專利名稱：用于電外科學(xué)的功率輸送阻抗調(diào)節(jié)控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本案涉及用于電外科學(xué)技術(shù)的系統(tǒng)和方法。更具體地說，本技術(shù)涉及用于電外科學(xué)系統(tǒng)的功率傳送的阻抗調(diào)節(jié)控制和用于組織密封的方法。
背景技術(shù)：
雙極電外科學(xué)儀器施加高射頻(radiofrequency;RF)電流至手術(shù)部位以切割、切除或凝固組織。所述電外科學(xué)效應(yīng)的一種具體應(yīng)用是密封內(nèi)腔結(jié)構(gòu)，如血管或胃腸部位，或組織邊緣。典型的電外科學(xué)儀器采取一對醫(yī)用鑷子的形式，所述一對鑷子具有定位在所述鑷子的兩個尖頭上的電極。在電外科學(xué)流程中，當(dāng)尖頭在目標(biāo)部位閉合時，電極處于彼此接近的位置，以使得在兩個電極之間的電流路徑通過在目標(biāo)部位內(nèi)的組織。由尖頭施加的機(jī)械力和電流相結(jié)合以產(chǎn)生希望的外科效應(yīng)。 通過控制由尖頭施加的機(jī)械壓力水平、電極之間的間隙距離、施加到組織的電外科學(xué)能量的強(qiáng)度、頻率和持續(xù)時間，外科醫(yī)生可以針對治療目的來凝固、燒灼或密封組織。更具體地說，控制電外科學(xué)能量傳送的典型目標(biāo)是在目標(biāo)的密封部位之內(nèi)施加產(chǎn)生希望效應(yīng)所需的不多不少的數(shù)量精確的能量，同時最小化對目標(biāo)部位的周圍組織的有害效應(yīng)。隨著組織吸收如射頻能量的能量，組織的射頻能量阻抗增加。這種阻抗的增加大體被認(rèn)為是已朝向治療終點(diǎn)狀態(tài)“經(jīng)處理”組織的程度的度量。本案公開的系統(tǒng)和方法的實(shí)施方式的目的在于使用目標(biāo)組織阻抗作為反饋信號，以適當(dāng)?shù)乜刂剖┘拥侥繕?biāo)密封部位的能量水平。

發(fā)明內(nèi)容
所提供的電外科學(xué)系統(tǒng)和方法的實(shí)施方式包括在密封周期中以一系列脈沖的形式將能量從電外科學(xué)裝置傳送至目標(biāo)組織，每一脈沖具有預(yù)設(shè)持續(xù)時間。所述系列脈沖以具有輪廓的起始脈沖開始，所述輪廓包含預(yù)設(shè)RF水平初始值，所述預(yù)設(shè)RF水平初始值以預(yù)設(shè)斜升率增加至預(yù)設(shè)RF最終值。所述方法可進(jìn)一步包括在每個脈沖期間發(fā)送傳感的組織阻抗值至處理器，或更具體地說，發(fā)送至處理器之內(nèi)的阻抗比較器元件。每一脈沖是密封周期中的后續(xù)脈沖的前置脈沖，或是最終脈沖。方法可進(jìn)一步包括將傳感的阻抗值與三個預(yù)設(shè)阻抗閾值中的每一值比較，所述三個預(yù)設(shè)阻抗閾值包括RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值、累積時間的阻抗閾值和能量減少的阻抗閾值。方法可進(jìn)一步包括通過回應(yīng)于傳感的阻抗值與阻抗閾值的比較來控制在密封周期期間的能量傳送。在特定實(shí)施方式中，控制能量傳送包括當(dāng)顯示阻抗值的組織的累積時間超過阻抗累積時間閾值達(dá)到預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間限制時，停止密封周期。電外科學(xué)方法的實(shí)施方式可進(jìn)一步包括記錄在進(jìn)行的密封周期之內(nèi)的累積時間，在所述進(jìn)行的密封周期期間，傳感的組織阻抗值超過累積時間的阻抗閾值?；趥鞲械淖杩箶?shù)據(jù)與阻抗閾值的所述比較，可發(fā)生各種電外科學(xué)操作結(jié)果。當(dāng)在前置脈沖結(jié)束時傳感的阻抗值低于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值時，所述方法可進(jìn)一步包括控制至后續(xù)脈沖的能量傳送，以使得所述后續(xù)脈沖具有與起始脈沖的脈沖輪廓大體相同的脈沖輪廓。當(dāng)在前置脈沖結(jié)束時傳感的阻抗值超過RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值時，所述方法可進(jìn)一步包括控制至后續(xù)脈沖的能量傳送，以使得所述后續(xù)脈沖具有升高的輪廓。所述升高的脈沖輪廓可包括在脈沖開始時直接升高至RF最終值。升高的脈沖輪廓也可包括以大于前置脈沖速率的速率從RF初始值斜升至RF最終值。 當(dāng)在脈沖期間的任何時刻傳感的阻抗超過用于能量減少的阻抗閾值時，所述方法可包括減少能量傳送。所述能量減少可立即發(fā)生，或所述能量減少可包括等待累積的預(yù)設(shè)的經(jīng)過時間量，在所述時間量期間，傳感的阻抗在減少能量傳送(例如，達(dá)約2秒)之前超過用于能量減少的阻抗閾值。減少能量傳送也可包括降低RF傳送水平或斜升率中的任一個。降低被傳送的能量的量可包括減少能量傳送達(dá)介于約I伏特至100伏特之間的量?；蛘撸档捅粋魉偷哪芰康牧靠砂p少能量傳送達(dá)被傳送的能量的一分?jǐn)?shù)百分比。更具體地說，降低被傳送的能量的量可包括減少能量傳送達(dá)所述能量的量的一分?jǐn)?shù)百分比，所述分?jǐn)?shù)百分比與傳感的阻抗超過能量減少值的阻抗閾值的程度成比例。在電外科學(xué)方法的各種實(shí)施方式中，關(guān)于脈沖的脈沖持續(xù)時間和脈沖的RF值，RF脈沖通常為可從約0. 5秒至約10秒的范圍中變化的每個恒定持續(xù)時間。在一系列脈沖中的脈沖數(shù)目可自I個脈沖至約30個脈沖的范圍變化。在電外科學(xué)方法的各種實(shí)施方式中，累積密封終點(diǎn)持續(xù)時間介于約0. I秒與約5秒的范圍之間。在電外科學(xué)方法的各種實(shí)施方式中，RF初始值在約25瓦特至約150瓦特的范圍之內(nèi)變化，且RF最終值在約50瓦特至約150瓦特的范圍之內(nèi)變化。在本方法的各種實(shí)施方式中，關(guān)于上述的阻抗閾值，RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值在約5歐姆至約250歐姆的范圍之內(nèi)，能量減少值的阻抗閾值在約100歐姆至約900歐姆的范圍之內(nèi)，且累積時間值的阻抗閾值在約100歐姆至約750歐姆的范圍之內(nèi)。在電外科學(xué)方法的各種實(shí)施方式中，關(guān)于從脈沖的RF初始值至RF最終值的過渡，傳遞能量包括在脈沖期間將被傳遞的能量的水平從預(yù)設(shè)RF初始值增加至預(yù)設(shè)RF最終值。在一些實(shí)施方式中，在脈沖期間增加能量水平包括以一速率斜升，所述速率介于約I瓦特/秒與約100瓦特/秒的范圍之間。在一些實(shí)施方式中，在脈沖期間增加RF能量的水平包括以一或多個梯級斜升。在一些實(shí)施方式中，在脈沖期間增加能量水平可包括以恒定速率或以變化速率斜升。在更進(jìn)一步實(shí)施方式中，在脈沖期間增加能量水平包含在起始脈沖之后立即升高至預(yù)設(shè)RF最終值。在另一方面，電外科學(xué)方法的實(shí)施方式包括在密封周期中將能量從電外科學(xué)裝置傳送至目標(biāo)組織部位，密封周期包括一系列脈沖，每一脈沖具有預(yù)設(shè)脈沖持續(xù)時間。所述系列脈沖以具有起始脈沖輪廓的起始脈沖開始，所述起始脈沖輪廓包含預(yù)設(shè)RF水平初始值，所述預(yù)設(shè)RF水平初始值在脈沖期間增加至預(yù)設(shè)RF最終值。本方法的所述實(shí)施方式進(jìn)一步包括在每一脈沖期間發(fā)送傳感的組織阻抗值至處理器，每一脈沖為后續(xù)脈沖的前置脈沖或?yàn)樽罱K脈沖。所述方法的所述后一實(shí)施方式進(jìn)一步包括在密封周期期間控制能量傳送，以使得=(A)取決于由起始或前置脈沖期間的組織顯示的阻抗值與用于RF設(shè)定點(diǎn)的預(yù)設(shè)阻抗閾值的比較，后續(xù)脈沖的輪廓相對于所述后續(xù)脈沖的前置脈沖的輪廓具有相同輪廓或較高能量輪廓中的任一輪廓，(B)當(dāng)傳感的阻抗值超過用于能量減少的預(yù)設(shè)閾值時，能量在脈沖期間減少；且(C)當(dāng)傳感的阻抗已超過累積時間的預(yù)設(shè)阻抗閾值的累積時間量已累積了預(yù)設(shè)密封周期的持續(xù)時間限制時，能量傳送停止。進(jìn)一步關(guān)于電外科學(xué)方法的所述后一實(shí)施方式，當(dāng)傳感的阻抗超過RF設(shè)定點(diǎn)的預(yù)設(shè)閾值時，后續(xù)脈沖的能量輪廓超過前置脈沖的能量輪廓，且當(dāng)傳感的阻抗低于RF設(shè)定點(diǎn)的預(yù)設(shè)閾值時，后續(xù)脈沖的能量輪廓與前置脈沖的能量輪廓相同。相對于電外科學(xué)方法的實(shí)施方式，脈沖的能量輪廓包括RF初始值、RF最終值和在 RF初始值與RF最終值之間的過渡階段。在這些實(shí)施方式中，相對于前置脈沖，后續(xù)脈沖的下降的脈沖能量輪廓可包括下降的RF初始值、下降的RF最終值和/或從RF初始值到RF最終值的過渡的下降速率中的任何一個。相對于前置脈沖的后續(xù)脈沖的增高的能量脈沖輪廓可包括較高的的RF初始值、較高的的RF最終值和/或從RF初始值到RF最終值的過渡的較高速率中的任何一個。最后，從RF初始值到RF最終值的過渡包含傾斜過渡和/或階躍過渡中的任何一個。


圖I為根據(jù)所公開技術(shù)實(shí)施方式用于電外科學(xué)的阻抗調(diào)節(jié)RF功率傳送的系統(tǒng)的方塊不意圖。圖2為關(guān)于在電外科學(xué)密封周期期間的RF能量傳送的可針對阻抗閾值比較傳感的阻抗值的阻抗閾值和后續(xù)回應(yīng)的示意圖。圖3為圖示用于在電外科學(xué)密封程序期間使用傳感的阻抗作為反饋數(shù)據(jù)以控制RF能量傳送的所公開方法的各方面的流程圖。圖4為圖示用于在電外科學(xué)密封程序期間使用傳感的阻抗作為反饋數(shù)據(jù)以控制RF能量傳送的系統(tǒng)和方法的各方面的流程圖。圖5為圖示根據(jù)本方法的實(shí)施方式電外科學(xué)功率傳送斜升的阻抗調(diào)節(jié)控制的實(shí)例時序圖。圖6為圖示根據(jù)本方法實(shí)施方式電外科學(xué)功率傳送間隔的阻抗調(diào)節(jié)控制的替代實(shí)例時序圖。圖7A為圖示根據(jù)本方法實(shí)施方式通過組織阻抗反饋控制的RF功率傳送輪廓時序圖。圖7B為圖示根據(jù)本方法實(shí)施方式在能量傳送期間組織阻抗輪廓的時序圖。圖8為圖示由阻抗發(fā)生急劇上升(這表示在RF電路通道中存在低組織)而修改的在能量傳送期間組織阻抗輪廓的時序圖。
具體實(shí)施例方式本文提供的電外科學(xué)組織密封技術(shù)涉及作為反饋信息應(yīng)用組織對RF能量的回應(yīng)動力以在電外科學(xué)程序期間控制能量傳送。外科最佳的組織密封在將適當(dāng)水平的能量以最佳的速率被傳送至目標(biāo)部位時發(fā)生；過多的能量，或傳送過快的能量可損害目標(biāo)部位和周圍組織，且過少的能量不會產(chǎn)生高度完整的密封。另一個考慮在于通過組織密封部位吸收給定量的能量的效應(yīng)為具體的接收能量的組織類型和總組織體積的函數(shù)，所述組織類型和總組織體積兩者都為在每一密封程序中起作用的變量。隨著組織正在被RF能量(如通過凝結(jié)、干燥，或電灼療法，或所述凝結(jié)、干燥，或電灼療法的任何組合)沖擊或“處理”，組織對電流的阻抗增加。阻抗中的變化通常適合因?yàn)榻M織的“相”或“狀態(tài)”的變化。能量輸入與組織狀態(tài)的變化率之間的關(guān)系受到諸因素的影響，如組織成分、組織密度、含水量和電解液含量。在這些術(shù)語中，RF能量傳送的最佳速率為推動組織相以最佳速率變化的速率，所述速率反映為阻抗增加的速率。可從實(shí)驗(yàn)和臨床經(jīng)驗(yàn)中憑經(jīng)驗(yàn)獲得阻抗最佳變化率。因此，按照由本方法的實(shí)施方式所提供，在電外科學(xué)程序期間，在組織阻抗中傳感的變化為用作在管理傳送至目標(biāo)密封部位的RF能量的速率時的反饋的有利參數(shù)。 提供本方法的理論基本原理以支持對本方法操作的理解，但沒有任何將限制權(quán)利要求書于本方法的特征。識別何時緩慢地處理組織，并且作為回應(yīng)而向組織緩慢地傳遞能量被認(rèn)為是有利的。且，當(dāng)快速地處理組織時，作為回應(yīng)，向組織快速地傳遞能量是有利的。因此，將系統(tǒng)平衡以將能量導(dǎo)引至目標(biāo)部位，且速度不比目標(biāo)部位可通過組織處理吸收能量的速度快。因此，將組織有效地處理至適當(dāng)?shù)慕K點(diǎn)，且將超過目標(biāo)組織密封部位的多余能量的傳播最小化。如下文進(jìn)一步描述，阻抗閾值可用來控制密封周期中的RF能量傳送，所述密封周期包含傳遞至目標(biāo)組織部位的一系列能量脈沖。傳感的阻抗可用來如在脈沖期間，或以通過控制連續(xù)脈沖中的能量傳送，以及通過在脈沖期間的任一時刻終止能量傳送周期的預(yù)期方式，實(shí)時地以不同方式控制能量傳送。圖I為根據(jù)所公開技術(shù)用于電外科學(xué)的阻抗調(diào)節(jié)功率傳送系統(tǒng)方塊示意圖。雖然本案的描述、實(shí)例及附圖主要地涉及用于電外科學(xué)組織密封的方法的各方面，但是本技術(shù)的實(shí)施方式還包括適合或經(jīng)設(shè)置以按照本方法的實(shí)施方式操作的系統(tǒng)和所述系統(tǒng)的組件的任何子集。在圖I中，正在通過電外科學(xué)裝置12對病人的目標(biāo)組織10執(zhí)行電外科學(xué)程序。如射頻(RF)發(fā)生器18的能量源通過控制電路16耦接至電外科學(xué)器具。在一些實(shí)施方式中，控制電路可操作以調(diào)整電流和電壓輸出中任一者且，從而調(diào)整RF發(fā)生器的功率輸出?？刂齐娐愤€可逐步地向上或向下調(diào)整RF發(fā)生器輸出，或者所述輸出可在脈沖期間以選定的斜率上升或下降。本文提供的方法的實(shí)施方式和用于操作方法實(shí)施方式的系統(tǒng)適合于單通道和多通道電外科學(xué)系統(tǒng)操作兩者。多通道系統(tǒng)通常包括RF發(fā)生器，所述RF發(fā)生器具有耦接至多個電極或電極對的多個輸出。在利用本文所述方法的實(shí)施方式的多通道系統(tǒng)中，發(fā)生器可以能夠個別地和獨(dú)立地控制電極，以使得電極點(diǎn)火可相對于個別電極點(diǎn)火的重復(fù)或相對于相鄰電極點(diǎn)火的相繼次序而無約束地發(fā)生。換句話說，每一電極的點(diǎn)火參數(shù)可基于僅僅與所述電極相關(guān)聯(lián)的設(shè)置和/或反饋。
在組織治療的部位處通過與電外科學(xué)器具相關(guān)聯(lián)的一或多個傳感器監(jiān)測電外科學(xué)裝置對組織的效應(yīng)。由一或多個傳感器產(chǎn)生的信號耦接至傳感器電路14。傳感器可監(jiān)測環(huán)境因素和操作參數(shù)，如溫度、阻抗、RF電壓、RF電流、經(jīng)過時間等等。在特定實(shí)施方式中，至少一些傳感器監(jiān)測組織阻抗和RF功率參數(shù)。傳感器電路14產(chǎn)生傳達(dá)至處理器15的輸出信號。在按照本文描述的方法的各方面的程序的控制下操作的處理器經(jīng)設(shè)置以通過向控制電路發(fā)出控制信號來調(diào)整RF發(fā)生器的輸出。在這個過程中，處理器可回應(yīng)于由傳感器產(chǎn)生的信號，實(shí)時調(diào)整傳送給組織的RF功率。程序可保存在存儲器17中，且程序包括用于操作處理器的指令和確定如何回應(yīng)于來自傳感器的信號、時序以及可用于按照本方法的各方面控制能量傳送的其他信息。由于組織是通過應(yīng)用能量而進(jìn)行處理，所以組織中發(fā)生的相變和狀態(tài)改變將引起組織中的阻抗的變化。所提供技術(shù)的特定特征為回應(yīng)于通過傳感器電路，從如阻抗傳感器的一或多個類型的傳感器提供至處理器的信號，處理器操作控制電路的方式，因此，所提供技術(shù)的特定特征也在于能量供應(yīng)給組織的方式。
更具體地說，本方法的實(shí)施方式應(yīng)用傳感的阻抗以改變電外科學(xué)脈沖的輪廓的各方面，輪廓組成包括起始RF初始值、RF最終值和在脈沖從RF初始值到RF最終值的過程期間的RF傳送的步進(jìn)或傾斜增加中的任一個。如本文中所使用，能量輸出的“斜坡”代表在能量傳送的脈沖開始時的輸出水平與在脈沖結(jié)束時實(shí)現(xiàn)的輸出水平之間的差異，而“斜率”更具體地代表能量輸出在脈沖期間隨時間變化的速率。能量通常可在可具有預(yù)先選擇或預(yù)設(shè)的恒定持續(xù)時間的一系列脈沖中傳送，盡管在一些實(shí)施方式中，脈沖的長度可有變化。本電外科學(xué)系統(tǒng)和方法的實(shí)施方式監(jiān)測當(dāng)目標(biāo)組織暴露于RF能量的脈沖時，目標(biāo)組織所表現(xiàn)出的傳感的阻抗，且在包括一系列脈沖的密封周期期間將阻抗數(shù)據(jù)與各種預(yù)設(shè)阻抗閾值比較。本系統(tǒng)和方法的實(shí)施方式藉由以不同的方式調(diào)整正在進(jìn)行的脈沖的輪廓，藉由調(diào)整緊接或后續(xù)脈沖的輪廓，且藉由追蹤朝向累積密封周期終點(diǎn)(密封周期終止的時刻)持續(xù)時間的時間來回應(yīng)于所述比較。所述各種系統(tǒng)回應(yīng)集體表示用于在密封周期期間控制電外科學(xué)系統(tǒng)的性能的各方面的方法，所述方面包括在個別RF脈沖期間和在整個密封周期期間傳遞的功率量。所述阻抗閾值包括用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值、用于累積密封周期持續(xù)時間的時序的阻抗閾值和用于能量減少的阻抗閾值。盡管所述三個閾值中的每一閾值的阻抗值包括重疊的區(qū)域，但是在本方法的典型實(shí)施方式之內(nèi)的閾值可進(jìn)行排序以使得RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值為最低閾值，累積密封周期的持續(xù)時間的阻抗閾值為中間閾值，且能量減少的阻抗閾值為最高閾值。所述阻抗閾值和所述阻抗閾值在控制能量傳送時的作用在下文中進(jìn)一步詳細(xì)說明和描述。表I和表2，以及圖2、圖3和圖4提供本方法的各方面的概括，其中特別要注意阻抗數(shù)據(jù)反饋到處理器中且用以控制傳送至目標(biāo)密封部位的能量的方式。在一方面，基于阻抗的功率控制方法的實(shí)施方式涉及控制在一系列脈沖之內(nèi)個別脈沖的輪廓。通過本方法的實(shí)施方式傳送的射頻脈沖具有包括預(yù)設(shè)RF初始值和預(yù)設(shè)RF最終值的輪廓，通常所述預(yù)設(shè)RF最終值高于所述RF初始值。在脈沖的過程期間，RF能量通常以預(yù)設(shè)速率從初始值增加至最終值。在一些脈沖中，按照對如下文進(jìn)一步所述的閾值阻抗值的反應(yīng)，脈沖可直接從初始值階躍至最終值。脈沖輪廓的所述參數(shù)中的每一個參數(shù)通常針對特定組織密封周期而預(yù)設(shè)，但是每一參數(shù)可在數(shù)值范圍之內(nèi)調(diào)整。RF初始值可介于約25與約150瓦特的范圍之間；例如，典型值可為約50瓦特。RF最終值可介于約50與約150瓦特的范圍之間；例如，典型值可為約150瓦特。能量可通過斜升率或斜率從RF初始值增加至RF最終值的所述斜升率或斜率可介于約I瓦特/秒與約100瓦特/秒的范圍之間；例如，典型值可為約50瓦特/秒。RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值通常為三個阻抗閾值中的最低閾值。這個性能控制調(diào)節(jié)閾值具有介于約5與約250歐姆的范圍之間的預(yù)設(shè)值；例如，典型值為約50歐姆。系統(tǒng)的一些實(shí)施方式經(jīng)設(shè)置以將在脈沖結(jié)束時(或脈沖最大時的)的組織阻抗與這個閾值比較，并且根據(jù)脈沖結(jié)束阻抗是低于RF設(shè)定點(diǎn)閾值還是超過RF設(shè)定點(diǎn)閾值，將后續(xù)脈沖的輪廓導(dǎo)引至兩個路徑中的一個路徑中。在(前置脈沖的)結(jié)束脈沖阻抗低于這個閾值的情況下，后續(xù)脈沖可以用與前置脈沖相同的輪廓操作。 在(前置脈沖的)結(jié)束脈沖阻抗超過RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值的情況下，后續(xù)脈沖可以較高能量水平的輪廓操作。升高的能量輪廓可通過增加脈沖持續(xù)時間乘以功率的積分值的任何方法發(fā)生；例如，在一個實(shí)施方式中，脈沖可以RF初始值起始且脈沖可然后直接階躍 (無衰減的斜升)至RF最終值。在其他實(shí)施方式中，在脈沖期間的能量傳送的斜率可增加。在又一其他實(shí)施方式中，RF初始值或RF最終值可能增加。累積密封持續(xù)時間的阻抗閾值通常高于RF設(shè)定點(diǎn)閾值。在一些實(shí)施方式中，所述性能控制調(diào)節(jié)閾值具有介于約100歐姆與約750歐姆的范圍之間的預(yù)設(shè)值；例如，典型值為約250歐姆。在電外科學(xué)程序的過程中，按照本方法的各方面的一系列脈沖所傳送，目標(biāo)組織的阻抗增加。這個增加理解為大體反映組織通過RF能量“處理”至適合于用作特定治療目的的水平。因此，通過組織顯示的阻抗可被認(rèn)為是組織處理的標(biāo)記，且處理的最佳水平可被認(rèn)為是通過持續(xù)最佳持續(xù)時間吸收最佳水平的RF能量而呈現(xiàn)。因此，所述系統(tǒng)和方法可針對于記錄累積持續(xù)時間的阻抗閾值處的累積時間，在達(dá)到所述阻抗閾值的累積時間之后，系統(tǒng)使得RF能量傳送停止。停止能量傳送可在累積到預(yù)設(shè)密封持續(xù)時間之后在RF脈沖期間立即發(fā)生。按照本方法的實(shí)施方式的累積密封終點(diǎn)持續(xù)時間可介于約0. I秒與約5秒的范圍之間。用于能量減少的阻抗閾值通常為三個阻抗閾值中的最高閾值。在一些實(shí)施方式中，這個性能控制調(diào)節(jié)閾值具有介于約100歐姆與900歐姆的范圍之間的預(yù)設(shè)值；例如，典型值為約700歐姆。在RF脈沖期間的高阻抗水平(見圖8)讀數(shù)可被認(rèn)為是在裝置的鑷子之間的電外科學(xué)空間中的低組織存在的結(jié)果。畢竟，此組織為允許鑷子之間的RF能量的傳導(dǎo)的組織。在完全沒有組織時，電路之內(nèi)的阻抗實(shí)際上為絕對或無限的。在存在低組織的情況下，阻抗并不是無限的，但阻抗可很快變得非常高。與在鑷子之間的典型量的目標(biāo)組織相比，若例如組織或組織的一部分非常薄，則可能發(fā)生低組織存在?；蛘?，在沒有組織的鑷子尖端之間可能有空間。電外科學(xué)系統(tǒng)可通過減少能量傳送的水平而回應(yīng)于高阻抗事件。因此，本系統(tǒng)的實(shí)施方式包括計(jì)時器，所述計(jì)時器經(jīng)設(shè)置以記錄組織正在表現(xiàn)出這種高阻抗水平的時間量，且在累積到預(yù)設(shè)量的累積時間之后，系統(tǒng)通過減少正被傳送的能量的量來進(jìn)行回應(yīng)。按照本方法的實(shí)施方式的能量減少可通過減少正被傳送的能量脈沖的輪廓而發(fā)生。當(dāng)超過能量減少的阻抗閾值時，所述能量減少可在脈沖期間的任一時刻立即發(fā)生。在本方法的替代實(shí)施方式中，能量減少可在經(jīng)過預(yù)設(shè)延遲之后發(fā)生。在又一其他實(shí)施方式中，能量減少可在后續(xù)脈沖中開始。能量減少量可通過減少能量傳送的水平的方式發(fā)生，或通過減少能量在脈沖期間增加的速率的方式發(fā)生。幾種方法中的任何一或多個方法可向下調(diào)整能量傳送的水平。例如，能量傳送可下降絕對量的瓦特?cái)?shù)或電壓?；蛘?，能量傳送的水平可下降在超過用于能量減少的阻抗閾值時，正被傳送能量水平的分?jǐn)?shù)百分比。在另一變化中，能量傳送的水平可下降對應(yīng)于傳感的阻抗與用于RF能量減少的阻抗閾值之間的差異的分?jǐn)?shù)部分?？梢宰⒁獾?，僅為了理解本方法的各方面的基本原理的目的，包括超過用于能量減少的阻抗閾值的阻抗中的異?？焖僭龃蟊硎旧倭康慕M織，而非正常量的組織吸收了所有傳送的能量，且因此比所希望的更加快速地處理所述少量的組織。圖2提供在電外科學(xué)程序期間在控制能量傳送的方法的各方面中使用的三個阻抗閾值，以及從傳感的阻抗數(shù)據(jù)被傳送回到控制能量傳送的系統(tǒng)組件得出的結(jié)果的示意圖。阻抗閾值排列在圖的左側(cè)，且阻抗閾值與上升歐姆值軸對準(zhǔn)。阻抗閾值I涉及RF設(shè)定點(diǎn)，阻抗閾值2涉及累積時間，且阻抗閾值3涉及能量減少。圖的右側(cè)顯示在脈沖期間對感測的阻抗值的能量傳送結(jié)果，感測的阻抗值在所述閾值所包含的各個范圍內(nèi)。所述能量傳送結(jié)果涉及前置脈沖之后的脈沖(在所述脈沖期間傳感阻抗)或涉及在脈沖期間的直接、實(shí)時的能量傳送的結(jié)果。 繼續(xù)圖2，從用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值的最低閾值開始，圖右側(cè)上的括號部分201展示屬于或低于所述閾值的傳感的阻抗值(通常為當(dāng)時間脈沖結(jié)束時的阻抗)使后續(xù)脈沖中的能量傳送的輪廓保持不變或降低。這種減少可為一次性事件，在減少之后輪廓保持恒定，或這種減少可在每一連續(xù)的脈沖中繼續(xù)。如上所述，輪廓可通過向下調(diào)整RF設(shè)定點(diǎn)減少，或輪廓可通過減少在脈沖期間RF能量增加的速率減少。繼續(xù)圖2，從最低括號部分201向上，下一括號部分202從用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗向上延伸至用于能量減少的阻抗閾值。圖的右側(cè)表明所述傳感的阻抗(通常為在時間脈沖結(jié)束時的阻抗)已落入這部分中的前置脈沖之后的能量脈沖以升高的輪廓傳送。這種增加可為一次性事件，在增加之后輪廓保持恒定，或這種增加可在每一連續(xù)的脈沖中繼續(xù)。如上所述，輪廓可通過向上調(diào)整RF設(shè)定點(diǎn)的方式增加，或輪廓可通過增加在脈沖期間RF能量增加的速率的方式增加。進(jìn)一步繼續(xù)圖2，括號部分203延伸到用于能量減少的閾值之上接近最大阻抗。在落入所述括號范圍的脈沖期間的任何時刻發(fā)生的傳感的阻抗值的結(jié)果為能量傳送減少，同時脈沖繼續(xù)進(jìn)行。在一些實(shí)施方式中，能量立即減少；在其他實(shí)施方式中，能量在達(dá)幾秒的延遲之后減少。如果實(shí)施了延遲，那么這種延遲是用于驗(yàn)證高阻抗事件為真實(shí)且持久的事件，而非由于來自阻抗傳感器的瞬態(tài)或錯誤信號。最后，對于圖2，大的括號部分204包括從用于累積時間的阻抗閾值向上的范圍的傳感的阻抗值。當(dāng)傳感的阻抗值超越這個閾值時，啟動計(jì)時器，只要阻抗超過這個閾值，計(jì)時器就運(yùn)行。如果阻抗低于這個閾值，則即使當(dāng)能量減少時，計(jì)時器停止累積時間。當(dāng)阻抗然后可能再次上升超過所述閾值，計(jì)時器再次累積時間。在累積到密封周期的預(yù)設(shè)累積持續(xù)時間之后，在所述周期期間的能量傳送停止。圖3為圖示用于在電外科學(xué)密封程序期間使用傳感的阻抗作為反饋數(shù)據(jù)以控制RF能量傳送的方法的各要素的流程圖。在初始步驟198中，將能量以一系列脈沖傳送給目標(biāo)組織部位，每一脈沖具有一輪廓，所述輪廓可能或可能并未回應(yīng)于后續(xù)脈沖中傳感的阻抗數(shù)據(jù)而調(diào)整。在第二步驟199中，將傳感的阻抗數(shù)據(jù)發(fā)送給系統(tǒng)之內(nèi)的阻抗閾值比較器。在第三步驟200中，將傳感的阻抗數(shù)據(jù)與用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值(I)、用于預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間的累積計(jì)時的阻抗閾值(2)和在脈沖期間任何時刻用于能量減少的阻抗閾值(3)相比。作為在比較器之內(nèi)進(jìn)行的比較的結(jié)果(圖3)，可以遵循若干結(jié)果中的任何一個結(jié)果。在傳感的阻抗小于阻抗閾值I的情況201下，維持或降低后續(xù)脈沖的輪廓。在傳感的阻抗大于阻抗閾值I的情況202下，維持或升高后續(xù)脈沖的輪廓。在傳感的阻抗大于阻抗閾值2的情況203下，開始累計(jì)計(jì)時功能，所述功能朝向預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間累積時間。當(dāng)所述時間達(dá)到預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間時，能量傳送立即停止。在傳感的阻抗大于阻抗閾值3的情況204下，能量傳送在瞬時脈沖期間立即減少，或者在短期延遲之后減少，以用于驗(yàn)證高阻抗事件的目的。圖4為圖示用于在電外科學(xué)密封程序期間使用傳感的阻抗作為反饋數(shù)據(jù)以控制RF能量傳送的方法和系統(tǒng)的各方面的流程圖。本方法的各方面利用RF脈沖輪廓的庫和調(diào)節(jié)器100,所述RF脈沖輪廓包括起始輪廓101、升高輪廓102和下降輪廓103。預(yù)設(shè)起始輪 廓；如表I所示，參數(shù)RF初始值、RF最終值和RF初始值與RF最終值之間的過渡(斜率或階躍)的值都可在所述參數(shù)RF初始值、RF最終值和RF初始值與參數(shù)RF最終值之間的過渡的各自范圍內(nèi)變化。下降和升高輪廓的參數(shù)也按照表I的范圍變化，條件是輪廓總體上分別比起始脈沖輪廓101的參數(shù)要低或者要高。在傳送RF脈沖之前，RF脈沖選擇器110選擇輪廓庫(101、102，或103)中的哪一個脈沖輪廓要傳送給組織150。脈沖選擇器110基于來自閾值比較器170的輸入進(jìn)行選擇(進(jìn)一步見下文)。RF脈沖選擇器110具有驅(qū)動RF能量發(fā)生器120的設(shè)定點(diǎn)的輸出，所述RF能量發(fā)生器120傳送最終指向目標(biāo)組織部位150的RF能量脈沖140。當(dāng)正在傳送能量時，能量通過以RF能量衰減器或減少區(qū)塊130形式的中介機(jī)構(gòu)，所述RF能量衰減器或減少區(qū)塊130可基于來自閾值比較器170的數(shù)據(jù)實(shí)時衰減能量傳送。目標(biāo)組織部位150為通過電外科學(xué)鑷子145由系統(tǒng)傳送的RF能量140的受體，并且是傳達(dá)回到系統(tǒng)、存儲在存儲器中并且由處理器處理的阻抗數(shù)據(jù)160的來源，所述處理器由閾值比較器170表示。閾值比較器執(zhí)行來自目標(biāo)組織的傳感的阻抗數(shù)據(jù)的連續(xù)監(jiān)視，并且閾值比較器將所述數(shù)據(jù)與三個特定阻抗閾值比較，如圖2中所圖示，并且在本方法的實(shí)施方式的概述總結(jié)的下文中進(jìn)一步進(jìn)行說明。簡短地說，所述阻抗閾值包括用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值171、用于脈沖持續(xù)時間累積計(jì)時的阻抗閾值172和用于能量減少的阻抗閾值173?？梢钥闯觯杩箶?shù)據(jù)相對于RF設(shè)定點(diǎn)閾值的比較結(jié)果171定向傳送到輪廓選擇器和調(diào)節(jié)器110中，所述輪廓選擇器和調(diào)節(jié)器110然后通?；貞?yīng)于輸入數(shù)據(jù)為后續(xù)脈沖分配升高輪廓102或下降輪廓103。阻抗數(shù)據(jù)相對于用于累積時間的阻抗閾值的比較結(jié)果172定向傳送到RF能量發(fā)生器/傳送區(qū)塊120 ;若累積時間低于預(yù)設(shè)持續(xù)時間，則啟用區(qū)塊120以產(chǎn)生RF能量。當(dāng)累積時間達(dá)到預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間時，停止來自區(qū)塊120的進(jìn)一步能量傳送。阻抗數(shù)據(jù)相對于能量減少的阻抗閾值的比較結(jié)果173定向傳送到RF能量衰減器減少區(qū)塊130。若來自阻抗比較173的數(shù)據(jù)指示阻抗低于用于能量減少的阻抗閾值，則無衰減地進(jìn)行能量傳送。若來自阻抗比較173的數(shù)據(jù)指示阻抗超過用于能量減少的阻抗閾值，則實(shí)時有衰減地進(jìn)行能量傳送。
在一些實(shí)施方式中，回應(yīng)于組織阻抗超過用于能量減少的阻抗閾值，能量減少的量與在高阻抗事件期間被傳送的能量總量成比例。在一些實(shí)施方式中，能量減少的分?jǐn)?shù)量可與傳感的阻抗超過用于能量減少的阻抗閾值的比例量有關(guān)。例如，若用于能量減少的阻抗閾值為300歐姆且傳感的阻抗為450歐姆(大于300歐姆的阻抗閾值50%)，則能量傳送可減少50%。在所述成比例能量減少程序的一些實(shí)施方式中，減少是以連續(xù)實(shí)時的方式執(zhí)行，回應(yīng)于立即追蹤傳感的阻抗超過用于能量減少的閾值的程度的能量減少。表I總結(jié)根據(jù)所公開方法的各方面，在電外科學(xué)組織密封程序期間與射頻能量和傳感的目標(biāo)組織阻抗的傳送相關(guān)聯(lián)的各種參數(shù)值。自(RF值和阻抗閾值的)范圍內(nèi)得到的特定值通常針對任何給定電外科學(xué)程序預(yù)設(shè)和確定，然而，所述預(yù)設(shè)值在范圍之內(nèi)可調(diào)。表I.射頻密封方法參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種電外科學(xué)系統(tǒng),包含 RF發(fā)生器，所述RF發(fā)生器經(jīng)設(shè)置以在密封周期中通過電外科學(xué)裝置傳送能量至目標(biāo)組織，所述密封周期包含一系列脈沖，所述系列脈沖以具有輪廓的起始脈沖開始，所述輪廓包含以預(yù)設(shè)斜升率增加至預(yù)設(shè)RF最終值的預(yù)設(shè)RF水平初始值；和 比較器，所述比較器經(jīng)設(shè)置以將所述目標(biāo)組織的傳感的阻抗值與三個預(yù)設(shè)阻抗閾值中的每一預(yù)設(shè)阻抗閾值比較，所述閾值包含用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值、用于累積時間的阻抗閾值和用于能量減少的阻抗閾值； 其中所述RF發(fā)生器進(jìn)一步經(jīng)設(shè)置以通過回應(yīng)于所述傳感的阻抗值與所述阻抗閾值的所述比較來控制在所述密封周期期間的所述能量傳送。
2.如權(quán)利要求I所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以當(dāng)組織的累積時間顯示阻抗值超過所述阻抗累積時間閾值達(dá)到預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間限制時，停止所述密封周期。
3.如權(quán)利要求I所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中當(dāng)在前置脈沖結(jié)束時所述傳感的阻抗值低于所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值時，所述系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以控制至后續(xù)脈沖的能量傳送，以使得所述后續(xù)脈沖具有與所述起始脈沖的脈沖輪廓相同的脈沖輪廓。
4.如權(quán)利要求I所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中當(dāng)在前置脈沖結(jié)束時所述傳感的阻抗值超過所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值時，所述系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)設(shè)置以控制至所述后續(xù)脈沖的所述能量傳送，以使得所述后續(xù)脈沖具有升高輪廓。
5.如權(quán)利要求4所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中所述后續(xù)脈沖的所述升高輪廓包含在所述脈沖開始時從所述RF初始值直接升高至所述RF最終值。
6.如權(quán)利要求4所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中分別與所述前置脈沖的所述RF初始值、RF最終值和斜升率相比，所述后續(xù)脈沖的所述升高輪廓包含增加的RF初始值、增加的RF最終值和從所述RF初始值到所述RF最終值的增加的斜升率中的任何一或多個。
7.如權(quán)利要求I所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中當(dāng)在脈沖期間的任何時刻所述傳感的阻抗超過所述用于能量減少的阻抗閾值時，所述系統(tǒng)經(jīng)設(shè)置以減少能量傳送。
8.如權(quán)利要求7所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中分別與所述前置脈沖的所述RF初始值、RF最終值或所述斜升率相比，能量減少包含所述RF初始值的減少、所述RF最終值的減少或從所述RF初始值到所述RF最終值的所述斜升率的減少中的任何一個。
9.如權(quán)利要求7所述的電外科學(xué)系統(tǒng)，其中能量減少包含將正被傳送的能量的量減少以下能量的一分?jǐn)?shù)量在所述傳感的阻抗超過所述用于能量減少的阻抗閾值時傳送的能量。
10.一種電外科學(xué)方法，包含 在密封周期中從電外科學(xué)裝置傳送能量至目標(biāo)組織，所述密封周期包含一系列脈沖，所述系列脈沖以具有輪廓的起始脈沖開始，所述輪廓包含以預(yù)設(shè)斜升率增加至預(yù)設(shè)RF最終值的預(yù)設(shè)RF水平初始值； 將所述目標(biāo)組織的傳感的阻抗值與三個預(yù)設(shè)阻抗閾值中的每一預(yù)設(shè)阻抗閾值比較，所述閾值包含用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值、用于累積時間的阻抗閾值和用于能量減少的阻抗閾值； 通過回應(yīng)于所述傳感的阻抗值與所述阻抗閾值的所述比較來控制在所述密封周期期間的所述能量傳送。
11.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中通過回應(yīng)于所述傳感的阻抗值與所述阻抗閾值的所述比較來控制在所述密封周期期間的所述能量傳送包括當(dāng)組織的累積時間顯示阻抗值超過所述阻抗累積時間閾值達(dá)到預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間限制時，停止所述密封周期。
12.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，進(jìn)一步包含記錄在進(jìn)行的密封周期之內(nèi)的累積時間，在所述進(jìn)行的密封周期期間，所述傳感的組織阻抗值超過所述用于累積時間的阻抗閾值。
13.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法,進(jìn)一步包含在每一脈沖期間發(fā)送傳感的組織阻抗值至處理器，每一脈沖為后續(xù)脈沖的前置脈沖或?yàn)樽罱K脈沖。
14.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中當(dāng)在前置脈沖結(jié)束時所述傳感的阻抗值低于所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值時，所述方法進(jìn)一步包含控制至所述后續(xù)脈沖的所述能量傳送，以使得所述后續(xù)脈沖具有與所述起始脈沖的脈沖輪廓相同的脈沖輪廓。
15.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中當(dāng)在前置脈沖結(jié)束時所述傳感的阻抗值超過所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值時，所述方法進(jìn)一步包含控制至所述后續(xù)脈沖的所述能量傳送，以使得所述后續(xù)脈沖具有升高輪廓。
16.如權(quán)利要求15所述的電外科學(xué)方法，其中所述后續(xù)脈沖的所述升高輪廓包含在所述脈沖的開始時從所述RF初始值直接上升至所述RF最終值。
17.如權(quán)利要求15所述的電外科學(xué)方法，其中分別與所述前置脈沖的所述RF初始值、RF最終值和斜升率相比，所述后續(xù)脈沖的所述升高輪廓包含增加的RF初始值、增加的RF最終值和從所述RF初始值到所述RF最終值的增加的斜升率中的任何一或多個。
18.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中當(dāng)在脈沖期間的任何時刻所述傳感的阻抗超過所述用于能量減少的阻抗閾值時，所述方法進(jìn)一步包含減少能量傳送。
19.如權(quán)利要求18所述的電外科學(xué)方法，其中減少能量傳送包含立即減少能量傳送。
20.如權(quán)利要求18所述的電外科學(xué)方法，其中減少能量傳送包含等待累積的預(yù)設(shè)的經(jīng)過時間量，在所述時間量期間，所述傳感的阻抗在減少能量傳送之前超過所述用于能量減少的阻抗閾值。
21.如權(quán)利要求18所述的電外科學(xué)方法，其中減少能量傳送包含分別與所述前置脈沖的所述RF初始值、RF最終值和斜升率相比，減少所述RF初始值、減少所述RF最終值或減少從所述RF初始值到所述RF最終值的所述斜升率中的任何一或多個。
22.如權(quán)利要求18所述的電外科學(xué)方法，其中減少能量傳送包含減少能量傳送達(dá)正被傳送的能量的分?jǐn)?shù)量。
23.如權(quán)利要求22所述的電外科學(xué)方法，其中降低所述正被傳送的能量的量包含減少所述能量傳送達(dá)一分?jǐn)?shù)量，所述分?jǐn)?shù)量對應(yīng)于傳感的阻抗超過所述用于能量減少的阻抗閾值的分?jǐn)?shù)量。
24.如權(quán)利要求22所述的電外科學(xué)方法，其中降低被傳送的能量的量達(dá)一分?jǐn)?shù)量包含以連續(xù)實(shí)時的方式降低能量的量。
25.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法,其中所述脈沖中的每一個具有恒定持續(xù)時間，所述恒定持續(xù)時間自約O. 5秒至約10秒的范圍變化。
26.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中累積密封終點(diǎn)持續(xù)時間在約O.I秒與約5秒之間。
27.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中所述RF初始值在約25瓦特至約150瓦特的范圍之內(nèi)。
28.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中所述RF最終值在約50瓦特至約150瓦特的范圍之內(nèi)。
29.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值在約5歐姆至約250歐姆的范圍之內(nèi)。
30.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中所述能量減少值的阻抗閾值在約100歐姆至約900歐姆的范圍之內(nèi)。
31.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中所述累積時間值的阻抗閾值在約100歐姆至約750歐姆的范圍之內(nèi)。
32.如權(quán)利要求10所述的電外科學(xué)方法，其中傳送能量包含增加在脈沖期間從預(yù)設(shè)RF初始值到預(yù)設(shè)RF最終值傳送的能量的水平。
33.一種電外科學(xué)方法,包含 在密封周期中從電外科學(xué)裝置傳送能量至目標(biāo)組織部位，所述密封周期包含一系列脈沖，每一脈沖具有預(yù)設(shè)脈沖持續(xù)時間，所述系列脈沖以具有起始脈沖輪廓的起始脈沖開始，所述起始脈沖輪廓包含在所述脈沖期間增加至預(yù)設(shè)RF最終值的預(yù)設(shè)RF水平初始值； 在每一脈沖期間傳感組織阻抗值，每一脈沖為后續(xù)脈沖的前置脈沖或?yàn)樽罱K脈沖； 控制在密封周期期間的能量傳送，以使得； a.取決于由在第一脈沖期間的組織顯示的阻抗值與用于RF設(shè)定點(diǎn)的預(yù)設(shè)阻抗閾值的比較，后續(xù)脈沖的輪廓相對于所述后續(xù)脈沖的前置脈沖的輪廓具有相同輪廓或較高能量輪廓中的任一輪廓， b.當(dāng)傳感的阻抗值超過用于能量減少的預(yù)設(shè)閾值時，能量在脈沖期間減少；和 c.當(dāng)傳感的阻抗已超過累積時間的預(yù)設(shè)阻抗閾值的累積時間量已累積了預(yù)設(shè)密封周期的持續(xù)時間限制時，能量傳送停止。
34.如權(quán)利要求33所述的電外科學(xué)方法，其中 當(dāng)所述傳感的阻抗超過所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的預(yù)設(shè)閾值時，所述后續(xù)脈沖的所述能量輪廓超過所述前置脈沖的所述能量輪廓和 當(dāng)所述傳感的阻抗低于所述用于RF設(shè)定點(diǎn)的預(yù)設(shè)閾值時，所述后續(xù)脈沖的所述能量輪廓與所述前置脈沖的所述能量輪廓相同。
35.如權(quán)利要求33所述的電外科學(xué)方法，其中脈沖的所述能量輪廓包含RF初始值、RF最終值和在所述RF初始值與所述RF最終值之間的過渡階段。
36.如權(quán)利要求33所述的電外科學(xué)方法，其中后續(xù)脈沖相對于所述前置脈沖的下降脈沖能量輪廓包含下降的RF初始值、下降的RF最終值或從所述RF初始值到所述RF最終值的過渡的下降速率中的任何一個。
37.如權(quán)利要求33所述的電外科學(xué)方法，其中后續(xù)脈沖相對于所述前置脈沖的增高能量脈沖輪廓包含較高的RF初始值、較高的RF最終值或從所述RF初始值到所述RF最終值的過渡的較高速率中的任何一個。
38.如權(quán)利要求33所述的電外科學(xué)方法，其中從所述RF初始值到所述RF最終值的所述過渡包含傾斜過渡或階躍過渡中的任何一個。
39.一種電外科學(xué)方法,包含 在密封周期中從電外科學(xué)裝置傳送能量至目標(biāo)組織，所述密封周期包含一系列脈沖，每一脈沖具有預(yù)設(shè)持續(xù)時間，所述系列脈沖以具有輪廓的起始脈沖開始，所述輪廓包含以預(yù)設(shè)斜升率增加至預(yù)設(shè)RF最終值的預(yù)設(shè)RF水平初始值； 在每一脈沖期間傳感組織阻抗值，每一脈沖為后續(xù)脈沖的前置脈沖或?yàn)樽罱K脈沖；將所述傳感的阻抗值與三個預(yù)設(shè)阻抗閾值中的每一預(yù)設(shè)阻抗閾值比較，所述閾值包含用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值、用于累積時間的阻抗閾值和用于能量減少的阻抗閾值； 通過回應(yīng)于所述傳感的阻抗值與所述阻抗閾值的比較，控制在所述密封周期期間的所述能量傳送，以使得當(dāng)組織的所述累積時間顯示阻抗值超過所述阻抗累積時間閾值達(dá)到預(yù)設(shè)密封周期持續(xù)時間限制時，停止所述密封周期。
全文摘要
本發(fā)明提供基于比較傳感的組織阻抗與各種阻抗閾值來控制電外科學(xué)功率傳送的方法。能量作為一系列脈沖在密封周期中傳送給組織。起始脈沖所具有的輪廓具有預(yù)設(shè)能量初始值，所述預(yù)設(shè)能量初始值以斜升率增加至預(yù)設(shè)最終值。在每一脈沖期間監(jiān)測傳感的阻抗數(shù)據(jù)，且將傳感的阻抗數(shù)據(jù)與用于RF設(shè)定點(diǎn)的阻抗閾值、用于累積時間的阻抗閾值和用于能量減少的阻抗閾值中的每一者比較。基于在脈沖期間傳感的阻抗，可修改后續(xù)脈沖的輪廓。在反映低組織存在的高阻抗事件的情況下，可減少能量。當(dāng)其中阻抗值超過阻抗累積時間閾值的累積時間量達(dá)到密封周期持續(xù)時間限制時，停止密封周期。
文檔編號A61B18/18GK102834069SQ201180009484
公開日2012年12月19日 申請日期2011年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月26日
發(fā)明者T·科斯, M·H·泰米斯托, R·瓦那 申請人:蛇牌股份公司