一種像素電路及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本申請涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種像素電路及顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 有機發(fā)光二極管（化ganicLi曲t-EmittingDiode, 0LED)顯示因具有高亮度、高 發(fā)光效率、寬視角和低功耗等優(yōu)點，近年來被人們廣泛研究，并迅速應用到新一代的顯示當 中。0LED顯示的驅動方式可W為無源矩陣驅動（PassiveMatrix0LED，PM0LED)和有源矩 陣驅動（ActiveMatrix0LED，AM0LED)兩種。無源矩陣驅動雖然成本低廉，但是存在交叉 串擾現象不能實現高分辨率的顯示，且無源矩陣驅動電流大，降低了 0L邸的使用壽命。相 比之下，有源矩陣驅動方式在每個像素上設置數目不同的晶體管作為電流源，避免了交叉 串擾，所需的驅動電流較小，功耗較低，使0LED的壽命增加，可W實現高分辨的顯示，同時， 有源矩陣驅動更容易滿足大面積和高灰度級顯示的需要。
[0003] 傳統(tǒng)AM0LED的像素電路是簡單的兩薄膜場效應晶體管（ThinFilmTransistor, TFT)結構，通常包括多個柵極掃描線、多個數據線、多個電源線W及連接到該些線并W矩陣 形式排列的多個像素點。0LED是電流型發(fā)光器件，其亮度與通過的電流成正比。在傳統(tǒng)的 AM0L邸像素電路中，如圖1所示，流過0L邸的電流會隨著時間而改變從而導致顯示的不均 勻問題，該是由于驅動晶體管T1的闊值電壓和0L邸兩端的電壓會隨著時間發(fā)生變化，從而 導致電流的變化。該種電路雖然結構簡單，但不能補償驅動晶體管T1闊值電壓漂移、0LED 闊值電壓漂移或面板各處晶體管闊值電壓不均勻等問題。
[0004] 此外，由于該種像素電路在非發(fā)光階段，仍然有電流流過0L邸，從而降低了像素電 路的對比度。
[0005] 目前，為了解決晶體管的闊值電壓漂移帶來的問題，不管AM0LED的像素電路采用 的工藝是多晶娃（poly-Si)技術、非晶娃（a-Si)技術還是氧化物半導體技術，其在構成像 素電路時都需要提供闊值電壓補償機制。目前出現了很多提供補償的像素電路，該些電路 大致可W分為兩類；電流驅動型像素電路和電壓驅動型像素電路。
[0006] 電流驅動型像素電路主要采用電流鏡或者電流源將數據電流按一定比例復制為 驅動電流的方式來點亮發(fā)光件。由于0LED是電流型器件，因此采用電流驅動型電路可W很 精確的補償闊值電壓的漂移和遷移率的不同。但是在實際應用時，由于數據線上的寄生電 容效應，數據電流的建立需要較長的時間，該個問題在小電流的情況下更加突出，嚴重影響 了電路的驅動速度。另外，隨著顯示器的尺寸增大，寄生電容和電阻越來越大，在數據電流 較小的情況下充放電延遲比較大，因此電流型像素電路不適合制造大面積、高分辨率的顯 示器。
[0007] 電壓驅動型像素電路相對于電流驅動型像素電路有很快的充放電速度，可W滿足 大面積、高分辨顯示的需要。但是電壓型像素電路不能很精確的補償闊值電壓的漂移，且對 于面板上不同器件遷移率的差異很難有補償作用。另外，電壓型像素電路在補償闊值電壓 變化的過程中會使結構變得復雜，減少開口率，并且會引入多條驅動信號使外圍驅動電路 變的比較復雜。

【發(fā)明內容】

[0008] 本申請?zhí)峁┮环N像素電路及顯示裝置，從而補償晶體管的闊值電壓漂移。
[0009] 根據本申請的第一方面，本申請?zhí)峁┮环N像素電路，包括：
[0010] 存儲電容、第H晶體管、第二晶體管W及用于禪合在第一公共電極和第二公共電 極之間的發(fā)光支路。
[0011] 發(fā)光支路包括串聯的第五晶體管、驅動晶體管、第六晶體管和發(fā)光元件；其中，第 五晶體管串聯在第一公共電極和驅動晶體管之間，第六晶體管串聯在第二公共電極和驅動 晶體管之間；第五晶體管的控制極用于輸入第一控制信號；第六晶體管的控制極用于輸入 第二控制信號；驅動晶體管的第一極禪合至第五晶體管的第二極，第二極禪合至第六晶體 管的第一極，控制極禪合至第二節(jié)點。
[0012] 第H晶體管的控制極用于輸入掃描信號，第一極和第二極分別禪合至驅動晶體管 的第一極和第二節(jié)點。
[0013] 第二晶體管的控制極用于輸入掃描信號，第一極禪合至驅動晶體管的第二極，第 二極用于輸入數據信號。
[0014] 存儲電容的第一端禪合至第二節(jié)點，第二端禪合至第六晶體管的第二極。
[0015] 在編程階段，第五晶體管和第六晶體管分別響應第一控制信號和第二控制信號而 斷開，第二晶體管和第H晶體管響應掃描信號導通將數據信號和驅動晶體管的闊值電壓存 儲于第二節(jié)點。
[0016] 在發(fā)光階段，第二晶體管和第H晶體管分別響應輸入掃描信號而斷開，第五晶體 管和第六晶體管分別響應第一控制信號和第二控制信號而導通，且驅動晶體管在第二節(jié)點 的電位控制下導通為發(fā)光元件提供驅動電流。
[0017] 根據本申請的第二方面，本申請?zhí)峁┮环N顯示裝置，包括：
[001引像素電路矩陣，像素電路矩陣包括排列成n行m列矩陣的上述像素電路，n和m為 大于0的整數。
[0019] 柵極驅動電路，用于產生掃描脈沖信號，并通過沿第一方向形成的各行掃描線向 像素電路提供掃描信號。
[0020] 數據驅動電路，用于產生代表灰度信息的數據電壓信號，并通過沿第二方向形成 的各數據線向像素電路提供數據電壓信號。
[0021] 控制器，用于向柵極驅動電路和數據驅動電路提供控制時序。
[0022] 根據本申請的第H方面，本申請?zhí)峁┮环N上述像素電路的驅動方法，像素電路的 每一驅動周期包括初始化階段、編程階段和發(fā)光階段，驅動方法包括：
[0023] 在初始化階段，第H晶體管和第五晶體管導通初始化存儲電容兩端的電位；
[0024] 在編程階段，第H晶體管和第二晶體管導通，數據信號和驅動晶體管的闊值電壓 通過第二晶體管和第H晶體管輸入至存儲電容的第一端，并通過存儲電容存儲于該端；
[00巧]在發(fā)光階段，驅動晶體管根據存儲電容兩端的壓差驅動產生驅動電流，并驅動發(fā) 光元件發(fā)光。
[0026] 本申請的有益效果是：采用本申請的像素電路，通過在驅動晶體管的控制極和第 一極之間并接第H開關晶體管，利用該種電路結構并配合發(fā)光支路的開關晶體管，在編程 階段存儲驅動晶體管的闊值電壓，從而在發(fā)光階段補償驅動晶體管的闊值電壓變化的問 題，W降低顯示器的不均勻問題。
【附圖說明】
[0027] 圖1為現有技術的無補償像素電路結構圖；
[0028] 圖2為本申請實施例一的電路結構圖；
[0029] 圖3為本申請實施例一的信號時序圖；
[0030] 圖4為本申請實施例二的電路結構圖；
[0031] 圖5為本申請實施例二的信號時序圖；
[0032] 圖6為本申請實施例H的電路結構圖；
[0033] 圖7為本申請實施例四顯示裝置結構圖。
【具體實施方式】
[0034] 下面通過【具體實施方式】結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0035] 首先對一些術語進行說明；本申請中的晶體管可W是任何結構的晶體管，比如雙 極型晶體管炬JT)或者場效應晶體管（FET)。當晶體管為雙極型晶體管時，其控制極是指雙 極型晶體管的基極，第一極可W為雙極型晶體管的集電極或發(fā)射極，對應的第二極可W為 雙極型晶體管的發(fā)射極或集電極；當晶體管為場效應晶體管時，其控制極是指場效應晶體 管的柵極，第一極可W為場效應晶體管的漏極或源極，對應的第二極可W為場效應晶體管 的源極或漏極。顯示器中的晶體管通常為一種場效應晶體管；薄膜晶體管（TFT)。下面W 晶體管為場效應晶體管為例對本申請做詳細的說明，在其它實施例中晶體管也可W是雙極 型晶體管。
[0036] 發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管（化ganicLi曲t-EmittingDiode, 0LED)，在其它實 施例中，也可W是其它發(fā)光元件。
[0037] 需要說明的是；第一公共電極VDD和第二公共電極VSS并非本申請像素電路的一 部分，為了使本領域普通技術人員更好地理解本申請的技術方案，而特別引入第一公共電 極VDD和第二公共電極VSS予W描述。
[0038] 實施例一：
[0039] 請參考圖2,圖2所示為本申請像素電路一種實施例的結構，包括：存儲電容CS、第 H晶體管T3、第二晶體管T2W及用于禪合在第一公共電極VDD和第二公共電極VSS之間的 發(fā)光支路。發(fā)光支路包括串聯的第五晶體管T5、驅動晶體管T1、第六晶體管T6和發(fā)光元件 0L邸。
[0040] 其中，第五晶體管T5串聯在第一公共電極VDD和驅動晶體管T1之間，第六晶體管 T6串聯在第二公共電極VSS和驅動晶體管T1之間，第五晶體管T5的控制極(例如柵極)用 于輸入第一控制信號EM;第六晶體管T6的控制極(例如柵極）用于輸入第二控制信號EN; 驅動晶體管T1的第一極(例如漏極)禪合至第五晶體管T5的第二極(例如源極)，第二極(例 如源極)禪