專利名稱：：制備低電阻率、摻雜氧化鋅涂層玻璃物件的方法及由此制成的涂層玻璃物件的制作方法制備低電阻率、摻雜氧化鋅涂層玻璃物件的方法及由此制成的涂層玻璃物件
背景技術(shù)：
：本發(fā)明涉及將氧化鋅涂層沉積在透明襯底上的方法。更具體地，本發(fā)明涉及將氧化鋅涂層沉積在玻璃襯底上的化學(xué)氣相沉積方法，所述涂層被改良成為具有所需組合特性的氧化鋅涂層。摻雜氧化鋅涂層的沉積，已報(bào)道于專利文獻(xiàn)。例如，美國專利5,306,522描述了涂布襯底的工藝，特別是包括防護(hù)表面(shieldedsurfaces)的襯底，涂有含氧化鋅的涂層。所述工藝包括使襯底與氧化鋅前體接觸，優(yōu)選使涂有前體的襯底維持在一定條件下以平衡涂層，然后將前體氧化以形成含氧化鋅的涂層。也描述了用于各種應(yīng)用的通過所述工藝涂成的襯底。與上述美國專利5,306,522相關(guān)的美國專利5,407,743，包括特別與用所述工藝制成的氧化鋅涂層物件相關(guān)的其它信息。此外，用溶膠-凝膠法(sol-gelmethod)制備F-、Al-摻雜的ZnO薄月莫，見述于Castanedo-Perez等人的So/ar￡>ergvA/加en'aAy&So/arCe〃s(太陽能材料與太陽能電池)2004,82,35。對耐用、涂層玻璃產(chǎn)品的需求日益增加。期望獲得氧化鋅涂層的玻璃產(chǎn)品，其具有高可見光透光率(transmittance)、低發(fā)射率(emissivity)特性和/或太陽能控制(solarcontrol)特性、高電導(dǎo)率/低薄層電阻(sheetresistance),且生產(chǎn)的成本效率高。發(fā)明概述本發(fā)明涉及制備低電阻率、摻雜氧化鋅涂層玻璃物件的大氣壓力化學(xué)氣相沉積方法，其包括在例如浮法玻璃熔爐中加熱玻璃襯底，將包括含鋅化合物、含氟化合物、含氧化合物和至少一種包含硼、鋁、鎵和銦中至少一種的化合物的一個或多個氣體反應(yīng)物流，引到加熱后的玻璃襯底表面上，在其上沉積摻雜氧化鋅涂層。附圖簡述圖1是本發(fā)明中六氟丙烯(HFP)對沉積速率影響的圖示。圖2是本發(fā)明中六氟丙烯(HFP)對電阻率影響的圖示。圖3是本發(fā)明中六氟丙烯(HFP)對遷移率影響的圖示。發(fā)明詳述雖然氧化鋅涂層和沉積方法是周知的，但是在浮法玻璃生產(chǎn)線上的玻璃制造工藝中，以商業(yè)化可行的生長速率制造熱解氧化鋅涂層的成本有效的方法，之前并不為人所知。此外，至今未能將這種在線(on-line)制成的氧化鋅涂層用一種或多種摻雜化合物摻雜，制成具有所需組合特性的涂層。本發(fā)明克服了制造這種摻雜氧化鋅薄膜的先前障礙。雖然可以將任何適當(dāng)?shù)拇髿鈮毫瘜W(xué)氣相沉積法用于本發(fā)明，但是優(yōu)選AtofinaChemicals,Inc.的美國專利6,268，019中所公開的沉積方法。該'019專利通過其整體引用而并入本文。'019專利的方法顯示能夠以商業(yè)上有利的生長速率，例如大于5納米/秒，沉積各類金屬氧化物薄膜。'019專利的沉積方法還有一個優(yōu)點(diǎn)是能夠改變反應(yīng)物原料的混合時間，進(jìn)而，在這種情況下可調(diào)整氧化鋅涂層的特性。特別地，本發(fā)明證實(shí)了使用多種前體化合物的好處，這些好處將在本文中作更詳細(xì)的"i侖述。這種摻雜氧化鋅涂層玻璃產(chǎn)品可用作建筑窗應(yīng)用中的低發(fā)射率和/或太陽能控制層。這種透明傳導(dǎo)性氧化物的其它可能應(yīng)用包括光電裝置、固態(tài)發(fā)光(solid-statelighting)(LED和OLED)、感應(yīng)加熱、平板顯示器、觸摸板屏幕和可用于RFID標(biāo)簽和集成電路中的透明薄膜晶體管(TFT)。適當(dāng)?shù)暮\化合物包括，但不限于通式RWn、RiR2ZnL或R'R2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8]的化合物，其中R"8可以是相同或不同的烷基或芳基，例如甲基、乙基、異丙基、正丙基、正5丁基、仲丁基、苯基或取代苯基，而且可以包含一個或多個含氟取代基，RS和I^可以是H或烷基或芳基，L是基于氧的、商品化的中性配體，例如甲基四氫呋喃、四氫呋喃、呋喃、二乙基或二丁基醚、甲基叔丁基醚或二氧六環(huán)，且n可以是O或l,而且如果n是0，m可以是1至6，而如果n是l，m可以是0至6。適當(dāng)?shù)暮衔锇?，但不限于二氟甲烷?,1-二氟乙烷、1,1,1,2-四氟乙火克、1,1,1,2,2-五氟乙火克、1,1,1-三氟乙火克、1,1,1,3,3-五氟丙烷、氟乙烯、1,1-二氟乙烯、1,1,1,2,3,3,3-七氟丙烷、1,1,1,2，2，3,3-七氟丙烷、六氟丙烯、3,3,3-三氟丙烯、全氟環(huán)戊烯、全氟丁二烯、1,1,1,3，3,3-六氟-2-丙醇、1，1,1,3,3,3-六氟-2-甲基-2-丙醇、六氟環(huán)氧丙烷、2,2,3,4,4,4-六氟-1-丁醇、1,1,2,2,3,4-六氟-3,4-二(三氟甲基)環(huán)丁烷、六氟-2-丁炔、六氟丙酮、六氟戊二酸肝、三氟乙酸酐、三氟乙酰氯、2,2,2-三氟乙醇、1,1,1-三氟丙酮、三氟甲烷、1,1,1-三氟-2-丙醇、3,3，3-三氟丙酸、3，3,3-三氟丙炔、三氟胺、氟化氫、三氟乙酸、1,1,1,3,3-五氟丁烷，1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-十氟戊烷。適當(dāng)?shù)暮趸衔锇?，但不限于有機(jī)乙酸酯，例如乙酸叔丁酯(t-BuOAc)、乙酸乙酯(EtOAc)，醇(包括全氟化的衍生物)，氧和水，而優(yōu)選H20。適當(dāng)?shù)暮?3族金屬的前體包括通式R93ML或R9(k)M(RWC(0)CRUC(0)I^2)n的那些，其中M=B,Al,Ga,In或Tl其中之一，W為烷基或芳基或卣素或烴氧化物基(alkoxidegroup),且可以相同或不同，111()-12可以相同或不同且為H、烷基或芳基(包括環(huán)狀以及部分和全氟化的衍生物)，L是基于氧的、商品化的中性配體，例如甲基四氫呋喃、四氫呋喃、呋喃、二乙基或二丁基醚、曱基叔丁基醚或二氧六環(huán)，n-0至3，且z-0至2。Me2Ga(acac)(acac-乙酰丙酮根)、Me2Ga(hfac)(hfac二六氟乙酰丙酮根，F(xiàn)3CC(0)CHC(0)CF3)和Et2Al(acac)是優(yōu)選的13族化合物。惰性載氣，例如氮、氦等也可用作本發(fā)明氣體反應(yīng)物流的組分?？捎眠m當(dāng)?shù)姆椒ㄖ瞥杉訜岷蟮牟Ａбr底，但是優(yōu)選用眾所周知的浮法玻璃工藝制成的連續(xù)的玻璃帶(ribbon)，該工藝見述于美國專利3,356,474、3,433,612、3,531,274和3,790,361，它們?nèi)纪ㄟ^整體引用而并入本文。以下非限制實(shí)施例闡述本發(fā)明的某些方面。實(shí)施例實(shí)施例1至6中所用的APCVD儀器類似于美國專利6268019Bl中所述的儀器。該儀器的關(guān)鍵特征是能夠通過分別向涂層噴嘴加蒸汽來控制氣體反應(yīng)物的混合時間。在這些試驗(yàn)中涂層噴嘴由同心管組成通過壓縮裝置(compressionfitting)將3/8"管加入l"管中，可調(diào)整混合區(qū)的長度，外部的1.5"管與排風(fēng)機(jī)相連，可移除副產(chǎn)物和未反應(yīng)的蒸汽。由這個噴嘴構(gòu)造所產(chǎn)生的薄膜為圓形，直徑約為1.5"。為了描述性目的，6個實(shí)施例的沉積變量不同，但是靜態(tài)沉積條件類似實(shí)施例1對應(yīng)于與含鋁前體結(jié)合的氧化鋅沉積，實(shí)施例2對應(yīng)于與含氟前體結(jié)合的氧化鋅沉積，而實(shí)施例3對應(yīng)于與含氟和鋁前體結(jié)合的氧化鋅沉積。對于每個實(shí)施例，所有前體的體積輸送速率相同。實(shí)施例4描述了與鎵前體結(jié)合的ZnO沉積，而實(shí)施例5描述了與鎵和氟前體結(jié)合的ZnO沉積。實(shí)施例6描述了與氟和鋁結(jié)合的沉積，如實(shí)施例3—樣，但是使用不同的鋅源，即Et2ZnTMPDA(TMPDA二N,N,N',N'-四曱基-l,3-丙烷二胺)。對于實(shí)施例1至6，沉積在靜態(tài)玻璃村底上進(jìn)行，反應(yīng)物濃度的計(jì)算是基于當(dāng)所有流合并后存在的濃度。實(shí)施例1:在鎳加熱塊上加熱硼硅酸鹽玻璃(l.l毫米厚)至430。C(用接觸熱電偶在襯底表面處測量)。通過涂層噴嘴的初級(primary)化學(xué)品給料口，力口入于180°C溫度下0.08摩爾％Et2Zn.TEEDA(TEEDA二N,N,N',N'-四乙基乙二胺)和0.015摩爾％Et2Al(acac)(acac=乙酰丙酮根)在30升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。在分開的給料中，7向涂布機(jī)內(nèi)管加入0.40摩爾％水蒸汽(在蒸發(fā)器1中蒸發(fā))在2.2升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。調(diào)整內(nèi)給料管使混合區(qū)長度為15厘米。選擇氮載氣流使兩種給料的速度大致相等。在這些條件下，涂布機(jī)噴嘴出口處的面速度約為100厘米/秒，與約為150毫秒的反應(yīng)物混合時間相關(guān)。在Zn和Al前體流即將開始之前，將水蒸汽混合物預(yù)先給予(pre-dosed)村底5秒鐘。樣品的沉積時間為45秒，得到厚度約310納米的薄膜。用4點(diǎn)探針測得薄膜的薄層電阻為53ohm/sq。實(shí)施例2:在鎳加熱塊上加熱硼硅酸鹽玻璃(l.l毫米厚)至430。C(用接觸熱電偶在襯底表面處測量)。通過涂層噴嘴的初級化學(xué)品給料口，加入于180。C溫度下0.08摩爾％Et2Zn'TEEDA在30升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。在分開的給料中，加入0.48摩爾％水蒸汽(在蒸發(fā)器1中蒸發(fā))和0.82摩爾％六氟丙烯(緊接在蒸發(fā)器之后經(jīng)校準(zhǔn)過的旋轉(zhuǎn)式流量計(jì)引入氣體流中)在2.2升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。調(diào)整內(nèi)給料管使混合區(qū)長度為15厘米。選擇氮載氣流使兩種給料的速度大致相等。在這些條件下，涂布機(jī)噴嘴出口處的面速度約為100厘米/秒，與約為150毫秒的反應(yīng)物混合時間相關(guān)。在Zn前體即將開始流向襯底之前，將水蒸汽和六氟丙烯氣體混合物預(yù)先給予(pre-dosed)襯底5秒鐘。樣品的沉積時間為45秒，得到厚度約340納米的薄膜。用4點(diǎn)探針測得薄膜的薄層電阻為138ohm/sq。實(shí)施例3:在鎳加熱塊上加熱硼硅酸鹽玻璃(l.l毫米厚)至43(TC(用接觸熱電偶在襯底表面處測量)。通過涂層噴嘴的初級化學(xué)品給料口，加入于180。C溫度下0.08摩爾％Et2Zn'TEEDA和0.015摩爾％Et2Al(acac)在30升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。在分開的給料中，加入0.48摩爾％水蒸汽(在蒸發(fā)器1中蒸發(fā))和0.82摩爾％六氟丙烯(緊接在蒸發(fā)器之后經(jīng)校準(zhǔn)過的旋轉(zhuǎn)式流量計(jì)引入氣體流中)在2.2升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。調(diào)整內(nèi)給料管使混合區(qū)長度為15厘米。選擇氮載氣流使兩種給料的速度大致相等。在這些條件下，涂布機(jī)噴嘴出口處的面速度約為100厘米/秒，與約為150毫秒的反應(yīng)物混合時間相關(guān)。在Zn和Al前體即將開始流向村底之前，將水蒸汽和六氟丙烯氣體混合物預(yù)先給予(pre-dosed)襯底5秒鐘。樣品的沉積時間為45秒，得到厚度約290納米的薄膜。用4點(diǎn)探針測得薄膜的薄層電阻為21ohm/sq。如在上述實(shí)施例中所看到的，與鋁和氟前體單獨(dú)存在的其它樣品相比較，沉積過程中氟和鋁前體同時存在的實(shí)施例3中觀察到導(dǎo)電率顯著增加。實(shí)施例4:在鎳加熱塊上加熱硼硅酸鹽玻璃(l.l毫米厚)至430。C(用接觸熱電偶在襯底表面處測量)。通過涂層噴嘴的初級化學(xué)品給料口，加入于180。C溫度下0.08摩爾％Et2Zn.TEEDA和0.003摩爾。/oMe2Ga(hfac)在30升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。在分開的給料中，向涂布機(jī)內(nèi)管中加入0.48摩爾％水蒸汽(在蒸發(fā)器1中蒸發(fā))在2.2升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。調(diào)整內(nèi)給料管使混合區(qū)長度為15厘米。選擇氮載氣流使兩種給料的速度大致相等。在這些條件下，涂布機(jī)噴嘴出口處的面速度約為100厘米/秒，與約為150毫秒的反應(yīng)物混合時間相關(guān)。在Zn和Ga前體即將開始流動之前，將水蒸汽氣體混合物預(yù)先給予(pre-dosed)襯底5秒鐘。樣品的沉積時間為45秒，得到厚度約333納米的薄膜。用4點(diǎn)探針測得薄膜的薄層電阻為23ohm/sq。實(shí)施例5:在鎳加熱塊上加熱硼硅酸鹽玻璃(l.l毫米厚)至約430。C(用接觸熱電偶在襯底表面處測量)。通過涂層噴嘴的初級化學(xué)品給料口，加入于180。C溫度下0.08摩爾％Et2Zn.TEEDA和0.003摩爾％Me2Ga(hfac)在30升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。在分開的給料中，加入0.48摩爾％水蒸汽(在蒸發(fā)器1中蒸發(fā))和0.81摩爾％六氟丙烯(緊接在蒸發(fā)器之后經(jīng)校準(zhǔn)過的旋轉(zhuǎn)式流量計(jì)引入氣體流中)在2.2升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。調(diào)整內(nèi)給料管使混合區(qū)長度為15厘米。選擇氮載氣流使兩種給料的速度大致相等。在這些條件下，涂布機(jī)噴嘴出口處的面速度約為100厘米/秒，與約為150毫秒的反應(yīng)物混合時間相關(guān)。在Zn和Ga前體即將開始流向襯底之前，將水蒸汽和六氟丙烯氣體混合物預(yù)先給予(pre-dosed)村底5秒鐘。樣品的沉積時間為45秒，得到厚度約340納米的薄膜。用4點(diǎn)探針測得薄膜的薄層電阻為17ohm/sq。實(shí)施例6:在鎳加熱塊上加熱鈉釣二氧化硅玻璃(Sodalimesilicaglass)(0.7毫米厚)至約430。C(用接觸熱電偶在襯底表面處測量)。通過涂層噴嘴的初級化學(xué)品給料口，加入于180°C溫度下0.08摩爾％Et2Zn.TMPDA(TMPDA=N,N,N',N'誦四甲基-l,3-丙二胺)和0.003摩爾。/。Et2Al(acac)在30升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。在分開的給料中，加入0.48摩爾％水蒸汽(在蒸發(fā)器1中蒸發(fā))和0.81摩爾％六氟丙烯(緊接在蒸發(fā)器之后經(jīng)校準(zhǔn)過的旋轉(zhuǎn)式流量計(jì)引入氣體流中)在2.2升/分鐘氮載氣中的氣體混合物。調(diào)整內(nèi)給料管使混合區(qū)長度為15厘米。選擇氮載氣流使兩種給料的速度大致相等。在這些條件下，涂布機(jī)噴嘴出口處的面速度約為100厘米/秒，與約為150毫秒的反應(yīng)物混合時間相關(guān)。在Zn和Al前體即將開始流向襯底之前，將水蒸汽和六氟丙烯氣體混合物預(yù)先給予(pre-dosed)襯底5秒鐘。樣品的沉積時間為40秒，得到厚度約320納米的薄膜。用4點(diǎn)探針測得薄膜的薄層電阻為18ohm/sq。實(shí)施例7:靜態(tài)模式涂層法在170"C下，將0.43摩爾。/oMe2ZnTMPDA在10slpm氮載氣中的氣體混合物，加到初級給料管中。將笫一摻雜劑從不銹鋼噴口(bubbler)引到初級給料管中。噴口含Me2Ga(acac),溫度為34.5°C。Ga-前體被10預(yù)熱至6(TC的430sccm流速的氮?dú)馕?pickup)。將197sccm的(2.5摩爾％)第二摻雜劑(六氟丙烯(HFP》加入初級給料中。在二級給料管中，于170。C下加入1.25摩爾0/。仏0和3.26摩爾%2-丁醇在5slpm氮?dú)庵械臍怏w混合物。將二級給料與初級流同時加到混合室里?；旌鲜业拈L度為11/4英寸，相當(dāng)于初級和二級給料流之間的混合時間為278毫秒。用于沉積的村底為厚度為0.7毫米的硼硅酸鹽玻璃。在設(shè)于550。C的電阻加熱鎳塊上加熱襯底。這些薄膜在靜態(tài);漠式下的沉積時間為55秒鐘，所得ZnO薄膜的厚度為565納米，沉積速率為12納米/秒。這些薄膜用BYKHazeGuardPlus混濁度測量儀測得的混濁度平均為0.5%。電阻率、遷移率和電子密度分別為2.2xl0"1ohm-cm、23cm2/Vs和1.22x1021cm-3。實(shí)施例8至9:使用備選的動態(tài)沉積方法通過動態(tài)涂層工藝進(jìn)行涂層試驗(yàn)，使3或4毫米厚的玻璃預(yù)熱襯底，以24英寸/分鐘的速度緊靠金屬涂布機(jī)頭的下方移動，引導(dǎo)氣體化學(xué)混合物與600。C的熱玻璃襯底接觸，隨后立即取出。將下述氣體混合物在化學(xué)品傳輸車中進(jìn)行預(yù)混，并通過加熱的傳輸管加到涂布機(jī)頭內(nèi)。根據(jù)化學(xué)品流動條件和試驗(yàn)實(shí)際尺寸，反應(yīng)物混合時間經(jīng)計(jì)算在到達(dá)加熱玻璃之前超過l秒鐘。涂層沉積時間，定義為玻璃在有效化學(xué)沉積區(qū)域下通過的時間，約為15秒。上述涂層工藝條件應(yīng)用于下面的實(shí)施例8和9。實(shí)施例8:來自DEZ/IPA/N2(DEZ-二乙基鋅；IPA=異丙醇)化學(xué)的氧化鋅涂層條件設(shè)置如下<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>所得的氧化鋅涂層約390納米厚，測得的薄層電阻為1.7kohm/sq。來自XPS的組分分析表明，涂層中鋅與氧原子比值約為1:1。實(shí)施例9:來自DEZ/IPA/DEAC/HFP/N2(DEAC=Et2八lCl)化學(xué)的<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由Zn,Al和F預(yù)混輸料得到的薄膜約360納米厚，4點(diǎn)探針測得的薄層電阻為35ohm/sq。向氣體流中加入F和A1，導(dǎo)致較低的薄層電阻。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表1數(shù)據(jù)表明，與僅有鎵存在的實(shí)施例4和僅有氟存在的實(shí)施例2相比較，沉積過程中氟和鎵前體同時存在的實(shí)施例5和7，觀察到薄層電阻顯著下降(或電導(dǎo)率增加)。實(shí)施例3、6和9證明，與僅使用Al(實(shí)施例l)或僅使用F(實(shí)施例2)相比較，在同時使用Al和F時，可以獲得類似的有益效果。通過改變HFP流速，注意到，使用高的HFP流速會顯著降低涂層沉積速度，而使用低的HFP流速(例如實(shí)施例8中所用的)會改善所得涂層的均勻性。基于實(shí)施例7，改變HFP的流速可產(chǎn)生圖1至3的繪圖?；谶@些繪圖中的數(shù)據(jù)，可以理解的是，性能益處必須與成相反趨勢(reciprocaltrending)的沉積速度相平衡。圖1顯示HFP對沉積速度的影響，圖2顯示HFP對電阻率的影響，而圖3顯示HFP對遷移率的影響。盡管已參考各種具體實(shí)施例和實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)該明白，本發(fā)明不限于此，且可在下列權(quán)利要求書的范圍內(nèi)變化性實(shí)施。權(quán)利要求1.一種低電阻率、摻雜氧化鋅涂層玻璃物件的制備方法，其包括提供具有待沉積涂層于其上的表面的熱玻璃襯底；和將氣體反應(yīng)物引到襯底表面上，在其上沉積摻雜氧化鋅涂層，該氣體反應(yīng)物包括含鋅化合物、至少一種含氟化合物、至少一種含氧化合物，和至少一種包含選自硼、鋁、鎵和銦的13族元素的化合物。2.權(quán)利要求1的方法，其中沉積是在化學(xué)氣相沉積過程中進(jìn)行。3.權(quán)利要求2的方法，其中化學(xué)氣相沉積過程是在大氣壓力下進(jìn)行。4.一種制備低電阻率、摻雜氧化鋅涂層玻璃物件的大氣壓力化學(xué)氣相沉積方法，其包括提供具有待沉積涂層于其上的表面的熱玻璃襯底，表面溫度為40(TC或更高；和將氣體反應(yīng)物引到表面上，在其上沉積摻雜氧化鋅涂層，該氣體反應(yīng)物包括含鋅化合物、含氟化合物、含氧化合物和至少一種包^i^自硼、鋁、鎵和銦的13族元素的化合物。5.權(quán)利要求4的方法，其中含鋁化合物包括式R"(k)AlRLz的鋁化合物，其中R"為烷基或芳基或卣素或烴氧化物基，R"為H、烷基、芳基、鹵素或式(R口C(0)CR"C(0)R")的二酮根，其中R""可以相同或不同，且為H、烷基或芳基(包括環(huán)狀以及部分和全氟化的衍生物)，n-0至3，其中L為含氧的供體配體而z-0至2。6.權(quán)利要求5的方法，其中含鋁化合物包括乙酰丙酮根合二乙基鋁。7.權(quán)利要求5的方法，其中含鋁化合物包括氯化二乙基鋁。8.權(quán)利要求4的方法，其中含鎵化合物包括式R15(3.n)GaR16nLz的鎵化合物，其中R"為烷基或芳基或卣素或烴氧化物基，R"為H、烷基、芳基、鹵素或式(R口C(0)CR"C(0)R")的二酮根，其中R17-19可以相同或不同，且為H、烷基或芳基(包括環(huán)狀以及部分和全氟化的衍生物)，n-0至3，其中L為含氧的供體配體而z-0至2。9.權(quán)利要求8的方法，其中含鎵化合物包括乙酰丙酮根合二甲基鎵。10.權(quán)利要求8的方法，其中含鎵化合物包括六氟乙酰丙酮根合二甲基鎵。11.權(quán)利要求4的方法，其中含氧化合物為水。12.權(quán)利要求4的方法，其中氧源是醇和水的混合物，其中溶液中水的濃度為0摩爾％至25摩爾％。13.權(quán)利要求12的方法，其中醇為2-丁醇。14.一種制備低電阻率、摻雜氧化鋅涂層物件的大氣壓力化學(xué)氣相沉積方法，其包括提供具有待沉積涂層于其上的表面的熱介電襯底材料，表面溫度為400"C或更高；和將氣體反應(yīng)物？1到待沉積摻雜氧化鋅涂層于其上的表面，該氣體反應(yīng)物包括含鋅化合物、含氧化合物、含氟化合物和至少一種包含硼、鋁、鎵和銦其中一種或多種的化合物，使含鋅化合物、含氧化合物。含氟化合物和至少一種包含至少一種13族元素的化合物在一起混合足夠短的時間，以至少5納米/秒的沉積速率形成摻雜氧化鋅涂層。15.—種包含具有低電阻率、摻雜氧化鋅涂層沉積于其上的玻璃襯底的玻璃物件，摻雜氧化鋅涂層來自氣體前體混合物在40(TC或更高溫度下的反應(yīng)，氣體前體混合物包括含鋅化合物、含氟化合物、含氧化合物和至少一種包含選自硼、鋁、鎵和銦的13族元素的化合物。全文摘要本發(fā)明描述并要求保護(hù)一種制備低電阻率、摻雜氧化鋅涂層玻璃物件的大氣化學(xué)氣相沉積方法，通過將一個或多個氣體反應(yīng)物流，特別是含鋅化合物、含氟化合物、含氧化合物，和至少一種包含硼、鋁、鎵和銦其中一種或多種的化合物引到熱玻璃襯底的表面上而制成。文檔編號C03C17/245GK101541701SQ200780039353公開日2009年9月23日申請日期2007年5月3日優(yōu)先權(quán)日2006年8月29日發(fā)明者G·B·古鐵雷斯,G·S·西爾弗曼,J·L·斯特里克,K·D·桑德森,L·葉,M·B·阿布拉姆斯,R·Y·科羅特科夫,R·史密斯申請人:皮爾金頓集團(tuán)有限公司;阿肯馬公司