有機發(fā)光二極管顯示裝置及檢測其驅(qū)動電流的電路與方法
【專利摘要】本公開涉及一種檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路、方法及有機發(fā)光二極管顯示裝置,所述方法包括:在檢測開始預定時間段之后獲取積分電路的輸出電壓,并將所述輸出電壓與至少一個參考電壓進行比較;當所述輸出電壓與所述參考電壓關(guān)系滿足預定條件時,調(diào)整所述積分電路的電容的大小。
【專利說明】
有機發(fā)光二極管顯示裝置及檢測其驅(qū)動電流的電路與方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開的實施例涉及一種檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路、方法及有機發(fā)光二極管顯示裝置。【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)的發(fā)展,在現(xiàn)有的有源矩陣有機發(fā)光二極管(AM0LED)顯示裝置的像素電路中,有機發(fā)光二極管(0LED)和用于驅(qū)動0LED的薄膜晶體管(TFT)等因制備工藝不穩(wěn)定、參數(shù)漂移、器件老化等因素可能導致0LED的驅(qū)動電流變化,進而導致顯示面板發(fā)光不均勻的現(xiàn)象。為了解決該發(fā)光不均勻的問題,可以采用電學補償方式,對作用于0LED的電壓或電流信號進行補償。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本公開的至少一個實施例提供一種采用積分電路檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的方法,包括:在檢測開始預定時間段之后獲取積分電路的輸出電壓,并將所述輸出電壓與至少一個參考電壓進行比較;當所述輸出電壓與所述參考電壓關(guān)系滿足預定條件時,調(diào)整所述積分電路的電容的大小。
[0004]例如,在所述方法的一些實施例中,所述至少一個參考電壓包括第一參考電壓和第二參考電壓,所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓;當所述輸出電壓大于所述第一參考電壓時,則減小所述積分電路的電容;以及當所述輸出電壓小于所述第二參考電壓時, 則增加所述積分電路的電容。
[0005]例如,在所述方法的一些實施例中,所述積分電路的電容為可變電容,所述可變電容包括彼此并聯(lián)、串聯(lián)或混聯(lián)連接的多個子電容,所述多個子電容中至少一個被設(shè)置為可被接入所述可變電容之中或從所述可變電容斷開。
[0006]例如,在所述方法的一些實施例中,當所述輸出電壓大于所述第一參考電壓時,采用設(shè)定的第一標識位表示比較結(jié)果,再依據(jù)比較結(jié)果指示的信息斷開或接入對應的子電容;當所述輸出電壓小于所述第二參考電壓時,采用設(shè)定的第二個標志位表示比較結(jié)果,依據(jù)該比較結(jié)果指示的信息斷開或接入對應的子電容。
[0007]例如,在一些實施例中,所述方法的還可以包括:調(diào)整所述可變電容的子電容值、 第一參考電壓值以及第二參考電壓值中的至少一個,進而調(diào)整積分電路的放電時間。
[0008]本公開的至少一個實施例還提供一種用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,包括:積分電路和比較電路;其中,所述積分電路包括運算放大器和可變電容, 所述可變電容連接在所述運算放大器的反相輸入端和輸出端之間;所述比較電路與所述積分電路的連接,用于接收所述積分電路的輸出電壓,且設(shè)置為可將輸出電壓與參考電壓進行比較并輸出比較結(jié)果,所述輸出結(jié)果被用于調(diào)整所述可變電容的大小。
[0009]例如,在所述電路的一些實施例中,所述可變電容包括多個子電容,所述多個子電容彼此并聯(lián)、串聯(lián)或混聯(lián),且所述多個子電容中至少一個設(shè)置為可從所述可變電容中斷開或接入所述可變電容。
[0010]例如,在所述電路的一些實施例中,所述可變電容還包括至少一個開關(guān)元件,所述開關(guān)元件與一個相應的子電容串聯(lián)或并聯(lián)。
[0011]例如,在所述電路的一些實施例中,所述開關(guān)元件為晶體管開關(guān)元件。
[0012]例如,在所述電路的一些實施例中,所述積分電路的可變電容還包括至少一個直接連接在所述運算放大器的反相輸入端和輸出端之間的子電容。
[0013]例如,在所述電路的一些實施例中,所述比較電路包括第一比較器;所述第一比較器配置為將所述積分電路的輸出電壓與所述第一參考電壓進行比較。
[0014]例如,在所述電路的一些實施例中,所述第一比較器的非反相輸入端用于輸入第一參考電壓,所述第一比較器的反相輸入端用于輸入所述積分電路的輸出電壓。
[0015]例如,在所述電路的一些實施例中,所述比較電路還可以包括第二比較器;所述第二比較器被配置為將所述積分電路的輸出電壓與所述第二參考電壓進行比較。
[0016]例如,在所述電路的一些實施例中,所述第二比較器的反相輸入端用于輸入第二參考電壓,所述第二比較器的非反相輸入端用于輸入所述積分電路的輸出電壓。
[0017]例如,在所述電路的一些實施例中,所述用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路還包括控制電路;所述控制電路被配置為根據(jù)所述比較電路輸出的比較結(jié)果調(diào)整所述可變電容的大小。
[0018]例如,在所述電路的一些實施例中,所述用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路還包括控制電路;所述控制電路被配置為根據(jù)所述比較電路輸出的比較結(jié)果調(diào)整所述可變電容的大小。
[0019]例如,在所述電路的一些實施例中,所述第一比較器或所述第二比較器的輸出端分別用于輸出標識位數(shù)據(jù);所述控制電路接收所述標志位數(shù)據(jù),并根據(jù)所述標志位數(shù)據(jù)調(diào)整所述可變電容的大小。
[0020]本公開的至少一個實施例還提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置,包括有機發(fā)光二極管以及所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,所述電路用于對所述有機發(fā)光二極管的驅(qū)動電流進行檢測。
[0021]例如,在所述有機發(fā)光顯示裝的一些實施例中,所述有機發(fā)光二極管顯示裝置還包括檢測開關(guān)晶體管;所述檢測開關(guān)晶體管設(shè)置在所述有機發(fā)光二極管和所述用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路之間?!靖綀D說明】
[0022]為了更清楚地說明本公開實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例,而非對本公開的限制。
[0023]圖1A為本公開的一個實施例提供的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流方法或裝置的應用場景示意圖;
[0024]圖1B為本公開的一個實施例提供的應用場景中包含的像素電路的示意圖;
[0025]圖2為本公開的一個實施例提供的采用積分電路檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的方法流程圖;
[0026]圖3為本公開的一個實施例提供的另一個采用積分電路檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的方法流程圖;
[0027]圖4為本公開的一個實施例提供的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路的不意圖;
[0028]圖5為本公開的一個實施例提供的基于并聯(lián)可變電容電路的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路示意圖;
[0029]圖6為本公開的一個實施例提供的基于串聯(lián)可變電容電路的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路示意圖;
[0030]圖7為本公開的一個實施例提供的基于混聯(lián)可變電容電路的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路示意圖;[0031 ]圖8為本公開的一個實施例提供的有機發(fā)光二極管顯示裝置的組成框圖;
[0032]圖9為本公開的一個是實施例提供的另一個有機發(fā)光二極管顯示裝置的結(jié)構(gòu)圖?!揪唧w實施方式】[〇〇33]為使本公開實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本公開實施例的附圖,對本公開實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例是本公開的一部分實施例,而不是全部的實施例?;谒枋龅谋竟_的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本公開保護的范圍。 [〇〇34]除非另外定義,本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學術(shù)語應當為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性,而只是用來區(qū)分不同的組成部分?!鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接,而是可以包括電性的連接,不管是直接的還是間接的。
[0035]圖1A為本公開的一個實施例提供的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流方法或裝置的應用場景圖。該有機發(fā)光二極管(0LED)顯示裝置100包括多個子像素,每個子像素包含0LED像素電路101,該0LED顯示裝置100還包括感測線180以及檢測0LED的驅(qū)動電流的電路170。[〇〇36]圖1A中的0LED像素電路101又包含0LED像素驅(qū)動電路102以及有機發(fā)光二極管 (0LED) 103,且有機發(fā)光二極管103由0LED像素驅(qū)動電路102控制、驅(qū)動。
[0037]圖1B提供了以第m行、第n列的子像素為例說明,每個子像素包括由驅(qū)動晶體管T1、 掃描開關(guān)晶體管T2、感測開關(guān)晶體管T3、電容C1、數(shù)據(jù)線Y(n)、第一掃描線G(m)_l、第二掃描線G(m)_2、ELVDD電源構(gòu)成的像素驅(qū)動電路(對應于圖1A的像素驅(qū)動電路102)、感測線S(n) (對應于圖1A的感測線180)和0LED器件(對應于圖1A的有機發(fā)光二極管103)。但是,本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解,本發(fā)明并不限于圖示的具體子像素電路,本發(fā)明實施例的子像素電路還可以有其他形式,只要能夠感測驅(qū)動晶體管和/或0LED器件上的相關(guān)特性即可。[〇〇38] 參考圖1B可知,該示范性的0LED子像素電路100包括0LED像素驅(qū)動電路以及有機發(fā)光二極管(0LED)。有機發(fā)光二極管根據(jù)通過驅(qū)動晶體管T1提供的電流發(fā)光。有機發(fā)光二極管的陽極電極可連接至驅(qū)動晶體管n的源極電極,0LED的陰極電極可接地。[0039 ]有機發(fā)光二極管可包括陽極電極、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極電極。如果給有機發(fā)光二極管的陽極電極和陰極電極施加電壓,則空穴和電子分別通過空穴傳輸層和電子傳輸層移動至有機發(fā)光層,并在有機發(fā)光層中彼此復合,從而可激發(fā)發(fā)光。
[0040]驅(qū)動晶體管Tl設(shè)置在第一電源線ELVDD與有機發(fā)光二極管之間。驅(qū)動晶體管Tl根據(jù)施加在其柵極電極與源極電極之間的電壓差控制從第一電源線ELVDD流經(jīng)OLED的電流。驅(qū)動晶體管Tl的柵極電極可連接至掃描開關(guān)晶體管T2的第一電極,驅(qū)動晶體管Tl的源極電極可連接至有機發(fā)光二極管的陽極電極,且驅(qū)動晶體管Tl的漏極電極可連接至被提供有第一電源電壓的第一電源線ELVDD。
[0041]掃描開關(guān)晶體管T2的柵極與第m條第一掃描線G(m)j連接,由此可被其上的掃描脈沖導通或截止,以將第η條數(shù)據(jù)線Y(n)的圖像數(shù)據(jù)電壓提供給驅(qū)動晶體管Tl的柵極電極。掃描開關(guān)晶體管Τ2的第一電極(例如漏極)可連接至驅(qū)動晶體管Tl的柵極電極,第二電極(例如源極)可連接至第η條數(shù)據(jù)線Υ(η)。
[0042]感測開關(guān)晶體管Τ3的柵極與第m條第二掃描信號線G(m)_2連接,由此可被其上的感測脈沖導通或截止,以將第η條感測線S(n)連接至驅(qū)動晶體管Tl的源極電極。感測開關(guān)晶體管T3的第一電極(例如源極)可連接至第η條感測線S(n),第二電極(例如漏極)可連接至驅(qū)動晶體管Tl的源極電極。
[0043]電容Cl設(shè)置在驅(qū)動晶體管Tl的柵極電極和源極電極之間。電容Cl存儲驅(qū)動晶體管Tl的柵極電壓和源極電壓之間的電壓差。
[0044]如圖1B所示,驅(qū)動晶體管Tl、掃描開關(guān)晶體管T2、感測開關(guān)晶體管T3可由N型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)形成,但并不限于此。在另一個示例中,驅(qū)動晶體管Tl、掃描開關(guān)晶體管T2、感測開關(guān)晶體管T3可由P型MOSFET形成。此外,應當注意,上述晶體管T2和T32中,第一電極和第二電極之一可以是源極電極,而對應地另一個可以是漏極電極。
[0045]本發(fā)明實施例提供的檢測OLED的驅(qū)動電流的電路170接收感測線的輸出電流進而檢測流過OLED顯示裝置的驅(qū)動電路的電流,從而避免了 TFT閾值電壓漂移或開路短路引起的電流與預期不符帶來的誤切換等問題。并且本發(fā)明實施例提供的檢測OLED顯示裝置的驅(qū)動電流的電路170依據(jù)測量的電流可進行減小可變電容、增加可變電容和不改變可變電容三種方式使得積分電路的放電時間始終保持在合理的范圍之內(nèi),從而大大提高積分電路采樣流過OLED電流的能力。
[0046]接下來結(jié)合圖2-圖7的內(nèi)容詳細說明與上述OLED像素電路101相連的檢測OLED顯示裝置的驅(qū)動電流的電路170。
[0047]圖2為本公開的一個實施例提供的一種采用積分電路檢測OLED顯示裝置的驅(qū)動電流的方法200 ο該示范性方法200包括如下步驟:
[0048]步驟201,在檢測開始預定時間段之后獲取積分電路的輸出電壓,并將所述輸出電壓與至少一個參考電壓進行比較。
[0049]步驟221,當所述輸出電壓與所述參考電壓關(guān)系滿足預定條件時,調(diào)整所述積分電路的電容的大小。
[0050]在一些實施例中,所述至少一個參考電壓包括第一參考電壓和第二參考電壓,所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓。此時采用積分電路檢測OLED驅(qū)動電流的方法可以如圖3所示。參考圖3,采用積分電路檢測OLED驅(qū)動電流的方法300包括如下步驟:
[0051]步驟301,在檢測開始預定時間段之后獲取積分電路的輸出電壓,并將輸出電壓與第一參考電壓和第二參考電壓進行比較。
[0052]步驟311,當輸出電壓大于第一參考電壓時,則減小所述積分電路的電容;當所述輸出電壓小于第二參考電壓時,則增加積分電路的電容。由于積分電路為放電電路,所以其輸出端的電壓從高往低變化。因此如果當在同一比較時刻輸出電壓越大(即在預定時間段后輸出電壓高于第一參考電壓),則說明經(jīng)過同樣的放電時間電壓的變化量越小,進而說明這段時間驅(qū)動電流越小即積分電路的放電速度比預計的慢,所以需要減小積分電路的電容進而達到使積分電路放電速度加快的技術(shù)目的。此外,如果當在同一比較時刻輸出電壓越小(即在預定時間段后輸出電壓低于第二參考電壓),則說明經(jīng)過同樣的放電時間電壓的變化量越大,進而說明這段時間驅(qū)動電流越大即積分電路的放電速度比預計的快,所以需要增加積分電路的電容進而達到使積分電路放電速度減慢的技術(shù)目的。
[0053]在一些實施例中,積分電路的電容包括可變電容,可變電容包括彼此并聯(lián)、串聯(lián)或混聯(lián)連接的多個子電容,且多個子電容中至少一個被設(shè)置為可被接入可變電容之中或從可變電容斷開。
[0054]在一些實施例中,當輸出電壓大于所述第一參考電壓時,采用設(shè)定的第一標識位(圖中未示出)表示比較結(jié)果,再依據(jù)比較結(jié)果指示的信息斷開或接入對應的子電容;當輸出電壓小于所述第二參考電壓時,采用設(shè)定的第二個標志位表示比較結(jié)果,依據(jù)該比較結(jié)果指示的信息斷開或接入對應的子電容。
[0055]在一些實施例中,上述采用積分電路檢測OLED驅(qū)動電流的方法200和300還可以包括:調(diào)整可變電容的子電容值、第一參考電壓值以及第二參考電壓值中的至少一個,進而調(diào)整積分電路的放電時間。
[0056]圖4為本公開的一個實施例提供的一種用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路400。圖4示出的用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路400包括積分電路420和比較電路425。積分電路420又包括運算放大器422和可變電容421,可變電容421連接在運算放大器422的輸入端和輸出端之間,例如,可變電容421可以連接在運算放大器422的反相輸入端和輸出端之間。比較電路425與積分電路420連接,該比較電路425輸入端用于接收積分電路420的輸出電壓。此外比較電路425還設(shè)置為可將輸入的積分電路420的輸出電壓與比較電路425設(shè)定的參考電壓進行比較并輸出比較結(jié)果,該比較結(jié)果被用于調(diào)整可變電容421的大小。
[0057]可變電容421包括多個子電容,該多個子電容彼此并聯(lián)、串聯(lián)或混聯(lián),且多個子電容中至少一個設(shè)置為可從可變電容421中斷開或接入該可變電容421。例如,可變電容421可以包括三個子電容且這三個子電容的每一個均可以獨立的接入積分電路或者從積分電路中斷開。
[0058]在一些實施例中,可變電容421還可以包括至少一個開關(guān)元件,該開關(guān)元件與一個相應的子電容串聯(lián)或并聯(lián)。例如,當可變電容421包含四個并聯(lián)的子電容時,其中的每個子電容可以通過與其串聯(lián)連接的開關(guān)元件而接入或斷開與可變電容(即與積分電路)的連接關(guān)系。
[0059]例如,所述開關(guān)元件為晶體管開關(guān)元件。例如,晶體管開關(guān)元件又可以包含P型開關(guān)晶體管或者N型的開關(guān)晶體管。
[0060]在一些實施例中,積分電路420的可變電容還可以包括至少一個直接連接在所述運算放大器的反相輸入端和輸出端之間的子電容。例如,該子電容的電容值是固定的。
[0061]在一些實施例中,比較電路425包括第一比較器;該第一比較器配置為將積分電路420的輸出電壓與第一參考電壓進行比較。例如,第一比較器是將一個模擬電壓信號(即積分電路的輸出電壓)與一個基準電壓(即第一參考電壓)相比較的電路,且第一比較器的兩路輸入為模擬信號,輸出則為二進制信號。此外,為避免輸出振蕩,第一比較器還可以設(shè)置有內(nèi)部滯回電路。第一比較器可以為放大倍數(shù)接近“無窮大”的運算放大器。第一比較器的功能可以被配置為:比較兩個電壓的大小(用輸出電壓的高或低電平,表示兩個輸入電壓的大小關(guān)系),當?shù)谝槐容^器的”+”輸入端電壓高于”一”輸入端時,第一比較器輸出為高電平;而當?shù)谝槐容^器的”+”輸入端電壓低于”一”輸入端時,第一比較器輸出為低電平。本發(fā)明實施例對此不作限定,也可以設(shè)置相反的輸出電平表示兩個輸入端電壓的高低。
[0062]在一些實施例中,第一比較器的非反相輸入端用于輸入第一參考電壓,該第一比較器的反相輸入端用于輸入積分電路421的輸出電壓。
[0063]在一些實施例中,比較電路425還包括第二比較器;該第二比較器被配置為將所述積分電路的輸出電壓與所述第二參考電壓進行比較。其中,第二比較器與第一比較器結(jié)構(gòu)類似具體可參考上述對第一比較器的相關(guān)描述,在此不做贅述。
[0064]在一些實施例中,第二比較器的反相輸入端用于輸入第二參考電壓,該第二比較器的非反相輸入端用于輸入積分電路420的輸出電壓。
[0065]在一些實施例中,用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路400還可以包括控制電路(圖中未示出),該控制電路被配置為根據(jù)比較電路425輸出的比較結(jié)果調(diào)整可變電容421的大小。例如,在一些實施例中,第一比較器或第二比較器的輸出端分別用于輸出標識位數(shù)據(jù)(圖中未示出);該控制電路接收所述標志位數(shù)據(jù),并根據(jù)標志位數(shù)據(jù)調(diào)整可變電容421的大小。
[0066]圖5-圖8為本發(fā)明提供的具體實施例。這三個具體實施例均以兩個參考電壓、兩個比較器以及包含兩個子電容的可變電容為例詳細說明了用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路的結(jié)構(gòu)。但是本發(fā)明實施例的技術(shù)方案并不限于兩個參考電壓,例如可以僅設(shè)置一個參考電壓。本發(fā)明技術(shù)方案也不限于兩個比較器,例如,針對設(shè)定了一個參考電壓的電路就可以僅設(shè)置一個比較器。此外,本發(fā)明實施例的技術(shù)方案也不限定可變電容僅包含兩個子電容的情況。例如,可變電容421可以包含3個或更多個子電容。
[0067]如圖5所示的用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路500的示例包括積分電路520和比較電路525。
[0068]積分電路520包括運算放大器510和可變電容530,該可變電容530連接在運算放大器510的反相輸入端和輸出端之間。該可變電容530包括第一子電容C51和第一開關(guān)S51。第一開關(guān)S51以及第一子電容C51均連接于運算放大器510的反相輸入端和輸出端之間。可變電容530進一步包括第二子電容C52、與第二子電容C52串聯(lián)連接的第二開關(guān)S52、第三子電容C53以及與第三子電容C53串聯(lián)連接的第三開關(guān)S53。第二子電容C52和第三子電容C53并聯(lián)于第一子電容C51。此外,運算放大器510的反相輸入端與感測線560相連。當?shù)谝婚_關(guān)S51閉合時,則第一子電容C51被短接。當?shù)诙_關(guān)S52斷開或閉合時,第二子電容C52從可變電容530中相應地斷開或閉合;相同地,當?shù)谌_關(guān)S53斷開或閉合時,第三子電容C53從可變電容530中相應地斷開或閉合。
[0069]圖5中的比較電路525包括第一比較器540和第二比較器550。其中,第一比較器540的反相輸入端輸入第一參考電壓Vref I,第二比較器550的非反相輸入端輸入第二參考電壓¥代€2,第一參考電壓¥代€1大于第二參考電壓¥代€2。
[0070]比較電路525與積分電路520輸出端連接。具體地,第一比較器540的非反相輸入端和第二比較器550反相輸入端與運算放大器510的輸出端相連,進而接收積分電路520的輸出電壓。第一比較器540和第二比較器550被配置為將各自的參考電壓與積分電路520的輸出電壓進行比較,進而得到比較結(jié)果。
[0071]例如,上述用于檢測OLED顯示裝置的驅(qū)動電流的電路500的詳細工作過程如下所述。起始時刻第一開關(guān)S51和第二開關(guān)S52閉合,運算放大器520的輸出電壓等于運算放大器的非反相輸入端的電壓Vref。在采樣開始時第一開關(guān)S51斷開,顯示裝置的子像素中的驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流經(jīng)感測晶體管對第一子電容C51和子電容C52的并聯(lián)電容進行充電,接著運算放大器510的輸出電壓從起始電SVref開始降低。
[0072]在一段預定時間段Tl后,將運算放大器510的輸出電壓Vout與第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2比較。如果輸出電壓Vout小于第二參考電壓Vref2說明驅(qū)動電流過大,如仍米用第一子電容C51加第二子電容C52的方式,則積分電路520的放電時間將較短,從而超出模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的轉(zhuǎn)換能力。因此,此時將第三開關(guān)S53閉合,則積分電路520的放電電容將變成第一子電容C51、第二子電容C52及第三子電容C53的并聯(lián),相應的對應于積分電路520的放電時間將增加。
[0073]相應地,如果輸出電壓Vout大于第一參考電壓Vrefl說明驅(qū)動電流較小,放電時間過長。因此,此時將第二開關(guān)S52斷開,則積分電路520的放電電容從第一子電容C51加第二子電容C52變成僅包含第一子電容C51,使積分電路520的放電時間變短。
[0074]如果輸出電壓Vout介于第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2之間,則說明驅(qū)動電流處于中間值,積分電路520的放電電容將保持開始采樣時刻的電容值不變(即積分電路的放電電容維持第一子電容C51與第二子電容C52的和)。
[0075]如圖6所示的用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路600的示例包括積分電路620和比較電路625。與圖5所示的示例不同的是,圖6中的可變電容包含串聯(lián)連接的兩個子電容。
[0076]積分電路620包括運算放大器610和可變電容630。比較電路625包括第一比較器640和第二比較器650。對于第一比較器640和第二比較器650與圖5中兩個比較器可以具有相同的結(jié)構(gòu)。
[0077]圖6的積分電路620與圖5積分電路520的差別為可變電容的電路結(jié)構(gòu)??勺冸娙?30包括第一開關(guān)S61、第一子電容C61、第二子電容C62、與第二子電容C62并聯(lián)連接的第二開關(guān)S62、第三子電容C63、與第二子電容C63并聯(lián)連接的第二開關(guān)S63。第二子電容C62和第三子電容C63還與第一子電容C61串聯(lián)連接于運算放大器610的反相輸入端和輸出端之間。
[0078]圖6的比較電路625與圖5比較電路525的連接關(guān)系相同。且比較電路625與積分電路620的連接關(guān)系也與圖5相應單元之間的連接關(guān)系相同。
[0079]例如,上述用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路600的詳細工作過程如下所述。起始時刻第一開關(guān)S61和第三開關(guān)S63閉合,運算放大器610的輸出電壓等于其非反相輸入端的輸入電壓Vref。在采樣開始時第一開關(guān)S61斷開,OLED顯示裝置的子像素的驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流經(jīng)感測晶體管,對第一子電容C61和子電容C6 2的串聯(lián)電容進行充電,運算放大器610的輸出電壓從電壓Vref開始降低。在一段預定時間段Tl后,將運算放大器610的輸出電壓與第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2比較。如果此時運算放大器的輸出電壓Vout小于第二參考電壓Vref 2,則說明驅(qū)動電流過大。因此,此時將第二開關(guān)S62閉合以將第二子電容C62短接,則對應的積分電路620的放電電容將變成第一子電容C61,進而使得積分電路620的放電時間增加。
[0080]相應地,如果輸出電壓Vout大于第一參考Vrefl則說明驅(qū)動電流較小,放電時間過長。因此,此時將第三開關(guān)S63斷開,對應的積分電路610的放電電容變成第一子電容C61、第二子電容C62與第三子電容C63的串聯(lián)電容,進而使得相應的積分電路610的放電時間變短。
[0081]如果輸出電壓Vout介于第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2之間,則說明驅(qū)動電流處于中間值,對應于積分電路620的放電電容將保持采樣開始時的電容值不變(即積分電路的放電電容維持采樣開始時的電容)。
[0082 ] 如圖7所示的用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路700的示例包括積分電路720和比較電路725。積分電路720包括運算放大器710、可變電容730。比較電路725包括第一比較器740和第二比較器750。
[0083 ]積分電路720與圖5及圖6的積分電路的差別為可變電容內(nèi)部子電容的連接。圖7的可變電容730包括:、第一開關(guān)S71以及第一子電容C71、第二子電容C72、與第二子電容C72并聯(lián)連接的第二開關(guān)S72、第三子電容C73、與第三子電容C73串聯(lián)連接的第三開關(guān)S73。此外,第二子電容C72與第一子電容C71串聯(lián)連接于運算放大器710的反相輸入端和輸出端之間。第三子電容C63連接在運算放大器710的反相輸入端和輸出端之間。
[0084]比較電路725與圖5比較電路525可以采用相同電路結(jié)構(gòu)。且比較電路725與積分電路720的連接關(guān)系也與圖5相應單元之間的連接關(guān)系相同。
[0085]例如,上述用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路700的詳細工作過程如下所示。起始時刻第一開關(guān)S71和第二開關(guān)S72閉合,運算放大器710的輸出電壓等于其非反相輸入端的電壓Vref。在采樣開始時第一開關(guān)S71斷開,驅(qū)動晶體管的驅(qū)動電流經(jīng)感測晶體管對第一子電容C71進行充電,運算放大器710的輸出電壓從Vref開始降低。在一段預定時間段Tl后,將運算放大器710的輸出與第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2比較。如果運算放大器的輸出電壓Vout小于第二參考電壓Vref2,則說明驅(qū)動電流過大。因此,此時將第三開關(guān)S73閉合,則積分電路720的放電電容將變成第一子電容C71和第三子電容C73的并聯(lián)電容,進而使得對應的放電時間增加。
[0086]相應地,如果輸出電壓Vout大于第一參考電壓Vref I則說明驅(qū)動電流較小,放電時間過長。因此,此時將第二開關(guān)S72斷開是積分電路720的放電電容變成第一子電容C71與第二子電容C72的串聯(lián)電容,則相應的積分電路720的放電時間將變短。
[0087]如果輸出電壓Vout介于第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2之間,則說明驅(qū)動電流處于中間值,積分電路720的放電電容將保持開始采樣時刻的電容值不變。
[0088]在一些實施例中,可以通過調(diào)整第一參考電壓Vref 1、第二參考電壓Vref2、可變電容包含的各子電容、預定比較時段Tl的大小等,以保證對于不同的驅(qū)動電流,積分電路的放電時間能在合理范圍之內(nèi)。積分電路總的放電時間為T = Tl +T2,TI為預定時間段值,T2為可變值,且T2的大小由調(diào)整可變電容后的子電容值決定。
[0089]在一些實施例中,可以通過計數(shù)器對積分電路的放電時間進行計時,從而將驅(qū)動電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號輸出。在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換過程中,對應于各子電容的各個開關(guān)的斷開或閉合可用比較電路輸出的狀態(tài)位進行控制。不同的狀態(tài)位數(shù)據(jù)表示不同的放電速率,經(jīng)過一定的數(shù)學運算可保證積分電路即使在相同的放電時間下仍能得到唯一的電流值。
[0090]圖8為本公開的一個實施例提供的一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置800。該OLED顯示裝置800包括多個子像素,每個子像素包括有機發(fā)光二極管(0LED)803,該OLED顯示裝置還包括用于檢測子像素的OLED的驅(qū)動電流的電路870,電路870用于對OLED 803的驅(qū)動電流進行檢測。
[0091]圖9提供了包含檢測開關(guān)晶體管的有機發(fā)光二極管顯示裝置900的結(jié)構(gòu)圖。如圖9所示,有機發(fā)光二極管顯示裝置900還可以包括檢測開關(guān)晶體管920(對應于圖1B的感測晶體管ST2)。檢測開關(guān)晶體管920設(shè)置在OLED 903和用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路970之間。例如,子像素的更具體的示范性結(jié)構(gòu)可以參考圖1B。
[0092]例如,上述用于檢測OLED的驅(qū)動電流的電路870和970具體的電路結(jié)構(gòu)可以參考圖4-圖7提供的電路結(jié)構(gòu)。
[0093]本公開實施例附圖只涉及到與本公開實施例涉及到的結(jié)構(gòu),其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計。在不沖突的情況下,本公開的各個實施例及各個實施例中的不同特征可以相互組合以得到新的實施例。
[0094]以上所述,僅為本公開的【具體實施方式】,但本公開的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本公開揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本公開的保護范圍之內(nèi)。因此,本公開的保護范圍應以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種采用積分電路檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的方法,包括:在檢測開始預定時間段之后獲取積分電路的輸出電壓,并將所述輸出電壓與至少一個 參考電壓進行比較;以及當所述輸出電壓與所述參考電壓關(guān)系滿足預定條件時,調(diào)整所述積分電路的電容的大 小。2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述至少一個參考電壓包括第一參考電壓和第二參考電壓,所述第二參考電壓小于所 述第一參考電壓;當所述輸出電壓大于所述第一參考電壓時,則減小所述積分電路的電容;以及當所述輸出電壓小于所述第二參考電壓時,則增加所述積分電路的電容。3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述積分電路的電容為可變電容,所述可變電容包 括彼此并聯(lián)、串聯(lián)或混聯(lián)連接的多個子電容,所述多個子電容中至少一個被設(shè)置為可被接 入所述可變電容之中或從所述可變電容斷開。4.如權(quán)利要求2所述的方法,其中,當所述輸出電壓大于所述第一參考電壓時,采用設(shè)定的第一標識位表示比較結(jié)果,再 依據(jù)比較結(jié)果指示的信息斷開或接入對應的子電容;當所述輸出電壓小于所述第二參考電壓時,采用設(shè)定的第二個標志位表示比較結(jié)果, 依據(jù)該比較結(jié)果指示的信息斷開或接入對應的子電容。5.如權(quán)利要求2所述的方法,還包括:調(diào)整所述可變電容的子電容值、第一參考電壓值以及第二參考電壓值中的至少一個, 進而調(diào)整積分電路的放電時間。6.—種用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,包括:積分電路和比較 電路;其中,所述積分電路包括運算放大器和可變電容,所述可變電容連接在所述運算放大 器的反相輸入端和輸出端之間;所述比較電路與所述積分電路的連接,用于接收所述積分電路的輸出電壓,且設(shè)置為 可將輸出電壓與參考電壓進行比較并輸出比較結(jié)果,所述輸出結(jié)果被用于調(diào)整所述可變電 容的大小。7.如權(quán)利要求6所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中,所述可變電容包括多個子電容,所述多個子電容彼此并聯(lián)、串聯(lián)或混聯(lián),且所述多個子 電容中至少一個設(shè)置為可從所述可變電容中斷開或接入所述可變電容。8.如權(quán)利要求7所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中,所 述可變電容還包括至少一個開關(guān)元件,所述開關(guān)元件與一個相應的子電容串聯(lián)或并聯(lián)。9.如權(quán)利要求8所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中,所述開關(guān)元件為晶體管開關(guān)元件。10.如權(quán)利要求6所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中, 所述積分電路的可變電容還包括至少一個直接連接在所述運算放大器的反相輸入端和輸 出端之間的子電容。11.如權(quán)利要求6所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中,所述比較電路包括第一比較器;其中,所述第一比較器配置為將所述積分電路的輸出電壓與所述第一參考電壓進行比較。12.如權(quán)利要求11所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中, 所述第一比較器的非反相輸入端用于輸入第一參考電壓,所述第一比較器的反相輸入端用于輸入所述積分電路的輸出電壓。13.如權(quán)利要求12所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中, 所述比較電路還包括第二比較器;所述第二比較器被配置為將所述積分電路的輸出電壓與所述第二參考電壓進行比較。14.如權(quán)利要求13所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中, 所述第二比較器的反相輸入端用于輸入第二參考電壓,所述第二比較器的非反相輸入端用于輸入所述積分電路的輸出電壓。15.如權(quán)利要求11或13所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路, 還包括控制電路;所述控制電路被配置為根據(jù)所述比較電路輸出的比較結(jié)果調(diào)整所述可變電容的大小。16.如權(quán)利要求15所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中, 所述第一比較器或所述第二比較器的輸出端分別用于輸出標識位數(shù)據(jù);所述控制電路接收所述標志位數(shù)據(jù),并根據(jù)所述標志位數(shù)據(jù)調(diào)整所述可變電容的大 小。17.—種有機發(fā)光二極管顯示裝置,包括有機發(fā)光二極管以及權(quán)利要求10-16中任一項 所述的用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的驅(qū)動電流的電路,其中所述電路用于對所述有 機發(fā)光二極管的驅(qū)動電流進行檢測。18.如權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置,還包括檢測開關(guān)晶體管,其中所述 檢測開關(guān)晶體管設(shè)置在所述有機發(fā)光二極管和所述用于檢測有機發(fā)光二極管顯示裝置的 驅(qū)動電流的電路之間。
【文檔編號】G09G3/00GK106023899SQ201610641431
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年8月5日
【發(fā)明人】陳蕾, 宋琛, 劉愛榮, 王糖祥, 程雪連
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司