調(diào)節(jié)規(guī)則八角形輔助特征(未示出)的一邊，直至它與其相應(yīng)的輪廓34的邊緣相交或近似相交為止。重復(fù)這一過(guò)程直至規(guī)則八角形輪廓(未示出)的所有邊都經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)，且形成規(guī)則的八角形輔助特征，如70-75所示。因此，在S302中，根據(jù)其相應(yīng)輪廓34設(shè)置各八角形輔助特征70-75，使各八角形輔助特征70-75緊緊圍繞其相應(yīng)的輪廓34。
S304相應(yīng)于圖4中的S206。再次參照?qǐng)D4，在S304中，如果已經(jīng)對(duì)圖案進(jìn)行了充分的輔助特征處理，則可以無(wú)需再去產(chǎn)生并確定輔助特征。不過(guò)，如果不充分，則如S306中那樣，可以將預(yù)定閾值改變?yōu)椴煌撝?。例如，如果輪廓，如圖10的輪廓76太小以至于不能精確地產(chǎn)生八角形輔助特征，則為了精確地產(chǎn)生八角形輔助特征，可以選擇更低或更高的預(yù)定閾值來(lái)擴(kuò)展輪廓76的面積。再次參照?qǐng)D2，如同S306中那樣，可以以不同預(yù)定閾值抽取出輪廓38。用圖11表示出所抽取出的輪廓110。因此，返回S302，產(chǎn)生出與輪廓110相應(yīng)的八角形輔助特征112。
可以重復(fù)步驟S302-S306，直至完成充分的輔助特征處理。此外，對(duì)于一定閾值范圍可以重復(fù)步驟S302-S306。
因此，實(shí)施例2有利于通過(guò)將整個(gè)圖案的特征進(jìn)行因數(shù)分解而由象場(chǎng)圖產(chǎn)生非常類似于其相應(yīng)輪廓的八角形輔助特征，并能夠避免基于二維規(guī)則方法的復(fù)雜計(jì)算特征。
實(shí)施例3實(shí)施例3利用的是類似于實(shí)施例2的多邊形輔助特征。不過(guò)，并不是用多邊形輔助特征圍繞輪廓，而是在輪廓內(nèi)形成多邊形輔助特征。此外，多邊形輔助特征可以和輪廓內(nèi)切(頂點(diǎn)與輪廓相交)。圖12和13表示每種方法的特征。
圖12表示一種示例輪廓120、根據(jù)實(shí)施例2圍繞輪廓120形成的多邊形輔助特征122和根據(jù)實(shí)施例3在輪廓120內(nèi)形成的多邊形輔助特征124。由于輪廓120存在向內(nèi)的凸起126，因此圍繞輪廓120形成的多邊形輔助特征122與其形狀更加緊密地匹配，這與在輪廓120內(nèi)部形成的多邊形輔助特征124不同。相反，圖13表示一種示例輪廓130、根據(jù)實(shí)施例2圍繞輪廓130形成的多邊形輔助特征132以及根據(jù)實(shí)施例3在輪廓130內(nèi)部形成的多邊形輔助特征134。由于輪廓130存在向外的凸起136，因此在輪廓130內(nèi)形成的多邊形輔助特征134與輪廓130的形狀更加緊密地匹配，這與圍繞輪廓130形成的多邊形輔助特征132不同。
圖14表示根據(jù)實(shí)施例3產(chǎn)生輔助特征的示例性流程圖。S400相應(yīng)于圖9的S300。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，將不再重復(fù)相似描述。
在S402，在相應(yīng)輪廓34內(nèi)形成各八角形輔助特征150-155(圖15)。從而，如圖15所示，所設(shè)計(jì)的各輔助特征150-155的尺寸同其相應(yīng)的輪廓34的區(qū)域非常相應(yīng)。
基本上，規(guī)則八角形輔助特征(未示出)相對(duì)于相應(yīng)輪廓34設(shè)置。調(diào)節(jié)規(guī)則八角形輔助特征(未示出)的邊緣，直至邊緣末端與其相應(yīng)輪廓34的邊緣相交或近似相交。重復(fù)這一過(guò)程，直至規(guī)則八角形輪廓(未示出)的所有邊都經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)，并且在其相應(yīng)輪廓內(nèi)形成規(guī)則的八角形輔助特征150-155。如果八角形輔助特征150-155的所有頂點(diǎn)均接觸相應(yīng)輪廓34，它就內(nèi)切于輪廓。
再次參照?qǐng)D14，在S404中，如果已經(jīng)對(duì)圖案進(jìn)行了充分的輔助特征處理，則可以無(wú)需再去產(chǎn)生并確定輔助特征。不過(guò)，如果不充分，則如同S406中那樣，可以將預(yù)定閾值改變成不同閾值。例如，如果輪廓如圖15的輪廓76太小，以至于不能精確地產(chǎn)生八角形輔助特征，則可以選擇更低或更高的預(yù)定閾值來(lái)擴(kuò)展輪廓76的面積。再次參照?qǐng)D2，如S406中那樣，可以抽取出不同預(yù)定閾值的輪廓38。用圖16表示所抽取出的輪廓160。因此，返回S402，產(chǎn)生與輪廓160相應(yīng)的八角形輔助特征162。
重復(fù)步驟S402-S406，直至完成充分的輔助特征處理。此外，對(duì)于一定范圍的預(yù)定閾值重復(fù)步驟S402-S406。
從而，實(shí)施例3有利于通過(guò)將整個(gè)圖案的特征進(jìn)行因數(shù)分解而由象場(chǎng)圖產(chǎn)生非常類似于其相應(yīng)輪廓的多邊形輔助特征，并能夠避免基于二維規(guī)則方法的復(fù)雜計(jì)算特征。
實(shí)施例4
輪廓34更適于圍繞其相應(yīng)輪廓的多邊形輔助特征，而另一種多邊形輔助特征更適于形成在其相應(yīng)輪廓內(nèi)部。結(jié)合圖12和13描述了這種差別。實(shí)施例4是實(shí)施例2與3的組合，從而對(duì)于每個(gè)輪廓判斷是圍繞輪廓還是在輪廓內(nèi)部形成多邊形輔助特征。
圖17表示實(shí)施例4的示例性流程圖。S500相應(yīng)于圖14的S400，從而為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)將不再重復(fù)描述。在S502中，判斷多邊形輔助特征是圍繞S400中抽取出的輪廓形成還是在該輪廓內(nèi)部形成。這可以通過(guò)分析圖12所示的任何內(nèi)凸126或圖13中所示的任何外凸136的輪廓來(lái)實(shí)現(xiàn)。如果輪廓同時(shí)包括內(nèi)凸126和外凸136，則可以由分析來(lái)確定主要特征。根據(jù)這種分析，可以確定是圍繞S400中抽取出的輪廓還是在該輪廓內(nèi)部形成多邊形輔助特征。
在S504中，可以相應(yīng)于輪廓大小設(shè)定和設(shè)置多邊形輔助特征。步驟S506和S508分別相應(yīng)于步驟S404和S406，為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)將不再重復(fù)相似描述。不過(guò)，在S508中以不同預(yù)定閾值抽取出輪廓之后，在S502中分析新抽取出的輪廓，以確定是圍繞S508中抽取出的輪廓還是在該輪廓內(nèi)部形成多邊形輔助特征。
因此，實(shí)施例4有利于通過(guò)將整個(gè)圖案的特征進(jìn)行因數(shù)分解而由象場(chǎng)圖產(chǎn)生非常類似于其相應(yīng)輪廓的多邊形輔助特征，并能夠避免基于二維規(guī)則方法的復(fù)雜計(jì)算特征。
實(shí)施例5與實(shí)施例1-4相同的是調(diào)節(jié)預(yù)定閾值的迭代步驟，以精確地產(chǎn)生與多個(gè)閾值相應(yīng)的輪廓的輔助特征。實(shí)施例5解決了迭代例程，并根據(jù)圖3象場(chǎng)圖30中識(shí)別出的極值產(chǎn)生輔助特征。極值可以包括最大值、最小值或者其任意組合。參照?qǐng)D3，各極值相應(yīng)于象場(chǎng)圖內(nèi)的局部最大點(diǎn)或局部最小點(diǎn)。
圖1 8表示根據(jù)實(shí)施例5產(chǎn)生輔助特征的示例性流程圖。在S600中，識(shí)別出象場(chǎng)圖30的極值。用于識(shí)別象場(chǎng)圖30中極值的數(shù)學(xué)(或幾何)分析是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的。例如，圖19表示識(shí)別出局部最小值180-186的部分36。注意，部分36同時(shí)包括最小和最大值。不過(guò)，為了易于說(shuō)明和解釋，僅表示出最小值180-186。
在S602中，確定各極值的最小曲率的軸向。最小曲率的軸向相應(yīng)于，對(duì)于各極值而言，與任何其他方向相比存在最小斜率值的方向。用于確定最小曲率的軸向的數(shù)學(xué)(或幾何)分析是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的。
在S604中，輔助特征根據(jù)軸向中的每個(gè)極值進(jìn)行取向。輔助特征可以具有預(yù)定尺寸，或者相對(duì)于預(yù)定閾值處的輪廓設(shè)定大小。在S606中，預(yù)定尺寸的輔助特征可以相對(duì)于各極值180-186設(shè)置。用圖20表示S606的結(jié)果、部分36和分別相對(duì)于極值180-186設(shè)置的預(yù)定尺寸的輔助特征190-196。優(yōu)選地，輔助特征190-196的質(zhì)心分別與極值180-186對(duì)準(zhǔn)。
或者，在步驟S608中，由象場(chǎng)圖30根據(jù)預(yù)定閾值分別確定輔助特征200-206的長(zhǎng)度和寬度(圖21)。具體而言，在S608中，根據(jù)預(yù)定閾值處各輪廓209-214的長(zhǎng)度確定輔助特征200-206的長(zhǎng)度。同樣，在S608中，可根據(jù)預(yù)定閾值處各輪廓209-214的寬度確定輔助特征200-206的寬度。不過(guò)，如圖所示，輔助特征的寬度是預(yù)先確定的。
因此，實(shí)施例5有利于通過(guò)將整個(gè)圖案的特征進(jìn)行因數(shù)分解而由象場(chǎng)圖產(chǎn)生輔助特征，并能夠避免基于二維規(guī)則方法的復(fù)雜計(jì)算特征。
在實(shí)施例1-5中，可根據(jù)所識(shí)別出的極值或輪廓確定相位不同的輔助特征。例如，對(duì)于最小值，可以設(shè)置180°相移、100％透射率的輔助特征。并且對(duì)于最大值，可以設(shè)置0°相移、100％透射率的輔助特征。
圖22示意出適合于使用根據(jù)本發(fā)明所設(shè)計(jì)的掩模的光刻投影裝置。該裝置包括-輻射系統(tǒng)Ex，IL，其用于提供輻射投影光束PB。在這種特定情形中，輻射系統(tǒng)還包括照射源LA；-具有掩模支架的第一載物臺(tái)(掩模臺(tái))MT，掩模支架用于支撐掩模MA(例如分劃板)，并且與用于將該掩模相對(duì)于部件PL精確定位的第一定位裝置連接；-具有基底支架的第二載物臺(tái)(基底臺(tái))WT，該基底支架用于支撐基底W(例如，涂有抗蝕劑的硅晶片)，并且與用于將基底相對(duì)于部件PL精確定位的第二定位裝置相連。
-投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(例如，折射、反射或者反射折射光學(xué)系統(tǒng))，用于將掩模MA的被照射部分成像在基底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路小片)上。
如此處所述，該裝置是透射型的(即，具有透射掩模)。不過(guò)，通常，例如也可以為反射型(具有反射掩模)。或者，該裝置可以采用其他種類的構(gòu)圖裝置代替掩模；例如包括可編程反射鏡陣列或LCD矩陣。
源LA(例如汞燈或準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或者橫穿過(guò)調(diào)節(jié)裝置如擴(kuò)束器Ex之后，射入照射系統(tǒng)(照明器)IL。照明器IL可以包括用于設(shè)定光束中強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑范圍(通常分別稱作σ-外和σ-內(nèi))的調(diào)節(jié)裝置AM。此外，其通常包括多種其他部件，如積分器IN和聚光器CO。由此，入射在掩模MA上的光束PB在其橫截面內(nèi)具有理想的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)當(dāng)注意，對(duì)于圖22，源LA可以處于光刻投影裝置的外殼內(nèi)(如源LA是汞燈時(shí)常常出現(xiàn)這種情況)，不過(guò)也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被引導(dǎo)到裝置中(例如借助于適當(dāng)?shù)亩ㄏ蚍瓷溏R)；源LA為準(zhǔn)分子激光器(例如基于KrF，ArF或F2激光作用)時(shí)常常是后面的那種情形。本發(fā)明包括這兩種情形。
光束PB然后與保持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA相交。經(jīng)過(guò)掩模MA后，光束PB又經(jīng)過(guò)透鏡PL，將光束PB聚焦到基底W的目標(biāo)部分C上。借助于第二定位裝置(和干涉測(cè)量裝置IF)，基底臺(tái)WT可精確移動(dòng)，例如使不同目標(biāo)部分C處于光束PB的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置將掩模MA相對(duì)光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖11中未明確顯示的長(zhǎng)行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)載物臺(tái)MT、WT的移動(dòng)。可是，在晶片分檔器中(與步進(jìn)掃描裝置不同)，掩模臺(tái)MT可僅與短行程激勵(lì)器連接，或者可以固定。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用-在步進(jìn)模式中，掩模臺(tái)MT基本保持不動(dòng)，整個(gè)掩模圖像被一次投射(即單“閃”)到目標(biāo)部分C上。然后基底臺(tái)WT沿x和/或y方向移動(dòng)，以使不同的目標(biāo)部分C能夠被光束PB照射。
-在掃描模式中，情況基本相同，除了所給的目標(biāo)部分C不以單“閃”方式曝光。取而代之的是，掩模臺(tái)MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)以速度v移動(dòng)，以使投射光束PB在掩模圖像上掃描；同時(shí)，基底臺(tái)WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大率(典型的為M＝1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的目標(biāo)部分C，而沒(méi)有犧牲分辨率。
此外，軟件可以實(shí)現(xiàn)或者有助于實(shí)現(xiàn)所披露的概念。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的軟件功能涉及包括可執(zhí)行代碼的程序設(shè)計(jì)，也可用于實(shí)現(xiàn)上述成像模型。該軟件代碼通過(guò)通用計(jì)算機(jī)執(zhí)行。在操作中，代碼和可能的相關(guān)數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)在通用計(jì)算機(jī)平臺(tái)上。然而在其他場(chǎng)合，軟件可存儲(chǔ)在其它位置和/或傳送加載至適當(dāng)?shù)耐ㄓ糜?jì)算機(jī)系統(tǒng)中。因此，上述實(shí)施例涉及由至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)載有的一個(gè)或多個(gè)代碼模塊形式的一個(gè)或多個(gè)軟件產(chǎn)品。由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的處理器執(zhí)行這種代碼，使平臺(tái)能夠?qū)崿F(xiàn)分類和/或軟件下載功能，在此處示出和描述的實(shí)施例基本上以這種方式實(shí)現(xiàn)。
此處所使用的術(shù)語(yǔ)如計(jì)算機(jī)或機(jī)器“可讀介質(zhì)”指的是參與向處理器提供指令用于執(zhí)行的任何一種介質(zhì)。這樣的介質(zhì)可有多種形式，包括但不限于，非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)和傳輸介質(zhì)。非易失性介質(zhì)包括，例如，光盤或磁盤，如上述在作為服務(wù)器平臺(tái)之一的任何計(jì)算機(jī)操作中的任何存儲(chǔ)器件。易失性介質(zhì)包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，如這樣一個(gè)計(jì)算機(jī)平臺(tái)的主存儲(chǔ)器。物理傳輸介質(zhì)包括同軸光纜、銅線和光纖，包括由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的總線構(gòu)成的導(dǎo)線。載波傳輸介質(zhì)可采取電信號(hào)或電磁信號(hào)、或如那些在射頻(RF)和紅外(IR)數(shù)據(jù)通信中產(chǎn)生的聲波或光波的形式。從而，普通形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括，例如軟盤、軟磁盤、硬盤、磁帶、任何其它磁性介質(zhì)，CD-ROM、DVD，任何其它光學(xué)介質(zhì)；如穿孔卡、紙帶這種不常用的介質(zhì)；任何其它帶孔圖案的物理介質(zhì)，RAM、PROM和EPROM、FLASH EPROM；其它任何存儲(chǔ)芯片或盒式磁帶；載波傳輸數(shù)據(jù)或指令，傳輸這種載波的電纜或鏈路，或計(jì)算機(jī)可從中讀取程序碼和/或數(shù)據(jù)的任何其它介質(zhì)。許多這些形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可涉及載有一個(gè)或多個(gè)指令的一個(gè)或多個(gè)序列，以便處理器來(lái)執(zhí)行。
雖然詳細(xì)描述和說(shuō)明了本發(fā)明，不過(guò)顯然可以理解，示圖和示例應(yīng)被認(rèn)為是相同的而非限定性的，本發(fā)明的保護(hù)范圍僅由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)于基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征的方法，包括以下步驟(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)以象場(chǎng)圖的預(yù)定閾值抽取出輪廓特征；以及(c)根據(jù)步驟(b)中抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)輔助特征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將用于在基底表面上形成圖案的光刻裝置的特征或限制因素進(jìn)行分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中在步驟(b)中，預(yù)定閾值處的特征與象場(chǎng)圖的多個(gè)輪廓相應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括步驟(i)分析不同預(yù)定閾值處的不同輪廓；(ii)確定該輪廓的主軸和所述不同輪廓的主軸；并且(iii)根據(jù)該輪廓的主軸將輔助特征取向，并且根據(jù)所述不同輪廓的主軸將另一輔助特征取向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括確定輪廓主軸的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括根據(jù)主軸將所述至少一個(gè)輔助特征中的一輔助特征取向的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括根據(jù)多個(gè)軸中的一個(gè)軸確定輪廓主軸的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括將多個(gè)軸的原點(diǎn)設(shè)置在輪廓的質(zhì)心上或質(zhì)心附近的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中該輔助特征具有預(yù)定大小。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括根據(jù)輪廓確定輔助特征的長(zhǎng)度或?qū)挾鹊牟襟E。
11.一種對(duì)于基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征的方法，包括以下步驟(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)以象場(chǎng)圖的預(yù)定閾值抽取出輪廓特征；(c)根據(jù)步驟(b)中抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)多邊形輔助特征；以及(d)相對(duì)于輪廓的形狀設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將用于在基底表面上形成圖案的光刻裝置的特征或限制因素進(jìn)行分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括步驟(i)以不同預(yù)定閾值抽取出不同輪廓；(ii)對(duì)于不同輪廓重復(fù)步驟(c)和(d)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括將與輪廓相應(yīng)的所述至少一個(gè)輔助特征中的多邊形輔助特征取向的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中設(shè)定尺寸的步驟包括設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸以圍繞輪廓。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中該多邊形輔助特征是不規(guī)則形狀的。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中設(shè)定尺寸的步驟包括設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸以配合在輪廓之內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中設(shè)定尺寸的步驟包括設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸以內(nèi)切在輪廓內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中多邊形輔助特征是不規(guī)則形狀的。
20.一種對(duì)于基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征的方法，包括以下步驟(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)識(shí)別出象場(chǎng)圖的極值或局部極值；(c)由極值或局部極值確定最小曲率的軸向；以及(d)相對(duì)軸向取向輔助特征。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括對(duì)于多個(gè)極值重復(fù)步驟(b)-(d)的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中所述至少一個(gè)輔助特征具有預(yù)定尺寸。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的輔助特征產(chǎn)生方法，還包括通過(guò)(i)選擇與預(yù)定閾值相應(yīng)的輪廓；(ii)根據(jù)該輪廓確定輔助特征的長(zhǎng)度或?qū)挾?，產(chǎn)生輔助特征的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的輔助特征產(chǎn)生方法，其中該極值與局部最大值或局部最小值相應(yīng)。
25.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括由至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)可傳輸?shù)目蓤?zhí)行代碼，其中通過(guò)至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行代碼，使所述至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行一系列步驟，從而對(duì)于基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征，包括步驟(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)以象場(chǎng)圖的一個(gè)預(yù)定閾值抽取出輪廓特征；以及(c)根據(jù)步驟(b)中抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)輔助特征。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將用于在基底表面上形成圖案的光刻裝置的特征或限制因素進(jìn)行分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中在步驟(b)中，預(yù)定閾值處的特征與象場(chǎng)圖的多個(gè)輪廓相應(yīng)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括步驟(i)分析不同預(yù)定閾值處的不同輪廓；(ii)確定該輪廓和所述不同輪廓的主軸；以及(iii)根據(jù)該輪廓的主軸取向輔助特征，根據(jù)所述不同輪廓的主軸取向另一輔助特征。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括確定輪廓主軸的步驟。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括根據(jù)主軸將所述至少一個(gè)輔助特征中的一輔助特征取向的步驟。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括根據(jù)多個(gè)軸中的一個(gè)軸確定輪廓主軸的步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括將多個(gè)軸的原點(diǎn)定位在輪廓質(zhì)心上或質(zhì)心附近的步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中輔助特征具有預(yù)定尺寸。
34.根據(jù)權(quán)利要求30所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括根據(jù)所述輪廓確定輔助特征的長(zhǎng)度或?qū)挾鹊牟襟E。
35.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括由至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)可傳輸?shù)目蓤?zhí)行代碼，其中通過(guò)至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行代碼，使所述至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行一系列步驟，從而對(duì)于基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征，包括步驟(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)以象場(chǎng)圖的一個(gè)預(yù)定閾值抽取出輪廓的特征；(c)根據(jù)步驟(b)中抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)多邊形輔助特征；以及(d)相對(duì)輪廓的形狀設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將用于在基底表面上形成圖案的光刻裝置的特征或限制因素進(jìn)行分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括步驟(i)以不同預(yù)定閾值抽取出不同輪廓；(ii)對(duì)于不同輪廓重復(fù)步驟(c)和(d)。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括將與輪廓相應(yīng)的所述至少一個(gè)輔助特征的多邊形輔助特征取向的步驟。
39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中設(shè)定尺寸的步驟包括設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸以圍繞輪廓。
40.根據(jù)權(quán)利要求35所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中該多邊形輔助特征是不規(guī)則形狀的。
41.根據(jù)權(quán)利要求35所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中設(shè)定尺寸的步驟包括設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸以配合在輪廓之內(nèi)。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中設(shè)定尺寸的步驟包括設(shè)定多邊形輔助特征的尺寸以內(nèi)切在輪廓中。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中該多邊形輔助特征是不規(guī)則形狀的。
44.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括由至少一個(gè)機(jī)器可讀介質(zhì)可傳輸?shù)目蓤?zhí)行代碼，其中通過(guò)至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行代碼，使所述至少一個(gè)可編程計(jì)算機(jī)執(zhí)行一系列步驟，從而對(duì)于基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征，包括步驟(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)識(shí)別象場(chǎng)圖的極值或局部極值；(c)由極值或局部極值確定最小曲率的軸向；以及(d)相對(duì)軸向?qū)⑤o助特征取向。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括對(duì)于多個(gè)極值重復(fù)步驟(b)-(d)的步驟。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述至少一個(gè)輔助特征具有預(yù)定尺寸。
47.根據(jù)權(quán)利要求44所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，還包括通過(guò)(i)選擇與預(yù)定閾值相應(yīng)的輪廓；(ii)根據(jù)該輪廓確定輔助特征的長(zhǎng)度或?qū)挾?，產(chǎn)生輔助特征的步驟。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中極值相應(yīng)于局部最大值或局部最小值。
49.根據(jù)權(quán)利要求44所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將用于在基底表面上形成圖案的光刻裝置的特征或限制因素進(jìn)行分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。
50.一種利用掩模將圖案成像在基底表面上的裝置，所述裝置包括用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；一個(gè)照明器，該照明器用于接收輻射投影光束并將經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輻射光束投射在一部分所述掩模上，以及投影系統(tǒng)，其用于將掩模的相應(yīng)被照射部分投射到基底的目標(biāo)部分上，其中利用根據(jù)與圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖的基于非規(guī)則的二維分析產(chǎn)生的輔助特征來(lái)形成掩模。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的裝置，還包括一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)通過(guò)執(zhí)行以下步驟產(chǎn)生輔助特征(a)產(chǎn)生與該圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖；(b)抽取出象場(chǎng)圖的特征；(c)根據(jù)步驟(b)中抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的至少一個(gè)輔助特征。
52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的裝置，其中象場(chǎng)圖對(duì)應(yīng)于顯示強(qiáng)度幅值特征、干涉特征、e-場(chǎng)特征這些特征的變化，或者對(duì)應(yīng)于，將用于在基底表面上形成圖案的光刻裝置的特征或限制因素進(jìn)行分解得到的強(qiáng)度、干涉或e-場(chǎng)這些特征的變化的圖。
53.根據(jù)權(quán)利要求51所述的裝置，其中該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)用于產(chǎn)生與預(yù)定閾值處的象場(chǎng)圖輪廓相應(yīng)的輔助特征。
54.根據(jù)權(quán)利要求51所述的裝置，其中該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)用于確定輪廓的主軸。
55.根據(jù)權(quán)利要求53所述的裝置，其中相對(duì)于主軸將輔助特征取向。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，其中該輔助特征是多邊形的。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中該多邊形輔助特征的大小設(shè)定成圍繞輪廓。
58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中該多邊形輔助特征的大小設(shè)定為處于輪廓之內(nèi)。
59.根據(jù)權(quán)利要求51所述的裝置，其中該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)用于產(chǎn)生與象場(chǎng)圖的極值相應(yīng)的輔助特征。
全文摘要
本發(fā)明披露的概念包括，通過(guò)產(chǎn)生與圖案相應(yīng)的象場(chǎng)圖來(lái)對(duì)基底表面上形成的圖案產(chǎn)生輔助特征的方法、程序產(chǎn)品和裝置。從象場(chǎng)圖抽取出特征，并且根據(jù)該步驟中抽取出的特征產(chǎn)生針對(duì)該圖案的輔助特征。輔助特征可以相對(duì)于象場(chǎng)圖輪廓的主軸取向。輔助特征也可以是多邊形的，并且大小設(shè)定成圍繞輪廓或者相對(duì)于輪廓內(nèi)部。此外，可以根據(jù)從象場(chǎng)圖識(shí)別出的極值設(shè)置輔助特征。利用象場(chǎng)圖，可以排除傳統(tǒng)和復(fù)雜的基于二維規(guī)則的方法來(lái)產(chǎn)生輔助特征。
文檔編號(hào)G03F9/00GK1617047SQ20041006407
公開(kāi)日2005年5月18日 申請(qǐng)日期2004年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日
發(fā)明者K·E·瓦姆普勒, D·范登布羅克, U·霍勒巴赫, X·施, J·F·陳 申請(qǐng)人:Asml蒙片工具有限公司