專利名稱：薄板狀保護膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄板狀保護膜，更具體地說，涉及用于保護受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)的薄板狀保護膜。
背景技術：
例如，應用包裝半導體芯片比如IC或LSI的某些技術，半導體芯片安裝在帶條上，在半導體器件中這稱為“帶式輸送器包裝”(下文稱為“TCP”)或“芯片在膜上”(下文稱為“COF”)。為制造這種半導體器件，使用幾十至幾百米長的長帶，一滾筒一滾筒地執(zhí)行各種處理步驟，比如互連圖形形成步驟、半導體芯片安裝步驟和樹脂密封步驟。
但是，如果受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)比如帶狀結(jié)構(gòu)直接纏繞在卷盤上，該結(jié)構(gòu)包括安裝在形成于長帶上的互連圖形上的半導體芯片，則半導體芯片和互連圖形夾在纏繞在卷盤周圍的環(huán)繞帶之間。因此，半導體芯片或互連圖形經(jīng)常被損壞。因此，為保護它，在帶狀結(jié)構(gòu)纏繞在卷盤上時將它疊加在薄板狀保護膜上。
如在日本專利申請KOKOKU的No.8-1916中所描述，某些常規(guī)的薄板狀保護膜包括通過壓印在基膜的軸向相對端上形成的半球形突起，以在基膜的縱向方向上以相等的間距在交替的不同的方向上凸伸。
然而，在這種常規(guī)的薄板狀保護膜纏繞在卷盤上時，在薄板狀保護膜的位于外部的部分上的內(nèi)部突起相對于在薄板狀保護膜的位于內(nèi)部的部分上的外部突起稍稍不重合，因為薄板狀保護膜的位于外部的部分的長度稍微不同于薄板狀保護膜的位于內(nèi)部的部分的長度。在帶狀結(jié)構(gòu)夾在這些不重合的突起之間時，帶狀結(jié)構(gòu)的橫向相對端可能產(chǎn)生波浪變形。這種變形阻礙了通過在帶狀結(jié)構(gòu)的橫向相對端上形成的輸送孔(sprocket hole)的運送以及在帶狀結(jié)構(gòu)的橫向相對端上形成的定位標記的光學讀取。
如在日本專利申請KOKOKU的No.8-1916中所描述，這種問題可以通過如下的方式解決在基膜的縱向方向上以相等的間距在基膜的橫向相對端上形成矩形安裝槽，在每個都是由樹脂構(gòu)成的相應的安裝槽上注射成型突起，以及在基膜的縱向方向上將突起的寬度設置成比在相同方向上的突起之間的間隔更大。
然而，如上文所描述地構(gòu)造的薄板狀保護膜要求在基膜上形成的相應的安裝槽上注射成型突起的步驟，該突起每個都由樹脂構(gòu)成。因此，應用這種薄膜，所要求的步驟數(shù)量增加，并且除了基膜以外，要求使用用于注射成型突起的樹脂作為材料。這增加了成本。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個目的是提供一種用于減小所要求的步驟數(shù)量和所要求的材料量的薄板狀保護膜。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種薄板狀保護膜，該薄板狀保護膜包括薄板狀材料主體，例如保護受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)的基膜，其中突起形成在薄板狀材料主體的預定區(qū)域上以便從該主體延伸，每個突起具有與受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)的主表面基本平行的冠狀部分和包圍該冠狀部分的側(cè)壁部分。
可替換的是，冠狀部分可以是平面或者可以具有多個觸點。此外，側(cè)壁部分可以是傾斜的。
在另一方面，多個突起可以提供在從薄板狀材料主體的主表面上在不同的方向上凸伸的冠狀部分上?？商鎿Q的是，可以提供多個突起，這些突起包括從薄板狀材料主體的一個表面凸伸的第一突起和從薄板狀材料主體的其它表面凸伸的第二突起。第一和第二突起可以沿設置突起的方向交錯。此外，多個突起在設置突起的方向上可以具有相等的寬度。此外，多個突起在設置突起的方向上可以具有不同的寬度?？商鎿Q的是，多個突起可以是線性對稱地設置。此外，多個突起可以是非線性對稱地設置。
在另一方面，在多個突起之間可以形成間隙部分?？梢孕纬啥鄠€間隙部分，某些間隙部分具有相等或不同的寬度。
此外，從薄板狀材料主體的端部表面?zhèn)瓤赐黄鹂梢允腔緸樘菪?，或者從薄板狀材料主體的一個表面?zhèn)瓤礊閁-形，或者從薄板狀材料主體的一個側(cè)面看為半圓形。
受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)可以包括互連圖形以便薄板狀材料主體的預定的區(qū)域沒有疊加在互連圖形上。可替換的是，受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)可以包括互連圖形和電子部件(比如半導體芯片)以便薄板狀材料主體的預定的區(qū)域不疊加在互連圖形或電子部件上。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，可以通過例如壓印在薄板狀材料主體的預定區(qū)域上形成突起以便從薄板狀材料主體延伸，每個突起具有與受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)的主表面基本平行的冠狀部分和在冠狀部分周圍的側(cè)壁部分。這用于減小所要求的步驟數(shù)量和所使用的材料量。因此，可以極大地減小成本。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的第一方面中的薄板狀保護膜中，薄板狀材料主體可以足夠長以保護同樣較長的并且受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)。此外，受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)可以包括輸送孔以便薄板狀材料主體的預定的區(qū)域在輸送孔的附近?？商鎿Q的是，受保護的薄板狀材料可以包括在它的橫向相對端上的輸送孔，以及薄板狀材料主體的預定的區(qū)域可以是薄板狀材料主體的橫向相對端。
可替換的是，薄板狀材料主體可以是薄片狀，以便保護同樣是薄片狀的并且受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)。此外，薄板狀材料主體的預定區(qū)域可以是薄板狀材料主體的兩個相對的側(cè)面區(qū)域或者薄板狀材料主體的至少四個側(cè)面區(qū)域。
在這種薄板狀保護膜中，除了它的冠狀部分以外的整個區(qū)域可以與受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)間距預定的距離。因此，即使受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)具有互連圖形或者半導體芯片，它仍然可以防止薄板狀保護膜與互連圖形或者半導體芯片接觸而損壞它們。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種薄板狀保護膜，該薄板狀保護膜包括保護較長的受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)的較長的薄板狀材料主體，其中導電層至少形成在除了它的橫向相對端以外例如在薄板狀材料主體的相應的表面上的薄板狀材料主體的區(qū)域上。它由此可以使導電層不太可能摩擦其它的目標。這阻止了在導電層中產(chǎn)生導電的外部物質(zhì)。
通過下文的描述來闡述本發(fā)明的其它的目的和優(yōu)點，其中部分目的和優(yōu)點在這些描述是顯而易見的或者通過本發(fā)明的實踐可以得知。通過下文具體指出的手段和組合可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點。
附圖描述并入在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明當前優(yōu)先的實施例，這些附圖與上文的一般性描述和下文給出的詳細描述一起解釋本發(fā)明的原理。
附

圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的薄板狀保護膜疊加在帶狀結(jié)構(gòu)上的實例從上面看時的平面視圖；附圖2所示為帶狀結(jié)構(gòu)的相對端的實例的剖面示意圖，該剖面示意圖是沿附圖1的線X-X的剖面圖；附圖3所示為覆蓋帶狀結(jié)構(gòu)的薄板狀保護膜的相對端的剖面示意圖，該剖面示意圖是沿附圖1的線Y-Y的剖面圖；附圖4所示為在附圖1中所示的薄板狀保護膜的實例的分解透視圖；附圖5A所示為在附圖1中所示的薄板狀保護膜沿它的寬度方向剪切獲得的剪切表面從基膜的縱向方向看時的側(cè)視圖；附圖5B所示為在附圖1中所示的薄板狀保護膜從上面看時的頂視圖；附圖5C所示為在附圖1中所示的薄板狀保護膜從基膜的端部看時的側(cè)視圖；附圖6所示為在覆蓋另一帶狀結(jié)構(gòu)的薄板狀保護膜的本發(fā)明的第一實施例的另一實例的剖面示意圖；附圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實施例朝卷盤運送帶狀結(jié)構(gòu)和薄板狀保護膜的實例的示意圖；附圖8所示為在帶狀結(jié)構(gòu)纏繞在卷盤上時它疊加在薄板狀保護膜上的實例的分解剖面視圖；附圖9所示為在附圖8中所示的情況下纏繞在卷盤上的薄板狀保護膜上的突起不重合的實例的側(cè)視圖；附圖10所示為在附圖8中所示的情況下纏繞在卷盤上的薄板狀保護膜的突起不重合的另一實例的側(cè)視圖；附圖11所示為在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的薄板狀保護膜疊加在三個較長的平行的帶狀結(jié)構(gòu)上的實例從上面看的平面視圖；附圖12所示為根據(jù)本發(fā)明的第三實施例薄板狀保護膜的實例的分解側(cè)視圖；附圖13A所示為在附圖1中的薄板狀保護膜上的突起之間的相對位置關系的實例的側(cè)視圖；附圖13B所示為在附圖1中的薄板狀保護膜上的突起之間的相對位置關系的另一實例的側(cè)視圖；附圖14所示在附圖12中的薄板狀保護膜的突起之間的相對位置關系的側(cè)視圖；附圖15A所示為根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的薄板狀保護膜沿它的寬度方向剪切獲得的剪切表面的從基膜的縱向方向看的側(cè)視圖；附圖15B所示為根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的薄板狀保護膜從上面看的頂視圖；附圖15C所示為根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的薄板狀保護膜從基膜的端部看時的側(cè)視圖；附圖16A所示為根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的薄板狀保護膜沿它的寬度方向剪切獲得的剪切表面的從基膜的縱向方向看時的側(cè)視圖；附圖16B所示為根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的薄板狀保護膜從上面看時的頂視圖；附圖16C所示為根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的薄板狀保護膜從基膜的端部看時的側(cè)視圖；附圖17所示為在薄板狀保護膜纏繞在卷盤上時它疊加在帶狀結(jié)構(gòu)上的分解側(cè)視圖；附圖18所示為根據(jù)本發(fā)明的第六實施例在薄板狀保護膜上的突起的結(jié)構(gòu)的實例的平面視圖；附圖19所示為根據(jù)本發(fā)明的第七實施例在薄板狀保護膜上的突起的結(jié)構(gòu)的實例的分解平面視圖；附圖20A所示為根據(jù)本發(fā)明的第八實施例設置在第一實例中的薄板狀保護膜的橫向相對端上的突起之間的位置關系的側(cè)視圖；附圖20B所示為根據(jù)本發(fā)明的第八實施例設置在第一實例中的薄板狀保護膜的橫向相對端上的突起之間的位置關系的側(cè)視圖；附圖21A所示為根據(jù)本發(fā)明的第八實施例設置在第二實例中的薄板狀保護膜的橫向相對端上的突起之間的位置關系的側(cè)視圖；附圖21B所示為根據(jù)本發(fā)明的第八實施例設置在第二實例中的薄板狀保護膜的橫向相對端上的突起之間的位置關系的側(cè)視圖；附圖22所示為根據(jù)本發(fā)明的第九實施例在帶狀結(jié)構(gòu)的基膜的一個表面上形成的抗蝕膜的后烘干的剖視圖；附圖23所示為在附圖22中后烘干的過程中觀測到的溫度特性曲線圖；附圖24所示為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例類似于薄片狀的帶狀結(jié)構(gòu)的實例的平面視圖；附圖25所示為保護在附圖24中的類似于薄片狀的帶狀結(jié)構(gòu)的類似于薄片狀的薄板狀保護膜的實例的平面視圖；附圖26所示為類似于薄片狀的帶狀結(jié)構(gòu)的另一實例的平面視圖；和附圖27所示為保護在附圖26中的類似于薄片狀的帶狀結(jié)構(gòu)的類似于薄片狀的薄板狀保護膜的實例的平面視圖。
具體實施例方式
(第一實施例)從上面看在附圖1中的平面視圖所示為其中薄板狀保護膜31疊加在帶狀結(jié)構(gòu)21上的實例。帶狀結(jié)構(gòu)21用作本發(fā)明的第一實施例的受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)。薄板狀保護膜31保護帶狀結(jié)構(gòu)21。此外，附圖2所示為帶狀結(jié)構(gòu)21的相對端的剖面示意圖，它是沿附圖1中的X-X的剖面視圖。
帶狀結(jié)構(gòu)21是一種在由基膜22構(gòu)成的薄膜上的芯片，該基膜22是一種包括聚酰亞胺(PI)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的較長的薄板狀材料主體。多個互連圖形24形成在基膜22的至少一個表面上。此外，半導體芯片23每個都安裝在相應的互連圖形24上。允許用于運送的相應鏈輪銷插入在其中的多個輸送孔25在基膜22的縱向方向上以相等的間距形成在每個互連圖形24的橫向相對側(cè)上。此外，用于相應的半導體芯片23的定位標記26形成于在其上提供了互連圖形24的表面上。帶狀結(jié)構(gòu)21的寬度例如為35或48毫米。
附圖3所示為覆蓋帶狀結(jié)構(gòu)21的薄板狀保護膜31的相對端的實例的剖面示意圖，它是沿附圖1中的Y-Y的剖面圖。
薄板狀保護膜31由基膜32構(gòu)成，該基膜32是一種包括聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚酰亞胺(PEI)等的較長的薄板狀材料主體。通過壓印，突起33和34分別形成在基膜32的橫向相對端處的前表面和后表面上，并且在基膜32的縱向方向上以相等的間距交錯地設置。此外，用于靜電放電的導電層35和36包括具有碳或?qū)щ娋酆衔锏膶щ姌渲?，并且提供在除了形成有突?3和34的橫向相對端以外的基膜32的整個表面上。在這種情況下，形成單個導電層35和單個導電層36。然而，也可以形成兩個導電層35和兩個導電層36?？商鎿Q的是，可以形成導電層以分別覆蓋包括突起33和34的基膜32的整個前和后表面?？商鎿Q的是，導電層可以僅形成在基膜32的一個表面上。
薄板狀保護膜31可以覆蓋并保護基膜22，因為位于基膜32的橫向相對端上并沿縱向方向設置的突起33和突起34與帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22接觸。在這種情況下，由于突起33和34的高度的緣故形成在帶狀結(jié)構(gòu)21和薄板狀保護膜31之間的間隔37設置成使半導體芯片23和互連圖形24與薄板狀保護膜31不接觸。
如附圖4所示，每個突起33從基膜32的中心表面朝上凸伸。每個突起34從基膜32的中心表面朝下凸伸。從基膜32的端部表面看，每個突起33和34基本成梯形，并且在基膜32的端部側(cè)面上打開。因此，與梯形的頂部對應的每個突起33或34的上側(cè)分別構(gòu)成了與基膜32平行的冠狀部分33a或34a。冠狀部分33a和34a設置成與帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22接觸。間隙部分38形成在突起33和34之間以便與基膜32齊平。每個冠狀部分33a和34a具有與基膜22接觸的平面部分或者設置成每單元區(qū)域具有預定的接觸區(qū)域。
下文描述制造薄板狀保護膜31的方法的一種實例。首先，條帶狀導電層35和36分別提供在基膜的前和后表面的預定區(qū)域上，該基膜足夠?qū)捯员阈纬啥鄠€基膜32。然后，在導電層35和36之間切去基膜以形成多個基膜32，每個基膜32包括導電層35和36。最后，通過壓印將突起33和34形成在每個基膜32上。
如附圖5A、5B和5C所示，突起33和34每個都成梯形狀，其中冠狀部分33a或34a構(gòu)成了上底邊，并且比上底邊更長的基膜32構(gòu)成了下底邊。在突起33和34中，理想的是，將它們的每個都對應于上底邊的冠狀部分33a和34a的寬度W1設置成比對應于下底邊的寬度W2更小以便使壓印模容易脫模。這就是說，理想的是，對應于梯形的傾斜的側(cè)邊的突起33和34的側(cè)壁部分33b和34b以相對于基膜32小于90°的角度傾斜。在附圖5A、5B和5C中，省去了導電層35和36和端部側(cè)突起33和34。
在另一方面，為增加與帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22接觸的每個冠狀部分33a或34a的區(qū)域，理想的是，冠狀部分33a或34a的寬度W1與寬度W2的比率較大。此外，理想的是，使在相鄰的突起33和34之間的間距S與每個突起33或34的間隔P1以及在兩個突起33和33之間的間隔P2(＝在兩個突起33和34之間的間隔)的比率最小。
因此，對應于梯形的傾斜的側(cè)面的突起33和34的側(cè)壁部分33b和34b以相對于基膜32的角度θ1傾斜。可取的是，45°≤θ1≤88°，更為可取的是，83°≤θ1≤88°。
在這種情況下，如附圖1所示，薄板狀保護膜31的基膜32具有與要保護的帶狀結(jié)構(gòu)21的寬度基本相同的寬度。此外，在薄板狀保護膜31的基膜32的橫向相對端上，相同的突起33彼此相對地設置，并且相同的突起34彼此相對地設置。即，突起33和34線性對稱地設置。
與開口側(cè)相對著的突起33和34的側(cè)壁部分33c和34c以角度θ2傾斜。如果每個冠狀部分33a或34a的長度L1與寬度L1一樣大，則在冠狀部分33a或34a和帶狀結(jié)構(gòu)21之間可以保持足夠的接觸區(qū)域。帶狀結(jié)構(gòu)21形成有輸送孔25。因此，與帶狀結(jié)構(gòu)21具有基本相同的尺寸的薄板狀保護膜31在它的寬度方向上具有相對較大的間隔。因此，側(cè)壁部分33c和34c可以形成為足夠大以使壓印模容易脫模。即，角度θ2可以被設置成小于角度θ1?？扇〉氖?0°≤θ2≤75°。
考慮到在應用并形成導電層35和36時可能發(fā)生的不重合，在突起33或34和導電層35和36之間的間距具有適當?shù)拈L度。然而，可取的是使它最小，因為在導電層35和36延伸以足夠覆蓋相對的半導體芯片23和互連圖形24時希望產(chǎn)生足夠的靜電放電效應。適當?shù)卦O置每個突起33或34的高度H和每個冠狀部分33a或34a的大小。
如附圖3所示，在薄板狀保護膜31必須不僅保護包圍輸送孔25和定位標記26的基膜22的這些區(qū)域而且還要保護半導體芯片23和互連圖形24時，每個突起33或34的高度H必須足夠在受薄板狀保護膜31保護的帶狀結(jié)構(gòu)21容納在卷盤中時防止半導體芯片23和互連圖形24與薄板狀保護膜31接觸。
此外，如附圖6所示，如果帶狀結(jié)構(gòu)21不具有任何半導體芯片23，則每個突起33或34的高度H必須僅足夠在受薄板狀保護膜31保護的帶狀結(jié)構(gòu)21容納在卷盤中時至少防止互連圖形24與薄板狀保護膜31接觸。
基膜32的厚度例如為大約25至480微米，可取的是大約125至250微米。每個導電層35和36的厚度例如為大約2微米。如果帶狀結(jié)構(gòu)21的寬度為35毫米，則導電層35和36被設置成寬度為大約23毫米，突起33和34被設置成具有大約4.5毫米的長度L2。如果帶狀結(jié)構(gòu)21的寬度為48毫米，則導電層35和36的寬度被設置成大約36毫米，而突起33和34被設置成具有大約4.5毫米的長度L2。突起33和34被設置成具有大約3.98毫米的寬度W1、大約4.3毫米的寬度W2、大約0.16毫米的寬度W3和大約1.8毫米的高度H。突起33和34被設置成具有大約5.0毫米的間隔P1和大約10毫米的間隔P2。間隙部分38的寬度S設置在大約0.7毫米。
如附圖7所示，對從卷盤61輸送的基膜22進行互連圖形24的形成和其它的步驟，并最終形成為帶狀結(jié)構(gòu)21，然后朝卷盤62運送帶狀結(jié)構(gòu)21。在運送的過程中，通過滾筒64和65分別對著容納在卷盤63中的薄板狀保護膜31和容納在卷盤61中的帶狀結(jié)構(gòu)21擠壓完成的帶狀結(jié)構(gòu)21，以便帶狀結(jié)構(gòu)21的一個表面被薄板狀保護膜31覆蓋。來自滾筒64和65的薄板狀保護膜31組裝在帶狀結(jié)構(gòu)21上，如附圖3所示。然后在組裝的狀態(tài)下將薄板狀保護膜31容納在卷盤62中。在薄板狀保護膜纏繞在卷盤62上時，薄板狀保護膜31的導電層35和36中的至少一個與卷盤62的導電軸接觸。這個軸接地。因此，在運送的過程中保留在帶狀結(jié)構(gòu)21上的靜電通過薄板狀保護膜31釋放到卷盤62的軸。
如附圖8所示，如果在帶狀結(jié)構(gòu)21纏繞在卷盤62上時它疊加在薄板狀保護膜31上，則帶狀結(jié)構(gòu)21的預定部分的外部(附圖8的上側(cè))與位于組裝在帶狀結(jié)構(gòu)21的該部分上的薄板狀保護膜31的那個部分的里面(附圖8的下側(cè))上的突起34相接觸。此外，帶狀結(jié)構(gòu)21的這個部分的里面(附圖8的下側(cè))與位于組裝在帶狀結(jié)構(gòu)21的下一內(nèi)部部分上的薄板狀保護膜31的那一部分的外面上的突起33相接觸。通過這種方式，突起33和34將帶狀結(jié)構(gòu)21的相應的部分的基膜22的橫向相對端夾在它們自己之間。
因此，薄板狀保護膜31在垂直方向上將基膜22確定地支持在一平面上。因此，基膜22阻止了在它的寬度方向或縱向方向上相對于薄板狀保護膜31滑動。此外，薄板狀保護膜31不大可能在它們的寬度方向或縱向方向上彼此滑動。因此，半導體芯片23、互連圖形24或其它的部件都不與薄板狀保護膜31或卷盤接觸，由此防止了被損壞。
即使應用根據(jù)本實施例的薄板狀保護膜31，在它纏繞在卷盤62上時，薄板狀保護膜31的位于外部的部分具有與薄板狀保護膜31的位于內(nèi)部的部分的長度稍稍不同的長度。因此，在薄板狀保護膜31的位于外部的部分的內(nèi)部突起相對于在薄板狀保護膜31的縱向方向上在薄板狀保護膜31的位于內(nèi)部的部分上的外部突起可以稍稍不重合。
在這種情況下，例如如附圖9所示，在薄板狀保護膜的任何位于外部的部分上的每個內(nèi)部突起34的冠狀部分34a的部分，通過帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22的橫向相對端，而與在薄板狀保護膜的相應的位于內(nèi)部的部分上的每個相應外部突起33的冠狀部分33a的部分相接觸。這完美地防止了在薄板狀保護膜31上的位于外部的部分上的內(nèi)部突起34切入到在薄板狀保護膜31的位于內(nèi)部的部分上的相應的外部突起33中。
關于這方面，即使在薄板狀保護膜31的位于外部的部分上的突起33和34完美地與在薄板狀保護膜31的位于內(nèi)部的部分上的相應的突起33和34對齊，例如如附圖10所示，則位于外部的部分上的突起仍然不會顯著地使其進入位于內(nèi)部的部分上的突起中。
由于薄板狀保護膜31的位于外部的部分的長度稍稍不同于薄板狀保護膜31的位于內(nèi)部的部分的長度，因此突起34可以不對著基膜22鄰接突起33的冠狀部分33a的鄰接位置22a，如附圖10所示。然而，緊接著在鄰接位置22a之外，在基膜22鄰接突起34的冠狀部分34a的位置上設置一鄰接位置22b。類似地，突起33可以不對著鄰接位置22b。但是在鄰接位置22b的緊鄰之外設置鄰接位置22a。
具體地說，鄰接位置22a具有較大的支撐面，因為它是與基膜22接觸的表面而不是與基膜22接觸的點。因此，即使突起33不通過基膜22對著突起34的冠狀部分34a，類似地具有較大的支撐面的鄰接位置22b仍從垂直的相反方向支撐位于鄰接位置22a的兩外側(cè)上的基膜22。同樣地，鄰接位置22b具有較大的支撐面，因為它是與基膜22接觸的表面而不是與基膜22接觸的點。因此，即使突起34不通過基膜22對著突起33的冠狀部分33a，類似地具有較大的支撐面的鄰接位置22a仍從垂直的相反方向支撐位于鄰接位置22b的兩外側(cè)上的基膜22。
這樣，突起33和34的冠狀部分33a和34a以平衡的方式支撐著帶狀結(jié)構(gòu)21，該突起33和34交替地分別鄰接著鄰接位置22a和22b，該鄰接位置22a和22b都具有較大的支撐面。這就防止了負載局部集中在基膜22上。因此，基膜22不會如已有技術那樣發(fā)生波形變形。因此，半導體芯片23或互連圖形24不會被薄板狀保護膜31壓碎。
此外，薄板狀保護膜31本身不會顯著地插入到帶狀結(jié)構(gòu)21中。這就防止了薄板狀保護膜31的位于外部的部分在它們的寬度方向上和在它們彼此間隔的方向上相對于薄板狀保護膜31的相應的位于內(nèi)部的部分不重合。因此，薄板狀保護膜31和帶狀結(jié)構(gòu)21可以從最內(nèi)的一圈到最外的一圈適當?shù)乩p繞在卷盤62上。應用具有半球形突起的常規(guī)的薄板狀保護膜，在它纏繞在卷盤時，不僅在它們的縱向方向上而且在它們的寬度方向上都可能產(chǎn)生突起的不重合。在這種情況下，帶狀結(jié)構(gòu)的橫向相對端不僅可能波形變形，而且薄板狀保護膜的位于外部的部分在它們的寬度方向上和在它們彼此間隔的方向上還可能與薄板狀保護膜的相應的位于內(nèi)部的部分不重合。
如上文所述，本實施例的薄板狀保護膜31用于阻止在帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22的橫向相對端上的波形變形，在該帶狀結(jié)構(gòu)21上設置了輸送孔25和定位標記26。結(jié)果，可以避免妨礙通過形成在基膜22的橫向相對端上的輸送孔25的運送和形成在帶狀結(jié)構(gòu)的橫向相對端上的定位標記的光學讀取。此外，薄板狀保護膜31可以與帶狀結(jié)構(gòu)21一起正確地纏繞在卷盤63上，在它的寬度方向上不會發(fā)生不重合。這阻止了基膜32的橫向相對端與卷盤62的兩個凸緣的內(nèi)表面的摩擦。反過來這又能夠防止由摩擦引起的灰塵的產(chǎn)生。
此外，導電層35和36分別提供在薄板狀保護膜3 1的基膜32的除了其橫向相對端以外的整個前和后表面上，在它的橫向相對端上形成了突起33和34。因此，如果薄板狀保護膜31與凸緣的內(nèi)表面接觸，則導電層35和36不與帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22的橫向相對端或卷盤62的凸緣的內(nèi)表面摩擦。這阻礙了在導電層35和36中產(chǎn)生導電外來物。結(jié)果，可以防止這種導電外來物引起帶狀結(jié)構(gòu)21的短路。
(第二實施例)在第一實施例中，根據(jù)單行較長的帶狀結(jié)構(gòu)21已經(jīng)描述了薄板狀保護膜31。但是，本發(fā)明的薄板狀保護膜并不限于這種結(jié)構(gòu)。
例如，如在附圖11的第二實施例中所示，形成適合三行平行的帶狀結(jié)構(gòu)121的薄板狀保護膜131。帶狀結(jié)構(gòu)121與帶狀結(jié)構(gòu)21的材料和功能基本相同，除了基膜122由三行基膜33構(gòu)成并且用于運送的多個輸送孔123形成在基膜122的橫向相對端上且沿著基膜122的縱向方向以外。
薄板狀保護膜131包括具有材料與基膜32的材料和功能類似的材料和功能的基膜132。許多突起33和34沿基膜132的縱向設置。與導電層35和36類似的導電層135和136分別形成在與在帶狀結(jié)構(gòu)121的半導體芯片23和互連圖形24對應的區(qū)域中的薄板狀保護膜131的基膜132的前和后表面上。
如果帶狀結(jié)構(gòu)121的基膜122的寬度為158毫米，理想的是，薄板狀保護膜131設置成具有158毫米至162毫米的寬度，即稍稍大于帶狀結(jié)構(gòu)121的寬度。此外，在這種情況下，薄板狀保護膜131的基膜132的厚度設置成大于一行基膜32的厚度，即在一行基膜32的厚度大約為188微米時它被設置成大約250微米。每個導電層135或136的厚度和寬度分別大約為2微米和大約150毫米?，F(xiàn)在，參考附圖5進行描述。突起33和34具有大約5.7毫米的長度L2、大約3.98毫米的寬度W1、大約4.3毫米的寬度W2、大約0.16毫米的寬度W3和大約1.8毫米的高度H。突起33和34的間距P1和P2分別設置為大約5.0毫米和10.0毫米。間隙部分的寬度S設置為大約0.7毫米。
突起33和34僅提供在基膜132的橫向相對端上。然而，它們也可以提供在基膜132上每行輸送孔的附近中并沿著基膜132的縱向方向，除非它們與半導體芯片23或互連圖形24接觸。
(第三實施例)在第一和第二實施例中，從基膜32的端部表面上看時，在薄板狀保護膜31上的突起33和34具有相同的形狀和間距，例如如附圖1和4所示。但是，本發(fā)明的薄板狀保護膜并不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，如附圖12所示，突起42至51具有相同的高度，但從薄板狀保護膜41的端部表面看，突起42至51的形狀和冠狀部分42a至51a的寬度可以至少部分彼此不同。
薄板狀保護膜41被設計成在縱向方向上反復連續(xù)地設置單元，如附圖12中從左至右所示，每個單元由在一個表面上的第一突起42、在另一表面上的第一突起43、在一個表面上的第二突起44、在另一表面上的第二突起45、在一個表面上的第三突起46、在另一表面上的第三突起47、在一個表面上的第四突起48、在另一表面上的第四突起49、在一個表面上的第五突起50和在另一表面上的第五突起51構(gòu)成。在這種情況下，在突起42至51的每相鄰的兩個突起之間形成間隙部分。
突起42和43中的每個突起從端部表面?zhèn)瓤椿緸樘菪?，在梯形的底部表面上的每個角度設置為θ。此外，突起42至51的每個相鄰的兩個突起以交替的相對的方向上從基膜的表面凸伸。此外，所有的突起具有高度H，每個冠狀部分的表面設置成與基膜22的表面平行，即平行于基膜52的表面。在附圖12中，省去了對導電層35和36的說明。
在這種情況下，如附圖12所示，例如在薄板狀保護膜41的一個單元的長度為50毫米時，距離P42至P51(即在對應的突起的相應側(cè)面上的間隙部分38的中心之間的距離)分別設置為3毫米、3毫米、6毫米、6毫米、4毫米、4毫米、7毫米、7毫米、5毫米和5毫米。每個間隙部分38的大小設置為0.7毫米。此外，冠狀部分42a至51a的寬度分別設置為2.08毫米、2.08毫米、5.08毫米、5.08毫米、3.08毫米、3.08毫米、6.08毫米、6.08毫米、4.08毫米和4.08毫米。
應用在附圖1中所示的結(jié)構(gòu)，在纏繞在卷盤62上的薄板狀保護膜31上的突起33和34使其冠狀部分33a和34a彼此相對以便通過帶狀結(jié)構(gòu)21彼此完美地疊加時負載最均勻地施加在帶狀結(jié)構(gòu)21上，如附圖8所示。因此，可以使帶狀結(jié)構(gòu)21的變形最小。然而，如果冠狀部分33a和34a彼此完全不重合，則帶狀結(jié)構(gòu)21可能稍稍變形。
在這方面，如附圖13A和13B所示，外部突起33的一個冠狀角部33d相對于相應的內(nèi)部突起34的位置限制于間距P2內(nèi)。然后，僅在冠狀角部33d沒有疊加在突起34的一個冠狀角部部分34e上時觀測的突起33的冠狀角部33d的位置和在突起33的其它冠狀角部33e沒有疊加在突起34的其它的冠狀角部34d上時觀測的突起33的冠狀角部33d的位置之間的距離G內(nèi)，外部突起33的冠狀部分33a相對于相應的突起34的冠狀部分34a完全不重合。
然而，突起33和34的間距P1和P2在薄板狀保護膜31的縱向方向上總是均勻的。因此，如果在任何外部突起33的冠狀部分33a和相應的突起34的冠狀部分34a之間的總的不重合是由纏繞在卷盤周圍的薄板狀保護膜31的直徑上的變化引起的間隙產(chǎn)生，則這種不重合在薄板狀保護膜31的縱向方向上連續(xù)地傳播。
在附圖12所示的第三實施例中，某些突起具有不同的間隔。因此，即使在薄板狀保護膜41上的任何外部部分上的突起43通過帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22與在薄板狀保護膜41的相應的內(nèi)部部分上的突起51相對以便外部突起43不通過基膜22與任何其它的突起相接觸，例如如附圖15所示，在薄板狀保護膜41上的外部部分的突起45通過帶狀結(jié)構(gòu)的基膜22與薄板狀保護膜41的內(nèi)部部分上的突起44相接觸。
這樣，在至少某些突起具有不同的間距P1和P2或者至少突起的某些冠狀部分具有不同的寬度時，某些突起可以彼此相對地放置并在表面上彼此相接觸以避免使基膜22松脫。這就防止了不能同時從兩側(cè)支撐基膜22的區(qū)域的連續(xù)縱向結(jié)構(gòu)。因此，基膜22更不可能變形。在附圖14中，省去了導電層35和36和半導體芯片23或互連圖形24的說明。
在這種情況下，在具有相同的長度的一對突起之前和之后，比如具有間隔P46和P47的第三突起對46和47，設置具有相對間距P46和P47更大不同的間距P44、P45和P48、P49的突起對(第二突起44和45和第四突起48和49)，這種設置比下面的設置方式更為可取在上述的突起對之前和之后，設置具有與間距P46和P47相差不大的間距的突起對(第一突起42和43和第五突起50和51)。
在第三實施例中，每對相鄰的突起(即突起對42和43、突起對44和45、突起對46和47、突起對48和49或突起對50和51)以相等的間距和相等的冠狀部分寬度設置。然而，每對突起不必彼此相鄰，只要這些突起的冠狀部分具有相等的高度并使它們的表面與基膜52的表面平行即可。此外，這些突起不必形成一對或者對數(shù)不必是5。
如附圖6所示的、在其上沒有安裝半導體芯片23的帶式輸送器包裝也可適用于第三實施例。薄板狀保護膜可以疊加在這種帶式輸送器包裝上。
(第四實施例)在第一至第三實施例中，使用基本梯形的突起，在這種梯形中對應于基膜的下底邊比對應于冠狀部分的上底邊更長，以便壓印模容易脫模。但是，為增加冠狀部分的接觸區(qū)域，具有基本矩形的突起73和74的薄板狀保護膜71可使用，如在附圖15A、15B和15C中的本發(fā)明的第四實施例所示。應該理解的是突起73和74的冠狀部分73a和74a的表面分別與基膜72的表面平行。因為上底邊比下底邊更長，所以冠狀部分的接觸區(qū)域可以增加。因此，可以更加穩(wěn)定地保護帶狀結(jié)構(gòu)21而不會變形。側(cè)壁部分73c和74c的表面與基膜72的表面正交。然而，不必要求這種正交性。在附圖15中省去了對導電層35和36的說明。
(第五實施例)在第一至第四實施例中，冠狀部分構(gòu)成了平滑表面。然而，如附圖16A、16B和16C中本發(fā)明的第五實施例所示，通過使用具有形成在薄膜82的相應表面上的多個突起83和84的基膜82的薄板狀保護膜81，可以將帶狀結(jié)構(gòu)21的基膜22基本支撐在平面上，突起83和84分別具有觸點83f和84f，該觸點83f和84f分別形成在突起83和84的冠狀部分83a和84a上并呈矩陣設置以便與帶狀結(jié)構(gòu)二維接觸。每個側(cè)壁部分83c或84c的表面與基膜82的表面不正交，但它們也可以是正交的。在附圖16A、16B、16C和16D中省去了對導電層35和36的說明。
從基膜22的中心起在它的厚度方向上到觸點83f和84f的高度H2相同。高度H2大于從基膜22的中心起在它的厚度方向上到每個觸點83a和84a的高度H1。因此，如附圖17所示，在突起83上的多個觸點83f可以基本上二維地與基膜22接觸以穩(wěn)定地夾緊帶狀結(jié)構(gòu)21。這就阻止了帶狀結(jié)構(gòu)21相對于薄板狀保護膜81移動，并且類似地阻止了薄板狀保護膜81彼此相對移動。因此，在薄板狀保護膜81之間帶狀結(jié)構(gòu)21不大可能被壓碎和變形。此外，帶狀結(jié)構(gòu)21可以適當?shù)乩p繞而不經(jīng)常地與薄板狀保護膜81或帶狀結(jié)構(gòu)21的其它部件摩擦。在附圖17中省去了對半導體芯片23和互連圖形24的說明。
在第一至第四實施例中，突起的冠狀部分基本為矩形。然而，它可以是任何四邊形、多邊形或其它的形狀。同樣地，從基膜的側(cè)面看突起基本為梯形。但是本發(fā)明并不限于這種形狀。
(第六實施例)例如，如在附圖18中的本發(fā)明的第六實施例所示，從基膜101的一個表面?zhèn)瓤赐黄?00可以是U-形。具體地說，與基膜的端部表面相對的突起100的冠狀部分100a的部分是半圓形。與基膜32的端部表面相對的突起100的側(cè)壁部分100c是半圓弧形。突起100的尺寸與例如在附圖5B和5C中所示的尺寸基本相同。即，突起100被設置成具有大約4.5毫米的長度L2、大約3.98毫米的寬度W1和大約4.3毫米的寬度W2。冠狀部分100a的半圓形部分被設置成具有大約1.99毫米的半徑R1(＝W1/2)。側(cè)壁部分100c被設置成具有大約2.15毫米的半徑R2(＝W2/2)。
如果突起100由此為U-形，則半圓形側(cè)壁部分100c到線性側(cè)壁部分100b的連接在半圓形側(cè)壁部分100c的切線方向上延伸。相反，在附圖5B中，側(cè)壁部分33c和側(cè)壁部分33b幾乎垂直地交叉。結(jié)果，如果突起為U-形，與在附圖5A、5B和5C中所示的結(jié)構(gòu)相比，可以更大容易地使模具脫模。此外，突起100具有基本均勻的厚度。因此，在壓印之后，殘留較小的應力，由此防止了突起100的角部斷裂。即，突起100更加成功地抗沖擊。此外，由于冠狀部分100a與基膜101的端部表面相對的部分的外周邊是半圓形，因此這種半圓形部分與帶狀結(jié)構(gòu)的基膜點接觸。這就使帶狀結(jié)構(gòu)的基膜不大可能被損壞。
(第七實施例)此外，如在附圖19中的本發(fā)明的第七實施例所示，從基膜101的一個表面?zhèn)瓤赐黄?00可以基本為半圓形。突起100的尺寸與在附圖18中的突起的尺寸基本相同。即，突起100被設置成具有大約3.98毫米的寬度W1和大約4.3毫米的寬度W2。冠狀部分100a的半圓形部分被設置成具有大約1.99毫米的半徑R1(＝W1/2)。側(cè)壁部分100c被設置成具有大約2.15毫米的半徑R2(＝W2/2)。
如果突起100由此基本為半圓形，則可獲得如在附圖18中所示的實例中類似的效果。這種形狀也可用于增加突起100在基膜101的寬度方向上的兩側(cè)上的間距。因此，例如如附圖3所示，可以增加在其中形成互連圖形24的帶狀結(jié)構(gòu)21的該區(qū)域的寬度。
在第一至第六實施例中，相同突起33設置在薄板狀保護膜31的基膜32的橫向相對端上以便彼此相對地直立，而同時相同突起34設置在基膜32的橫向相對端上以便彼此相對地直立，例如如附圖1所示。然而，本發(fā)明并不限于這些。在不同的方向上凸伸的冠狀部分的突起(比如突起33和34)可以彼此相對地設置?？商鎿Q的是，不同形狀的突起可以彼此相對地設置。此外，在一個橫向端部上形成的突起每個都可以與在另一端部上形成的多個突起之間形成的間隙部分38相對地設置，而不是對著在另一端上的突起中的一個。即，該突起可以非對稱地設置。
(第八實施例)例如，如在附圖20A和20B中的本發(fā)明的第八實施例的第一實例所示，在薄板狀保護膜的一個橫向端上形成的突起33A和34A相對于在另一橫向端上形成的相應的突起33B和34B可以平移1/2間距?？商鎿Q的是，如在附圖21A和21B中本發(fā)明的第八實施例的第二實例所示，在薄板狀保護膜的一個橫向端上形成的突起33A和34A相對于在另一橫向端上形成的相應的突起33B和34B可以平移1/4間距。
在這種情況下，如果在薄板狀保護膜的一個橫向端上形成的突起33A和34A相對于在另一橫向端上形成的相應的突起33B和34B平移的量小于1/4間距或大于3/4間距，則所得的結(jié)構(gòu)類似于在附圖1中所示的結(jié)構(gòu)。因此，為獲得與根據(jù)在附圖12中所示的第三實施例的薄板狀保護膜41的效果類似的效果，優(yōu)選的平移量大約為1/4至3/4間距，更為優(yōu)選的是大約1/2間距。
(第九實施例)為形成在附圖2中所示的帶狀結(jié)構(gòu)21上的互連圖形24，在基膜22的頂部表面上層疊的銅箔的頂部表面上對蝕刻抗蝕膜進行構(gòu)圖。然后，使用蝕刻抗蝕膜作為掩模實施蝕刻以形成互連圖形24。此外，在互連圖形24已經(jīng)形成之后并在安裝半導體芯片23之前，焊接抗蝕膜可以形成在除了安裝有半導體芯片23的區(qū)域以外的包括互連圖形24的基膜22的頂部表面的預定區(qū)域上。
在這種方式中，在基膜的預定的區(qū)域上可以對包括有機膜的抗蝕膜(比如蝕刻抗蝕膜或者焊接抗蝕膜)進行構(gòu)圖。通常通過順序地執(zhí)行如下的步驟形成這種抗蝕膜抗蝕劑施加、預焙烘、暴露、顯影和后焙烘。在這種情況下，執(zhí)行預焙烘操作以將在抗蝕膜中包含的溶劑蒸發(fā)。執(zhí)行后焙烘操作以改善附著力、耐化學性、耐熱性和抗蝕膜的電絕緣特性。
在這種情況下，與本發(fā)明的第九實施例一樣，下文將描述這樣的情況已經(jīng)進行顯影步驟的基膜22連同薄板狀保護膜31一起纏繞在卷盤的周圍，并且然后執(zhí)行后焙烘步驟。首先，如附圖22所示，根據(jù)本發(fā)明已經(jīng)進行了顯影步驟的基膜22連同薄板狀保護膜31一起纏繞在卷盤62的周圍。卷盤62的一個凸緣62a的中心和外部周邊設置在加熱設備110(比如烘箱或爐子)中的支撐部分111上。在這種情況下，由熱電偶等構(gòu)成的溫度傳感器附著在纏繞在卷盤62的周圍的基膜22的一個表面上并處于在其中纏繞基膜22的方向上在基膜22的中心的如下的三個位置上在它的寬度方向上的底部A、中心B和頂部C。
然后，將惰性氣體引入到加熱設備110中。在惰性氣體環(huán)境中，將溫度增加到120°的設定值。附圖23所示為結(jié)果。在附圖23中，帶有黑色方形的實線表示根據(jù)本發(fā)明的卷盤的底部A的溫度。帶有黑色三角的實線表示根據(jù)本發(fā)明的中心B的溫度。帶有黑色圓圈的實線表示根據(jù)本發(fā)明的卷盤的頂部C的溫度。此外，為了進行比較，使用具有半球形突起的常規(guī)薄板狀保護膜實施與上文類似的實驗。獲得了在附圖23中以虛線所示的結(jié)果。在附圖23中，具有白色方形的虛線表示常規(guī)的卷盤的底部A的溫度。白色三角的虛線表示常規(guī)的卷盤的中心B的溫度。具有白色圓圈的虛線表示常規(guī)卷盤的頂部C的溫度。
從附圖23中可以清楚地看出，應用已有技術，如三條虛線表示，溫度以三種方式增加。即，達到所設定的120℃的溫度所要求的時間在具有白色圓圈的虛線(常規(guī)的卷盤的頂部C的溫度)的情況下大約為40分鐘，在具有白色方形的虛線(常規(guī)的卷盤的底部A的溫度)的情況下大約為90分鐘甚至更多。因此，在這些時間之間的差值大約為50分鐘或更多。
相反，根據(jù)本發(fā)明，如三條實線所示，溫度以幾乎相同的方式增加。達到120℃的設定溫度所要求的時間在所有的情況下大約均為40分鐘。
下文討論為什么得到這些結(jié)果的原因。根據(jù)本發(fā)明，與薄板狀保護膜31一起纏繞在卷盤62上的帶狀結(jié)構(gòu)的基膜22與除了突起的區(qū)域以外的整個薄板狀保護膜31分開預定的間隔，而不發(fā)生波形變形。因此，帶狀結(jié)構(gòu)的基膜22在沿著它的寬度方向上都基本均勻地被加熱。相反，根據(jù)已有技術，與薄板狀保護膜一起纏繞在卷盤上的帶狀結(jié)構(gòu)的基膜發(fā)生波形變形。因此，帶狀結(jié)構(gòu)的基膜在它的寬度方向上非均勻地加熱。
結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在大約40分鐘的較短的時間內(nèi)可以基本均勻地完全熟化提供在帶狀結(jié)構(gòu)的基膜22的一個表面上的抗蝕膜。相反，根據(jù)已有技術，僅可以非均勻地完全熟化提供在帶狀結(jié)構(gòu)的基膜的一個表面上的抗蝕膜，即使花費大約90分鐘或更長的較長的時間進行完全熟化。此外，根據(jù)本發(fā)明冷卻特性基本均勻，但根據(jù)已有技術是非均勻的。因此，本發(fā)明實現(xiàn)了均勻加熱和冷卻特性。因此，在完成處理之后，抗蝕膜具有基本均勻的特性。
(其它的實施例)
如果互連圖形24(和半導體芯片23)僅形成在帶狀結(jié)構(gòu)的基膜的一個表面上，則突起可以僅形成在提供有互連圖形24的帶狀結(jié)構(gòu)的基膜的該表面上。這形成了間隔37，該間隔37起到防止薄板狀保護膜與互連圖形24(和半導體芯片23)接觸的作用。
此外，在上述的實施例中，在相同的端部上形成的多個突起之間形成了間隙部分38。因此，在帶狀結(jié)構(gòu)纏繞在卷盤上時，在突起之間的間隙部分38撓曲或者在間隙部分38和突起之間的根部彎曲以使薄板狀保護膜的基膜易于沿卷盤62彎曲。但是，為增加帶狀結(jié)構(gòu)的基膜與薄板狀保護膜的冠狀部分相接觸的區(qū)域的比率，在相鄰突起之間的側(cè)壁部分可以形成為連續(xù)的，而不是形成間隙部分38。此外，在上述的實施例中，間隙部分38具有相等的寬度。但是，通過至少使間隙部分38的某些間隙部分具有所要求的不同的寬度，可以獲得與第三實施例的薄板狀保護膜相同的效果，如附圖12所示。
此外，在上述的描述中，為一滾筒一滾筒地執(zhí)行制造步驟，在較長的帶狀結(jié)構(gòu)纏繞在卷盤上時它疊加在較長的薄板狀保護膜上。然而，本發(fā)明并不限于這些方面。例如，可以裝運卷盤，在該卷盤的周圍纏繞較長的帶狀結(jié)構(gòu)以便疊加在較長的薄板狀保護膜上。此外，在制造片狀產(chǎn)品時，帶狀薄片結(jié)構(gòu)可以疊加在帶狀薄片結(jié)構(gòu)上。此外，還推薦傳送和裝運其中形狀類似于薄片的多個帶狀結(jié)構(gòu)和形狀類似于薄片的多個薄板狀保護膜交替地層疊在一起的產(chǎn)品。
在帶狀薄片結(jié)構(gòu)和薄板狀薄片保護膜彼此疊加時，如果帶狀結(jié)構(gòu)具有相對較小的尺寸，例如大約5×5厘米，則在相應尺寸的薄板狀保護膜的兩個相對的側(cè)面上分別形成突起?？商鎿Q的是，突起可以形成在薄板狀保護膜的四個側(cè)面上。在這種情況下，突起可以是線性對稱或非線性對稱地形成在兩個相對的側(cè)面上。
此外，如附圖24所示，如果帶狀薄片結(jié)構(gòu)141具有相對較大的尺寸，例如100×100厘米，最終的方形產(chǎn)品表面142設置在帶狀結(jié)構(gòu)141的除了它的四個側(cè)面以外的整個表面上，即在它的中心、兩行和兩列上以便彼此間隔開，然后突起144和145可以形成在具有相應的尺寸的薄板狀薄片保護膜的四個側(cè)表面上和在對應于最終的產(chǎn)品表面142之間的、并以兩行和兩列設置的十字形間隙的表面上。
在附圖25所示，以實線所示的突起44從薄板狀保護膜143的頂部表面凸伸。在另一方面，以虛線所示的突起145從薄板狀保護膜143的底部表面凸伸。在這種情況下，突起144和145可以線性對稱或非線性對稱地提供在薄板狀保護膜143的兩個相對的側(cè)面上。此外，突起144和145可以具有相同的平面尺寸?？商鎿Q的是，以十字形設置的突起144和145具有比設置在四個側(cè)面上的突起144和145更小的平面尺寸。
此外，如附圖26所示，如果帶狀薄片結(jié)構(gòu)141具有相對大的尺寸，100×100厘米，并且基本為S-形的最終產(chǎn)品區(qū)域142設置在除了它的四個側(cè)面以外的帶狀結(jié)構(gòu)141的整個區(qū)域上，即在它的中心、四行和兩列上以便彼此間隔開，然后例如附圖27所示，突起144和145可以線性地提供在四個側(cè)面和薄板狀薄片保護膜143的列式中心，并且具有相應的尺寸。突起144和145可以進一步形成在每個位于對應于行的方向上設置的基本S-形最終產(chǎn)品表面之間的基本S-形間隙的薄板狀保護膜143的那些區(qū)域上。
在附圖27，以實線所示的突起144從薄板狀保護膜143的頂部表面凸伸。在另一方面，以虛線所示的突起145從薄板狀保護膜143的底部表面凸伸。在這種情況下，突起144和145可以線性對稱或非線性對稱地形成在薄板狀保護膜143的兩個相對側(cè)上。此外，突起144和145可以具有相同的平面尺寸?？商鎿Q的是，以基本S-形設置和以列式中心設置的突起144和145的平面尺寸比在四個側(cè)面設置的突起144和145的平面尺寸更小?？商鎿Q的是，僅以基本S形設置的突起144和145的平面尺寸比其它的突起144和145的平面尺寸更小。
可以僅僅將互連圖形設置在帶狀結(jié)構(gòu)的基膜上。此外，可以僅僅將半導體芯片安裝在互連圖形上。此外，電子部件比如電容器、電阻器和線圈可以安裝在互連圖形上。
其它的優(yōu)點和改進對于本領域的普通技術人員是顯然的。因此，從更寬的方面講本發(fā)明并不限于在此所示出并描述的具體細節(jié)和有代表性的實施例。因此，在不脫離如附加的發(fā)明保護范圍和它們的等效方案所界定的一般發(fā)明原理的精神和范圍的前提下可以作出各種改進。
權(quán)利要求
1.一種薄板狀保護膜(31)，包括保護受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)的薄板狀材料主體(32)，其特征在于突起(33，34)連續(xù)地設置在薄板狀材料主體的預定區(qū)域上以便從主體延伸，每個突起(33，34)具有冠狀部分(33a，34a)和包圍該冠狀部分的側(cè)壁部分，該冠狀部分(33a，34a)的一個表面與受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)的主表面基本平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述冠狀部分(33a，34a)的表面是平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述冠狀部分(33a，34a)具有多個觸點。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述側(cè)壁部分是傾斜的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述多個突起(33，34)的冠狀部分(33a，34a)從薄板狀材料主體(32)的主表面上在不同的方向上凸伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于多個突起(33，34)包括從薄板狀材料主體(32)的一個表面凸伸的第一突起(33)和從薄板狀材料主體(32)的其它表面凸伸的第二突起(34)，該第一和第二突起(33，34)沿設置該突起(33，34)的方向交錯地設置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述多個突起(33，34)在設置突起(33，34)的方向上具有相等的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述多個突起(33，34)在設置突起(33，34)的方向上具有不同的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述多個突起(33，34)是線性對稱地設置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述多個突起(33，34)是非線性對稱地設置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于在上述多個突起(33，34)之間形成間隙部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于多個間隙部分中的某些間隙部分具有相等的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于多個間隙部分中的某些間隙部分具有不同的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于從薄板狀材料主體(32)的端部表面?zhèn)瓤磿r，突起(33，34)基本為梯形。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于從薄板狀材料主體(32)的一個表面?zhèn)瓤磿r，突起(33，34)為U-形。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于從薄板狀材料主體(32)的一個側(cè)面看時，突起(33，34)基本為半圓形。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)包括互連圖形(24)，以便薄板狀材料主體(32)的預定的區(qū)域沒有疊加在互連圖形(24)上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)包括互連圖形(24)和電子部件(23)，以便薄板狀材料主體(32)的預定的區(qū)域不疊加在互連圖形(24)或電子部件(23)上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于電子部件(23)是半導體芯片。
20.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于薄板狀材料主體(32)足夠長以保護同樣較長的受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)包括輸送孔(25)以便薄板狀材料主體(32)的預定的區(qū)域在輸送孔(25)的附近。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)在它的橫向相對端上包括輸送孔(25)，以及薄板狀材料主體(32)的預定的區(qū)域是薄板狀材料主體(32)的橫向相對端。
23.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于薄板狀材料主體(32)是片狀以便保護同樣是片狀的受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于薄板狀材料主體(32)的預定區(qū)域是薄板狀材料主體(32)的兩個相對的側(cè)面區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于薄板狀材料主體(32)的預定區(qū)域是薄板狀材料主體(32)的至少四個側(cè)面區(qū)域。
26.一種薄板狀保護膜(31)，包括保護較長的受保護的薄板狀材料結(jié)構(gòu)(21)的較長的薄板狀材料主體(32)，其特征在于導電層(35)至少形成在薄板狀材料主體(32)除了它的橫向相對端以外的區(qū)域上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的薄板狀保護膜(31)，其特征在于上述導電層(35)形成在薄板狀材料主體(32)的相應的表面上。
全文摘要
突起(33，34)分別形成在薄板狀保護膜(31)的橫向相對端處的前和后表面上。每個突起在從薄板狀保護膜(31)的端部表面?zhèn)壬峡椿緸樘菪?。即使在薄板狀保護膜(31)纏繞在卷盤上時突起(33)與突起(34)不重合，在薄板狀保護膜(31)的位于外部的部分上的每個內(nèi)部突起(34)的冠狀部分(34a)的部分通過帶狀結(jié)構(gòu)(21)的基膜(21)的橫向相對端與在薄板狀保護膜(31)的位于內(nèi)部的部分上的相應的外部突起(33)的冠狀部分(33a)的部分鄰接。這就防止了帶狀結(jié)構(gòu)(21)的基膜(22)的橫向相對端發(fā)生波形變形。
文檔編號B32B3/30GK1469425SQ03148978
公開日2004年1月21日 申請日期2003年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月5日
發(fā)明者佐野公彥, 土居滝男, 吉村正, 男 申請人:卡西歐邁克羅尼克斯株式會社, 株式會社松本制作所