專利名稱：一種超聲波灸電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種的用于穴位醫(yī)治、理療、康復(fù)和保健的超聲波裝置電路結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景
現(xiàn)有的超聲波理療、康復(fù)和保健的超聲波裝置幾乎均為醫(yī)院內(nèi)的固定設(shè)備，或者是比較笨重、配置復(fù)雜的組合設(shè)備，不僅使用、維護(hù)困難，而且需要專業(yè)人員操作。然而，這類設(shè)備或器械以其廣泛適用功能，如低功率的機(jī)械波、安全無(wú)副作用的超聲波頻率等，非常適用于包括保健需求的各種人群，以致提出家庭、隨身、隨時(shí)、隨地應(yīng)用的需求。這就產(chǎn)生了廣泛需求與專用設(shè)備的矛盾。解決這個(gè)矛盾的方法就是研發(fā)一種便攜式、易操作、適用于各種人群的廣泛適用型醫(yī)治、理療、康復(fù)和保健的超聲波裝置。超聲波灸是該類裝置中具有取代其它灸類作用的器械，它以深入、間歇、集中的超聲波穴位刺激來(lái)產(chǎn)生生理醫(yī)療作用，而其電路結(jié)構(gòu)又是產(chǎn)生超聲波能量的核心。發(fā)明內(nèi)容
為解決廣泛需求與專用設(shè)備的矛盾本發(fā)明提供一種超聲波灸電路結(jié)構(gòu)。超聲波灸電路主要由模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路、主電路和電源開關(guān)操作電路構(gòu)成。主電路通過(guò)脈沖控制信號(hào)接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接， 通過(guò)低頻率控制信號(hào)接線端、中頻率控制信號(hào)接線端、高頻率控制信號(hào)接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過(guò)斬波控制信號(hào)接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關(guān)操作電路通過(guò)工作電源正極接線端和公共接地端連接到各個(gè)電路。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是
超聲波灸電源電路主要由主電路和電源開關(guān)操作電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路構(gòu)成。主電路通過(guò)脈沖控制信號(hào)接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過(guò)低頻率控制信號(hào)接線端、中頻率控制信號(hào)接線端、高頻率控制信號(hào)接線端、匹配電感低頻率接線端、匹配電感中頻率接線端、匹配電感高頻率接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過(guò)斬波控制信號(hào)接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關(guān)操作電路通過(guò)工作電源正極接線端和公共接地端連接到主電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路和功率控制操作電路。電源開關(guān)操作電路、模式控制操作電路和功率控制操作電路分別通過(guò)電源開關(guān)接點(diǎn)、模式控制開關(guān)接點(diǎn)和功率控制開關(guān)接點(diǎn)與電源開關(guān)按鍵、模式控制功能操作按鍵和功率控制功能操作按鍵構(gòu)成操作連接；頻率控制操作電路通過(guò)低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)、中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)和高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)分別與低頻控制功能操作滑壓鍵、中頻控制功能操作滑壓鍵和高頻控制功能操作滑壓鍵構(gòu)成操作連接。
主電路主要由模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元構(gòu)成。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由P溝道增強(qiáng)型斬波開關(guān)MOSFET 器件的及其驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成分擋級(jí)占空比調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)；超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構(gòu)成正弦波信號(hào)源結(jié)構(gòu)；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由NPN型前置功放三極管、NPN型為上臂推挽三極管、PNP型下臂推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構(gòu)成OTL輸出匹配結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果是電路是一種高性價(jià)比的超聲波驅(qū)動(dòng)電源電路，其OTL輸出匹配結(jié)構(gòu)使得能效大大提高，可有力驅(qū)動(dòng)便攜式、易操作、適用于各種人群的廣泛適用型醫(yī)治、理療、康復(fù)和保健的超聲波裝置。便于組裝、調(diào)整與試驗(yàn)；機(jī)體及電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于批量生產(chǎn)；系統(tǒng)的純硬件構(gòu)成使得維護(hù)、維修簡(jiǎn)便易行。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例-超聲波灸的結(jié)構(gòu)外觀正面示意圖。
圖2是超聲波灸的振子裝配口結(jié)構(gòu)視圖。
圖3是超聲波灸的電路結(jié)構(gòu)框圖。
圖4是超聲波灸的模式控制操作電路結(jié)構(gòu)圖。
圖5是超聲波灸的頻率控制操作電路結(jié)構(gòu)圖。
圖6是超聲波灸的功率控制操作電路結(jié)構(gòu)圖。
圖7是超聲波灸的主電路結(jié)構(gòu)圖。
圖8是超聲波灸的電源開關(guān)操作電路結(jié)構(gòu)圖。
在圖1 8中1.灸端-振子結(jié)構(gòu)，2.機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)，3.模式控制功能操作按鍵，4.功率控制功能操作按鍵，5.電源開關(guān)按鍵，6.電源指示燈，7.功率擋級(jí)指示燈，8.頻率擋級(jí)指示燈，9.模式擋級(jí)指示燈。
在圖2、3、5中2. 1.安裝內(nèi)螺紋，2. 2.內(nèi)摩觸接點(diǎn)，3. 3.外摩觸接點(diǎn)，2. 4.低頻控制功能操作滑壓鍵，2. 5.中頻控制功能操作滑壓鍵，2. 6.高頻控制功能操作滑壓鍵。
在圖3 8中=Mtff為模式控制操作電路，F(xiàn)op為頻率控制操作電路，Pop為功率控制操作電路，Etff為電源開關(guān)操作電路，Hffi為主電路；E為工作電源正極接線端，Km為模式控制開關(guān)接點(diǎn)，M為脈沖控制信號(hào)接線端，Kfi為低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)一，Kf2為中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)一，Kf3為高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)一，Kli為低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二，Kl2為中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二，Kl3為高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二，F(xiàn)1為低頻率控制信號(hào)接線端，F(xiàn)2為中頻率控制信號(hào)接線端，F(xiàn)3為高頻率控制信號(hào)接線端，F(xiàn)li為匹配電感低頻率接線端，F(xiàn)l2為匹配電感中頻率接線端，F(xiàn)l3為匹配電感高頻率接線端，Kp為功率控制開關(guān)接點(diǎn)，P 為斬波控制信號(hào)接線端，K為電源開關(guān)接點(diǎn)。
在圖4中Adm為第一與門上拉電阻，Rdmi為短脈沖指示LED限流電阻，Rdm2為中脈沖指示LED限流電阻，Rdm3為長(zhǎng)脈沖指示LED限流電阻，Dmi為短脈沖指示LED器件，Dm2為中脈沖指示LED器件，Dm3為長(zhǎng)脈沖指示LED器件，DMa為模式操作與門第一二極管，Dsib為模式操作與門第二二極管，U1為第一四D觸發(fā)器芯片，&為模式操作恢復(fù)電阻，Cm為模式操作恢復(fù)電容，I為短脈沖延時(shí)電阻，Re為中脈沖延時(shí)電阻，Rm3為長(zhǎng)脈沖延時(shí)電阻，Rmc為脈沖間歇延時(shí)電阻，Cmi為脈沖延時(shí)電容，U2為脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片，Cm2為模式控制濾波電容， Rsc為脈沖控制信號(hào)負(fù)載電阻。
在圖5中RDF1為低頻率指示LED限流電阻，Rdf2為中頻率指示LED限流電阻，Rdf3為高頻率沖指示LED限流電阻，Dfi為低頻率指示LED器件，Df2為中頻率指示LED器件，Df3 為高頻率指示LED器件。
在圖6中Rdp為第三與門上拉電阻，Rdpi為弱功率指示LED限流電阻，Rdp2為中功率指示LED限流電阻，Rdp3為強(qiáng)功率沖指示LED限流電阻，Dpi為弱功率指示LED器件，Dp2為中功率指示LED器件，Dp3為強(qiáng)功率指示LED器件，Dpa為功率操作與門第一二極管，Dpb為功率操作與門第二二極管，U4為第三四D觸發(fā)器芯片，&為功率操作恢復(fù)電阻，Cp為功率操作恢復(fù)電容，Rpi為低占空比延時(shí)電阻，Rp2為中占空比延時(shí)電阻，Rp3為高占空比延時(shí)電阻，Rpc 為間歇占空延時(shí)電阻，Cpi為占空比控制延時(shí)電容，U5為占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片，Cp2為功率控制濾波電容，Rpl為斬波控制信號(hào)負(fù)載電阻。
在圖7中=Rstlb為斬波驅(qū)動(dòng)三極管基極偏流電阻，Dm為與門脈沖控制二極管，Dp為與門斬波控制二極管，Rsg為斬波開關(guān)MOSFET器件柵極偏流電阻，Rs0c為斬波驅(qū)動(dòng)集電極負(fù)載電阻，Tso為斬波驅(qū)動(dòng)三極管，GIse為斬波開關(guān)MOSFET器件，Dse為穩(wěn)壓續(xù)流二極管，Lse為平波電感，Cse為平波電容；C0s為振蕩反饋電容，R0sl為低頻率振蕩反饋電阻，R0s2為中低頻率振蕩反饋電阻，R0s3為高頻率振蕩反饋電阻，Rsdi為低頻率振蕩反饋分壓電阻，Rsd2為中低頻率振蕩反饋分壓電阻，I SD3為高頻率振蕩反饋分壓電阻，I^b為振蕩放大三極管基極偏流電阻，Rsic為振蕩放大三極管集電極負(fù)載電阻，Tsi為振蕩放大三極管，Rse為射隨器射極電阻， Ts2為射隨器三極管，I S2為射隨器集電極負(fù)載電阻，I ffib為射隨器基極偏流電阻；C。為振蕩信號(hào)耦合電容，Rof為功率反饋電阻，Rob為功率反饋分壓電阻，R01為自舉分壓電阻，R02為自舉電阻，Dsi為第一交躍二極管，Dsi為第二交躍二極管，為前置功放三極管，I^e為前置功放射極電阻，Ttjl為上臂推挽三極管，T。2為下臂推挽三極管，C。為自舉電容，V。為功率輸出接線端；Z為振子等效阻抗，為電感獨(dú)立接線端，L0為諧振電感。
在圖8中Aei為電源指示LED限流電阻，Vd為電源指示燈LED器件，Re2為電容限流電阻，Ce為記憶電容，Rb為偏流電阻，A為電源開關(guān)MOSFET器件，Rc為分壓電阻，T為開關(guān)晶體管，Rg為柵極分壓電阻，Bat為電池，Soc為充電插口。
具體實(shí)施方式
在圖1所示的本發(fā)明實(shí)施例-超聲波灸的結(jié)構(gòu)外觀正面示意圖中灸端-振子結(jié)構(gòu)1裝配在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2的左端。在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2的正面，從左至右依次裝配薄膜型模式控制功能操作按鍵3、薄膜型功率控制功能操作按鍵4和電源開關(guān)按鍵5。在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2正面右端的電源開關(guān)按鍵5上部，配有電源指示燈6 ；在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2正面中右端的功率控制功能操作按鍵4上部，配有功率擋級(jí)指示燈7 ；在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2正面中左端的模式控制功能操作按鍵3上部，配有模式擋級(jí)指示燈9 ；在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2正面的功率控制功能操作按鍵4及其功率擋級(jí)指示燈7和模式控制功能操作按鍵3及其模式擋級(jí)指示燈9之間，配有頻率控制功能標(biāo)示及其頻率擋級(jí)指示燈8。
在圖1所示的超聲波灸結(jié)構(gòu)外觀正面示意圖和圖2所示的超聲波灸振子裝配口結(jié)構(gòu)視圖中在機(jī)殼操作面板結(jié)構(gòu)2的左端面，開有扁圓柱盒形內(nèi)凹式振子裝配口。裝配口的圓柱側(cè)壁制有安裝內(nèi)螺紋2. 1，安裝內(nèi)螺紋2. 1為表面經(jīng)止退防滑處理的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。裝配口的底面由內(nèi)向外劃分為中心、內(nèi)環(huán)、次內(nèi)環(huán)、中環(huán)、次外環(huán)和外環(huán)。裝配口的底面中心裝嵌有內(nèi)摩觸接點(diǎn)2. 2，裝配口的底面次內(nèi)環(huán)裝嵌有外摩觸接點(diǎn)3. 3 ；內(nèi)摩觸接點(diǎn)2. 2和外摩觸接點(diǎn)3. 3均為經(jīng)表面耐摩處理的磷銅材料制成的球冠環(huán)形彈性電接觸體，接觸面向前。在裝配口的底面外環(huán)，僅靠安裝內(nèi)螺紋2. 1，安裝有低頻控制功能操作滑壓鍵2. 4;在裝配口的底面次外環(huán)，安裝有中頻控制功能操作滑壓鍵2. 5 ；在裝配口的底面中環(huán)，安裝有高頻控制功能操作滑壓鍵2. 6 ；低頻控制功能操作滑壓鍵2. 4、中頻控制功能操作滑壓鍵2. 5和高頻控制功能操作滑壓鍵2. 6均為微型微動(dòng)滑觸開關(guān)回彈滑壓鍵。
在圖3所示的超聲波灸電路結(jié)構(gòu)框圖中超聲波灸電源電路主要由主電路Hos和電源開關(guān)操作電路Ε.模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路F.功率控制操作電路構(gòu)成。主電路Hos通過(guò)脈沖控制信號(hào)接線端M和公共接地端與模式控制操作電路Mtff連接，通過(guò)低頻率控制信號(hào)接線端F1、中頻率控制信號(hào)接線端F2、高頻率控制信號(hào)接線端F3、匹配電感低頻率接線端Fu，匹配電感中頻率接線端&和匹配電感高頻率接線端Fc3和公共接地端與頻率控制操作電路Ftff連接，通過(guò)斬波控制信號(hào)接線端P和公共接地端與功率控制操作電路Pw連接；電源開關(guān)操作電路Ew通過(guò)工作電源正極接線端E和公共接地端連接到主電路 Hos、模式控制操作電路Μ.頻率控制操作電路Ftff和功率控制操作電路P『電源開關(guān)操作電路Etff、模式控制操作電路Mw和功率控制操作電路Ptff分別通過(guò)電源開關(guān)接點(diǎn)K、模式控制開關(guān)接點(diǎn)Km和功率控制開關(guān)接點(diǎn)Kp與電源開關(guān)按鍵5、模式控制功能操作按鍵3和功率控制功能操作按鍵4構(gòu)成操作連接；頻率控制操作電路Ftff通過(guò)低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)(即低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)一 Kfi與低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 Ku)、中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)(即中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)一 Kf2與中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 KJ和高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)(即高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)一 Kf3與高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 Ku)，分別與低頻控制功能操作滑壓鍵2. 4、中頻控制功能操作滑壓鍵2. 5和高頻控制功能操作滑壓鍵 2. 6構(gòu)成操作連接。
在圖4所示的超聲波灸模式控制操作電路結(jié)構(gòu)圖中
模式控制操作電路主要由CMOS型第一四D觸發(fā)器芯片R、CM0S型脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2及其外圍器件構(gòu)成。
第一觸發(fā)上拉電阻Rdm的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第一四D觸發(fā)器芯片U1的4腳連接；短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的一端與短脈沖指示LED器件Dmi 的陽(yáng)極端連接，短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中脈沖指示LED限流電阻Rdm2的一端與中脈沖指示LED器件Dm2的陽(yáng)極端連接，中脈沖指示LED 限流電阻Rdm2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；長(zhǎng)脈沖指示LED限流電阻Rdm3的一端與長(zhǎng)脈沖指示LED器件Dm3的陽(yáng)極端連接，長(zhǎng)脈沖指示LED限流電阻Rdm3的另一端連接到工作電源正極接線端E。短脈沖指示LED器件Dmi的陰極端連接到第一四D觸發(fā)器芯片U1的 2腳，中脈沖指示LED器件Dm2的陰極端連接到第一四D觸發(fā)器芯片U1的6腳，長(zhǎng)短脈沖指示LED器件Dm3的陰極端連接到第一四D觸發(fā)器芯片仏的11腳。模式操作與門第一二極管 DMa的陽(yáng)極和模式操作與門第二二極管Dstb的陽(yáng)極均與第一四D觸發(fā)器芯片U1的4腳連接， 模式操作與門第一二極管DMa的陰極和模式操作與門第二二極管Dstb的陰極分別與第一四D 觸發(fā)器芯片U1的2腳和6腳連接。第一四D觸發(fā)器芯片U1的3腳與5腳連接，第一四D觸發(fā)器芯片U1的7腳與12腳連接，第一四D觸發(fā)器芯片U1的8腳接地，第一四D觸發(fā)器芯片 U1的3腳、7腳和10腳分別連接到短脈沖延時(shí)電阻的一端、中脈延時(shí)電阻^2的一端和長(zhǎng)脈沖延時(shí)電阻Rm3的一端，第一四D觸發(fā)器芯片仏的16腳連接到工作電源正極接線端E，第一四D觸發(fā)器芯片仏的其余腳懸空。模式操作恢復(fù)電阻&的一端接地，模式操作恢復(fù)電阻 的另一端與模式操作恢復(fù)電容Cm的負(fù)極端連接，模式操作恢復(fù)電阻 與模式操作恢復(fù)電容Cm的連接點(diǎn)連接到第一四D觸發(fā)器芯片U1的9腳；模式操作恢復(fù)電容Cm的正極端連接到工作電源正極接線端E ；模式控制開關(guān)Km的兩端跨接在模式操作恢復(fù)電容Cm的正、負(fù)極之間。短脈沖延時(shí)電阻的另一端、中脈延時(shí)電阻^2的另一端和長(zhǎng)脈沖延時(shí)電阻Rm3的另一端均與脈沖間歇延時(shí)電阻Rk的一端連接，該連接點(diǎn)連接到脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2 的7腳。脈沖間歇延時(shí)電阻Rsc的另一端與脈沖延時(shí)電容Cmi的正極端連接，該連接點(diǎn)連接到脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的2腳；脈沖延時(shí)電容Cmi的負(fù)極端接地。脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的2腳與6腳連接，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的1腳接地，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的5腳通過(guò)模式控制濾波電容Cm2接地，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的4腳、8 腳均連接到工作電源正極接線端E，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的3腳通過(guò)脈沖控制信號(hào)負(fù)載電阻Rtt連接到工作電源正極接線端E，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的3腳連接到脈沖控制信號(hào)接線端M。
在圖5所示的超聲波灸頻率控制操作電路結(jié)構(gòu)圖中
低頻率指示LED限流電阻Rdfi的一端與低頻率指示LED器件Dfi的陽(yáng)極端連接，低頻率指示LED限流電阻Rdfi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中頻率指示LED限流電阻Rdf2的一端與中頻率指示LED器件Df2的陽(yáng)極端連接，中頻率指示LED限流電阻Rdf2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的一端與高頻率指示LED器件Df3的陽(yáng)極端連接，高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的另一端連接到工作電源正極接線端E。低頻率指示LED器件Dfi的陰極、中頻率指示LED器件Df2的陰極和高頻率指示LED器件Df3的陰極分別連接到低頻率控制信號(hào)接線端F1、中頻率控制信號(hào)接線端F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3 ；在低頻率控制信號(hào)接線端F1、中頻率控制信號(hào)接線端F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kfi、中頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kf2和高頻率控制開關(guān)接點(diǎn)KF3。在匹配電感低頻率接線端Fu、匹配電感中頻率接線端R2和匹配電感高頻率接線端Fu與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 Ku、中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 I^2和高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 Κω。
在圖6所示的超聲波灸功率控制操作電路結(jié)構(gòu)圖中
功率控制操作電路主要由CMOS型第三四D觸發(fā)器芯片U4、CM0S型占空比產(chǎn)生555 定時(shí)器芯片U5及其外圍器件構(gòu)成。
第三觸發(fā)上拉電阻Rdp的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第三四D觸發(fā)器芯片U4的4腳連接；弱功率指示LED限流電阻Rdpi的一端與弱功率指示LED器件Dpi 的陽(yáng)極端連接，弱功率指示LED限流電阻Rdpi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中功率指示LED限流電阻Rdp2的一端與中功率指示LED器件Dp2的陽(yáng)極端連接，中功率指示LED 限流電阻Rdp2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；強(qiáng)功率沖指示LED限流電阻Rdp3的一端與強(qiáng)功率指示LED器件Dp3的陽(yáng)極端連接，強(qiáng)功率沖指示LED限流電阻Rdp3的另一端連接到工作電源正極接線端E。弱功率指示LED器件Dpi的陰極、中功率指示LED器件Dp2的陰極和強(qiáng)功率指示LED器件Dp3的陰極分別連接到第三四D觸發(fā)器芯片U4的2腳、6腳和11 腳。功率操作與門第一二極管D15a的陽(yáng)極和功率操作與門第二二極管Dpb的陽(yáng)極均與第三四 D觸發(fā)器芯片U4的4腳連接，功率操作與門第一二極管Dpa的陰極和功率操作與門第二二極管Dpb的陰極分別與第三四D觸發(fā)器芯片U4的2腳和6腳連接。第三四D觸發(fā)器芯片U4的 3腳與5腳連接，第三四D觸發(fā)器芯片U4的7腳與12腳連接，第三四D觸發(fā)器芯片U4的8 腳接地，第三四D觸發(fā)器芯片U4的3腳、7腳和10腳分別連接到低占空比延時(shí)電阻Rpi的一端、中占空比延時(shí)電阻Rp2的一端和高占空比延時(shí)電阻I P3的一端，第三四D觸發(fā)器芯片U4的 16腳連接到工作電源正極接線端E，第三四D觸發(fā)器芯片U4的其余腳懸空。功率操作恢復(fù)電阻&的一端接地，功率操作恢復(fù)電阻&的另一端與功率操作恢復(fù)電容Cp的負(fù)極端連接， 功率操作恢復(fù)電阻&與功率操作恢復(fù)電容Cp的連接點(diǎn)連接到第三四D觸發(fā)器芯片U4的9 腳；功率操作恢復(fù)電容Cp的正極端連接到工作電源正極接線端E ；功率控制開關(guān)Kp的兩端跨接在功率操作恢復(fù)電容Cp的正、負(fù)極之間。低占比空延時(shí)電阻Rpi的另一端、中占空比延時(shí)電阻Rp2的另一端和高占空比延時(shí)電阻I P3的另一端均與間歇占空延時(shí)電阻Rrc的一端連接，該連接點(diǎn)連接到占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的7腳。間歇占空延時(shí)電阻Rre的另一端與占空比控制延時(shí)電容Cpi的一端連接，該連接點(diǎn)連接到占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的2 腳；占空比控制延時(shí)電容Cpi的另一端接地。占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的2腳與6腳連接，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的1腳接地，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的5腳通過(guò)功率控制濾波電容Cp2接地，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的4腳、8腳均連接到工作電源正極接線端E，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的3腳通過(guò)斬波控制信號(hào)負(fù)載電阻R11連接到工作電源正極接線端E，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的3腳連接到斬波控制信號(hào)接線端P。
在圖7所示的超聲波灸的主電路結(jié)構(gòu)圖中
主電路主要包括模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由P溝道增強(qiáng)型斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的及其驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成；超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構(gòu)成；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由NPN型前置功放三極管TS3、NPN型為上臂推挽三極管 UNP型下臂推挽三極管T。2、諧振電感L。、換能器-振子等效阻抗Z及其外圍器件構(gòu)成。
在模式、功率控制操作執(zhí)行單元中斬波驅(qū)動(dòng)三極管基極偏流電阻I^stlb的一端連接到工作電源正極接線端Ε，另一端與斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陽(yáng)極和與門斬波控制二極管Dp的陽(yáng)極均與斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陰極和與門斬波控制二極管Dp的陰極分別連接到脈沖控制信號(hào)接線端 M和斬波控制信號(hào)接線端P ；斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的發(fā)射極接地，斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的集電極與斬波驅(qū)動(dòng)集電極負(fù)載電阻1^。的一端連接。斬波驅(qū)動(dòng)集電極負(fù)載電阻1^。的另一端與斬波開關(guān)MOSFET器件的柵極連接；斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的源極連接到工作電源正極接線端E，斬波開關(guān)MOSFET器件柵極偏流電阻I Sg跨接在斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的源極和柵極之間，斬波開關(guān)MOSFET器件的漏極與穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陰極連接；穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陽(yáng)極接地；平波電感Lse的一端與斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的漏極連接，平波電感Lse的另一端與平波電容Cse的正極連接；平波電容Cse的負(fù)極接地。
在超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元中三只振蕩反饋電容Cfe —一串聯(lián)構(gòu)成振蕩信號(hào)反饋鏈， 其一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接，另一端與射隨器三極管Ts2的基極連接；振蕩信號(hào)反饋鏈的中段振蕩反饋電容Cfe的兩端，分別連接兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfcl的一端、中低頻率振蕩反饋電阻Rfe2的一端和高頻率振蕩反饋電阻Rfc3的一端；兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfel的另一端均連接到低頻率控制信號(hào)接線端F1,兩組中低頻率振蕩反饋電阻Rfe2 的另一端均連接到中頻率控制信號(hào)接線端F2，兩組高頻率振蕩反饋電阻R0s3的另一端均連接到高頻率控制信號(hào)接線端F3 ；低頻率振蕩反饋分壓電阻Rsdi的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻I SD2的一端、高頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd3的一端分別連接到低頻率控制信號(hào)接線端 F1、中頻率控制信號(hào)接線端F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3,低頻率振蕩反饋分壓電阻Rsdi的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻I SD2的一端和高頻率振蕩反饋分壓電阻I SD3的一端均接地。 振蕩放大三極管基極偏流電阻I^b的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接；振蕩放大三極管集電極負(fù)載電阻I S1。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接；射隨器集電極負(fù)載電阻I ffi。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的集電極連接；射隨器射極電阻 Rse的一端與射隨器三極管Ts2的發(fā)射極連接，另一端接地；射隨器基極偏流電阻的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的基極連接。
在功率放大和匹配換能執(zhí)行單元中振蕩信號(hào)耦合電容C。的一端與射隨器三極管 Ts2的發(fā)射極連接，另一端與前置功放三極管Ts3的基極連接；功率反饋電阻R。f的一端與前置功放三極管的基極連接，另一端連接到功率輸出接線端V。；功率反饋分壓電阻R。b的一端與前置功放三極管Ts3的基極連接，另一端接地；。自舉分壓電阻Rtjl的一端連接到平波電容Cse的正極，另一端與自舉電阻R。2的一端連接；自舉分壓電阻Rtjl與自舉電阻R。2的連接點(diǎn)與自舉電容C。的一端連接，自舉電容C。的另一端連接到功率輸出接線端V。。第一交躍二極管Dsi與第二交躍二極管Dsi正向串聯(lián)，該串聯(lián)支路的陽(yáng)極與上臂推挽三極管Ttjl的基極連接，陰極與下臂推挽三極管T。2的基極及前置功放三極管Ts3的集電極同時(shí)連接；前置功放三極管的發(fā)射極與前置功放射極電阻的一端連接，前置功放射極電阻I^e的另一端接地。上臂推挽三極管Ttjl的集電極連接到平波電容Cse的正極，其基極與自舉電阻 R02的另一端連接，其發(fā)射極與下臂推挽三極管Τ。2的發(fā)射極連接；上臂推挽三極管Ttjl發(fā)射極與下臂推挽三極管Τ。2發(fā)射極的連接點(diǎn)連接到功率輸出接線端V。；下臂推挽三極管Τ。2的集電極接地。灸端-振子結(jié)構(gòu)1以其振子等效阻抗Z跨接在振子功率輸出接線端V。和諧振電感L。的電感獨(dú)立接線端νΛ之間。諧振電感L。的非獨(dú)立接線端按低頻率匹配電感量，中頻率匹配電感量和高頻率匹配電感量引出接線抽頭，分別作為匹配電感低頻率接線端Fu， 匹配電感中頻率接線端R2和匹配電感高頻率接線端Fu。
在圖8所示的超聲波灸電源開關(guān)操作電路結(jié)構(gòu)中
電源開關(guān)操作電路主要由P溝道增強(qiáng)型電源開關(guān)MOSFET器件QK、電源開關(guān)K、電池Bat及其外圍器件構(gòu)成。
電源指示LED限流電阻Rfi的一端與電源指示燈LED器件Vd的陽(yáng)極連接，電源指示LED限流電阻1^的另一端連接到工作電源正極接線端E，電源指示燈LED器件Vd的陰極接地。電容限流電阻Re2的一端與記憶電容Ce的正極端連接，電容限流電阻Re2的另一端連接到工作電源正極接線端E，記憶電容Ce的負(fù)極端接地。偏流電阻Rb的一端連接到工作電源正極接線端E，偏流電阻Rb的另一端與開關(guān)晶體管T的基極連接；開關(guān)晶體管T的發(fā)射極接地，開關(guān)晶體管T的集電極與分壓電阻R。的一端連接。分壓電阻R。的另一端與電源開關(guān) MOSFET器件％的柵極及柵極分壓電阻&的一端同時(shí)連接，柵極分壓電阻&的另一端與電源開關(guān)MOSFET器件％的源極連接；電源開關(guān)MOSFET器件％的漏極連接到工作電源正極接線端Ε。電池Bat的正極端同時(shí)連接到電源開關(guān)MOSFET器件％的源極及充電插口 S。。的正極端；電池Bat的負(fù)極端和充電插口 S。。的負(fù)極端均接地。在電容限流電阻Re2與記憶電容 Ce的連接點(diǎn)與電源開關(guān)MOSFET器件A的柵極之間，跨接一電源開關(guān)K。
權(quán)利要求
1. 一種超聲波灸電路結(jié)構(gòu)，其特征是超聲波灸電源電路主要由主電路和電源開關(guān)操作電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路構(gòu)成；主電路通過(guò)脈沖控制信號(hào)接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過(guò)低頻率控制信號(hào)接線端、中頻率控制信號(hào)接線端、高頻率控制信號(hào)接線端、匹配電感低頻率接線端、匹配電感中頻率接線端、匹配電感高頻率接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過(guò)斬波控制信號(hào)接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關(guān)操作電路通過(guò)工作電源正極接線端和公共接地端連接到主電路、模式控制操作電路、頻率控制操作電路和功率控制操作電路；電源開關(guān)操作電路、模式控制操作電路和功率控制操作電路分別通過(guò)電源開關(guān)接點(diǎn)、模式控制開關(guān)接點(diǎn)和功率控制開關(guān)接點(diǎn)與電源開關(guān)按鍵、模式控制功能操作按鍵和功率控制功能操作按鍵構(gòu)成操作連接；頻率控制操作電路通過(guò)低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)、中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)和高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)分別與低頻控制功能操作滑壓鍵、中頻控制功能操作滑壓鍵和高頻控制功能操作滑壓鍵構(gòu)成操作連接；主電路主要由模式、功率控制操作執(zhí)行單元、超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元、功率放大和匹配換能執(zhí)行單元構(gòu)成。其中模式、功率控制操作執(zhí)行單元由P溝道增強(qiáng)型斬波開關(guān)MOSFET器件的及其驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成分擋級(jí)占空比調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)；超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元由受控選頻RC相移網(wǎng)路及其放大電路構(gòu)成正弦波信號(hào)源結(jié)構(gòu)；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元由NPN型前置功放三極管、NPN型為上臂推挽三極管、PNP型下臂推挽三極管、諧振電感、換能器-振子等效阻抗及其外圍器件構(gòu)成OTL輸出匹配結(jié)構(gòu)；模式、功率控制操作執(zhí)行單元中的斬波驅(qū)動(dòng)三極管基極偏流電阻I^sob的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陽(yáng)極和與門斬波控制二極管Dp的陽(yáng)極均與斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的基極連接；與門脈沖控制二極管Dm的陰極和與門斬波控制二極管Dp的陰極分別連接到脈沖控制信號(hào)接線端M和斬波控制信號(hào)接線端P ；斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的發(fā)射極接地，斬波驅(qū)動(dòng)三極管Tstl的集電極與斬波驅(qū)動(dòng)集電極負(fù)載電阻I S(I。的一端連接；斬波驅(qū)動(dòng)集電極負(fù)載電阻I S(I。的另一端與斬波開關(guān)MOSFET器件的柵極連接；斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的源極連接到工作電源正極接線端E，斬波開關(guān)MOSFET器件柵極偏流電阻I Sg跨接在斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的源極和柵極之間，斬波開關(guān)MOSFET器件(iSE的漏極與穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陰極連接；穩(wěn)壓續(xù)流二極管Dse的陽(yáng)極接地；平波電感Lse的一端與斬波開關(guān)MOSFET器件Qse的漏極連接，平波電感 Lse的另一端與平波電容Cse的正極連接；平波電容Cse的負(fù)極接地；超聲波信號(hào)產(chǎn)生單元中的三只振蕩反饋電容Cfc—一串聯(lián)構(gòu)成振蕩信號(hào)反饋鏈，其一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接，另一端與射隨器三極管的基極連接；振蕩信號(hào)反饋鏈的中段振蕩反饋電容Cfc的兩端，分別連接兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfel的一端、中低頻率振蕩反饋電阻Rfc2的一端和高頻率振蕩反饋電阻Rfc3的一端；兩組低頻率振蕩反饋電阻Rfcl的另一端均連接到低頻率控制信號(hào)接線端F1,兩組中低頻率振蕩反饋電阻Rfe2的另一端均連接到中頻率控制信號(hào)接線端F2，兩組高頻率振蕩反饋電阻Rfc3的另一端均連接到高頻率控制信號(hào)接線端F3 ；低頻率振蕩反饋分壓電阻Rsdi的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd2的一端、高頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd3的一端分別連接到低頻率控制信號(hào)接線端F” 中頻率控制信號(hào)接線端F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3，低頻率振蕩反饋分壓電阻I SD1的一端、中頻率振蕩反饋分壓電阻Rsd2的一端和高頻率振蕩反饋分壓電阻I^sd3的一端均接地；振蕩放大三極管基極偏流電阻I^b的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的基極連接；振蕩放大三極管集電極負(fù)載電阻I S1。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與振蕩放大三極管Tsi的集電極連接；射隨器集電極負(fù)載電阻I ffi。的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管Ts2的集電極連接；射隨器射極電阻Rse 的一端與射隨器三極管Ts2的發(fā)射極連接，另一端接地；射隨器基極偏流電阻的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與射隨器三極管的基極連接；功率放大和匹配換能執(zhí)行單元中的振蕩信號(hào)耦合電容C。的一端與射隨器三極管的發(fā)射極連接，另一端與前置功放三極管的基極連接；功率反饋電阻R。f的一端與前置功放三極管Ts3的基極連接，另一端連接到功率輸出接線端V。；功率反饋分壓電阻R。b的一端與前置功放三極管I3的基極連接，另一端接地；；自舉分壓電阻Rtjl的一端連接到平波電容Cse的正極，另一端與自舉電阻R。2的一端連接；自舉分壓電阻Rtjl與自舉電阻R。2的連接點(diǎn)與自舉電容C。的一端連接，自舉電容C。的另一端連接到功率輸出接線端V。；第一交躍二極管Dsi與第二交躍二極管Dsi正向串聯(lián)，該串聯(lián)支路的陽(yáng)極與上臂推挽三極管Ttjl的基極連接，陰極與下臂推挽三極管T。2的基極及前置功放三極管Ts3的集電極同時(shí)連接；前置功放三極管的發(fā)射極與前置功放射極電阻I^e的一端連接，前置功放射極電阻I^e的另一端接地；上臂推挽三極管Ttjl的集電極連接到平波電容Cse的正極，其基極與自舉電阻R。2的另一端連接，其發(fā)射極與下臂推挽三極管T。2的發(fā)射極連接；上臂推挽三極管Ttjl發(fā)射極與下臂推挽三極管Τ。2發(fā)射極的連接點(diǎn)連接到功率輸出接線端V。；下臂推挽三極管Τ。2的集電極接地；灸端-振子結(jié)構(gòu)1以其振子等效阻抗Z跨接在振子功率輸出接線端V。和諧振電感L。 的電感獨(dú)立接線端νΛ之間；諧振電感L。的非獨(dú)立接線端按低頻率匹配電感量，中頻率匹配電感量和高頻率匹配電感量引出接線抽頭，分別作為匹配電感低頻率接線端Fu，匹配電感中頻率接線端R2和匹配電感高頻率接線端Fu。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波灸電路結(jié)構(gòu)，其特征是模式控制操作電路主要由CMOS型第一四D觸發(fā)器芯片U” CMOS型脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2及其外圍器件構(gòu)成；第一觸發(fā)上拉電阻Rdm的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第一四D觸發(fā)器芯片U1的4腳連接；短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的一端與短脈沖指示LED器件Dmi的陽(yáng)極端連接，短脈沖指示LED限流電阻Rdmi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中脈沖指示LED限流電阻Rdm2的一端與中脈沖指示LED器件Dm2的陽(yáng)極端連接，中脈沖指示LED限流電阻Rdm2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；長(zhǎng)脈沖指示LED限流電阻Rdm3的一端與長(zhǎng)脈沖指示LED器件Dm3的陽(yáng)極端連接，長(zhǎng)脈沖指示LED限流電阻Rdm3的另一端連接到工作電源正極接線端E ；短脈沖指示LED器件Dmi的陰極端連接到第一四D觸發(fā)器芯片U1的2腳， 中脈沖指示LED器件Dm2的陰極端連接到第一四D觸發(fā)器芯片U1的6腳，長(zhǎng)短脈沖指示LED 器件Dm3的陰極端連接到第一四D觸發(fā)器芯片仏的11腳；模式操作與門第一二極管DMa的陽(yáng)極和模式操作與門第二二極管Dstb的陽(yáng)極均與第一四D觸發(fā)器芯片仏的4腳連接，模式操作與門第一二極管DMa的陰極和模式操作與門第二二極管Dstb的陰極分別與第一四D觸發(fā)器芯片U1的2腳和6腳連接；第一四D觸發(fā)器芯片U1的3腳與5腳連接，第一四D觸發(fā)器芯片U1的7腳與12腳連接，第一四D觸發(fā)器芯片U1的8腳接地，第一四D觸發(fā)器芯片U1的3腳、7腳和10腳分別連接到短脈沖延時(shí)電阻的一端、中脈延時(shí)電阻Rm2的一端和長(zhǎng)脈沖延時(shí)電阻Rm3的一端，第一四D觸發(fā)器芯片U1的16腳連接到工作電源正極接線端E，第一四 D觸發(fā)器芯片U1的其余腳懸空；模式操作恢復(fù)電阻&的一端接地，模式操作恢復(fù)電阻&的另一端與模式操作恢復(fù)電容Cm的負(fù)極端連接，模式操作恢復(fù)電阻 與模式操作恢復(fù)電容Cm 的連接點(diǎn)連接到第一四D觸發(fā)器芯片U1的9腳；模式操作恢復(fù)電容Cm的正極端連接到工作電源正極接線端E ；模式控制開關(guān)Km的兩端跨接在模式操作恢復(fù)電容Cm的正、負(fù)極之間；短脈沖延時(shí)電阻的另一端、中脈延時(shí)電阻1^的另一端和長(zhǎng)脈沖延時(shí)電阻Rm3的另一端均與脈沖間歇延時(shí)電阻Rk的一端連接，該連接點(diǎn)連接到脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的7腳；脈沖間歇延時(shí)電阻Rsc的另一端與脈沖延時(shí)電容Cmi的正極端連接，該連接點(diǎn)連接到脈沖發(fā)生 555定時(shí)器芯片U2的2腳；脈沖延時(shí)電容Cmi的負(fù)極端接地；脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的 2腳與6腳連接，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的1腳接地，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的5 腳通過(guò)模式控制濾波電容Cm2接地，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的4腳、8腳均連接到工作電源正極接線端E，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的3腳通過(guò)脈沖控制信號(hào)負(fù)載電阻Rsc連接到工作電源正極接線端E，脈沖發(fā)生555定時(shí)器芯片U2的3腳連接到脈沖控制信號(hào)接線端 M0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波灸電路結(jié)構(gòu)，其特征是頻率控制操作電路中的低頻率指示LED限流電阻Rdfi的一端與低頻率指示LED器件Dfi 的陽(yáng)極端連接，低頻率指示LED限流電阻Rdfi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中頻率指示LED限流電阻Rdf2的一端與中頻率指示LED器件Df2的陽(yáng)極端連接，中頻率指示LED 限流電阻Rdf2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的一端與高頻率指示LED器件Df3的陽(yáng)極端連接，高頻率沖指示LED限流電阻Rdf3的另一端連接到工作電源正極接線端E ；低頻率指示LED器件Dfi的陰極、中頻率指示LED器件Df2的陰極和高頻率指示LED器件Df3的陰極分別連接到低頻率控制信號(hào)接線端F1、中頻率控制信號(hào)接線端F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3 ；在低頻率控制信號(hào)接線端Fp中頻率控制信號(hào)接線端 F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kfi、中頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kf2和高頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kf3 ；在低頻率控制信號(hào)接線端F1、中頻率控制信號(hào)接線端F2和高頻率控制信號(hào)接線端F3與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關(guān)接點(diǎn) Kfi、中頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kf2和高頻率控制開關(guān)接點(diǎn)Kf3。在匹配電感低頻率接線端Fu、匹配電感中頻率接線端&和匹配電感高頻率接線端Fu與公共接地端之間，分別跨接低頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 Ku、中頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 I^2和高頻率控制開關(guān)聯(lián)動(dòng)接點(diǎn)二 Ku。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波灸電路結(jié)構(gòu)，其特征是功率控制操作電路主要由CMOS型第三四D觸發(fā)器芯片U4、CMOS型占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5及其外圍器件構(gòu)成；第三觸發(fā)上拉電阻Rdp的一端連接到工作電源正極接線端E，另一端與第三四D觸發(fā)器芯片U4的4腳連接；弱功率指示LED限流電阻Rdpi的一端與弱功率指示LED器件Dpi的陽(yáng)極端連接，弱功率指示LED限流電阻Rdpi的另一端連接到工作電源正極接線端E ；中功率指示LED限流電阻Rdp2的一端與中功率指示LED器件Dp2的陽(yáng)極端連接，中功率指示LED限流電阻Rdp2的另一端連接到工作電源正極接線端E ；強(qiáng)功率沖指示LED限流電阻Rdp3的一端與強(qiáng)功率指示LED器件Dp3的陽(yáng)極端連接，強(qiáng)功率沖指示LED限流電阻Rdp3的另一端連接到工作電源正極接線端E ；弱功率指示LED器件Dpi的陰極、中功率指示LED器件Dp2的陰極和強(qiáng)功率指示LED器件Dp3的陰極分別連接到第三四D觸發(fā)器芯片U4的2腳、6腳和11腳；功率操作與門第一二極管Dh的陽(yáng)極和功率操作與門第二二極管Dpb的陽(yáng)極均與第三四D觸發(fā)器芯片U4的4腳連接，功率操作與門第一二極管Dpa的陰極和功率操作與門第二二極管Dpb的陰極分別與第三四D觸發(fā)器芯片U4的2腳和6腳連接；第三四D觸發(fā)器芯片U4的3腳與5 腳連接，第三四D觸發(fā)器芯片U4的7腳與12腳連接，第三四D觸發(fā)器芯片U4的8腳接地， 第三四D觸發(fā)器芯片U4的3腳、7腳和10腳分別連接到低占空比延時(shí)電阻Rpi的一端、中占空比延時(shí)電阻Rp2的一端和高占空比延時(shí)電阻Rp3的一端，第三四D觸發(fā)器芯片U4的16腳連接到工作電源正極接線端E，第三四D觸發(fā)器芯片U4的其余腳懸空；功率操作恢復(fù)電阻& 的一端接地，功率操作恢復(fù)電阻&的另一端與功率操作恢復(fù)電容Cp的負(fù)極端連接，功率操作恢復(fù)電阻&與功率操作恢復(fù)電容Cp的連接點(diǎn)連接到第三四D觸發(fā)器芯片U4的9腳；功率操作恢復(fù)電容Cp的正極端連接到工作電源正極接線端E ；功率控制開關(guān)Kp的兩端跨接在功率操作恢復(fù)電容Cp的正、負(fù)極之間；低占比空延時(shí)電阻Rpi的另一端、中占空比延時(shí)電阻 Rp2的另一端和高占空比延時(shí)電阻Rp3的另一端均與間歇占空延時(shí)電阻Rrc的一端連接，該連接點(diǎn)連接到占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的7腳；間歇占空延時(shí)電阻Rrc的另一端與占空比控制延時(shí)電容Cpi的一端連接，該連接點(diǎn)連接到占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的2腳；占空比控制延時(shí)電容Cpi的另一端接地；占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的2腳與6腳連接，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的1腳接地，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的5腳通過(guò)功率控制濾波電容Cp2接地，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的4腳、8腳均連接到工作電源正極接線端E，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的3腳通過(guò)斬波控制信號(hào)負(fù)載電阻R11連接到工作電源正極接線端E，占空比產(chǎn)生555定時(shí)器芯片U5的3腳連接到斬波控制信號(hào)接線端P。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲波灸電路結(jié)構(gòu)，其特征是電源開關(guān)操作電路主要由P溝道增強(qiáng)型電源開關(guān)MOSFET器件QK、電源開關(guān)K、電池Bat 及其外圍器件構(gòu)成；電源指示LED限流電阻的一端與電源指示燈LED器件Vd的陽(yáng)極連接，電源指示LED 限流電阻的另一端連接到工作電源正極接線端E，電源指示燈LED器件Vd的陰極接地； 電容限流電阻Re2的一端與記憶電容Ce的正極端連接，電容限流電阻Re2的另一端連接到工作電源正極接線端E，記憶電容Ce的負(fù)極端接地；偏流電阻Rb的一端連接到工作電源正極接線端E，偏流電阻Rb的另一端與開關(guān)晶體管T的基極連接；開關(guān)晶體管T的發(fā)射極接地， 開關(guān)晶體管T的集電極與分壓電阻R。的一端連接；分壓電阻R。的另一端與電源開關(guān)MOSFET 器件A的柵極及柵極分壓電阻艮的一端同時(shí)連接，柵極分壓電阻民的另一端與電源開關(guān) MOSFET器件％的源極連接；電源開關(guān)MOSFET器件％的漏極連接到工作電源正極接線端E ； 電池Bat的正極端同時(shí)連接到電源開關(guān)MOSFET器件％的源極及充電插口 S。。的正極端；電池Bat的負(fù)極端和充電插口 S。。的負(fù)極端均接地；在電容限流電阻Re2與記憶電容Ce的連接點(diǎn)與電源開關(guān)MOSFET器件％的柵極之間，跨接一電源開關(guān)K。
全文摘要
一種超聲波灸電路結(jié)構(gòu)。電路主要由模式控制操作電路、頻率控制操作電路、功率控制操作電路、主電路和電源開關(guān)操作電路構(gòu)成。主電路通過(guò)脈沖控制信號(hào)接線端和公共接地端與模式控制操作電路連接，通過(guò)低頻率控制信號(hào)接線端、中頻率控制信號(hào)接線端、高頻率控制信號(hào)接線端、匹配電感低頻率接線端、匹配電感中頻率接線端、匹配電感高頻率接線端和公共接地端與頻率控制操作電路連接，通過(guò)斬波控制信號(hào)接線端和公共接地端與功率控制操作電路連接；電源開關(guān)操作電路通過(guò)工作電源正極接線端和公共接地端連接到各個(gè)電路。
文檔編號(hào)A61N7/02GK102488982SQ20111036384
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月17日
發(fā)明者屈百達(dá) 申請(qǐng)人:江南大學(xué)