專(zhuān)利名稱(chēng)：藉微影曝光之反射鏡及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種制造一半導(dǎo)體產(chǎn)品之微影曝光之反射鏡，在一基板上生成一多層結(jié)構(gòu)以及，在多層結(jié)構(gòu)之上，一材料制成的覆蓋層一自然氧化層在空氣中生成于其上。本發(fā)明更進(jìn)一步關(guān)于根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9項(xiàng)之前文之一反射光學(xué)鏡。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中，半導(dǎo)體基板之表面或是排列其上的薄層表面，都藉由一沉積于其表面并且微影曝光的抗光敏感層來(lái)微影刻劃。在微影曝光期間，一二維的屏蔽結(jié)構(gòu)被顯影至光阻層之上。屏蔽結(jié)構(gòu)的載體即所謂的分劃板，這里亦稱(chēng)為一光罩。在此分劃板上，被曝光的結(jié)構(gòu)以趨近于4到10倍放大的成像比例在一已刻劃層的形式之上被實(shí)現(xiàn)。此刻劃層之圖形在經(jīng)由一光學(xué)成像排列被縮小尺寸至阻擋光罩之后被制成于半導(dǎo)體基板之上。曝光阻抗層被顯影并且可在半導(dǎo)體基板或薄層之蝕刻中、一植入或其它處理中當(dāng)作一屏蔽而刻劃位于其上的此組抗層。
在半導(dǎo)體制品之微影曝光中，不是傳達(dá)屏蔽的結(jié)構(gòu)被以一鉻層了解就是反射屏蔽被用來(lái)當(dāng)作一光罩(分劃板)。該反射屏蔽扮演表面被一圖樣吸收層覆蓋之光學(xué)鏡。反射屏蔽被特別地用在極紫外光區(qū)，即1與100奈米之間，因?yàn)榇蟛糠值牟牧显谶@波長(zhǎng)范圍吸收。EUV(極紫外光)波長(zhǎng)的反射被以由多重的薄層或?qū)咏M多層結(jié)構(gòu)組成之多層結(jié)構(gòu)的輔助而達(dá)成，在它們的接口中一部份的入射光被反射，在每一個(gè)實(shí)例中。反射在不同接口的射線之結(jié)構(gòu)的干涉產(chǎn)生一反射光束，在光學(xué)縮小的方式中，可以被指向一半導(dǎo)體制品上，排列在多層結(jié)構(gòu)之上的屏蔽結(jié)構(gòu)被成像于半導(dǎo)體制品的光阻層之上。
此類(lèi)型的反射屏蔽因此扮演一反射的光學(xué)鏡。在多層結(jié)構(gòu)之上，反射鏡具有一覆蓋層當(dāng)作一多層結(jié)構(gòu)的保護(hù)層。多層結(jié)構(gòu)通常包含了一間隔序列的鉬金屬層以及硅層。一硅層隨后經(jīng)常被用作為覆蓋層以及被安排于最上方的鉬層之上且具有一較多層結(jié)構(gòu)中的硅層大的層厚度。典型地，多詞結(jié)構(gòu)的層之厚度大約7奈米而覆蓋層之層厚度為10到20奈米。然而，依照所使用的波長(zhǎng)，層的厚度可能會(huì)大大地脫離此特征范圍以影響在相關(guān)波長(zhǎng)的反射射線之結(jié)構(gòu)干涉。一緩沖層通常排放在覆蓋層之上，一刻劃的屏蔽層包含被排放在該緩沖層之上的結(jié)構(gòu)。緩沖層首先放置于覆蓋層的所有范圍之上作為暫時(shí)的保護(hù)并且特別地在修補(bǔ)刻劃屏蔽層之屏蔽結(jié)構(gòu)被需要。在反射光學(xué)竟被使用之前，緩沖層刻劃屏蔽層未覆蓋的位置被移除，以至于該覆蓋層未被覆蓋。
一具有一較小奈米尺寸的厚度自然的氧化物生成于覆蓋層之一硅表面上，該覆蓋層系暴露于空氣中。此自然氧化物生長(zhǎng)自然地發(fā)生于幾天到幾個(gè)星期的過(guò)程，并且也持續(xù)一相對(duì)地長(zhǎng)的時(shí)間。因此，反射光學(xué)鏡偶而必須被蝕刻當(dāng)他們被用在一相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間，為了移去所生成之氧化層。被移除之氧化層厚度必須精確地被確定并且該移除必須被精準(zhǔn)的控制。然而，作到這件事情的方法尚未被了解。
在周?chē)諝庵猩L(zhǎng)于硅表面的自然氧化物易受統(tǒng)計(jì)學(xué)的變動(dòng)所影響。氧化層的厚度在硅表面不同的區(qū)域呈多樣化的。因此，更精確地反射系數(shù)表示相對(duì)于入射射線之反射射線的比例，反射性在硅表現(xiàn)是不同質(zhì)的。
自然氧化物之不同質(zhì)的層厚度的問(wèn)題理論上可被反對(duì)經(jīng)由對(duì)生成之氧化層作控制反蝕刻，但蝕刻步驟也易受統(tǒng)計(jì)波動(dòng)所影響，結(jié)果在硅氧化物表面的蝕刻速率可能有區(qū)域性地不同值。已知的實(shí)驗(yàn)其中氧化物生長(zhǎng)在水中被觀察，在一些例子中為了不同摻雜也有在過(guò)氧化氫中被觀察。尤其，在過(guò)氧化氫中以鉑的輔助促進(jìn)生成氧化層是已知的。此類(lèi)實(shí)驗(yàn)為了研究在不同狀態(tài)下氧化層生成的時(shí)間的影響而被實(shí)行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的系提供一具有反射性且盡可能在鏡面為均勻同構(gòu)型的之反射光學(xué)鏡。
在前文所述之方法中，此目的系達(dá)成由于覆蓋層從一摻雜的材料所制成并且使其與過(guò)氧化氫接觸，結(jié)果一人工生成的氧化層被形成于覆蓋層之上。
根據(jù)本發(fā)明，一氧化層系人工制造的，該氧化層覆蓋一覆蓋層并且藉由一定量的覆蓋而降低反射鏡之透明度。氧化層因此照慣例的被避免使用。然而，根據(jù)本發(fā)明，此氧化層藉由一促進(jìn)生長(zhǎng)的步驟而制成而此造成于覆蓋層表面發(fā)生均質(zhì)生長(zhǎng)。氧化層因此形成具有一自然氧化生長(zhǎng)無(wú)法達(dá)成之均質(zhì)性，結(jié)果該光學(xué)鏡得到全面的更佳的光學(xué)性質(zhì)。無(wú)論如何，下降的透明度的缺點(diǎn)在時(shí)間的過(guò)程中藉由自然氧化層生長(zhǎng)開(kāi)始著手而被抵銷(xiāo)。關(guān)于根據(jù)本發(fā)明所生成的氧化層的優(yōu)點(diǎn)系為在人造地成長(zhǎng)的氧化層上更進(jìn)一步的自然生長(zhǎng)發(fā)生以一較低的生長(zhǎng)速率，那就是說(shuō)有可能提升的不均質(zhì)性會(huì)更加微弱地生成。根據(jù)本發(fā)明，不像傳統(tǒng)的實(shí)例般，覆蓋層并非由未摻雜材料所制造，而是從一摻雜的材料所制得。使后者與過(guò)氧化氫接觸，根據(jù)本發(fā)明，為了生成一均質(zhì)的人造氧化層。特別地提供一催化劑，例如鉑金屬，被加入過(guò)氧化氫中，如此以至于該人造生長(zhǎng)的氧化曾被形成于催化劑(鉑)的存在之下。
較佳地提供覆蓋層被浸泡于過(guò)氧化氫之中，該過(guò)氧化氫的濃度為10％至50％在3到120分鐘的時(shí)間期間。確實(shí)地在鉑或其它催化劑存在之下，一人造氧化層可以在短時(shí)間內(nèi)生成，該氧化層在自然環(huán)境條件下只會(huì)在幾個(gè)星期或幾個(gè)月的過(guò)程中成長(zhǎng)。
較佳地提供過(guò)氧化氫在覆蓋曾被沉浸之前以及/或期間被加熱。如此將導(dǎo)致可能達(dá)成一更加快速的人造氧化生長(zhǎng)過(guò)程。
較佳地，一具有一層厚度介于0.8至2.0奈米的覆蓋層經(jīng)由與過(guò)氧化氫接觸被制成。甚至在隨后生長(zhǎng)在此人工制造的氧化層上之自然氧化物中，可以確定的是，一均質(zhì)層被生成在覆蓋層表面第一的0.8至2.0奈米之上，在那范圍內(nèi)的氧化物生長(zhǎng)最快速。
較佳地提供摻雜的濃度以一定量選擇，如此在經(jīng)由與過(guò)氧化氫接觸生成的氧化層上的自然氧化物生長(zhǎng)系每年比藉由過(guò)氧化氫的輔助生成的層厚度減少10％以下。
較佳地提供覆蓋層系從n-摻雜的材料制成。雖然p型摻雜也是適合的，原則上，對(duì)于覆蓋層的摻雜，為了達(dá)到一增速的氧化物生長(zhǎng)，已經(jīng)觀察到成長(zhǎng)過(guò)程確實(shí)地在n-摻雜的覆蓋層材料上明顯地降低，特別是硅。
為了在反射光學(xué)鏡全部的表面上提供一足夠高且均質(zhì)的摻雜，覆蓋層較佳地使用沉積之多層結(jié)構(gòu)，例如藉由化學(xué)氣相沉積法(CVD)或者一物理沉積法(PVD；物理氣相沉積)，例如噴濺法。負(fù)摻雜較佳地在沉積時(shí)藉由供應(yīng)摻雜物與覆蓋層之基本材料被導(dǎo)入覆蓋層至反射鏡表面。這種在原處的摻雜具有對(duì)摻雜覆蓋層而言不需要任何后續(xù)的處理步驟的優(yōu)點(diǎn)。然而，另一種方式為摻雜可能隨后第被導(dǎo)入覆蓋層以低植入能量之一植入方式。同樣地，可想象得到對(duì)于初始未摻雜的覆蓋層而言使其與一含有摻雜物的媒介接觸，例如一溶液或其它流體，如此該摻雜物可擴(kuò)散至覆蓋層內(nèi)。在此處理期間，較深層的多層結(jié)構(gòu)可被保護(hù)而不受摻雜物的侵害。
覆蓋層較佳地系從n-摻雜的硅制得。在此實(shí)例中，一非晶型的硅層系較為適合的。
本發(fā)明所根據(jù)的基礎(chǔ)目的系更進(jìn)一步地以一具有基板的反射光學(xué)鏡的方式來(lái)達(dá)成，一多層結(jié)構(gòu)其經(jīng)由結(jié)構(gòu)干涉反射電磁輻射，以及再多層結(jié)構(gòu)上之一覆蓋層，覆蓋層由一在空氣中生成之自然氧化層所組成，在該實(shí)例中，根據(jù)本發(fā)明，覆蓋層之材料系摻雜以一摻雜且氧化層具有一層厚度的區(qū)域，其中相同的摻雜如覆蓋層之摻雜系被納入氧化層之氧化物。
本發(fā)明之半導(dǎo)體制品之微影曝光反射光學(xué)鏡具有一氧化層或一氧化層區(qū)域，其符合一最小的層厚度且其中相同的摻雜如覆蓋層之摻雜被納入氧化層之氧化物中。在完成后的反射鏡，同一種摻雜指示一與覆蓋層之產(chǎn)物同時(shí)生成之氧化層；因?yàn)楦淖冎茉獾沫h(huán)境而發(fā)生且系在自然氧化物生成過(guò)程中所發(fā)生之摻雜或不純物不能發(fā)生在人工制造的氧化物中。氧化層因此被制成具有一均質(zhì)層厚度以及因此改善該光學(xué)鏡之光學(xué)性質(zhì)。
反射鏡較佳地具有一氧化層，該氧化層有一層厚度介于0.8至2.0奈米。覆蓋層較基地由n-摻雜的硅所組成；磷或砷較佳地提供作一摻雜物。然而，根據(jù)本發(fā)明，習(xí)慣上使用的n-傳導(dǎo)摻雜物亦可被導(dǎo)入反射鏡之覆蓋層以達(dá)成終止自然氧化物生長(zhǎng)的目的。含硅之覆蓋層系較佳地為非晶型的。
依照半導(dǎo)體制品之微影曝光想要的目標(biāo)，反射鏡較佳地具有一刻劃屏蔽層，其結(jié)構(gòu)可被轉(zhuǎn)換成一或多個(gè)半導(dǎo)體制品。一緩沖層可能被放置于介于刻劃屏蔽層與覆蓋層之間，但是在未覆蓋屏蔽層之覆蓋層區(qū)的緩沖層會(huì)被移除。自然氧化物在這些未覆蓋的區(qū)域上形成。
反射鏡之多層結(jié)構(gòu)系較佳地定位，如此波長(zhǎng)大于1奈米且小于100奈米之電磁輻射可被反射。特別是介于1與20奈米之間的極短波長(zhǎng)，例如13奈米，該波長(zhǎng)在UV區(qū)間而從傳統(tǒng)常用波長(zhǎng)光譜遠(yuǎn)移，可被用來(lái)根據(jù)本發(fā)明之反射鏡之輔助而有一高亮度效率的微影刻劃。


本發(fā)明以下列圖一至圖八被描述，其中圖一至圖五顯示一根據(jù)本發(fā)明之方法在不同狀態(tài)下反射光學(xué)鏡之剖面圖，圖六顯示自然氧化物生長(zhǎng)在傳統(tǒng)的反射鏡上之隨時(shí)間變化之曲線，圖七顯示依照本發(fā)明之反射鏡上自然氧化物生長(zhǎng)的隨時(shí)間變化之曲線圖，以及圖八顯示一反射鏡的輔助之半導(dǎo)體制品之微影刻劃期間一簡(jiǎn)要圖標(biāo)結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
圖一顯示一反射鏡包含一基板10以及一連串的薄層11a，11b彼此以一個(gè)沉積于另一個(gè)頂部沉積。一半導(dǎo)體基板要不就是任何其它夠厚且問(wèn)定的基板可用來(lái)作為基板10。個(gè)別的層11a以及11b之層厚度被確定尺寸，如此波長(zhǎng)λ可在彼此相鄰的層接口反射，以此方式反射的部分光束結(jié)構(gòu)上地彼此干涉；全部反射輻射的最高可能的光線強(qiáng)度在半導(dǎo)體制品之短曝光時(shí)間內(nèi)是需要的。具有波長(zhǎng)λ之電磁輻射之大角度入射角如圖所示，如果圖一僅為了以圖解是在不農(nóng)接口的反射；實(shí)際上，反射實(shí)際上發(fā)生垂直于多層結(jié)構(gòu)11之表面。
在圖一之層狀序列11藉由個(gè)別的層之累進(jìn)的沉積而制成，例如以一CVD步驟(較佳地為噴濺；離子束沉積)，其中氣體組成相對(duì)于時(shí)間是不同的，如此供應(yīng)至表面的氣體形成所需的層狀序列。一雙層結(jié)構(gòu)包含交替的材料組成系較佳地形成，例如一鉬與硅層的序列彼此輪流交替。個(gè)別的層之層厚度依據(jù)所使用的波長(zhǎng)且隨著反射射線之結(jié)構(gòu)干涉的狀況而定。
根據(jù)圖二，一覆蓋層12被用于反射鏡，在此實(shí)例中多層結(jié)構(gòu)11之內(nèi)部結(jié)構(gòu)并未具體圖標(biāo)出來(lái)，較佳地以一化學(xué)氣相沉積法其中硅以及，在同時(shí)，摻雜物對(duì)于覆蓋層之負(fù)摻雜亦被沉積。磷或砷，舉例來(lái)說(shuō)，可能被用來(lái)當(dāng)作摻雜物；所有最不可或缺的是摻雜物的濃度為了獲得過(guò)氧化氫輔助的氧化物之人工成長(zhǎng)之一適合成長(zhǎng)的反應(yīng)而被選擇為夠高的。特別地，一高摻雜濃度的n-型摻雜具有-特別是在n-型硅的生長(zhǎng)期間且有過(guò)氧化氫的輔助以及以鉑為催化劑-一非?？焖俚纳L(zhǎng)被達(dá)成的效果，但是在幾小時(shí)后會(huì)大大地慢下來(lái)。雖然此不等同于飽和，氧化物成長(zhǎng)的減慢之獲得(在增速的生長(zhǎng)步驟期間人為地引起)系適合于使其更加困難甚至對(duì)于依序列的自然氧化物成長(zhǎng)的發(fā)生。然而，即使在p-型摻雜的實(shí)例以及有其它基礎(chǔ)材料之覆蓋層，一具有一均質(zhì)性之氧化層厚度其不能在自然生長(zhǎng)中被達(dá)成系由于人工地促進(jìn)生長(zhǎng)而獲得。
首先一緩沖層13被用于覆蓋層12以及一屏蔽層14被用于該緩沖層，該屏蔽層隨后被刻劃，如圖三所示。反射鏡1因此取得其屏蔽結(jié)構(gòu)，該屏蔽結(jié)構(gòu)避免在屏蔽層覆蓋的區(qū)域的輻射反射。在EUV區(qū)間中，特別地，在屏蔽層之輻射的吸收導(dǎo)致在分劃板1上之一正的屏蔽形成。
依照?qǐng)D四，緩沖層未了不覆蓋下方的對(duì)象而被移除，根據(jù)本發(fā)明猛烈地負(fù)摻雜的覆蓋層由硅12制造。如果屏蔽層14之刻劃是有缺陷的，該缺陷可在緩沖層13被從未覆蓋的區(qū)域移除前用傳統(tǒng)的方法輔助來(lái)修正。
一氧化層15形成于未覆蓋的硅層12之上，該硅層第一次被暴露在空氣環(huán)繞之下一相對(duì)地長(zhǎng)時(shí)間，氧化層生長(zhǎng)以形成一小量奈米之一層厚度。
人工引起之氧化物生長(zhǎng)在圖五中以圖標(biāo)顯示。一光學(xué)鏡，被浸在一過(guò)氧化氫水溶液20中至少具有其覆蓋層12，在室溫或高溫下被氧化，較佳地在鉑金屬或其它催化劑存在下。增速的氧化導(dǎo)致一均質(zhì)的生長(zhǎng)而預(yù)期一非均質(zhì)的自然生長(zhǎng)不同樣地發(fā)生。
硅之自然氧化物以及其二氧化物生長(zhǎng)之隨時(shí)間變化的曲線圖系以圖標(biāo)且完全量化于圖六。由圖可看到氧化層15之層厚度單調(diào)地增加且氧化層厚度對(duì)時(shí)間的變化并未顯示任何特別劇烈變化的特征。此變化在傳統(tǒng)覆蓋層制造的實(shí)例中被觀察到，例如，由未摻雜的硅制得。一根據(jù)本發(fā)明之制造一反射光學(xué)鏡的生長(zhǎng)方法系于圖七顯示。首先，在時(shí)間ts期間，當(dāng)使用過(guò)氧化氫與鉑金屬于室溫下則可能位于半小時(shí)到兩小時(shí)之間，一相較于在自然氧化實(shí)例非?？焖俚纳L(zhǎng)被獲得。如果預(yù)設(shè)最小的層厚度ds介于0.8至2.0奈米之間，例如，被達(dá)成的話，人工的氧化物生長(zhǎng)即被終止。雖然光學(xué)鏡被制成具有一氧化層而降低其鏡面的反射性，此降低在未被覆蓋的覆蓋層之全部區(qū)域有相同的強(qiáng)度由于人造氧化物的均質(zhì)性，因此該鏡面有較好的性質(zhì)來(lái)作半導(dǎo)體制品之微影曝光。
圖六及圖七中與時(shí)間有關(guān)之層厚度曲線未顯示尺寸；特別是，在圖六以及圖七中之時(shí)間軸并不必然地為線性。然而，圖六及圖七反應(yīng)出人工制造的氧化物生長(zhǎng)明顯地較自然氧化物生成相同厚度快速。主要地，一可能的自然成長(zhǎng)在人工制成的氧化層上(在圖七層厚度函數(shù)之右手臂至右邊的終止點(diǎn)在時(shí)間ts)大部分發(fā)生在當(dāng)達(dá)到一相符的全部層厚度之后有相同低成長(zhǎng)速率的自然生長(zhǎng)的實(shí)例，如果不是與一降低的生長(zhǎng)速率比較而言。
根據(jù)本發(fā)明摻雜之具有輔助之反射鏡上之覆蓋層，一自然氧化層在覆蓋層之全部表面上形成，該自然氧化層具有一均質(zhì)層厚度。層厚度因此維持均質(zhì)且實(shí)際上為一常數(shù)值在一長(zhǎng)時(shí)間中。這使得反射鏡之一均質(zhì)的反射性，可以被利用，特別是在半導(dǎo)體制造中，為了降低刻劃半導(dǎo)體制品的曝光時(shí)間以及為了增加生產(chǎn)量。
圖八以圖標(biāo)地顯示再一半導(dǎo)體制品2中一微影曝光的裝置的結(jié)構(gòu)輔以一反射的光學(xué)鏡(分劃板)1。一作為電磁輻射之輻射源4在極紫外線區(qū)介于1與100奈米之間被指向分劃板1，藉由一第一成像光學(xué)排列(圖中未顯示)以及生成光線，在屏蔽層14的級(jí)層中，一中間過(guò)程影像被成像在半導(dǎo)體制品2上，特別是一晶圓2，在被一4至10倍的系數(shù)縮小之后，以第二成像之光學(xué)排列3輔助，系為一反射方式之同樣的操作。以曝光操作的輔助，一排列于半導(dǎo)體基板上之阻抗層(并未特別圖標(biāo))以屏蔽層14之縮小構(gòu)造被曝光并且為了刻劃一層于半導(dǎo)體基板2上而可隨后被顯影。移動(dòng)對(duì)象5逐步地在x以及y軸方向移動(dòng)半導(dǎo)體基板2以使半導(dǎo)體晶圓2上不同的區(qū)域可照順序重復(fù)地被暴露。因?yàn)橐淮罅康钠毓獠僮魇潜匦璧模以谡?，一大量的半?dǎo)體基板2以此方式被重復(fù)地曝光好幾次，半導(dǎo)體回路之制造效能依賴(lài)曝光時(shí)間。由于覆蓋層依據(jù)本發(fā)明在分劃板1上劇烈地被負(fù)摻雜，一均質(zhì)的氧化層根據(jù)飽和的層厚度而被形成。因?yàn)楦M(jìn)一步的氧化物成長(zhǎng)并不發(fā)生于一可預(yù)計(jì)的范圍，因此鏡面維持非常高且均質(zhì)的反射性，該反射性可允許較短的曝光操作。
組件符號(hào)1 反射光學(xué)鏡2 半導(dǎo)體基板3 成像光學(xué)排列4 輻射源5 移動(dòng)對(duì)象10 基板11 多層序列12 n摻雜的覆蓋層13 緩沖層14 刻劃屏蔽層15 自然氧化層20 過(guò)氧化氫21 催化劑(鉑)
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制品之微影曝光的反射鏡之制造方法，在一基板上生成一多層結(jié)構(gòu)以及，在后者之上，一覆蓋層由一材料其上有一空氣中形成之自然氧化層，其特征系覆蓋層從一摻雜的材料所制得且使其與過(guò)氧化氫接觸，結(jié)果一人工生長(zhǎng)的氧化層在覆蓋層上形成。
2.根據(jù)專(zhuān)利申請(qǐng)范圍第1項(xiàng)所述之方法，其特征系覆蓋層被浸入過(guò)氧化氫，該過(guò)氧化氫之濃度在3至120分鐘期間系介于10％與50％。
3.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1或第2項(xiàng)所述之方法，其特征系過(guò)氧化氫在覆蓋層之浸沒(méi)之前以及/或期間被加熱。
4.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1至第3其中一項(xiàng)所述之方法，其特征系一具有一層厚度(ds)介于0.8與2.0奈米之間之覆蓋層系經(jīng)由與過(guò)氧化氫接觸所制成。
5.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1至第4其中一項(xiàng)所述之方法，其特征系該摻雜物之濃度系選自一數(shù)量使在氧化層上以過(guò)氧化氫輔助所生長(zhǎng)之自然氧化物系每年地減少10％以下以過(guò)氧化氫輔助生長(zhǎng)的層厚度(ds)。
6.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1至第5其中一項(xiàng)所述之方法，其特征系該覆蓋層系從一n摻雜的材料所制成。
7.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1至第6其中一項(xiàng)所述之方法，其特征系該覆蓋層以一沉積方式施加，且該n型摻雜在沉積期間被導(dǎo)入覆蓋層。
8.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第1至第7其中一項(xiàng)所述之方法，其特征系該覆蓋層從一摻雜的硅所制成。
9.一半導(dǎo)體制品之微影曝光反射光學(xué)鏡，該鏡面具有一基板，一多層結(jié)構(gòu)，經(jīng)由結(jié)構(gòu)干涉反射電磁輻射，以及一覆蓋層于該多層結(jié)構(gòu)之上，該覆蓋層之組成為一材料其上有一空氣中形成之自然氧化層，其特征系該覆蓋層之材料系以一摻雜物摻雜且其中該氧化層具有一層厚度的區(qū)域，其中之摻雜與覆蓋層之摻雜相同，并系運(yùn)用于該氧化層之氧化物。
10.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9項(xiàng)之反射鏡，其特征系該氧化層有一層厚度介于0.8與2.0奈米之間。
11.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9或第10項(xiàng)所述之反射鏡，其特征系該覆蓋層由n型摻雜的硅所組成。
12.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9至第11其中一項(xiàng)所述之反射鏡，其特征系該覆蓋層系以磷或砷摻雜。
13.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9至第12其中一項(xiàng)所述之反射鏡，其特征系該覆蓋層是非晶型的。
14.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9至第13其中一項(xiàng)所述之反射鏡，其特征系該鏡面有一刻劃屏蔽層用以刻劃一半導(dǎo)體制品。
15.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9至第14其中一項(xiàng)所述之反射鏡，其特征系該刻劃屏蔽層被排列于該覆蓋層之上。
16.根據(jù)申請(qǐng)專(zhuān)利范圍第9至第15其中一項(xiàng)所述之反射鏡，其特征系該多層結(jié)構(gòu)被確定尺寸以便于具有一波長(zhǎng)大于1奈米以及小于100奈米之電磁輻射被反射。
全文摘要
在一半導(dǎo)體制造反射光學(xué)鏡中具有一覆蓋層在一反射的多層序列之上，根據(jù)本發(fā)明，提供覆蓋層一摻雜且一人工氧化層藉由過(guò)氧化氫的輔助成長(zhǎng)于覆蓋層之上，特別是在催化劑(鉑)存在之下。人工生長(zhǎng)的氧化層比一自然生長(zhǎng)的氧化層較為均質(zhì)，且在半導(dǎo)體制品之微影曝光的期間，能改善鏡面之光學(xué)性質(zhì)。
文檔編號(hào)G03F7/00GK1495443SQ03152529
公開(kāi)日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月1日
發(fā)明者F·－M·卡姆, F -M 卡姆, J·勞 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司