工藝條件不同，一般SiC14和GeC14蒸發(fā)柜7需要安裝在與設(shè)備本體較近的位置，普通的工藝氣體的氣柜6可以安裝在與設(shè)備本體較遠的位置。
[0038]實際上，本實施例的布置VAD和OVD的方法，包括以下流程:
[0039]第一步:設(shè)計一個多樓層的廠房，沉積塔架的基座安裝在廠房一樓，塔架從下到上依次穿過各個樓層的預(yù)留洞口并最終達到廠房樓頂附近。
[0040]第二步:沉積塔架對應(yīng)一個樓層之間的空間只掛裝一個VAD或OVD的設(shè)備本體，設(shè)備本體從一樓至頂樓成螺旋狀依次掛裝到沉積塔架上。
[0041]第三步:VAD和OVD的輔助設(shè)備安裝在對應(yīng)的設(shè)備本體的樓層并環(huán)繞在沉積塔架周圍。
[0042]在本【具體實施方式】中，僅以一臺塔架掛裝四臺VAD設(shè)備配置設(shè)計方式為例進行說明。
[0043]在廠房設(shè)計時，將廠房設(shè)計成四個樓層，一樓到三樓每個樓層高度設(shè)計為比VAD沉積腔體4高50cm左右。比如，如果沉積腔體4高度為250cm，則樓層高度設(shè)計為300cm。頂樓(四樓)由于在豎直方向上需要同時布置第四臺VAD設(shè)備的沉積腔體4和預(yù)制棒提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)3，所以其樓層高度需要設(shè)計為700cm左右。
[0044]在設(shè)備安裝過程中，沉積塔架I安裝在一樓的塔架基礎(chǔ)上，然后從下至上依次穿過各個樓層樓板2的預(yù)留洞口 5直至四樓樓頂附近。每臺沉積塔架I在各樓層的空間內(nèi)只掛裝一臺VAD設(shè)備的沉積腔體4，各個沉積腔體4的安裝方位從一樓到四樓成螺旋狀分布。
[0045]如一樓沉積腔體4安裝在沉積塔架I的東面，二樓安裝在北面，三樓安裝在西面，四樓安裝在南面。VAD設(shè)備的預(yù)制棒提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)3需要穿過各樓層樓板2的預(yù)留洞口 5，預(yù)留洞口 5的直徑必須大于30cm，以便沉積結(jié)束后疏松體預(yù)制棒能夠從洞口 5取出。
[0046]VAD設(shè)備沉積腔體4占用沉積塔架I的一個方位，其輔助設(shè)備成u型分布在沉積塔架I的其他三個方位，但輔助設(shè)備不能安裝在塔架I上，只能安裝在樓層樓板2上。一般而言，比較重要的SiC14和GeC14蒸發(fā)柜7需要安裝在與沉積腔體4相鄰的位置，工體氣體氣柜6和電柜8可以安裝在較遠的位置。由于這種設(shè)計合理的使用了樓面空間，所以各塔架之間的距離(圖2)可以設(shè)計的比較緊湊，如500cm左右。
[0047]本發(fā)明的這種設(shè)計，在實際生產(chǎn)過程中各臺VAD設(shè)備的生產(chǎn)及設(shè)備維護活動相互獨立，不會產(chǎn)生干擾。例如，一樓的VAD設(shè)備在進行疏松體預(yù)制棒的沉積過程中，二樓的VAD設(shè)備可以進行其設(shè)備維護工作。由于沉積塔架I的剛度和強度設(shè)計的足夠高，所以在二樓維護沉積腔體4和預(yù)制棒提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)3時其不會產(chǎn)生過大的晃動和振動，也就不會對一樓的沉積活動產(chǎn)生影響。
[0048]實施例2
[0049]如圖1中所示，本實施例中公開了一種布置VAD和OVD的設(shè)備及其方法，其設(shè)計方案主要為:一個多樓層的廠房和由下到上貫穿于各個樓層的沉積塔架1，上述沉積塔架I的基座設(shè)置在上述廠房的一樓，上述沉積塔架I的頂部達到上述廠房的樓頂?shù)唇佑|到樓頂，上述沉積塔架I在每個樓層的空間中掛裝一個VAD或OVD的設(shè)備本體4，上述設(shè)備本體4從一樓至頂樓成斜對稱排布方式掛裝到上述沉積塔架I上；VAD或OVD的輔助設(shè)備安裝在對應(yīng)的VAD或OVD的設(shè)備本體的樓層上，且VAD或OVD的輔助設(shè)備環(huán)繞上述沉積塔架I周圍。
[0050]還設(shè)置有用于預(yù)制棒沉積過程中提升預(yù)制棒的提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)3，每個設(shè)備本體對應(yīng)一臺提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，每個上述提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)貫穿兩層樓；在本實施例中，上述設(shè)備本體為VAD設(shè)備的沉積腔體4。
[0051]實施例2與實施例1中一樣，以四層樓廠房為例，其中，一樓到三樓每個樓層的高度比上述沉積腔體高50cm ;頂樓的高度至少5m，其它樓層的高度為3m ;每層樓層的樓板均設(shè)有預(yù)留洞口，上述預(yù)留洞口恰好供上述沉積塔架穿過。
[0052]上述VAD或OVD的輔助設(shè)備包括以下幾種:氣柜6、SiCl# GeCl 4蒸發(fā)柜7、電柜8和操作計算機。并且，上述SiCljP GeCl 4蒸發(fā)柜7設(shè)置在VAD或OVD的設(shè)備本體相鄰的位置。
[0053]實施例2中其它與實施例中一致。
[0054]本發(fā)明的方法提高了單位面積土地的使用效率，由于本發(fā)明中設(shè)備本體的布置思路從常規(guī)的橫向布置轉(zhuǎn)換為了縱向布置的設(shè)計，所以單位土地面積上可以安裝的設(shè)備數(shù)量得到大幅度的增加，從而提高了土地的使用效率，最終降低的預(yù)制棒的生產(chǎn)成本。
[0055]本發(fā)明的方法提高了沉積塔架的使用效率，降低了一次性固定資產(chǎn)的投入。由于同一臺沉積塔架上掛裝了多臺VAD和OVD設(shè)備；而且，在塔架的一部分長度范圍內(nèi)，一個側(cè)面上掛裝了一臺設(shè)備的本體，另一個側(cè)面則掛裝了另一臺設(shè)備的提升機構(gòu)，大幅度提高了沉積塔架的使用效率，降低了在沉積塔架方面的固定資產(chǎn)投入。
[0056]本發(fā)明的方法提高了廠房樓面的使用效率。通過合理配置，VAD和OVD設(shè)備本體及其輔助設(shè)備相對均勻的環(huán)繞分布在沉積塔架的周圍，這樣可以減少沉積塔架之間的距離，從而提高廠房樓面的使用效率。同時，由于VAD和OVD設(shè)備本體及其輔助設(shè)備安裝在同一樓層，既節(jié)約了設(shè)備之間連接管道、通信線纜等材料的使用，也便于后期設(shè)備問題的排查及維護。
[0057]本發(fā)明的方法提高了潔凈區(qū)域的使用效率。因為VAD和OVD設(shè)備必須在嚴格控制的潔凈度、溫度和濕度環(huán)境下進行生產(chǎn)，所以潔凈區(qū)域的運行和維護費用很高。本發(fā)明通過設(shè)備本體的縱向布置設(shè)計及輔助設(shè)備在對應(yīng)樓層的合理分布，最大可能性的使用了潔凈區(qū)域的有效空間，從而降低的預(yù)制棒的生產(chǎn)成本。
[0058]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其包括一個多樓層的廠房和由下到上貫穿于各個樓層的沉積塔架，所述沉積塔架的基座設(shè)置在所述廠房的一樓，所述沉積塔架的頂部達到所述廠房的樓頂?shù)唇佑|到樓頂，其特征在于，所述沉積塔架在每個樓層的空間中掛裝一個VAD或OVD的設(shè)備本體，所述設(shè)備本體從一樓至頂樓成螺旋狀排布方式掛裝到所述沉積塔架上；VAD或OVD的輔助設(shè)備安裝在對應(yīng)的VAD或OVD的設(shè)備本體的樓層上，且VAD或OVD的輔助設(shè)備環(huán)繞所述沉積塔架周圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備本體從一樓至頂樓成螺旋狀排布方式掛裝到所述沉積塔架上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，還包括提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，每個設(shè)備本體對應(yīng)一臺提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，每個所述提升旋轉(zhuǎn)機構(gòu)貫穿兩層樓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備本體為VAD設(shè)備的沉積腔體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，所述廠房有四個樓層，一樓到三樓每個樓層的高度比所述沉積腔體高50cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，頂樓的高度至少5m，其它樓層的高度為3m。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，每層樓層的樓板均設(shè)有預(yù)留洞口，所述預(yù)留洞口恰好供所述沉積塔架穿過。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，所述VAD或OVD的輔助設(shè)備包括以下一種或幾種:氣柜、SiCljP GeCl 4蒸發(fā)柜、電柜和操作計算機柜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其特征在于，所述SiCl4和GeCl 4蒸發(fā)柜設(shè)置在VAD或OVD的設(shè)備本體相鄰的位置。
10.一種布置VAD和OVD的方法，所述方法基于權(quán)利要求1-9任意一項中所述的設(shè)備，其特征在于，包括以下幾步: 第一步:設(shè)計一個多樓層的廠房，沉積塔架的基座安裝在廠房一樓，塔架從下到上依次穿過各個樓層的預(yù)留洞口并最終達到廠房樓頂附近； 第二步:沉積塔架對應(yīng)一個樓層之間的空間只掛裝一個VAD或OVD的設(shè)備本體，設(shè)備本體從一樓至頂樓成螺旋狀或成斜對稱狀依次掛裝到沉積塔架上； 第三步:VAD和OVD的輔助設(shè)備安裝在對應(yīng)的設(shè)備本體的樓層并環(huán)繞在沉積塔架周圍。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種布置VAD和OVD的設(shè)備，其包括一個多樓層的廠房和由下到上貫穿于各個樓層的沉積塔架，所述沉積塔架的基座設(shè)置在所述廠房的一樓，所述沉積塔架的頂部達到所述廠房的樓頂?shù)唇佑|到樓頂，所述沉積塔架在每個樓層的空間中掛裝一個VAD或OVD的設(shè)備本體，所述設(shè)備本體從一樓至頂樓成螺旋狀排布方式掛裝到所述沉積塔架上；VAD或OVD的輔助設(shè)備安裝在對應(yīng)的VAD或OVD的設(shè)備本體的樓層上，且VAD或OVD的輔助設(shè)備環(huán)繞所述沉積塔架周圍。本發(fā)明提高了沉積塔架的使用效率、提高了廠房的使用率、提高了廠房潔凈空間的使用率、降低了成本。
【IPC分類】E04H5-02
【公開號】CN104727589
【申請?zhí)枴緾N201510075239
【發(fā)明人】沈小平, 向德成, 郎瀟, 錢昆, 沈國鋒, 賀程程
【申請人】江蘇通鼎光棒有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2015年2月12日