專利名稱：使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造用于噴墨打印機的打印頭的方法，并且特別涉及一種制造噴墨打印頭的方法，其中使用結(jié)合激光束與微細液體射流(microliquid-jet)的液體射流導(dǎo)引激光(liquid-jet guided laser)在基片中形成打印頭的供墨部分或者切割形成有一個或更多個打印頭的基片。
背景技術(shù)：
一般而言，由于噴墨打印機產(chǎn)生的噪音小且分辨率優(yōu)于其它打印機，因此消費者對于噴墨打印機的需求迅速增長。此外，噴墨打印機能夠進行彩色打印。
另外，最近十年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，用于制造作為噴墨打印機核心部件的打印頭的技術(shù)得到了迅速的發(fā)展。結(jié)果，已經(jīng)可以通過安裝于一次性墨盒中來使用設(shè)有約300個噴墨嘴并且能夠提供1200dpi分辨率的打印頭。
根據(jù)用于形成至少一個通過其向與噴嘴連接的墨室供給墨水的墨水通道或供墨部分的位置，該打印頭分為公共或中心供給型、邊緣供給型和單獨供給型，在公共或中心供給型中供墨部分位于中心位置，在邊緣供給型中供墨部分位于相對的末端，在單獨供給型中供墨部分位于單個墨室中。
圖1示意性地示出傳統(tǒng)的中心供給型噴墨打印機的打印頭10。
通常，墨從打印頭10的基片1的后側(cè)通過墨水通道或第一供墨通道2供給至基片1的前側(cè)。
通過第一供墨通道2供給的墨沿著由墨室板8和噴嘴板9形成的第二供墨通道3到達墨室4。暫時滯留在墨室4中的墨立即由從位于保護層5下方的加熱器6產(chǎn)生的熱量加熱。
同時，墨中產(chǎn)生了易爆的氣泡，所產(chǎn)生的氣泡使得墨室4內(nèi)的一部分墨通過形成在墨室4頂部中的噴嘴7射出打印頭10之外。
在此打印頭10中，墨室板8和噴嘴板9是影響墨流、墨的注入形式、及注入頻率特性的重要元件。因此，對于墨室板8和噴嘴板9的材料、形狀及制造方法進行了大量研究。
在目前用于制造打印頭連同墨室板和噴嘴板的各種方法中，最常用的方法是采用光刻工藝的單片法(monolithic method)。
依據(jù)單片法的打印頭10’傳統(tǒng)制造工序(方法)在圖2A至2E中示出。
參照圖2A至2E，如圖2A所示，硅基片1的后側(cè)形成有預(yù)備第一供墨通道2’，用于形成圖2D和2E所示構(gòu)成供墨部分的第一供墨通道2，其中，基片1的前側(cè)形成有加熱器6和保護層5。
此時，在預(yù)備第一供墨通道2’處，保留基片1的部分厚度而未完全穿透。
接著，在基片1的保護層5的頂上形成正光致抗蝕劑，并且隨后通過光刻工藝使用光掩模(未示出)構(gòu)圖。結(jié)果，在保護層5上形成了作為犧牲層的正光致抗蝕劑模3’，如圖2B所示。后面，通過蝕刻去除正光致抗蝕劑模3，由此設(shè)置出用于第二供墨通道3、墨室4等的流路構(gòu)造。正光致抗蝕劑模3’的厚度為約30至40μm，從而與以后形成的第二供墨通道3和墨室4的高度相對應(yīng)。
在保護層5的頂上形成正光致抗蝕劑模3’后，在基片1的前側(cè)上涂覆光敏環(huán)氧樹脂層作為負光致抗蝕劑。
接著，通過形成有噴嘴圖形的光掩模(未示出)曝光光敏環(huán)氧樹脂層，并隨后通過微沖壓(micro-punching)或光刻工藝構(gòu)圖。結(jié)果，形成了如圖2C所示的形成有噴嘴7’的墨室/噴嘴板9’。
形成墨室/噴嘴板9’后，去除基片1在其后側(cè)形成有預(yù)備第一供墨通道2’的部分，由此形成第一供墨通道2。
接著，利用溶劑溶解光致抗蝕劑模3’，形成墨室4和第二供墨通道3并完成了打印頭10’的制造，如圖2D和2E所示。
在依據(jù)單片法制造打印頭10’的方法中，為了形成預(yù)備第一供墨通道2’和第一供墨通道2，廣泛的使用了化學(xué)蝕刻基片1的濕法蝕刻法、利用等離子體蝕刻基片1的干法蝕刻法(諸如反應(yīng)離子蝕刻或深度反應(yīng)離子蝕刻)、以及通過以非?？斓乃俣瘸?噴射非常精細的噴砂(諸如砂礫)來蝕刻基片1的噴砂法。
然而，濕法蝕刻法的缺點在于基片1是被化學(xué)地蝕刻，工藝時間很長且在基片1上存在非常微小的雜質(zhì)時難以精確控制間隔誤差。
使用等離子體的干法蝕刻法的優(yōu)點在于蝕刻時間相對短，因為蝕刻速度約為2至10μm/min。然而，干法蝕刻法的缺點在于工藝成本高，因為工藝設(shè)備昂貴，并且在蝕刻時難以控制側(cè)壁表面的錐角，因為側(cè)壁被等向性地蝕刻，使得蝕刻得到的側(cè)壁接近于約90度。
另外，噴砂法的缺點在于使用了細小的噴砂，在工藝期間，噴砂容易由于進入基片1的結(jié)構(gòu)中而導(dǎo)致污染，從而構(gòu)成了一個微機電系統(tǒng)，此處理的精度很差，并且工藝完成后還需要去除噴砂的后工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述和/或其它問題而提出，并且本發(fā)明的原理在于提供一種制造噴墨打印頭的方法，其中該方法包括使用結(jié)合液體射流和激光的液體射流導(dǎo)引激光形成打印頭的供墨部分的工藝，從而防止熱損傷、節(jié)省工藝成本并減少了工藝時間。
本發(fā)明的另一方面在于提供一種制造噴墨打印頭的方法，其中該方法包括使用液體射流導(dǎo)引激光來切割形成有一個或更多個打印頭基片的工藝，從而防止熱損傷、節(jié)省工藝成本并減少了工藝時間。
本發(fā)明的其它方面和/或優(yōu)點將部分地在下面的介紹展示，而部分地通過介紹而明了或通過實踐本發(fā)明而掌握。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的上述和/或其它方面，提供一種使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法。該方法包括至少一個形成透過構(gòu)成噴墨打印頭的基片的供墨部分的工藝，其中供墨部分形成工藝包括在用于執(zhí)行該至少一個工藝的反應(yīng)室中的載臺上固定基片，以及利用液體射流導(dǎo)引激光處理基片中的供墨部分至所需深度。
固定基片的操作包括在裝載器中加載基片；移動加載于裝載器中的基片至反應(yīng)室中的載臺上；以及在載臺的位置上排列并固定基片。
加工供墨部分的操作包括通過液體射流導(dǎo)引激光照射由直徑在10至500μm范圍內(nèi)的液體射流導(dǎo)引的激光束；以及沿著供墨部分的圖形移動其上載有基片的載臺。
優(yōu)選使用壓強在1至7000bar范圍內(nèi)的液態(tài)材料作為液體射流，并且優(yōu)選二極管泵浦固體激光束和氣體激光束中之一用作激光束。
或者，激光束的照射可以利用通過液體射流導(dǎo)引激光照射由直徑在30至50μm范圍內(nèi)的液體射流導(dǎo)引的激光束來實現(xiàn)。
另外，形成供墨部分的工藝還包括清潔在形成供墨部分期間流入基片有機材料，以及干燥清潔后的基片。
該制造噴墨打印頭的方法還包括切割形成有一個或更多個打印頭的基片的工藝。
切割基片的工藝包括在反應(yīng)室中的載臺上固定基片，以及使用液體射流導(dǎo)引激光切割基片。
在本實施例中，優(yōu)選使用厚度在100至600μm范圍內(nèi)的硅基片作為硅基片，并且可以在中心供給型打印頭、邊緣供給型打印頭和單獨供給型打印頭其中之一上形成一個或更多個供墨部分。
為了實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明實施例的上述和/或其它方面，還提供一種使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法。該方法包括使用液體射流導(dǎo)引激光切割形成有多個打印頭的基片的切割工藝，其中該切割工藝包括在反應(yīng)室中的載臺上固定基片，以及使用液體射流導(dǎo)引激光切割基片。
固定基片的操作包括在裝載器中加載基片；移動加載于裝載器中的基片至反應(yīng)室中的載臺上；以及在載臺的位置上排列并固定基片。
切割基片的操作包括通過液體射流導(dǎo)引激光照射由直徑在30至100μm范圍內(nèi)的液體射流導(dǎo)引的激光束；以及沿著供墨部分的圖形移動其上載有基片的載臺。
優(yōu)選使用壓強在1至7000bar范圍內(nèi)的液態(tài)材料作為液體射流，并且二極管泵浦固體激光束和氣體激光束中之一優(yōu)選用作激光束。
另外，切割工藝還包括清潔在切割基片期間流入切割成芯片形式的打印頭中的有機材料；以及干燥清潔過的芯片形式打印頭。


通過下面結(jié)合附圖對實施例進行的介紹，將使本發(fā)明的這些和/或其它方面及優(yōu)點變得清晰且更加易懂，附圖中圖1為傳統(tǒng)打印頭的截面圖；圖2A至2E為說明制造圖1所示傳統(tǒng)噴墨打印頭的方法的流程；圖3為說明根據(jù)本發(fā)明實施例，使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法中所用液體射流導(dǎo)引激光的示例的操作的示意圖；圖4A和4B為說明依據(jù)使用圖3所示的液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法所形成的預(yù)備第一供墨通道的形式的照片；圖5為說明根據(jù)本發(fā)明另一實施例，使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法中的工藝的流程；圖6為說明在圖3和5中所示的使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法中形成預(yù)備第一供墨通道的工藝的流程；以及圖7為說明在圖3和5中所示的使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法中的切割工藝的流程。
具體實施例方式
以下，將參照附圖詳細介紹本發(fā)明的使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法。在附圖及詳細說明中，與現(xiàn)有技術(shù)相同的構(gòu)件將以與介紹現(xiàn)有技術(shù)時所用相同的附圖標(biāo)記說明和介紹。
圖5為說明根據(jù)本發(fā)明的實施例，使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法中工藝的流程。
首先，與圖2A所示傳統(tǒng)打印頭10的制造相似，通過執(zhí)行涂覆工藝、離子注入工藝、光刻工藝等，在反應(yīng)室(未示出)內(nèi)，在厚度為100至600μm范圍內(nèi)的硅基片(silicon wafer，硅晶片)1的前側(cè)形成加熱器6和保護層5(S1)，并且隨后進行在基片1的后側(cè)形成預(yù)備第一供墨通道2’的工藝，從而形成構(gòu)成墨水通道或供墨部分的第一供墨通道2(S2)。
即，如圖6所示，在裝載器(未示出)中載入基片1，裝載器可以為傳統(tǒng)的裝載器，而基片的后側(cè)向上取向，使基片1移動至反應(yīng)室(未示出)中，從而執(zhí)行液體射流導(dǎo)引激光處理(S2a)。
接著，裝載器將基片1移動至反應(yīng)室中的載臺(未示出)處，從而執(zhí)行液體射流導(dǎo)引激光處理(S2b)，并且基片1利用抓具(未示出)排列并固定入位，抓具可以是傳統(tǒng)抓具(S2c)。
固定基片1后，在根據(jù)存儲于個人電腦(PC)中的計算機輔助設(shè)計(CAD)數(shù)據(jù)設(shè)定參考坐標(biāo)時，其上固定有基片的載臺根據(jù)輸入PC中的程序、沿著所需的方向、以例如約100mm/sec的速度移動。
與此同時，固定在預(yù)定位置處的液體射流導(dǎo)引激光100(圖3)透過噴嘴頭120射出液體射流101，并照射出由液體射流101導(dǎo)引的激光束102。
由此，通過沿著液體射流101的內(nèi)壁導(dǎo)引的激光束102蝕刻基片1，從而形成溝槽或預(yù)備第一供墨通道2’至預(yù)定深度，如圖4A和4B所示(S2d)。
此時，透過液體射流導(dǎo)引激光100的噴嘴頭120射出的液體射流101控制為具有10至500μm范圍內(nèi)的直徑。
即，盡管優(yōu)選液體射流的直徑超過150μm以減少工藝時間，但也可以根據(jù)需要選用另一種具有30至50μm范圍內(nèi)直徑的液體射流。
液體射流101的壓強設(shè)置在1至7000bar的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選設(shè)置為約70bar。用作液體射流101的液體可以是任何液態(tài)材料。
另外，用于執(zhí)行液體射流導(dǎo)引激光處理的反應(yīng)室內(nèi)的溫度保持在常溫。
用于射出液體射流101和照射激光束102的液體射流導(dǎo)引激光100可以是包括激光束照射透鏡部分110、以及噴嘴頭120的液體射流導(dǎo)引激光，激光束照射透鏡部分110通過激光束波導(dǎo)103與諸如二極管泵浦固體激光源和氣體激光源的激光束源(未示出)連接，噴嘴頭120將通過輸液線1105供入的液體射流101射出并在共軸組合后照射從激光束照射透鏡部分110射出的激光束102，如圖3所例示。
激光束照射透鏡部分110包括用于校準(zhǔn)從激光束波導(dǎo)103透射來的激光束102的準(zhǔn)直器、以及聚焦并透過噴嘴頭120的基部122中的錐形空間124照射校準(zhǔn)后的激光束(112)。
噴嘴頭120包括用于使照射至錐形空間124的激光束102通過的窗口123、連接至輸液線105的供液管121、以及用于在激光束102和液體射流101分別通過窗口123和供液管121后透過中心鉆孔127照射激光束102并射出液體射流101的噴嘴塊。
通過噴嘴塊125射至基片1后流向基片1下方的液體射流101通過形成在反應(yīng)室下方的液體收集部分(未示出)回收，并且利用液泵(未示出)等再次通過輸液線105供至噴嘴頭120。
按此方式，在基片1中形成預(yù)備第一供墨通道2’后，將基片1轉(zhuǎn)移至用于執(zhí)行清潔工藝的反應(yīng)室(未示出)中。
清潔轉(zhuǎn)移至用于執(zhí)行清潔工藝的反應(yīng)室中的基片1，以去除在形成預(yù)備供墨通道2’時流入基片1表面中的有機材料(S2e)，并隨后干燥基片1(S2f)。
其后，再次將基片1移至用于執(zhí)行光刻工藝等的反應(yīng)室中，并隨后在基片1上形成墨室/噴嘴扳9’，其中通過與圖2B和2C所示制造傳統(tǒng)打印頭10中所用相同的方法在墨室/噴嘴扳9’的前側(cè)形成噴嘴7’。
形成墨室/噴嘴扳9’后，利用裝載器再次將基片1移至用于執(zhí)行液體射流導(dǎo)引激光處理的反應(yīng)室中的載臺上，并隨后通過與上述形成預(yù)備第一供墨通道2’中所用相同的方法去除后側(cè)形成有預(yù)備第一供墨通道2’的基片1的一部分，由此形成第一供墨通道2(S4)。此時，根據(jù)其設(shè)計，形成了中心供給型、邊緣供給型和單獨供給型噴墨打印機中一種形式的一個或更多個第一供墨通道2。
接著，再次將基片1移至用于執(zhí)行光刻工藝等的反應(yīng)室中，并且隨后在利用溶劑溶解光致抗蝕劑模3’時形成墨室4和第二供墨通道3，如圖2E所示(S5)。
結(jié)果，在基片1上，按格柵形式形成了多個打印頭10’。
再次將上述形成有多個打印頭10’的基片1移至用于執(zhí)行液體射流導(dǎo)引激光處理的反應(yīng)室中，從而執(zhí)行切割工藝。
按照與上述形成預(yù)備第一供墨通道2’或第一供墨通道2所用基本相同的工藝來執(zhí)行切割基片1的切割工藝，除去射出直徑在30至100μm(優(yōu)選為50μm)的液體射流101，并且通過液體射流導(dǎo)引激光100照射由液體射流101導(dǎo)引的激光束102(S6)。
即，如圖7所示，在裝載器上加載基片1后(S6a)，將基片1移至用于執(zhí)行液體射流導(dǎo)引激光處理的反應(yīng)室中(S6b)，并隨后將基片1排列并固定在載臺上的位置(S6c)。
其后，在其上固定有基片1的載臺沿著切割圖形以100mm/sec的速度移動、并且通過液體射流導(dǎo)引激光100照射由直徑在30至100μm范圍內(nèi)的液體射流101導(dǎo)引的激光束102時，切割基片1，由此將基片1切割為芯片形式的單個打印頭10’(S6d)。
切割基片1后，清潔切割為芯片形式的單個打印頭10’，以去除流入打印頭10’表面中的有機材料(S6e)，并隨后干燥打印頭(S6f)，從而完成了打印頭10’的制造。
雖然為了說明本發(fā)明的原理，已參照優(yōu)選實施例示出并介紹了本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不應(yīng)限于這些實施方式。應(yīng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離由所附權(quán)利要求及其等價物所限定的本發(fā)明的精神和范圍的基礎(chǔ)上進行各種調(diào)整和修改。
例如，在上述形成打印頭10’的方法中，盡管介紹了第一供墨通道2使用液體射流導(dǎo)引激光100通過兩次處理形成，也可以依據(jù)形成打印頭10’的方法通過一次或多于兩次的處理來形成。
另外，盡管介紹了在形成打印頭10’和切割基片1’的工藝中都采用了液體射流導(dǎo)引激光100，也可以僅在兩個工藝中的一個中使用液體射流導(dǎo)引激光100。
如上所述，由于制造噴墨打印頭的方法使用了結(jié)合激光和液體射流的液體射流導(dǎo)引激光，因此可以在常溫下形成打印頭后形成打印頭的供墨部分或切割基片，而無須使用傳統(tǒng)濕法蝕刻法或干法蝕刻法所需的掩模。結(jié)果，可以實現(xiàn)防止打印頭熱損傷和節(jié)省工藝成本的效果。
另外，制造噴墨打印頭的方法通過PC的優(yōu)化設(shè)計數(shù)據(jù)來控制供墨部分的三維形狀。因此，可以更自由和精確地實現(xiàn)供墨部分的形狀并減少了工藝時間。實際上，根據(jù)在載臺移動速度為100mm/sec而液體射流的直徑和壓強分別為150μm和70bar的條件下對10mm×5mm的表面處理至500μm深度的測試，所需的時間約為55sec。
權(quán)利要求
1.一種使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法，該方法包括至少一個形成透過構(gòu)成噴墨打印頭的基片的供墨部分的工藝，其中該供墨部分形成工藝包括在用于執(zhí)行該至少一個工藝的反應(yīng)室中的載臺上固定基片；以及利用液體射流導(dǎo)引激光在基片中加工供墨部分至所需深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該固定基片的操作包括在裝載器中加載基片；移動加載于裝載器中的基片至該反應(yīng)室中的載臺；以及在載臺的位置上排列并固定基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該加工供墨部分的操作包括通過液體射流導(dǎo)引激光照射由直徑在10至500μm范圍內(nèi)的液體射流導(dǎo)引的激光束；以及沿著供墨部分的圖形移動其上固定有基片的載臺。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該液體射流包括壓強在1至7000bar范圍內(nèi)的液態(tài)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該激光束包括二極管泵浦固體激光束和氣體激光束中之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該加工供墨部分的操作包括通過液體射流導(dǎo)引激光照射由直徑在30至50μm范圍內(nèi)的液體射流導(dǎo)引的激光束；以及沿著供墨部分的圖形移動其上固定有基片的載臺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該形成供墨部分的工藝還包括清潔在形成供墨部分期間流入基片的有機材料；以及干燥清潔后的基片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括切割形成有噴墨打印頭的基片的工藝，其中該切割工藝包括在反應(yīng)室中的載臺上固定基片；以及使用液體射流導(dǎo)引激光切割基片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該基片包括厚度在100至600μm范圍內(nèi)的硅基片，并且至少一個供墨部分形成為中心供給型、邊緣供給型和單獨供給型中之一。
10.一種制造噴墨打印頭的方法，該方法包括使用液體射流導(dǎo)引激光切割形成有多個打印頭的基片的切割工藝，其中該切割工藝包括在反應(yīng)室中的載臺上固定基片；以及使用液體射流導(dǎo)引激光切割基片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中該固定基片的操作包括在裝載器中加載基片；移動加載于裝載器中的基片至反應(yīng)室中的載臺上；以及在載臺的位置上排列并固定基片。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中該切割基片的操作包括通過液體射流導(dǎo)引激光照射由直徑在30至100μm范圍內(nèi)的液體射流導(dǎo)引的激光束；以及沿著切割圖形移動其上固定有基片的載臺。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該液體射流包括壓強在1至7000bar范圍內(nèi)的液態(tài)材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 2所述的方法，其中該激光束包括二極管泵浦固體激光束和氣體激光束中之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中該切割工藝還包括清潔在切割基片期間流入切割成芯片形式的打印頭中的有機材料；以及干燥清潔過的芯片形式打印頭。
16.一種制造噴墨打印頭的方法，該方法包括使用液體射流導(dǎo)引激光在基片上形成噴墨打印頭。
17.根據(jù)權(quán)利16所述的方法，其中該形成操作包括使用液體射流導(dǎo)引激光在基片上形成供墨部分至預(yù)定深度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中形成供墨部分的操作未執(zhí)行使用掩模的濕法蝕刻操作。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中該形成操作包括沿著與液體射流導(dǎo)引激光的射入方向具有一定角度的方向，相對于液體射流導(dǎo)引激光單元移動基片，該液體射流導(dǎo)引激光單元產(chǎn)生液體射流導(dǎo)引激光。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中該形成操作包括沿著與基片和液體射流導(dǎo)引激光單元中之一的移動方向具有一定角度的方向同時照射激光束和液體射流。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括使用液體射流導(dǎo)引激光將基片切割為每個都具有至少一個打印頭的多個芯片。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中該切割操作未執(zhí)行使用掩模的濕法蝕刻操作。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種使用液體射流導(dǎo)引激光制造噴墨打印頭的方法，該方法包括至少一個形成供墨部分的工藝。供墨部分形成工藝包括在反應(yīng)室中的載臺上固定基片，并在基片中利用液體射流導(dǎo)引激光加工供墨部分至所需深度。另外，該制造噴墨打印頭的方法包括切割基片的工藝，從而將基片切割為芯片形式?；懈罟に嚢ㄔ诜磻?yīng)室中的載臺上固定基片，及使用液體射流導(dǎo)引激光切割基片。根據(jù)本發(fā)明，在形成打印頭的供墨部分和/或在切割形成有多個打印頭的基片時，使用了結(jié)合激光和微細液體射流的液體射流導(dǎo)引激光，因此可以實現(xiàn)防止打印頭熱損傷、節(jié)省工藝成本和減少工藝時間的效果。
文檔編號B41J2/16GK1676335SQ2004100318
公開日2005年10月5日 申請日期2004年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日
發(fā)明者高相喆, 金光烈 申請人:三星電子株式會社