專利名稱：用于制造至少一種SiC單晶體的裝置和方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種如權(quán)利要求1或權(quán)利要求12前序部分所述用于制造至少一種SiC單晶體的裝置和方法。這樣一種裝置和方法例如已由WO94/23096A1公開。
WO 94/23096 A1公開了一種用于制造至少一種SiC單晶體的裝置和方法。其中，通過采用固態(tài)SiC，例如粉末狀的工藝加工用SiC，使之升華并隨后使升華后的氣態(tài)SiC沉積，最后形成單晶SiC晶核。為此采用一種坩堝狀的反應容器，這種容器具有一個貯存區(qū)和一個反應區(qū)。這兩個區(qū)可通過一根氣道相互連通。也可另外選擇在貯存區(qū)和反應區(qū)之間接入一個附加的均勻化區(qū)，該均勻化區(qū)同樣分別通過一氣道與貯存區(qū)和反應區(qū)相連接。固態(tài)SiC位于貯存區(qū)內(nèi)，而單晶SiC晶核則位于反應區(qū)內(nèi)，SiC單晶體在其中生長。上述專利文獻還提供了一些實施形式，其中多個SiC單晶沉積在各自的SiC晶核上。該專利文獻還公開了具有多個貯存區(qū)的實施例變型。在反應容器外有一個加熱裝置，它尤其能根據(jù)反應容器劃分成貯存區(qū)及反應區(qū)的情況同樣成多段式構(gòu)造。通過該加熱裝置，位于貯存區(qū)內(nèi)的固態(tài)SiC被加熱到2000℃至2500℃并升華。由此形成的氣態(tài)混合物主要由Si，Si2C，SiC2及SiC多種成分組成。這種氣態(tài)混合物下面也稱為“氣相SiC”。
通過調(diào)節(jié)所貯存的固態(tài)SiC和SiC晶核或已生長的SiC單晶之間的溫度梯度，升華后的氣相SiC從貯存區(qū)被運到反應區(qū)，尤其是被運往SiC晶核。通過對氣道的幾何形狀的設計，可在傳輸速率及傳輸方向方面調(diào)節(jié)氣相SiC的流量。
所述反應容器的各個部件優(yōu)選由高純度的人造石墨(Elektrographit)制成。這種人造石墨是一種壓力均衡的石墨(isostatisch gepressten Graphit)。在市場上有不同密度的這種石墨出售。它們有不同的比重和孔隙率，即便是高度擠壓制成的石墨也具有至少8％-12％的氣孔體積。這些殘余氣隙對于SiC的生長有很重要的意義。因為在SiC生長過程中存在的氣體，特別是含有Si的氣體可滲入這些氣孔中并在那兒與石墨發(fā)生反應。
在由R.A.Stein發(fā)表在Physica B雜志，1993年第185卷，第211至216頁上的論文“SiC中大缺陷的形成”中，另外描述了一種現(xiàn)象，即固態(tài)SiC與作為容器材料的石墨中的碳發(fā)生反應。這樣，在基層材料石墨和設置其上的SiC晶核之間的界面區(qū)域內(nèi)的小氣孔或位錯，就會首先導致在SiC晶核中形成空隙，并隨后導致空隙增長。在反應容器內(nèi)的條件下，這些空隙從晶核進一步擴展到有待制造的SiC單晶體中，從而會導致所生產(chǎn)出的SiC單晶體質(zhì)量下降。
在WO 94/23096 A1中公開了，通過調(diào)節(jié)溫度梯度和隨后構(gòu)成的熱量流，將所貯存的固態(tài)SiC運往SiC晶核。在控制坩堝內(nèi)的熱量流時，由于要采取設置石墨制部件或附件這樣的結(jié)構(gòu)措施，上述困難問題因為氣相SiC與石墨反應又產(chǎn)生了。
在專利文獻SU 882247 A1中，鉭作為合適的材料被用于制造坩堝或至少被用在坩堝內(nèi)。然而鉭也會與氣相SiC發(fā)生反應，并尤其會導致碳化，此時由鉭制成的裝置的尺寸會發(fā)生變化。當鉭層厚度達幾毫米時，還會導致坩堝內(nèi)產(chǎn)生機械應力。
美國專利文獻US 5,667,587公開了一種升華培育SiC單晶體的坩堝，它的內(nèi)壁涂覆了一熱各向異性層，尤其是焦性石墨層。焦性石墨層的熱各向異性用于對坩堝內(nèi)的熱量流動進行所述控制。由于該涂層和用WO 94/23096 A1所公開的氣道一樣由石墨材料制成，此處同樣也會發(fā)生所不期望出現(xiàn)的與氣相SiC的反應。在此，是采用人造石墨還是焦性石墨是無關緊要的。
本發(fā)明的目的在于提供一種本文開頭所述類型的裝置和方法，它能實現(xiàn)對坩堝內(nèi)的熱量流動的控制，同時能避免所不期望發(fā)生的現(xiàn)有技術中所采用材料與固態(tài)SiC或氣相SiC發(fā)生反應。
為實現(xiàn)本發(fā)明有關裝置方面的目的，提供一種具有獨立權(quán)利要求1所述特征的裝置。
本發(fā)明的用于制造至少一種SiC單晶體的裝置是這樣一種裝置，它包括a)一個坩堝，它a1)具有至少一個用于貯存固態(tài)SiC的貯存區(qū)，以及a2)至少一個用于容納SiC晶核的晶體區(qū)，SiC單晶體在其晶核上生長，b)一個設在坩堝外面的加熱裝置，其中c)在所述坩堝內(nèi)設置由格拉斯煤(Glaskohle)制成的部件。
為實現(xiàn)本發(fā)明有關方法方面的目的，提供一種具有權(quán)利要求13所述特征的方法。
本發(fā)明的用于制造至少一種SiC單晶體的方法是這樣一種方法，其中，a)將所貯存的固態(tài)SiC安設在一坩堝的至少一個貯存區(qū)內(nèi)，b)將至少一個SiC晶核安設在坩堝內(nèi)，c)通過對所貯存的固態(tài)SiC加熱來產(chǎn)生氣相的SiC，d)將氣相的SiC輸往至少一個SiC晶核，使之在那里生長成為至少一個SiC單晶體，e)通過至少一個設置在坩堝內(nèi)由格拉斯煤(Glaskohle)制成的部件，對至少一次熱量流動進行控制。
本發(fā)明基于以下認識格拉斯煤由于其突出的特性可很好地適用于制作坩堝內(nèi)的一個部件，該坩堝用于制造SiC單晶體。格拉斯煤是一種非晶形的、各向同性材料，它具有比制造SiC單晶體時的通常2500℃以下的溫度更高的熔融溫度。由于格拉斯煤另外具有更高的密度，其孔隙體積實際上為0％，因而具有比所有類型的石墨明顯更低的孔隙率。格拉斯煤與石墨相比較也因此具有明顯更低的既與固態(tài)SiC又與氣相SiC反應的傾向。此外，格拉斯煤的熱傳導率十倍小于石墨，也因此比石墨具有更好的絕熱性。這意味著，坩堝內(nèi)的熱量流能被格拉斯煤制成的部件導向，從而沿一定方向流動。
格拉斯煤也因此由于其高絕熱性可滿足對控制坩堝內(nèi)熱量流動所提出的要求。此外，格拉斯煤由于其高密度與SiC的反應傾向也明顯低于現(xiàn)有技術中采用其它材料，例如石墨時的情形。
按照本發(fā)明的裝置和方法特別有利的改進設計和結(jié)構(gòu)由從屬權(quán)利要求給出。
在第一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)中，對第一次熱量流動進行專門控制和引導。第一次熱量流動使得氣相SiC有針對性地被引導到SiC晶核或已生長出的SiC單晶體上的結(jié)晶前沿，也就是說引導到在SiC晶核或已生長出的SiC單晶體上實際正在生長結(jié)晶的地方，通過單晶體完整的橫截面還保證有統(tǒng)一的定向(＝平行的流動矢量)。第一次熱量流動的這一特性優(yōu)選也可在結(jié)晶前沿前方的區(qū)域中形成。這樣在結(jié)晶前沿本身不但可以形成統(tǒng)一的溫度(＝等溫面)還可以有相同濃度的氣相SiC(＝相同材料濃度平面)，這些都有利于晶體均勻且無缺陷地生長。
在本發(fā)明另一有利的實施形式中，在坩堝內(nèi)部有由格拉斯煤制成的空心圓柱式氣道。在氣道的一個背向貯存區(qū)的端部設置SiC晶核，SiC單晶體在其上生長。由貯存的SiC升華后得到的氣相SiC基于一個所形成的溫度梯度向氣道面向貯存區(qū)的一個端部運動。通過氣道形成第一次熱量流動，從而有針對性地將氣相SiC導引到SiC晶核上或已生長出的SiC單晶體上的結(jié)晶前沿。由于制成氣道的格拉斯煤有良好的熱絕緣性能，第一次熱量流動的聚束以及氣相SiC的傳輸都能特別有效地進行。只有很少的熱量通過氣道的壁損失。
在一種有利的實施形式中，第一次熱量流動的總方向近似平行于SiC單晶體的第一中軸線。由此在生長的SiC單晶體上形成一個特別有利的平面或略微凸出的生長相界。只要第一次熱量流動的總方向和SiC單晶體的第一中軸線之間有一小于10°的角度，就可以推定為近似平行。由于第一次熱量流動主要受氣道控制，它的總方向?qū)嶋H上具有與氣道的第二中軸線相同的取向。
在本發(fā)明裝置另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)中，氣道沿第二中軸線延伸的壁具有非恒定的壁厚，可進一步改善對第一次熱量流動的控制。通過相應地改變氣道沿第二中軸線的壁厚，可實現(xiàn)上述改善。當壁厚從SiC晶核開始朝向貯存區(qū)逐漸增大時，尤其能實現(xiàn)這一點。
氣道的壁厚優(yōu)選在0.1至5mm之間。格拉斯煤可毫無問題地制造成這樣的厚度。
除了上述對坩堝內(nèi)的第一次熱量流動進行控制的實施形式之外，還具有其它實施形式，亦即，可通過采用由格拉斯煤制成的部件來控制坩堝的內(nèi)、外腔室之間的熱量流動。
在一種有利的實施形式中，在SiC晶核背向SiC單晶體的一側(cè)設置一塊由格拉斯煤制成的第一塊板。這塊板能同時起到多種作用。由于格拉斯煤具有比石墨高3至4倍的抗彎強度，這塊板可設計得比用石墨相應制成的板明顯更薄。從SiC晶核散走的熱量也由此更容易散去。為了保持貯存區(qū)和SiC晶核區(qū)之間的溫度梯度，必須將SiC晶核上的熱量散去。這可以通過所述第一塊板來完成。
第一塊板的優(yōu)選厚度在0.1至2mm之間，尤其優(yōu)選為0.5mm。
由格拉斯煤制成的第一塊板起到的另一項主要作用在于，避免SiC晶核與基底發(fā)生所不期望出現(xiàn)的反應。在將SiC晶核放置在石墨制的基底，例如直接放在坩堝的上部第一塊壁的內(nèi)側(cè)上時，SiC晶核的碳化硅會與碳基底發(fā)生反應。由此會形成空隙，這樣的空隙在生長的SiC單晶體中會蔓延開來，從而會導致所生產(chǎn)的SiC單晶體的質(zhì)量下降。這樣的SiC單晶體就不能再作任何用途。
現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，將SiC晶核放置在由格拉斯煤制成的基底上，可顯著改善所生產(chǎn)的SiC單晶體的質(zhì)量。其原因就在于格拉斯煤的材料特性。格拉斯煤有很低的與SiC晶核中的SiC發(fā)生反應的傾向。由于在SiC晶核和格拉斯煤制成的第一塊板之間的交界層內(nèi)沒有空隙產(chǎn)生，在所生產(chǎn)的SiC單晶體中的空隙密度也會顯著下降。
在另一實施形式中，貯存區(qū)通過由格拉斯煤制成并設置在貯存區(qū)底部的第二塊板可被絕熱。尤其是第二塊板可簡單地放在從下面限定貯存區(qū)的第二塊坩堝壁上。利用由格拉斯煤制成的第二塊板，可阻止在貯存區(qū)內(nèi)發(fā)生熱量損失。第三次熱量流動，亦即在沒有第二塊板時可能會從貯存區(qū)和坩堝內(nèi)被排出的熱量流在這一有利的實施形式中可被導回貯存區(qū)。由此可將熱能保存在貯存區(qū)內(nèi)，進而有助于SiC的升華。
下面借助附圖所示實施例對本發(fā)明予以詳細說明。為使圖示清晰起見，附圖未按比例畫出，某些特征也只是簡略示出，附圖中

圖1示出一種利用由格拉斯煤制成的氣道來生產(chǎn)SiC單晶體的裝置；圖2示出另一種利用由格拉斯煤制成的多個部件在坩堝內(nèi)來生產(chǎn)SiC單晶體的裝置；圖3示出利用由格拉斯煤制成的多個部件來生產(chǎn)兩個SiC單晶體的一個坩堝。
在附圖1至3中相互對應的部件均用相同的附圖標記來標識。
圖1所示裝置用于在一個坩堝20內(nèi)生產(chǎn)SiC單晶體10。坩堝20內(nèi)包含一個貯存區(qū)30和一個結(jié)晶區(qū)12，它們分別設置在坩堝相互對置的坩堝壁附近。結(jié)晶區(qū)12與位于上方的第一坩堝壁21鄰接，貯存區(qū)30則與位于下方的第二坩堝壁22鄰接。貯存區(qū)30用于容納由固態(tài)SiC、尤其是粉狀SiC形成的貯存物31。在結(jié)晶區(qū)12內(nèi)，一個由單晶SiC組成的SiC晶核設置在第一坩堝壁21上。晶核11與第一坩堝壁21相對置的一側(cè)在此作為SiC單晶10的生長界面。
借助一個設置在坩堝20之外的加熱裝置40，位于貯存區(qū)30內(nèi)的固態(tài)SiC貯存物31會被加熱到2300℃到2500℃。固態(tài)SiC貯存物31由此升華。加熱裝置40在本實施例情形下被設計為電感加熱線圈。然而該加熱裝置40同樣也可設計為電阻加熱裝置。這樣，所產(chǎn)生的氣相SiC由于在貯存物31與SiC晶核11之間形成的溫度梯度被輸往SiC單晶體10，在那里氣相SiC沉積在結(jié)晶前沿13成為單晶SiC。
為了進一步提高培育SiC單晶體的產(chǎn)量，在坩堝20內(nèi)設置一個空心圓柱式氣道51。它用于將由貯存物31引出的第一熱量流61匯聚到SiC晶核11上。伴隨第一次熱量流61的聚束而帶去的氣相SiC的濃度使得，由貯存物31升華產(chǎn)生的氣相SiC的絕大部分事實上也到達了SiC晶核11或已生長出的SiC單晶體10，并在那兒有助于SiC單晶體10的進一步生長。由格拉斯煤制成的氣道51基于其更好的絕熱性能相對于其它由石墨制成的類似氣道能更有效地導引和控制熱量流61。此外，所采用的格拉斯煤具有在很大程度上能免受氣相SiC侵蝕的優(yōu)點。與石墨相比較，格拉斯煤具有明顯更低的與固態(tài)SiC及氣相SiC發(fā)生反應的傾向。
固態(tài)SiC與格拉斯煤低的反應傾向也表明在晶體培育結(jié)束之后可方便地獲取晶體。由格拉斯煤制成的氣道51包括結(jié)晶區(qū)12，SiC單晶體在其中完全結(jié)晶生長?；谏鲜鲈颍c氣道的一個壁510的反應停止了，培育長大的SiC單晶10尤其不與壁510連生，在培育過程結(jié)束之后，可順利地獲取SiC單晶體10。
基于坩堝20的結(jié)構(gòu)現(xiàn)狀，SiC單晶體10的第一中軸線100精確地平行于氣道51的第二中軸線200。由于第二中軸線200也與熱流61的總方向相重合，熱流61也同樣可平行于SiC單晶體10的第一中軸線100。此外，氣道51可使第一熱流61在位于結(jié)晶前沿13的區(qū)域中實際上完全平行地流動。由此在SiC單晶10上會形成一個平坦的或一個略微凸出的結(jié)晶前沿13，這特別有利于結(jié)晶生長。
通過根據(jù)圖1所示裝置來控制熱量流61，在很大程度上可以無應力地培育SiC單晶體。SiC單晶體也因此具有一個很低的位錯密度。
在一個未示出的實施變型中，制成氣道51的格拉斯煤可另外涂覆一層薄的高熔融材料，例如鉭、鈮、鎢、鋨、銥、錸或它們的碳化物。由此可進一步改善其熱性能和化學性能。
用格拉斯煤制成的氣道51的壁510厚約為0.5mm。
在圖2中示出另一種用于生產(chǎn)SiC單晶體10的裝置。與圖1所示裝置不同的是，圖2所示裝置具有另一些由格拉斯煤制成的部件。這一方面是指由格拉斯煤制成并位于SiC晶核11和第一坩堝壁21之間的第一塊板52。另外就是在貯存區(qū)30的底部在第二坩堝壁22上設置的同樣由格拉斯煤制成的第二塊板53。
第一塊板52在此不但用于將熱量從SiC晶核散發(fā)到坩堝20的一個外部區(qū)域中。在圖2所示的實施例中，第一塊板52還位于第一坩堝壁21中的一個凹槽中。由于格拉斯煤本身具有一個良好的絕熱性能，板52即使設計得非常薄也足以保證第二熱量流62流入外部區(qū)域中。
第一塊板52的厚度因此只有約0.5mm。
在一個未示出的實施形式中，通過將第一塊板52背向SiC晶核11的表面變得粗糙，進而提高發(fā)射系數(shù)，可進一步提高熱量散發(fā)。而在用石墨來制成第一塊板52時，卻不存在通過使板52的表面粗糙化來提高發(fā)射系數(shù)的可能性。
第一塊板52的另一項作用在于，阻止空隙在SiC晶核11中形成。這些空隙可隨后通過晶核11生長到單晶體10中。由于格拉斯煤與SiC晶核11中的固態(tài)SiC發(fā)生反應的傾向很低，從一開始就可阻止這種空隙形成。
通過對第一塊板52面向SiC晶核11的表面附加地進行拋光，可避免在SiC晶核11和第一塊板52之間的交界層中產(chǎn)生空隙，否則空隙早在結(jié)晶培育過程開始前由于過大的表面粗糙度就已形成。
第二塊板53用于使貯存區(qū)30絕熱。在這個位置期望將熱能最大可能地保存在貯存區(qū)30中，以便保持SiC繼續(xù)升華。由格拉斯煤制成的第二塊板53有助于流向外腔室的第三熱量流63在第二塊板53上又被回轉(zhuǎn)到貯存區(qū)中。
在圖3中示出一個坩堝20，它被用于生產(chǎn)兩個SiC單晶體10。該坩堝20在其內(nèi)腔中也具有多個由格拉斯煤制成的部件，它們與圖2中示出的一些部件相對應。在圖3所示實施例中，有兩個分開的氣道51以及兩個SiC晶核11，在這兩個SiC晶核上分別生長有一個SiC單晶體10。在一個未示出的實施形式中，代替一個貯存區(qū)30的是兩個分開的貯存區(qū)。
所生產(chǎn)出的SiC單晶體10的優(yōu)選變型是4H-SiC，6H-SiC和15R-SiC。SiC晶核11也優(yōu)選由SiC的這些聚合形態(tài)中的一種組成。
作為制作坩堝20的材料可考慮采用所有相應耐熱的材料，特別適合的是高純度的人造石墨。
權(quán)利要求
1.一種用于制造至少一種碳化硅(SiC)單晶體(10)的裝置，它包括a)一個坩堝(20)，它具有a1)至少一個用于容納固態(tài)SiC貯存物(31)的貯存區(qū)(30)，a2)至少一個用于容納一SiC晶核(11)的結(jié)晶區(qū)，SiC單晶體(10)在該晶核上生長，b)一個設在坩堝(20)外面的加熱裝置(40)，其特征在于，c)在所述坩堝(20)內(nèi)設有至少一個由格拉斯煤制成的部件(51，52，53)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述結(jié)晶區(qū)(12)與一個離貯存區(qū)(30)一定距離的坩堝壁鄰接，尤其是與貯存區(qū)對面的一個第一坩堝壁(21)鄰接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述坩堝(20)至少在很大程度上由石墨制成。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的裝置，其特征在于，在貯存區(qū)(30)和與結(jié)晶區(qū)(12)鄰接的第一坩堝壁(21)之間設置一個由格拉斯煤制成的部件，尤其是一個空心圓柱式氣道(51)。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，屬于有待制作的SiC單晶體(10)的第一中軸線(100)和屬于氣道(51)的第二中軸線(200)近似于相互平行地相互對準。
6.如權(quán)利要求4或5所述的裝置，其特征在于，氣道(51)的一個沿第二中軸線(200)延伸的壁(510)具有一個變化的壁厚。
7.如權(quán)利要求4至6中任一項所述的裝置，其特征在于，氣道(51)的一個壁(510)的壁厚在0.1mm到5mm之間。
8.如權(quán)利要求2至7中任一項所述的裝置，其特征在于，在SiC晶核(11)和第一坩堝壁(21)之間設有一塊由格拉斯煤制成的第一塊板(52)。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，第一塊板(52)的厚度在0.1mm到2mm之間，尤其是0.5mm。
10.如權(quán)利要求8或9所述的裝置，其特征在于，第一塊板(52)面向SiC晶核(11)的一個表面被拋光。
11.如權(quán)利要求1至10中任一項所述的裝置，其特征在于，在所述貯存區(qū)(30)內(nèi)，在從下面限制貯存區(qū)(30)的第二坩堝壁(22)上設置由格拉斯煤制成的第二塊板(53)。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述第二塊板(53)的壁厚在0.1mm到5mm之間，尤其在2mm到5mm之間。
13.一種用于制造至少一種碳化硅(SiC)單晶體(10)的方法，其中，a)將所貯存的固態(tài)SiC(31)安設在一坩堝(20)的至少一個貯存區(qū)(30)內(nèi)，b)將至少一個SiC晶核(11)安設在該坩堝(20)內(nèi)，c)通過對所貯存的固態(tài)SiC(31)加熱，固態(tài)SiC升華，形成氣相SiC，d)將氣相SiC輸往至少一個SiC晶核(11)，使之在那里生長成為至少一個SiC單晶體(10)，其特征在于，e)通過至少一個設置在坩堝(20)內(nèi)由格拉斯煤制成的部件(51，52，53)，對至少一次熱量流動進行控制。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述SiC晶核安設在一個離貯存區(qū)一定距離的坩堝(20)壁上，尤其是貯存區(qū)(30)對面的一個第一坩堝壁(21)上。
15.如權(quán)利要求13或14所述的方法，其特征在于，對使氣相SiC輸往SiC晶核(11)的第一次熱量流(61)進行控制，使氣相SiC的一個等溫面和一個相同濃度的平面至少在SiC晶核(11)或已生長出的SiC單晶體(10)的一個結(jié)晶前沿(13)上形成。
16.如權(quán)利要求13至15中任一項所述的方法，其特征在于，通過一個由格拉斯煤制成的空心圓柱狀氣道(51)，對將氣相SiC輸往SiC晶核(11)的第一次熱量流(61)進行控制。
17.如權(quán)利要求15或16所述的方法，其特征在于，第一次熱量流(61)的主流向被調(diào)整到幾乎平行于屬于有待制造的SiC單晶體(10)的第一中軸線的方向。
18.如權(quán)利要求13至17中任一項所述的方法，其特征在于，通過由格拉斯煤制成的位于SiC晶核(11)和第一坩堝壁(21)之間的第一塊板(52)，對導致SiC晶核(11)上的熱量被散走的第二次熱量流(62)進行控制。
19.如權(quán)利要求13至18中任一項所述的方法，其特征在于，通過由格拉斯煤制成的位于貯存物(31)和第二坩堝壁(22)之間的第二塊板(53)，對導致貯存物(31)被絕熱的第三次熱量流(63)進行控制。
全文摘要
用于制造一種碳化硅(SiC)單晶體(10)的裝置具有一個坩堝(20),它包括一個用于容納固態(tài)SiC貯存物(31)的貯存區(qū)(30)和一個用于容納SiC晶核(11)的結(jié)晶區(qū)(12)。在坩堝(20)內(nèi)設有一個由格拉斯煤制成的部件(51)。在用于制造一種碳化硅(SiC)單晶體(10)的方法中,通過加熱貯存物(31),使固態(tài)SiC升華并形成氣相SiC。氣相SiC被輸往SiC晶核(11)并在那里生長成SiC單晶體(10)。通過由格拉斯煤制成的部件(51),可對熱量流(61)進行控制。
文檔編號C30B23/00GK1308690SQ99808355
公開日2001年8月15日 申請日期1999年7月5日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月14日
發(fā)明者勒內(nèi)·斯坦, 約翰尼斯·沃爾克爾, 哈拉爾德·庫恩, 羅蘭·魯普 申請人:西門子公司