Oled像素驅(qū)動(dòng)電路、靜電釋放保護(hù)電路及檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：多條相互交錯(cuò)排列的掃描線和數(shù)據(jù)線；第一缺陷檢測(cè)單元，與所述掃描線或所述數(shù)據(jù)線的第一端點(diǎn)電連接，其中，所述第一端點(diǎn)位于所述掃描線或數(shù)據(jù)線的一端。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，能有效檢測(cè)像素電路中的缺陷。
【專利說明】OLED像素驅(qū)動(dòng)電路、靜電釋放保護(hù)電路及檢測(cè)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種0LED像素驅(qū)動(dòng)電路、靜電釋放保護(hù)電路、顯示面板及缺陷檢測(cè)方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED, Organic Light-Emitting Display,有機(jī)電電致發(fā)光） 是將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的全固體器件，因其具有薄而輕、高對(duì)比度、快速響應(yīng)、寬視角、寬 工作溫度范圍等優(yōu)點(diǎn)而引起人們的極大關(guān)注，被認(rèn)為是新一代顯示器件。要真正實(shí)現(xiàn)其大 規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，必須提高器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)有效的圖像顯示驅(qū)動(dòng)電路。
[0003] 0LED產(chǎn)品與普通產(chǎn)品不同，他在顯示區(qū)域的電路構(gòu)成復(fù)雜，最簡(jiǎn)單的像素電路結(jié) 構(gòu)也為2T1C結(jié)構(gòu)，復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)可以到6T2C甚至更多，但如果0LED產(chǎn)品發(fā)生失效，體現(xiàn) 出來的大多是相似的失效現(xiàn)象，如亮點(diǎn)，暗點(diǎn)，亮線或暗線，但產(chǎn)品缺陷的失效解析非常困 難。
[0004] 綜合來說，對(duì)于0LED顯示器線缺的不良解析對(duì)應(yīng)人員來說，由于線缺成因多種多 樣，如何迅速的確定成因，就是一項(xiàng)非常困難的工作，也非常難以尋找到對(duì)應(yīng)缺陷位置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種0LED像素驅(qū)動(dòng)電路，包 括：多條相互交錯(cuò)排列的掃描線和數(shù)據(jù)線；第一缺陷檢測(cè)單元，與所述掃描線或所述數(shù)據(jù) 線的第一端點(diǎn)電連接，其中，所述第一端點(diǎn)位于所述掃描線或數(shù)據(jù)線的一端。
[0006] 本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供了一種靜電釋放保護(hù)電路，所述靜電釋放保護(hù)電路位 于顯示面板的非顯示區(qū)域，包括：靜電放電單元，接收來自顯示面板像素驅(qū)動(dòng)電路的掃描線 或數(shù)據(jù)線的電壓并給予靜電保護(hù)；電源線；開關(guān)晶體管；第二缺陷檢測(cè)單元；其中，所述第 二缺陷檢測(cè)單元通過電源線連接所述開關(guān)晶體管的柵極，所述缺陷檢測(cè)單元連接所述開關(guān) 晶體管第一電極，所述開關(guān)晶體管的第二電極連接像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線。
[0007] 本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括：掃描驅(qū)動(dòng)器，所述掃描驅(qū)動(dòng)器 與若干條掃描線連接于掃描線的第二端點(diǎn)，用于提供掃描信號(hào)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng) 器與若干條數(shù)據(jù)線連接于數(shù)據(jù)線的第二端點(diǎn)，用于提供數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0008] 本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供了一種顯示面板的缺陷檢測(cè)方法，包括如下步驟：
[0009] 提供一光學(xué)檢測(cè)裝置；
[0010] 利用掃描線發(fā)送檢測(cè)信號(hào)至對(duì)應(yīng)行的缺陷檢測(cè)單元，和/或利用數(shù)據(jù)線發(fā)送檢測(cè) 信號(hào)至對(duì)應(yīng)列的缺陷檢測(cè)單元，所述缺陷檢測(cè)單元為有機(jī)發(fā)光二極管；
[0011] 利用所述光學(xué)檢測(cè)裝置檢測(cè)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線和/或掃描線對(duì)應(yīng)的 有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度是否達(dá)到通過預(yù)定值，不發(fā)光或低于預(yù)定值則判斷該對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù) 線或掃描線具有缺陷。
[0012] 采用本發(fā)明的技術(shù)方案，能有效檢測(cè)像素電路中的缺陷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)圖；
[0014] 圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的像素電路圖；
[0015] 圖3為本發(fā)明一實(shí)施例有機(jī)發(fā)光二極管的層狀結(jié)構(gòu)圖；
[0016] 圖4本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)圖；
[0017] 圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素電路圖；
[0018] 圖6本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)圖；
[0019] 圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面結(jié)合附圖并通過【具體實(shí)施方式】來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案?？梢岳斫獾?是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說明 的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0021] 實(shí)施例
[0022] 如圖1和圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。該0LED像素電路 包括多條相互交錯(cuò)排列的掃描線Scan(圖中僅示意Scan (η))和數(shù)據(jù)線Data(圖中僅示意 Data (n)、Data (n+1)、Data (n+2));各數(shù)據(jù)線和掃描線交叉圍繞的區(qū)域形成各像素區(qū)域，且 各自包含2T1C的像素電路，具體地，每個(gè)像素電路包含第一晶體管T1和第二晶體管T2以 及發(fā)光二極管104,其中，第一晶體管的T1柵極與掃描線Scan (n，其中η為自然數(shù)）電連接， 其第一電極與數(shù)據(jù)線Data (η)電連接，且其第二電極與第二晶體管Τ2的柵極連接；第二晶 體管的第一電極與數(shù)據(jù)線Data (n+1)連接，其第二電極與一發(fā)光二極管104的一端電連接， 發(fā)光二極管104的另一端與公共地端107連接，且第一晶體管和第二晶體管之間還連有一 電容CS。
[0023] 具體地運(yùn)作原理為：當(dāng)掃描線被選中時(shí)，晶體管T1開啟，數(shù)據(jù)電壓通過晶體管T1 對(duì)存儲(chǔ)電容CS充電，存儲(chǔ)電容CS的晶體管T2的漏極電流；當(dāng)掃描線Scan (η)未被選中時(shí)， 晶體管Τ1截止，儲(chǔ)存在存儲(chǔ)電容CS上的電荷繼續(xù)維持晶體管Τ2的柵極電壓，晶體管Τ2保 持導(dǎo)通狀態(tài)，故在整個(gè)幀周期中，0LED處于恒流控制，故能在一個(gè)畫面時(shí)間內(nèi)維持0LED的 固定電流。與TFT-LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，0LED器件屬于電流驅(qū)動(dòng)，需要穩(wěn)定 的電流來控制發(fā)光。
[0024] 進(jìn)一步地，本發(fā)明的實(shí)施例還包含一缺陷檢測(cè)單元，具體為有機(jī)發(fā)光二極管106， 設(shè)置在數(shù)據(jù)線Data (η)的第一端點(diǎn)105處，且與數(shù)據(jù)線Data (η)電連接，第一端點(diǎn)105位于 整條數(shù)據(jù)線Data (η)的一端，且圖中優(yōu)選的實(shí)施例在每條數(shù)據(jù)線的第一端點(diǎn)105處設(shè)置有 機(jī)發(fā)光二極管106,各有機(jī)發(fā)光二極管106的另一端與一公共地端107連接。
[0025] 如此設(shè)置，在缺陷解析時(shí)，只要給數(shù)據(jù)線供給正電壓，數(shù)據(jù)線正常未劃傷的線路對(duì) 應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管會(huì)發(fā)光，而數(shù)據(jù)線斷裂或微短路的線路，則因?yàn)閿?shù)據(jù)線電壓供給不上， 不發(fā)光或發(fā)光微弱。這樣的情況下就可以很好的區(qū)分線缺品的成因，是由上端顯示區(qū)的異 常造成還是下端拉線處的異常造成。具體的，缺陷檢測(cè)方法為，首先提供一光學(xué)檢測(cè)裝置； 利用數(shù)據(jù)線發(fā)送檢測(cè)信號(hào)至對(duì)應(yīng)行的缺陷檢測(cè)單元，該缺陷檢測(cè)單元可以為有機(jī)發(fā)光二極 管；利用所述光學(xué)檢測(cè)裝置檢測(cè)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光 強(qiáng)度是否達(dá)到通過預(yù)定值，該預(yù)定值可以設(shè)置為4000坎德拉，不發(fā)光或低于預(yù)定值則判斷 該對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線或掃描線具有缺陷。就本實(shí)施例來說，檢測(cè)時(shí)間在檢測(cè)開始后至少60秒 內(nèi)，也可根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品和電路結(jié)構(gòu)來調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度的預(yù)定值和檢測(cè)時(shí)間。
[0026] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，請(qǐng)參考圖1和圖 3, 有機(jī)發(fā)光二極管包括與數(shù)據(jù)線中拉線金屬同層的陽極2,且設(shè)置在基板1上，陽極2可由 金屬材料制成且在陽極2上的空穴注入層3,以及有機(jī)材料制成的發(fā)光層4,最后制作覆蓋 在發(fā)光層上的陰極5,陰極5可由低功函的金屬制成，且有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與公共地端 連接。如果將電場(chǎng)施加在陽極2和陰極5之間，那么在空穴注入層3中的空穴和金屬中的電 子前進(jìn)到發(fā)光層4,在發(fā)光層中彼此復(fù)合，接著，在發(fā)光層4中的有機(jī)材料（熒光或磷光） 被激發(fā)和躍遷二產(chǎn)生可見光。在這個(gè)情況下，有機(jī)發(fā)光二極管的亮度在陽極和陰極之間的 電流成正比。
[0027] 上述的像素電路結(jié)構(gòu)和有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)只是舉例，應(yīng)用本領(lǐng)域的多晶體管多 電容像素電路結(jié)構(gòu)，也適用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，有機(jī)二極管也同理，本發(fā)明實(shí)施例只是列舉了一 種較為簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，其他有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)也同樣可應(yīng)用到本發(fā)明中。
[0028] 實(shí)施例
[0029] 如圖4和圖5所示，為本發(fā)明另一實(shí)施例像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。該0LED像素電 路包括多條相互交錯(cuò)排列的掃描線Scan (圖中僅示意Scan (n)、Scan (n+1)、Scan (n+2))和 數(shù)據(jù)線Data (圖中僅示意Data (1)、Data (2));各數(shù)據(jù)線和掃描線交叉圍繞的區(qū)域形成各像 素區(qū)域，且各自包含2T的像素電路，具體地，每個(gè)像素電路包含第一晶體管T1和第二晶體 管T2以及發(fā)光二極管204,其中，第一晶體管的T1柵極與掃描線Scan (n，其中η為自然數(shù)） 電連接，其第一電極與數(shù)據(jù)線Data(l)電連接，且其第二電極與第二晶體管Τ2的柵極連接； 第二晶體管的第一電極與數(shù)據(jù)線Data(2)連接，其第二電極與一發(fā)光二極管204的一端電 連接，發(fā)光二極管204的另一端與公共地端207連接。
[0030] 進(jìn)一步地，本發(fā)明的實(shí)施例還包含一缺陷檢測(cè)單元，具體為有機(jī)發(fā)光二極管206， 設(shè)置在掃描線Scan (η)的第一端點(diǎn)205處，且與掃描線Scan (η)電連接，第一端點(diǎn)205位于 整條掃描線Scan (η)的一端，且圖中優(yōu)選的實(shí)施例在每條掃描線的第一端點(diǎn)205處都設(shè)置 有機(jī)發(fā)光二極管206,各有機(jī)發(fā)光二極管206的另一端與一公共地端207連接。
[0031] 如此設(shè)置，在針對(duì)某些橫向周期性的缺陷進(jìn)行解析時(shí)，只要結(jié)合現(xiàn)象仔細(xì)觀察各 級(jí)VSR輸出處的有機(jī)發(fā)光二極管206發(fā)光強(qiáng)弱情況，進(jìn)行對(duì)比。
[0032] 如果該周期性缺陷的成因是跟VSR輸出電壓強(qiáng)大小相關(guān)，那相應(yīng)有機(jī)發(fā)光二極管 缺陷檢測(cè)單元會(huì)有相應(yīng)周期性現(xiàn)象。具體地，缺陷檢測(cè)方法為，首先提供一光學(xué)檢測(cè)裝置； 利用掃描線發(fā)送檢測(cè)信號(hào)至對(duì)應(yīng)行的缺陷檢測(cè)單元，，該缺陷檢測(cè)單元可以為有機(jī)發(fā)光二 極管；利用所述光學(xué)檢測(cè)裝置檢測(cè)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的掃描線對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā) 光強(qiáng)度是否達(dá)到通過預(yù)定值，該預(yù)定值可以設(shè)置為4000坎德拉，不發(fā)光或低于預(yù)定值則判 斷該對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線或掃描線具有缺陷。就本實(shí)施例來說，檢測(cè)時(shí)間在檢測(cè)開始后至少60秒 內(nèi)，也可根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品和電路結(jié)構(gòu)來調(diào)整發(fā)光強(qiáng)度的預(yù)定值和檢測(cè)時(shí)間。
[0033] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，請(qǐng)參考圖3和圖 4, 有機(jī)發(fā)光二極管包括與掃描線中拉線金屬同層的陽極2,且設(shè)置在基板1上，陽極2可由 金屬材料制成且在陽極2上的空穴注入層3,以及有機(jī)材料制成的發(fā)光層4,最后制作覆蓋 在發(fā)光層上的陰極5,陰極5可由低功函的金屬制成，且有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與公共地端 連接。如果將電場(chǎng)施加在陽極2和陰極5之間，那么在空穴注入層3中的空穴和金屬中的 電子前進(jìn)到發(fā)光層4,在發(fā)光層中彼此復(fù)合，接著，在發(fā)光層4中的有機(jī)材料（突光或磷光） 被激發(fā)和躍遷二產(chǎn)生可見光。在這個(gè)情況下，有機(jī)發(fā)光二極管的亮度在陽極和陰極之間的 電流成正比。
[0034] 上述的像素電路結(jié)構(gòu)和有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)只是舉例，應(yīng)用本領(lǐng)域的多晶體管多 電容像素電路結(jié)構(gòu)，也適用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，有機(jī)二極管也同理，本發(fā)明實(shí)施例只是列舉了一 種較為簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，其他有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)也同樣可應(yīng)用到本發(fā)明中。
[0035] 實(shí)施例
[0036] 如圖6和圖7所示，為本發(fā)明實(shí)施例像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖。該0LED像素電路 中，數(shù)據(jù)線的末端包含靜電保護(hù)電路。該靜電保護(hù)電路包括：靜電放電單元，用于接收來自 所述像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線或驅(qū)動(dòng)線的電壓并提供靜電保護(hù)，以及電源線VGH，開關(guān)晶體管 T1，用作缺陷檢測(cè)單元的有機(jī)發(fā)光二極管306 ;其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管306通過電源線 有機(jī)發(fā)光二極管306連接所述開關(guān)晶體管T1的柵極，有機(jī)發(fā)光二極管306連接所述開關(guān)晶 體管T1的第一電極，開關(guān)晶體管T1的第二電極連接像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線。
[0037] 通常來說，顯示面板上一般會(huì)設(shè)計(jì)很多的靜電防護(hù)電路，當(dāng)產(chǎn)品制作中發(fā)生靜電 擊傷時(shí)，這些電路會(huì)有一定的防治能力，但實(shí)際使用過程中，發(fā)現(xiàn)這些電路本身的異常會(huì)帶 來新的問題，例如數(shù)據(jù)線線末端ESD電路的漏流造成的線缺就難以察覺。這類缺陷在長(zhǎng)期 分析和經(jīng)過昂貴的EMMI檢測(cè)之后，才終于找到成因。
[0038] 采用本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，在數(shù)據(jù)線路末端靜電保護(hù)部分增加有機(jī)發(fā)光二極管單 元，這樣，在針對(duì)某些線缺陷、如數(shù)據(jù)線亮線、薄亮線進(jìn)行解析時(shí)，只要結(jié)合適當(dāng)?shù)臋z測(cè)畫 面，例如給所有列同樣的數(shù)據(jù)線電壓，然后仔細(xì)觀察靜電保護(hù)末端輸出處的有機(jī)發(fā)光二極 管發(fā)光強(qiáng)弱情況，進(jìn)行對(duì)比。如果該線缺陷的成因是跟輸出電壓強(qiáng)大小相關(guān)，那相應(yīng)有機(jī)發(fā) 光二極管缺陷檢測(cè)單元會(huì)有相應(yīng)現(xiàn)象。
[0039] 具體地，缺陷檢測(cè)方法為，首先提供一光學(xué)檢測(cè)裝置；利用數(shù)據(jù)線發(fā)送檢測(cè)信號(hào)至 對(duì)應(yīng)行的缺陷檢測(cè)單元，，該缺陷檢測(cè)單元可以為有機(jī)發(fā)光二極管；利用所述光學(xué)檢測(cè)裝置 檢測(cè)所述的靜電保護(hù)電路中對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度是否達(dá)到通過預(yù)定值，該預(yù)定 值可以設(shè)置為4000坎德拉，不發(fā)光或低于預(yù)定值則判斷該對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線具有缺陷。就本實(shí) 施例來說，檢測(cè)時(shí)間在檢測(cè)開始后至少60秒內(nèi)，也可根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品和電路結(jié)構(gòu)來調(diào)整發(fā)光 強(qiáng)度的預(yù)定值和檢測(cè)時(shí)間。
[0040] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，請(qǐng)參考圖3和圖 6,有機(jī)發(fā)光二極管包括與數(shù)據(jù)線中拉線金屬同層的陽極2,且設(shè)置在基板1上，陽極2可由 金屬材料制成且在陽極2上的空穴注入層3,以及有機(jī)材料制成的發(fā)光層4,最后制作覆蓋 在發(fā)光層上的陰極5,陰極5可由低功函的金屬制成，且有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與公共地端 連接。如果將電場(chǎng)施加在陽極2和陰極5之間，那么在空穴注入層3中的空穴和金屬中的 電子前進(jìn)到發(fā)光層4,在發(fā)光層中彼此復(fù)合，接著，在發(fā)光層4中的有機(jī)材料（突光或磷光） 被激發(fā)和躍遷二產(chǎn)生可見光。在這個(gè)情況下，有機(jī)發(fā)光二極管的亮度在陽極和陰極之間的 電流成正比。
[0041] 上述的像素電路結(jié)構(gòu)和有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)只是舉例，應(yīng)用本領(lǐng)域的多晶體管多 電容像素電路結(jié)構(gòu)，也適用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，有機(jī)二極管也同理，本發(fā)明實(shí)施例只是列舉了一 種較為簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，其他有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)也同樣可應(yīng)用到本發(fā)明中。
[0042] 本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括：掃描驅(qū)動(dòng)器，掃描驅(qū)動(dòng)器與若干條掃描線連 接于掃描線的第二端點(diǎn)（位于第一端點(diǎn)的另一端），用于提供掃描信號(hào)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器與若干條數(shù)據(jù)線連接于數(shù)據(jù)線的第二端點(diǎn)，用于提供數(shù)據(jù)信號(hào)；多個(gè)上述任一種像 素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路呈矩陣排列，其中，所述數(shù)據(jù)線或掃描線的第二端點(diǎn)位于對(duì)應(yīng)第 一端點(diǎn)的另一端。
[〇〇43] 以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則 之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種OLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括： 多條相互交錯(cuò)排列的掃描線和數(shù)據(jù)線； 第一缺陷檢測(cè)單元，與所述掃描線或所述數(shù)據(jù)線的第一端點(diǎn)電連接； 其中，所述第一端點(diǎn)位于所述掃描線或數(shù)據(jù)線的一端。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一缺陷檢測(cè)單元為一有機(jī) 發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管與公共地端連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管包含與所述 數(shù)據(jù)線或掃描線同層設(shè)置的陽極，覆蓋在所述陽極上的有機(jī)發(fā)光層，以及覆蓋在所述有機(jī) 發(fā)光層上的陰極，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與公共地端連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述每條數(shù)據(jù)線的一端都電連接 一第一缺陷檢測(cè)單兀；或者所述每條掃描線的一端都電連接一第一缺陷檢測(cè)單兀。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線或掃描 線的第一端點(diǎn)的一靜電釋放保護(hù)電路，以及設(shè)置在所述靜電釋放保護(hù)電路內(nèi)的第二缺陷檢 測(cè)單元。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，靜電釋放保護(hù)電路包括： 靜電放電單元，接收來自所述像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線或驅(qū)動(dòng)線的電壓并提供靜電保 護(hù)；電源線；開關(guān)晶體管； 其中，所述缺陷檢測(cè)單元通過電源線連接所述開關(guān)晶體管的柵極，所述缺陷檢測(cè)單元 連接所述開關(guān)晶體管第一電極，所述開關(guān)晶體管的第二電極連接像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線或 掃描線。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二缺陷檢測(cè)單元為有機(jī)發(fā) 光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述開關(guān)晶體管的柵極，所述有機(jī)發(fā)光二極管 的陰極連接開關(guān)晶體管的第一電極。
8. -種靜電釋放保護(hù)電路，其特征在于，所述靜電釋放保護(hù)電路位于顯示面板的非顯 示區(qū)域，包括： 靜電放電單元，接收來自顯示面板像素驅(qū)動(dòng)電路的掃描線或數(shù)據(jù)線的電壓并給予靜電 保護(hù)； 電源線； 開關(guān)晶體管； 第二缺陷檢測(cè)單元； 其中，所述第二缺陷檢測(cè)單元通過電源線連接所述開關(guān)晶體管的柵極，所述缺陷檢測(cè) 單元連接所述開關(guān)晶體管第一電極，所述開關(guān)晶體管的第二電極連接像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù) 線。
9. 如權(quán)利要求8所述的靜電釋放保護(hù)電路，其特征在于，所述第二缺陷檢測(cè)單元為有 機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接所述開關(guān)晶體管的柵極，所述有機(jī)發(fā)光二 極管的陰極連接開關(guān)晶體管的第一電極。
10. -種顯示面板，其特征在于，包括： 掃描驅(qū)動(dòng)器，所述掃描驅(qū)動(dòng)器與若干條掃描線連接于掃描線的第二端點(diǎn)，用于提供掃 描信號(hào)； 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器與若干條數(shù)據(jù)線連接于數(shù)據(jù)線的第二端點(diǎn)，用于提供數(shù) 據(jù)信號(hào)； 多個(gè)如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路呈矩陣排列，其中，所述數(shù) 據(jù)線或掃描線的第二端點(diǎn)位于對(duì)應(yīng)第一端點(diǎn)的另一端。
11. 一種用于權(quán)利要求10所述的顯示面板的缺陷檢測(cè)方法，其特征在于，包括如下步 驟： 提供一光學(xué)檢測(cè)裝置； 利用掃描線發(fā)送檢測(cè)信號(hào)至對(duì)應(yīng)行的缺陷檢測(cè)單元，和/或利用數(shù)據(jù)線發(fā)送檢測(cè)信號(hào) 至對(duì)應(yīng)列的缺陷檢測(cè)單元，所述缺陷檢測(cè)單元為有機(jī)發(fā)光二極管； 利用所述光學(xué)檢測(cè)裝置檢測(cè)所述的像素驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)據(jù)線和/或掃描線對(duì)應(yīng)的有機(jī) 發(fā)光二極管發(fā)光強(qiáng)度是否達(dá)到通過預(yù)定值，不發(fā)光或低于預(yù)定值則判斷該對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線或 掃描線具有缺陷。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的缺陷檢測(cè)方法，其特征在于，所述檢測(cè)時(shí)間在檢測(cè)開始后 至少60秒內(nèi)，所述發(fā)光強(qiáng)度的預(yù)定值設(shè)為4000坎德拉。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104112426SQ201410306880
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】蔡韜 申請(qǐng)人:上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司