顯示面板與數(shù)組柵極驅(qū)動電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本案涉及一種顯示面板與數(shù)組柵極驅(qū)動電路，特別是用于薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-1XD)的顯示面板與數(shù)組柵極驅(qū)動電路。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的TFT-LCD顯示面板使用GOA (Gate On Array，柵級驅(qū)動芯片集成于數(shù)組基板)的基本架構(gòu)如圖1所示，顯示面板1中包含顯示區(qū)10、扇出區(qū)11、源極薄膜上芯片(Source-Chip On Film, S-COF) 12、印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB) 13，數(shù)組棚.極驅(qū)動電路會被設(shè)置于顯示區(qū)與扇出區(qū)之間。
[0003]傳統(tǒng)液晶面板的柵極驅(qū)動(gate driver)掃描薄膜晶體管(TFT)的柵極，透過數(shù)據(jù)線給像素電極充電。液晶在像素電場的作用下發(fā)生旋轉(zhuǎn)而旋光以進(jìn)行顯示。而長的充電時間導(dǎo)致長的液晶響應(yīng)時間，讓像素電極間的互擾(crosstalk)現(xiàn)象加重。
[0004]因此，需要提出新的顯示面板與數(shù)組柵極驅(qū)動電路，提高像素充電速度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明在傳統(tǒng)數(shù)組柵極驅(qū)動電路中柵極側(cè)的扇出區(qū)(Fan Out Area)增加額外邏輯單元，以實(shí)現(xiàn)相鄰行的柵極線之間進(jìn)行預(yù)充電(Precharge)，以提高高像素充電速度。
[0006]本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種顯示面板，具有一顯示區(qū)與一扇出區(qū)，與一數(shù)組柵極驅(qū)動(Gate On Array, G0A)電路，包括多級預(yù)充電模塊，用于在所述扇出區(qū)將所述數(shù)組柵極驅(qū)動電路中相鄰兩柵極的輸出端分別連接于所述顯示區(qū)對應(yīng)的相鄰兩柵極線輸出，每一級所述預(yù)充電模塊包括一第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的一源極與柵極連接于位于所述柵極的一第一輸出端，一漏極連接于一第一柵極線輸出；一第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的一柵極連接于位于所述柵極的所述第一輸出端，一漏極連接于上一級的所述預(yù)充電模塊；一第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管的一柵極連接于位于所述柵極的所述第一輸出端，一漏極連接于所述第一柵極線輸出；一第四薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的一漏級連接于于所述第三薄膜晶體管的一源極；一柵極連接于位于所述柵極的一第二輸出端，一源極連接于一第二柵極線輸出；一第五薄膜晶體管，所述第五薄膜晶體管的一柵極連接于位于所述柵極的所述第二輸出端，一源極連接于所述第二輸出端，一漏極連接于所述第二柵極線輸出；以及一第六薄膜晶體管，所述第六薄膜晶體管的一柵極連接于位于所述柵極的所述第二輸出端，一漏極連接于所述第二柵極線輸出，一源極連接于下一級的所述預(yù)充電模塊。
[0007]較佳地，當(dāng)所述第一柵極輸出端為高電壓準(zhǔn)位，所述第二柵極輸出端為低電壓準(zhǔn)位時，所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管，與所述第四薄膜晶體管是被導(dǎo)通的，所述第二薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管，與所述第六薄膜晶體管是被關(guān)斷的，且所述第一柵極線輸出與所述第二柵極線輸出都是高電壓準(zhǔn)位。
[0008]較佳地，當(dāng)所述第一柵極輸出端為低電壓準(zhǔn)位，所述第二柵極輸出端為高電壓準(zhǔn)位時，所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管，與所述第四薄膜晶體管是被關(guān)斷的，所述第二薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管，與所述第六薄膜晶體管是被導(dǎo)通的，且所述第一柵極線輸出是低電壓準(zhǔn)位，所述第二柵極線輸出是高電壓準(zhǔn)位。
[0009]較佳地，當(dāng)所述第一柵極輸出端與所述第二柵極輸出端都為低電壓準(zhǔn)位時，所述第一薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管，與所述第六薄膜晶體管是被關(guān)斷的，所述第二薄膜晶體管與所述第四薄膜晶體管是被導(dǎo)通的，且所述第一柵極線輸出與所述第二柵極線輸出都是低電壓準(zhǔn)位。
[0010]本發(fā)明在數(shù)組柵極驅(qū)動電路架構(gòu)中實(shí)現(xiàn)預(yù)充電，加快充電速度，縮短液晶響應(yīng)時間，減少像素電極間的互擾(crosstalk)現(xiàn)象。
[0011]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例并配合附圖做詳細(xì)說明。
【附圖說明】
[0012]圖1是傳統(tǒng)柵極驅(qū)動面板的架構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的預(yù)充電模塊電路圖；以及
[0014]圖3是本發(fā)明所述實(shí)施例中的預(yù)充電模塊中柵極線訊號波形圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0016]如圖1的顯不面板架構(gòu)，本發(fā)明的一實(shí)施例揭露了一顯不面板1，具有一顯不區(qū)10與一扇出區(qū)11，與一數(shù)組柵極驅(qū)動(Gate On Array, GOA)電路(無圖標(biāo))，數(shù)組柵極驅(qū)動電路被設(shè)置于顯示區(qū)10與扇出區(qū)11，包括多級預(yù)充電模塊14(無圖示)，圖2中有預(yù)充電模塊14的電路圖，用于在所述扇出區(qū)11將所述數(shù)組柵極驅(qū)動電路中相鄰兩柵極的輸出端分別連接于所述顯示區(qū)10對應(yīng)的相鄰兩柵極線輸出。請參照圖2，圖2是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的預(yù)充電模塊14的電路圖，如圖2所示，每一級所述預(yù)充電模塊14包括一第一薄膜晶體管Ml，所述第一薄膜晶體管Ml的一源極與柵極連接于位于所述柵極的一第一輸出端G_0UT1，一漏極連接于一第一柵極線輸出GL_0UT1 ;—第二薄膜晶體管M2，所述第二薄膜晶體管M2的一柵極連接于位于所述柵極的所述第一輸出端G_0UT1，一漏極連接于上一級的所述預(yù)充電模塊(無圖標(biāo))；一第三薄膜晶體管M3，所述第三薄膜晶體管M3的一柵極連接于位于所述柵極的所述第一輸出端G_0UT1，一漏極連接于所述第一柵極線輸出GL_0UT1 第四薄膜晶體管M4，所述第四薄膜晶體管M4的一漏級連接于于所述第三薄膜晶體管M3的一源極；一柵極連接于位于所述柵極的一第二輸出端G_0UT2，一源極連接于一第二柵極線輸出GL_0UT2 ; 一第五薄膜晶體管M5，所述第五薄膜晶體管M5的一柵極連接于位于所述柵極的所述第二輸出端G_0UT2，一源極連接于所述第二輸出端G_0UT2，一漏極連接于所述第二柵極線輸出GL_0UT2 ;以及一第六薄膜晶體管M6，所述第六薄膜晶體管M6的一柵極連接于位于所述柵極的所述第二輸出端G_0UT2，一漏極連接于所述第二柵極線輸出GL_0UT2，一源極連接于下一級的所述預(yù)充電模塊(無圖標(biāo))。
[0017]其中，當(dāng)所述第一柵極輸出端G_0UT1為高電壓準(zhǔn)位VH，所述第二柵極輸出端G_0UT2為低電壓準(zhǔn)位VL時，所述第一薄膜晶體管Ml、所述第三薄膜晶體管M3，與所述第四薄膜晶體管M4是被導(dǎo)通的，所述第二薄膜晶體管M2、所述第五薄膜晶體管M5，與所述第六薄膜晶體管M6是被關(guān)斷的，且所述第一柵極線輸出GL_0UT1與所述第二柵極線輸出GL_0UT2都是高電壓準(zhǔn)位VH。當(dāng)所述第一柵極輸出端6_01]11為低電壓準(zhǔn)位VL，所述第二柵極輸出端G