專利名稱：靜電泄放保護電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種用于保護集成電路(此后被稱為IC)免受靜電放電的靜電泄放保護電路。更具體地，本發(fā)明關(guān)系到一種能用于高頻信號輸入級的靜電泄放保護電路，該輸入級輸入在幾個GHz頻率內(nèi)的高頻信號，并且包含在手提電話或者無線數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中。
背景技術(shù)：
一般的說，包含在手提電話或者無線數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中的接收電路具有如圖1所示的結(jié)構(gòu)。即，在幾個GHz頻率內(nèi)并且通過天線1接收的高頻信號通過傳輸線3被傳輸?shù)狡ヅ潆娐?，并通過一個低噪聲放大器4被放大。作為結(jié)構(gòu)生成的信號與由一個局部振蕩器4產(chǎn)生的高頻信號通過混頻器5相乘，并且轉(zhuǎn)換成具有MHz頻帶的信號。此后，只有所需要的頻率部分通過濾波器7和放大器8被放大，通過A/D轉(zhuǎn)換器9被數(shù)字化，然后由數(shù)字解調(diào)器10解調(diào)。
對于手提電話或者無線數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)，最重要的特性就是信號噪聲比。匹配電路3主要包括幾乎不產(chǎn)生噪聲的電感和電容。因此，信號噪聲比通常由低噪聲放大器4的性能決定。一般地，低噪聲放大器4允許的噪聲依賴于使用放大器4的目的。假如放大器4用于短距離無線電通道系統(tǒng)，允許的噪聲范圍從小于0.5到1nV/(Hz)1/2，被轉(zhuǎn)化成等效噪聲電阻為幾十個歐姆或者更小。
近來，以低噪聲放大器4開始和解調(diào)器10結(jié)束的電路部分通常被集成到CMOS IC中。共源低噪聲放大器作為一種已知的CMOS低噪聲放大器的形式。例如，在Razabi所寫的《RF微電子學》中(RrenticeHall PTR，pp.166-181)描述了這種共源放大器。
圖2顯示了具有典型的高頻低噪聲放大器的電路的一個例子，該放大器和一個靜電泄放保護電路一起被集成到IC中。參照圖2，顯示了IC的輸入壓焊塊21，靜電泄放保護電路22，共源放大器23，和一個接到下一級的輸出端24。共源放大器23由一個n溝MOSFET(此后稱為NMOS晶體管)231和一個負載電阻232組成。
一般地，NMOS晶體管231處理高頻信號，并且利用亞微米CMOS制造工藝制造。這樣一種MOS晶體管的擊穿電壓降低。例如，制造的具有側(cè)面長度從0.13um到0.18um的MOSFET的擊穿電壓在大約1.5到2V之間。而且，靜電泄放保護電路22被用于保護IC免受沖擊電壓，該電壓是一個具有幾百到幾千伏特的脈沖。當帶電的人或者機器接觸IC的輸入/輸出端時，施加了沖擊電壓。
因此，應(yīng)該用一個引起低噪聲并且能非常成功的抑制沖擊電壓的電路來實現(xiàn)靜電泄放保護電路22。而且，從最小化高頻信號遭受的損失的觀點來考慮，該電路應(yīng)該制造一個小的接地的電容。本發(fā)明的完成努力去滿足這些要求。
例如，作為一個已知的靜電泄放保護電路的例子，JP-A No.37284/1996(將被稱為相關(guān)技術(shù)1)描述了如圖3中所示的電路。根據(jù)圖3，顯示了IC的輸入端31，反相器32，和靜電泄放保護電路33。反相器32由一個p溝MOSFET(此后被稱為PMOS晶體管)321和一個NMOS晶體管322。靜電泄放保護電路33由一個保護電阻331，以及二極管連接的PMOS晶體管332和NMOS晶體管333組成。
在這里，NMOS晶體管333的閾值電壓(此后被稱為Vth)被設(shè)置為一個等于或者高于供電電壓的值。在此靜電泄放保護電路中，如果超過了供電電壓的正的沖擊電壓施加到輸入端，NMOS晶體管333導(dǎo)通以吸收沖擊電壓，相反，如果施加負沖擊電壓，PMOS晶體管332導(dǎo)通，以吸收負沖擊電流。因此，反相器32將不會遭受過高電壓。
在JP-A No.18245/1997(將被稱為相關(guān)技術(shù)2)中描述了另外一種與高頻電路一起實現(xiàn)的靜電泄放保護電路該電路不包括上述二極管連接的晶體管的MOS晶體管。如圖4所示相關(guān)技術(shù)2的電路包括信號輸入端41，阻抗匹配電路42，帶通濾波器43，和用于放大場效應(yīng)晶體管(FET)45的柵偏置微帶線44。阻抗匹配電路42由微帶線421和電容442構(gòu)成，與信號源的負載阻抗匹配。而且，帶通濾波器43由電容431和432以及微帶線433組成。帶通濾波器43只通過信號，但是阻止包括沖擊電壓的某些頻率部分。
假設(shè)努力使圖3所示并且由相關(guān)技術(shù)1描述的靜電泄放保護電路33適合用作圖2所示并且在前面描述的用作共源放大器的輸出級的靜電泄放保護電路22，這造成了下述問題。
第一，由于保護電阻331與信號通道串聯(lián)，會產(chǎn)生熱噪聲。由電阻R產(chǎn)生的每單位頻率帶的熱噪聲Vn由下面的公式(1)提供。
Vn＝(4kTR)1/2…(1)其中，k表示玻爾茲曼常數(shù)，T表示絕對溫度。
例如，當電阻為1kΩ時，熱噪聲Vn近似為4nV/(Hz)1/2，這對于放大器太大了?？傊?，具有包含在信號通道中的電阻的靜電泄放保護電路不能夠適應(yīng)于用于手提電話或者類似物中的低噪聲放大器的輸入級。
第二，NMOS晶體管333必須做成一個閾值電壓Vth不同于包含在主電路(圖3種的反相器32)中的NMOS晶體管322的NMOS晶體管。這必須增加額外的生產(chǎn)工藝，導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加。
第三，當控制制造工藝使得NMOS晶體管333的閾值電壓等于或者高于供電電壓時，如果考慮當NMOS晶體管開啟時產(chǎn)生的寄生電阻，所需的抑制施加的正沖擊電壓的抑制電壓變成供電電壓Vdd加上α。盡管依賴于具體的情況，α的大小預(yù)計達到幾伏特。因此，抑制電壓超過MOS晶體管的柵擊穿電壓。
第四，為了抑制變化范圍為從幾百伏特到幾千伏特，直到1到2V或更少的沖擊電壓，因為必須最小化當保護MOS二極晶體管開啟時產(chǎn)生的寄生電阻，因此需要一個大的MOS二級晶體管。在這種情況下，信號線和地線之間的寄生電容增加，并且高頻信號遭受的損耗增加。
而且，圖4所示和相關(guān)技術(shù)2中描述的靜電泄放保護電路被認為由分離部分組成。當努力以IC的形式實現(xiàn)靜電保護電路時，下述問題接著發(fā)生了。
第一，為了在IC中包含微帶線，IC在尺寸上必須大。這依據(jù)制造成本是不可行的。
第二，在電容422，431和432上施加了一個沖擊電壓。當通過微觀的CMOS制造工藝生產(chǎn)IC時，IC中包含的電容的擊穿電壓通常范圍在約2V到約10V。因此，電容會被毀壞。
在相關(guān)技術(shù)1和2中，當采用微觀CMOS制造工藝生產(chǎn)IC時，為了使此靜電泄放保護電路適合作為高頻低噪聲放大器的輸入級，這里存在著必須克服的問題。另外，相關(guān)技術(shù)的結(jié)合還沒有得到公開或者建議。采用帶通濾波器的相關(guān)技術(shù)2排除了保護二極管。

發(fā)明內(nèi)容
因此，需要提供一種通過微觀制造工藝生產(chǎn)的能夠作為高頻低噪聲放大器中的輸入極的靜電泄放保護電路。
根據(jù)本發(fā)明的靜電泄放保護電路優(yōu)選的包括一條線，IC的壓焊塊和內(nèi)部放大器直接在該線上互相連接，還包括互補二極管，即在該線和地線之間相互平行連接的兩個二極管，這兩個二極管方向相反。
根據(jù)本發(fā)明的另一個靜電泄放保護電路具有一個帶通濾波器，該濾波器連接在IC的壓焊塊和內(nèi)部放大器的輸入極之間。另外，還包括互補二極管和高通濾波器的組合。
由此，可以實現(xiàn)高抗沖擊電壓能力的靜電泄放保護電路。


為了清楚理解和易于實現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明將結(jié)合下面的附圖來描述，其中相同的參考字母指示同樣的或者相似的部件，附圖結(jié)合這些部件，組成了詳細說明的一部分，其中圖1是顯示典型的無線數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的模塊圖；圖2是一個電路圖，顯示了前面討論的IC的主要部分，里面制造了一個典型的共源放大器和靜電泄放保護電路；圖3是一個電路圖，顯示了傳統(tǒng)的靜電泄放保護電路的一個例子；圖4是一個電路圖，顯示了傳統(tǒng)的靜電泄放保護電路的另外一個例子；圖5是一個電路圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路的主要部分；圖6是一個電路圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路的主要部分；圖7顯示了包含在IC中并且用于圖6中所示的靜電泄放保護電路中的電容的例子的剖面圖；圖8A顯示了包含在IC中并且用于圖6中所示的靜電泄放保護電路中的電感的例子的頂部視圖；圖8B顯示了包含在IC中并且用于圖6中所示的靜電泄放保護電路中的電感的例子的剖面圖；并且圖9是一個電路圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路的主要部分。
具體實施例方式
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的靜電泄放保護電路的優(yōu)選實施例。
第一優(yōu)選實施例圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路的主要部分的電路圖。在圖5中，顯示了IC的輸入壓焊塊51。IC的輸入壓焊塊51通過線511被直接連接到包含在低噪聲放大器53中的共源NMOS晶體管531上。靜電泄放保護電路52連接在線511和地線512之間。靜電泄放保護電路具有NMOS晶體管521和522，它們是二極管連接的晶體管，相互平行連接并且方向相反(兩個這樣相互平行連接的二極管應(yīng)該被稱為互補二極管)。包含在低噪聲放大器53中的共源NMOS晶體管531的漏極連接到電源線514上，電源線514通過負載電阻532形成了供電電壓Vdd。
在上述電路中，當在IC的輸入壓焊塊51上施加一個正的沖擊電壓時，包含在靜電泄放保護電路52中的NMOS 522晶體管導(dǎo)通。當施加一個負的沖擊電壓時，NMOS晶體管521導(dǎo)通。這樣，就會吸收正的或者負的沖擊電流，并且抑制了施加到NMOS晶體管531的柵上的電壓，由此，保護了NMOS晶體管531免受一個正的或者負的沖擊電流。
在這里，由于下面描述的原因，NMOS晶體管521、522和531可以通過相同的制造工藝生產(chǎn)。即，在正常操作過程中，在輸入壓焊塊51上施加一個給NMOS晶體管531提供適當?shù)闹绷髌秒娏鞯闹绷麟妷汉鸵粋€與直流偏置電流疊加的幾十毫伏的高頻信號。此時，根據(jù)NMOS晶體管522的大小與NMOS晶體管531的大小之比的偏置電流流入NMOS晶體管522。通過適當?shù)臎Q定大小比，可以抑制偏置電流。而且，高頻信號的幅度是如此小，以至于包含在保護電路52中的NMOS晶體管，或者具體地，NMOS晶體管522不會完全開啟。
根據(jù)本發(fā)明，與圖3中所示的相關(guān)技術(shù)1相比，由于沒有采用保護電阻，噪聲的產(chǎn)生可以得到抑制。而且，沖擊電壓被抑制到一個幾乎等于NMOS晶體管的閾值電壓Vth(一般大約為0.5V)的值，并因此不會大大超過供電電壓Vdd。另外，不需要增加特殊的制造工藝來生產(chǎn)作為互補二極管的保護MOS晶體管。因此，本優(yōu)選實施例在性能和制造成本上具有優(yōu)越性。
結(jié)型二極管，二極管連接的雙極晶體管，二極管連接的PMOS晶體管，或者它們的組合也可以優(yōu)選的用于NMOS晶體管521和522的代表。另外，優(yōu)選的，二極管連接的晶體管521和522中的每一個或者兩個可以包含兩個或者更多的串聯(lián)在線511和512之間的NMOS晶體管。
第二優(yōu)選實施例圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路的電路圖。在圖6中，相同的參考數(shù)字被分配給圖5中所示的同樣的電路元件。省略了對和圖5中的那些相同的電路元件的描述。這個優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路62被連接在IC的輸入壓焊塊51和放大器53之間，并且由包含電容621和電感622的高通濾波器來實現(xiàn)。
電容621的一端通過線511連接到IC的壓焊塊51上，電容621的另一端通過電感622連接到偏置電壓線Vb上，并且還通過線513連接到包含在放大器53中的NMOS晶體管531的柵上。
一般地，沖擊脈沖只有小于幾十兆赫茲的頻率組分。如果高通濾波器的截止頻率被定在千兆赫的頻率帶之內(nèi)，此頻率帶包含了信號頻率，那么沖擊頻率組分可以被抑制到一個小三或者四位數(shù)的值。因此，沖擊電壓可以被設(shè)到幾個伏特或者更小。
根據(jù)這個第二優(yōu)選實施例，與圖4中所示的相關(guān)技術(shù)2相比，由于沒有采用微帶線，靜電泄放保護電路可以做成小尺寸的，并且包含到IC中。于是，第二優(yōu)選實施例在制造成本上具有市場優(yōu)勢。
為了將電容集成到IC中，例如，如圖7中的剖面圖所示，優(yōu)選的采用MIM電容71，該電容在金屬線層之間具有電介質(zhì)夾層的，或者采用MOS柵電容72。MIM電容71是這樣形成的在電介質(zhì)714的表面覆蓋金屬線層712，該電介質(zhì)714是形成在形成IC基礎(chǔ)的半導(dǎo)體襯底70上，在金屬線層712上形成金屬線層711，在金屬線層711和712之間有一層薄層電介質(zhì)713形成在金屬線層712上。
MOS柵電容72優(yōu)選的構(gòu)造是利用形成在半導(dǎo)體襯底70內(nèi)的擴散層721和多晶硅線層722作為上電極和下電極，并且利用中間層?xùn)叛趸?23作為電介質(zhì)。金屬線層724用作電極端，使得擴散層721能夠作為電極。一般的，當電極的形狀為邊長為100um的正方形時，電極電容的范圍為10pf到幾十個皮法。
而且，如圖8A的頂部視圖，電感622的優(yōu)選構(gòu)造為利用金屬線層形成圓環(huán)。圖8B是圖8A所示的圓環(huán)沿著A-A’線的剖面圖。如圖8B所示，金屬線層712覆蓋在電介質(zhì)714上，電介質(zhì)714形成在半導(dǎo)體襯底70上，覆蓋在電介質(zhì)713上的金屬線層711被用于形成圓環(huán)形電感622。一個電感值為幾個納亨的電感的優(yōu)選的構(gòu)造是利用具有二或者三圈并且直徑為大約200um的線圈。在本優(yōu)選實施例中，高通濾波器62包括電容621和電感622。可以選擇的是，高通濾波器62優(yōu)選的包括一個電容和一個電阻。
第三優(yōu)選實施例圖9顯示了靜電泄放保護電路的第三優(yōu)選實施例的電路圖。相同的參考數(shù)字被分配給圖5和圖6中所示的同樣的電路元件，也省略了對那些電路元件的重復(fù)描述。
與圖6中的相似，本優(yōu)選實施例的靜電泄放保護電路92具有連接在IC的輸入壓焊塊51和包含在放大器53中的NMOS晶體管531的柵之間的靜電泄放保護電路62。優(yōu)選的，靜電泄放保護電路92以包含電容621和連接到偏置電壓線Vb上的電感622的高通濾波器62構(gòu)成。另外，優(yōu)選地包含互補二極管521a和522a的靜電泄放電路52a，被連接在線511和地線512之間，在線511上，電容621的一端和輸入壓焊塊51相互連接。而且，優(yōu)選地包括互補二極管521b和522b第二靜電泄放保護電路52b，被連接在線513和地線512之間，在線513上，電容621的另一端和NMOS晶體管531的柵相互連接。
包括互補二極管、優(yōu)選地用作兩級的靜電泄放保護電路52增加了使IC免受靜電損傷的保護效果?？梢赃x擇的是，只采用布置在IC的輸入壓焊塊附近的單個的靜電泄放保護電路52a可以是較佳的。而且，可以用一個電阻代替電感622。作為另一個優(yōu)選的選擇，可以用2個或者更多的NMOS二極管的串聯(lián)電路代替NMOS 522b從而減小偏置電流。
根據(jù)本優(yōu)選實施例，在輸入壓焊塊和放大MOS晶體管之間沒有插入保護電阻。因此，與圖3和圖4所示的相關(guān)技術(shù)1和2相比，噪聲的產(chǎn)生得到了成功的抑制。
優(yōu)選的，互補二極管在與放大NMOS晶體管531相同的制造工藝期間生產(chǎn)，由此減少了所需的制造步驟。
NMOS晶體管521a、521b、522a和522b的閾值Vth足夠低于供電電壓Vdd。因此，抑制沖擊所需的抑制電壓減小。
互補二極管和高通濾波器的結(jié)合使分別通過互補二極管和高通濾波器引起的使IC免受靜電泄放起的效果變得無害。因此，互補二極管的尺寸得到減小，寄生電容被最小化并且輸入信號遭受的損失得到抑制。
由于沒有采用微波條狀線，靜電泄放保護電路可以做成小尺寸的，并且包含到IC中，這在制造成本上具有相當?shù)膬?yōu)勢。
另外，互補二極管被包含在電容621之前的一級，沖擊電壓可以某種程度的得到吸收。施加到電容上的電壓可以減小到幾個伏特或者更小。因此，電容不會因為過電壓而被毀壞。
從上述實施例可以明顯看出，根據(jù)本發(fā)明，可以得到靜電泄放保護，而不損害高頻特性，包括噪聲產(chǎn)生和信號損耗。同時，不需要額外的工序，并且IC的尺寸不需要有很大的增加。因此，本發(fā)明突出了成本效果。
前面根據(jù)優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識到這些實施例存在許多的變化。這些變化被認為是在本發(fā)明和附加的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
上面的描述對本發(fā)明在元件的具體材料，幾何形狀或者方向上沒有做任何的限制。許多部件/方向的替代被認為在本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是很明顯的。這里實施例只是通過例子的方法來表示，不能被用于限制本發(fā)明的范圍。
盡管本發(fā)明根據(jù)應(yīng)用中的具體實施例描述，本領(lǐng)域的普遍技術(shù)人員根據(jù)這里的教導(dǎo)，可以產(chǎn)生另外的實施例和修改，這并沒有超出此要求保護的發(fā)明的范圍。因此，可以理解在這里通過例子的方式提供的附圖和描述只是為了便于理解此發(fā)明，并不能作為限制其范圍的解釋。
權(quán)利要求
1.一種靜電泄放保護電路，包括一條連接集成電路的壓焊塊和內(nèi)部放大器的輸入端的線；和具有多個二極管的第一和第二二極管連接，它們被平行連接在所述線和地線之間。
2.權(quán)利要求1中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一二極管連接上的第一二極管指向第一方向，所述的第二二極管連接上的第二二極管指向與所述的第一方向相反的第二方向。
3.權(quán)利要求1中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接的每一個在所述線和所述地線之間連接至少一個二極管。
4.權(quán)利要求3中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接中的一個在所述線和所述地線之間串聯(lián)連接至少兩個二極管。
5.權(quán)利要求1中的靜電泄放保護電路，其中在所述壓焊塊和所述輸入端之間連接一個高通濾波器。
6.權(quán)利要求5中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接被連接在所述地線和所述線之間，所述線在所述輸入壓焊塊和所述高通濾波器的輸入級之間。
7.權(quán)利要求6中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一二極管連接上的第一二極管指向第一方向，所述的第二二極管連接上的第二二極管指向與所述的第一方向相反的第二方向。
8.權(quán)利要求6中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接的每一個在所述線和所述地線之間連接至少一個二極管。
9.權(quán)利要求8中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接中的一個在所述線和所述地線之間串聯(lián)連接至少兩個二極管。
10.一種靜電泄放保護電路，包括一個插入在集成電路壓焊塊和內(nèi)部放大器輸入端之間的高通濾波器；和具有多個二極管的第一和第二二極管連接，它們被平行連接在連接所述壓焊塊和所述高通濾波器的輸入級的第一連線和一個地線之間，具有多個二極管的第三和第四二極管連接，它們被平行連接在連接所述高通濾波器的輸出級和所述輸入端的第二連線和所述地線之間。
11.權(quán)利要求10中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一二極管連接上的第一二極管指向第一方向，所述的第二二極管連接上的第二二極管指向與所述的第一方向相反的第二方向，并且其中所述的第三二極管連接上的第三二極管指向所述第一方向，所述的第四二極管連接上的第四二極管指向所述第二方向。
12.權(quán)利要求10中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接的每一個在所述第一連線和所述地線之間連接至少一個二極管，并且其中所述的第三和第四二極管連接的每一個在所述第二連線和所述地線之間連接至少一個二極管。
13.權(quán)利要求12中的靜電泄放保護電路，其中所述的第一和第二二極管連接中的一個在所述第一連線和所述地線之間串聯(lián)連接至少兩個二極管，并且其中所述的第三和第四二極管連接中的一個在所述第二連線和所述地線之間串聯(lián)連接至少兩個二極管。
14.權(quán)利要求5中的靜電泄放保護電路，其中所述高通濾波器包括一個連接在所述壓焊塊和所述輸入端之間的電容并包括一個電感，其中，所述電容的第一端連接在所述電容和所述輸入端之間的所述線上，所述電感的第二端連接在偏置電壓線上。
15.權(quán)利要求14中的靜電泄放保護電路，其中所述高通濾波器包括一個代替所述電感的電阻。
16.權(quán)利要求1中的靜電泄放保護電路，其中所述多個二極管中的每一個包括一個雙極晶體管，該雙極晶體管是二極管連接的晶體管，其基極連接到其集電極上。
17.權(quán)利要求1中的靜電泄放保護電路，其中所述多個二極管中的每一個包括一個MOS晶體管，該MOS晶體管是二極管連接的晶體管，其柵極連接到其漏極上。
18.一種靜電泄放保護電路，包括一條連接集成電路壓焊塊和內(nèi)部放大器輸入端的線；和第一和第二二極管連接，它們被平行連接在所述線和一個地線之間，其中，所述第一二極管連接在所述線和所述地線之間連接一個指向第一方向的第一二極管，所述第二二極管連接在所述連線和所述地線之間串聯(lián)連接指向與該第一方向相反的第二方向的多個第一二極管。
19.權(quán)利要求18中的靜電泄放保護電路，進一步包括一個插入在所述壓焊塊和所述輸入端之間的所述線上的高通濾波器，其中所述第一和第二二極管連接被連接到所述壓焊塊和所述高通濾波器的輸入級之間的所述線上。
20.權(quán)利要求19中的靜電泄放保護電路，進一步包括第三和第四二極管連接，它們被平行連接在所述地線和所述高通濾波器的輸出級和所述輸入端之間的所述線之間，其中，所述第三二極管連接在所述線和所述地線之間連接一個指向所述第一方向的第二二極管，所述第四二極管連接在所述線和所述地線之間串聯(lián)連接指向所述第二方向的多個第二二極管。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于保護集成電路(IC)免受靜電毀壞的靜電泄放保護電路，該電路從能夠處理高頻率和承受低電壓的CMOS材料中形成。此靜電泄放保護電路含有NMOS晶體管，該NMOS晶體管是指向相反方向的二極管連接的晶體管，并聯(lián)在地線和一條連接IC的輸入端和一個包含在放大器中的NMOS晶體管的柵極的線之間。此靜電泄放保護電路對沖擊電壓具有高的抵抗力，而不會引起包括噪聲和信號損失的高頻特性變壞。采用此新的靜電泄放保護電路，不需要明顯增加IC的尺寸，由于需要更少的制造步驟來生產(chǎn)，該靜電保護電路也具有好的成本效果。
文檔編號H03F1/52GK1438706SQ0216086
公開日2003年8月27日 申請日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月14日
發(fā)明者麻殖生健二 申請人:株式會社日立制作所