聲波器件及其制造方法
【專利摘要】聲波器件及其制造方法。一種聲波器件包括：基板(10)；聲波元件(74)，其形成在基板上；第一布線(30)，其形成在基板上并且電連接到聲波元件；第二布線(32)，其經(jīng)由空隙(24)形成在基板上方并且包括固定到第一布線的邊緣；固定部(40)，其形成在第一布線的邊緣上，向上突出，并且固定到第二布線；以及突出部(42)，其與固定部接觸，向上突出，形成在第一布線的邊緣上，并且在與第二布線的延伸方向交叉的方向上形成在第二布線的外側(cè)上。
【專利說明】
聲波器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及聲波器件及其制造方法，例如，涉及一種具有經(jīng)由空隙形成在基板上的布線的聲波器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]聲波器件用于移動(dòng)通信濾波器等。已知的是，使得連接在形成在基板上的諸如聲波元件的元件之間的布線、或者連接在形成在基板上的元件與外部端子之間的布線經(jīng)由空隙交叉(參見日本專利公布N0.7-321425、2005-109060、2006-278431 和2012-9989)。
[0003]當(dāng)使得布線經(jīng)由空隙交叉時(shí)，布線之間的寄生電容可減小。然而，例如在磨削基板的后側(cè)的工藝以及布線的剝離工藝中，在對(duì)布線施壓時(shí)可能損壞布線。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種可改進(jìn)布線的強(qiáng)度的聲波器件及其制造方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種聲波器件，其包括:基板(10);聲波元件(74)，其形成在基板上;第一布線(30)，其形成在基板上并且電連接到聲波元件;第二布線(32)，其經(jīng)由空隙(24)形成在基板上方并且包括固定到第一布線的邊緣；固定部(40)，其形成在第一布線的邊緣上，向上突出，并且固定到第二布線；以及突出部(42)，其與固定部接觸，向上突出，形成在第一布線的邊緣上，并且在與第二布線的延伸方向交叉的方向上形成在第二布線的外側(cè)上。
[0006]在上述配置中，第一布線和第二布線中的每一個(gè)包括種子層(16)以及形成在種子層上的鍍層(22)，所述種子層沿著突出部的側(cè)表面向上延伸。
[0007]在上述配置中，突出部形成在第一布線的邊緣的一部分上并且沒有形成在第一布線的邊緣的其余部分上。
[0008]在上述配置中，第一布線和第二布線中的每一個(gè)包括種子層(16)以及形成在種子層上的鍍層(22)，所述種子層沿著突出部的側(cè)表面向上延伸，并且所述種子層在第一布線的未形成有突出部的邊緣的側(cè)表面上沒有向上延伸。
[0009]在上述配置中，聲波器件還包括形成在基板上的第三布線(34);其中，第二布線經(jīng)由空隙(24)形成在第三布線上方。
[0010]在上述配置中，第一布線包括形成在基板上的金屬膜(12)、形成在金屬膜上的種子層(16)以及形成在種子層上的鍍層(22)，第二布線包括種子層和鍍層而不包括金屬膜，第三層包括金屬膜而不包括種子層和鍍層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種制造聲波器件的方法，該方法包括:在基板(10)的用于形成聲波元件(74)的第一區(qū)域和基板的用于形成第一布線(30)的第二區(qū)域上形成金屬膜(12)，第一布線電連接到聲波元件;在基板上形成第一掩模層(50)，其中第一開口
(52)位于第二區(qū)域中的金屬膜上，不在用于形成第二布線(32)的第三區(qū)域上；形成種子層
(16)，以在第一開口中與金屬膜接觸，并且覆蓋第一掩模層;形成第二掩模層(54)，其中第二開口(56)位于種子層上的第二區(qū)域和第三區(qū)域上以使得種子層的一部分暴露于第二開口，種子層的所述部分在第二布線的延伸方向上位于第三區(qū)域的兩側(cè)上，并且形成在第一掩模層的側(cè)表面上;通過從種子層供應(yīng)電流來在第二開口中的種子層上形成鍍層(22);以及通過去除第一掩模層和第二掩模層來剝離第一開口外側(cè)的種子層。
[0012]在上述配置中，形成第二掩模層的步驟包括形成第二掩模層，以使得種子層的形成在第一掩模層的側(cè)表面上的另一部分不暴露于第二開口。
【附圖說明】
[0013]圖1A是根據(jù)第一實(shí)施方式的布線的平面圖；
[0014]圖1B、圖1C、圖1D和圖1E分別是沿圖1A的線A-A、線B-B、線C-C和線D-D截取的橫截面圖；
[0015]圖2A是根據(jù)第一比較例的布線的平面圖；
[0016]圖2B、圖2C和圖2D分別是沿圖2A的線A-A、線B-B和線D-D截取的橫截面圖；
[0017]圖3A和3B是根據(jù)第一實(shí)施方式的第一和第二變型例的布線的平面圖；
[0018]圖4是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的平面圖；
[0019]圖5是放大圖4的區(qū)域A的平面圖；
[0020]圖6A、圖6B和圖6C是沿圖5的線A-A截取的橫截面圖；
[0021]圖7A、圖7B和圖7C是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖(部分
1);
[0022]圖8A、圖SB和圖SC是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖(部分
2)；
[0023]圖9A、圖9B和圖9C是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖(部分3)；
[0024]圖10A、圖1OB和圖1OC是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖(部分4)；
[0025]圖11A、圖1lB和圖1lC是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖(部分5)；
[0026]圖12A、圖12B和圖12C是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖(部分6);以及
[0027]圖13是從傾斜方向拍攝根據(jù)第一和第二實(shí)施方式的其它示例的布線的SEM圖像。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下將參照附圖給出本發(fā)明的描述。
[0029](第一實(shí)施方式)
[0030]圖1A是根據(jù)第一實(shí)施方式的布線的平面圖。圖1B至圖1E分別是沿圖1A的線A-A、線B-B、線C-C和線D-D截取的橫截面圖。
[0031]如圖1A至圖1E所示，布線30、32和34形成在基板10上。布線32將布線30彼此連接并且經(jīng)由空隙24形成在基板10和布線34上方。各個(gè)布線30具有形成在基板10上的金屬膜12、種子層16和鍍層22。鍍層22包括下層18和上層20。布線32固定到布線30，并且與布線30共享種子層16和鍍層22。布線34具有金屬膜12。布線30、32和34電連接在形成在基板10上的聲波元件之間或者形成在基板10上的聲波元件與焊盤之間。
[0032]如圖1B和圖1E所示，在各個(gè)布線30的邊緣中，布線32所固定到的固定部40向上突出。在布線30的邊緣中，向上突出的突出部42被設(shè)置為與固定部40接觸。這里，由術(shù)語“向上”指示的方向是垂直地背離基板的方向。突出部42、固定部40和布線32的上表面具有幾乎相同的高度并且連續(xù)地形成。在布線30之間形成空間26。在各個(gè)突出部42的暴露于空間26的側(cè)表面中，種子層16向上延伸。如圖1D和圖1E所示，位于突出部42之外的各個(gè)布線30的邊緣的上表面具有與各個(gè)布線30的中心部分的上表面相同的高度并且為平坦的。在各個(gè)布線30的側(cè)表面中，與鍍層22相比，種子層16朝著空間26延伸。
[0033]接下來，將描述比較例。圖2A是根據(jù)第一比較例的布線的平面圖。圖2B至圖2D分別是沿圖2A的線A-A、線B-B和線D-D截取的橫截面圖。在第一比較例中，如圖2A至圖2D所示，在布線32連接到布線30的地方形成固定部40。然而，在各個(gè)固定部40的兩側(cè)沒有形成突出部42。由于其它配置與第一實(shí)施方式的對(duì)應(yīng)配置相同，所以其描述被省略。
[0034]如第一實(shí)施方式和第一比較例中所示，布線32經(jīng)由空隙24設(shè)置在布線34上方以與布線34交叉。因此，布線32的上表面比布線30的上表面高幾乎空隙24的高度。因?yàn)榫哂胁季€32，所以固定部40的上表面比布線30的上表面高。在第一比較例中，當(dāng)對(duì)布線32施壓時(shí)，布線32可能損壞。例如，當(dāng)通過剝離方法形成布線32時(shí)，布線32可能由于剝離工藝的超聲波或高壓射流而損壞。例如，在磨削或拋光基板的后表面(即，下表面)的工藝中，在基板的表面(即，上表面)上粘上遮蔽膠帶。在對(duì)基板的后表面的磨削或拋光完成之后，將遮蔽膠帶剝離。此時(shí)，布線32可能損壞。此外，當(dāng)通過磨削機(jī)或拋光機(jī)對(duì)基板的后表面進(jìn)行磨削或拋光時(shí)，對(duì)基板上下施壓。布線32可能由于壓力而損壞。因此，在繼形成布線之后或者實(shí)現(xiàn)之后的制造工藝中，布線32可能損壞。布線32的損壞導(dǎo)致聲波器件的缺陷，這會(huì)是產(chǎn)率降低以及發(fā)生故障的因素。
[0035]根據(jù)第一實(shí)施方式，突出部42與固定部40接觸，并且從布線32的延伸方向看(SP，從圖A中的上方看)，在與布線32的延伸方向交叉的方向上突出部42形成在布線32的外側(cè)上。由此，突出部42加強(qiáng)了布線32，因此可抑制如第一比較例中所說明的布線32的損壞。由于突出部42接收例如來自上方的壓力，所以可抑制布線32的損壞。此外，突出部42降低固定部40由于壓力從橫側(cè)接收的剪切應(yīng)力。
[0036]圖3A和圖3B是根據(jù)第一實(shí)施方式的第一和第二變型例的布線的平面圖。如圖3A所示，各個(gè)突出部42可形成在布線30的整個(gè)一個(gè)邊緣上。由此，布線32的強(qiáng)度可增加。如第二實(shí)施方式中稍后描述的，當(dāng)通過剝離方法形成布線32時(shí)，如果存在許多突出部42，則剝離變得困難。在這種情況下，突出部42優(yōu)選形成在布線30的邊緣的一部分上。此外，突出部42可形成在布線30的布線32所固定到的一側(cè)，而沒有形成在布線30的其它側(cè)。
[0037]如圖3B所示，在布線32連接到布線30的根部上形成布線32的寬幅(wide width)部分44。寬幅部分44朝著布線30平滑地增加寬度以使得應(yīng)力分散。還可通過寬幅部分44來加強(qiáng)布線32。布線32可按照具有在聲波元件的諧振頻率附近(例如，當(dāng)聲波元件是濾波器時(shí)，在濾波器的通帶附近)的頻率的整數(shù)倍的波長的頻率機(jī)械地諧振。布線32可能由于接收機(jī)械諧振振動(dòng)而損壞。通過第一實(shí)施方式和第一變型例的突出部42以及第一實(shí)施方式的第二變型例的寬幅部分44，可抑制布線32的強(qiáng)度的降低，并且可抑制布線32的損壞。因此，聲波器件的可靠性可得以改進(jìn)。
[0038](第二實(shí)施方式)
[0039]第二實(shí)施方式指示接收濾波器由表面聲波元件組成的示例。圖4是根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的平面圖。例如，基板10是壓電基板。聲波元件70、72和74形成在基板10上。例如，聲波元件70、72和74是表面聲波元件。聲波元件70是具有一對(duì)端子的諧振器，并且包括IDT(叉指換能器)A0以及設(shè)置在IDT AO的兩側(cè)的反射器R。聲波元件72是DMS(雙模表面聲波)濾波器，并且包括三個(gè)IDT All至A13和反射器R。聲波元件74是DMS(雙模表面聲波)濾波器，并且包括三個(gè)IDT A21至A23和反射器R。布線30將聲波元件70至74彼此連接，或者將聲波元件70至74和焊盤36彼此連接。焊盤36是天線端子ANT、接收端子Rx和接地端子G，并且將聲波元件70至74電連接到基板10的外部。
[0040]作為天線端子ANT的焊盤36經(jīng)由布線30連接到聲波元件70的IDT AO的一端。IDTAO的另一端經(jīng)由布線30連接到聲波元件72的IDT A12的一端。IDT Al I和A13的一端分別經(jīng)由兩組布線30和34連接到IDT A21和A23的一端。IDT A22的一端經(jīng)由布線30連接到作為接收端子Rx的焊盤36。接地端子G經(jīng)由布線30連接到反射器R和IDT All至A23的另一端(這里，當(dāng)接地端子G連接到IDT A22的另一端時(shí)另外使用布線32)。第二實(shí)施方式指示DMS濾波器以兩級(jí)形式連接的接收濾波器。
[0041 ]圖5是放大圖4的區(qū)域A的平面圖。如圖5所示，IDT A22的另一端經(jīng)由布線30C、32、30b和30a連接到接地端子G13IDT A22的一端經(jīng)由布線30d連接到接收端子Rx。IDT A23的一端經(jīng)由布線30和34連接到IDT A13的一端。
[0042]圖6A至圖6C是沿圖5的線A-A截取的橫截面圖。具體地講，圖6A至圖6C分別是沿線Al至A3截取的橫截面圖。如圖6A所示，布線32經(jīng)由空隙24形成在布線34上方。布線30b和30c的、布線32所固定到的邊緣向上突出并且形成固定部40。如圖6B所示，在布線32附近，沒有形成布線32，在布線30b與30c之間形成空間26。突出部42形成在布線30b和30c的邊緣上。如圖6C所示，在遠(yuǎn)離布線32的地方?jīng)]有形成突出部42。
[0043]圖7A至圖12C是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的聲波器件的制造方法的橫截面圖。圖7A至圖SC對(duì)應(yīng)于沿圖5的線Al截取的橫截面圖。如圖7A所示，金屬膜12形成在基板10上。例如，基板10是諸如鉭酸鋰基板或鈮酸鋰基板的壓電基板。例如，金屬膜12是鋁膜。例如，利用濺射方法和蝕刻方法來形成金屬膜12。通過金屬膜12形成具有IDT和反射器的聲波元件74。例如，金屬膜12的膜厚度為150nm至400nm。金屬膜12可以是銅膜、金膜等。通過金屬膜12形成布線34以及其它布線的部分層。在聲波元件74和布線34上形成保護(hù)膜14。例如，保護(hù)膜14是膜厚度為20nm的硅氧化物膜。例如，利用濺射方法和蝕刻方法來形成保護(hù)膜14。
[0044]如圖7B所示，在基板10上形成掩模層50，以使得在用于形成布線的區(qū)域上形成開口 52。開口 52形成在用于形成布線30的區(qū)域上。例如，掩模層50是光刻膠，并且利用光刻方法來形成。掩模層50的膜厚度被設(shè)定為使得在光刻方法中獲得期望的分辨率。掩模層50的膜厚度優(yōu)選為2μπι或更高，以便執(zhí)行稍后提及的種子層16的剝離。掩模層50優(yōu)選具有可抵御隨后的烘烤的程度的耐熱性。
[0045]如圖7C所示，在基板10的整個(gè)面上形成種子層16以覆蓋掩模層50。例如，種子層16包括膜厚度為0.2μηι的鈦膜以及膜厚度為0.15μηι的金膜，鈦膜比金膜更靠近基板10。例如，利用汽相沉積方法來形成種子層16。種子層16可包括膜厚度為0.Ιμπι的鈦膜以及膜厚度為0.3μπι的銅膜，鈦膜可比銅膜更靠近基板10。可利用濺射方法來形成種子層16，但是由于使用剝離方法，所以種子層16優(yōu)選利用汽相沉積方法來形成。種子層16中接近基板10的膜是改進(jìn)與金屬膜12的粘附力的粘合膜。例如，當(dāng)金屬膜是鋁膜時(shí)，粘合膜是鈦膜。種子層16的上膜用作鍍覆的種子，并且優(yōu)選具有與鍍層相同的材料。
[0046]如圖8Α所示，在種子層16上形成掩模層54以使得在用于形成布線的區(qū)域上形成開口 56。例如，掩模層54是膜厚度為7μπι的光刻膠膜。例如，掩模層54是光刻膠，并且利用光刻方法形成。掩模層54的膜厚度被設(shè)定為覆蓋種子層16的臺(tái)階，并且變得比鍍層22厚。例如，掩模層54的膜厚度為5μπι至20μπι。開口 56比開口 52小，并且被形成為包括在開口 52中。此外，開口 56被形成為包括用于形成布線32的掩模層50。
[0047]如圖SB所示，在開口56中形成鍍層22。鍍層22包括按照這種順序從基板側(cè)層疊的下層18、阻擋層(未示出)和上層20。例如，下層18是膜厚度為3μπι的銅層。例如，阻擋層是膜厚度為0.3μπι的鈀層。例如，上層20是膜厚度為Ιμπι的金層。鍍層22利用從種子層供應(yīng)的電流和電鍍方法來形成。下層18可增加膜厚度，并且優(yōu)選由具有低電阻率和無磁性的材料組成。因此，下層18優(yōu)選為銅層或金層。例如，為了使得布線30和32的電阻為低，下層18的膜厚度優(yōu)選為IMi或更高。當(dāng)在鍍層22上形成凸塊(stud bump)時(shí)，上層20優(yōu)選為金層。阻擋層依據(jù)下層18和上層20的變熱或者隨時(shí)間推移的變化抑制互擴(kuò)散。當(dāng)下層18是銅層，上層20是金層時(shí)，阻擋層優(yōu)選為膜厚度為約0.2μπι的鈀層或鎳層。上層20可利用無電鍍方法來形成。在這種情況下，例如，上層20的膜厚度為0.4μπι。此外，阻擋層和上層20可利用汽相沉積方法來形成。在這種情況下，例如，阻擋層是膜厚度為0.2μπι的鈦層，上層20是膜厚度為0.4μπι的金層。
[0048]如圖8C所示，例如，利用有機(jī)溶劑去除掩模層50和54。此時(shí)，形成在掩模層50和54之間的種子層16被剝離。為了剝離種子層16，可以以高壓噴射有機(jī)溶劑。此外，可在有機(jī)溶劑中執(zhí)行超聲波清洗。由此，從金屬膜12、種子層16和鍍層22形成布線30a至30c。在布線34上方從種子層16和鍍層22形成布線32。然后，在焊盤36上形成諸如凸塊的端子。對(duì)基板10的后表面進(jìn)行磨削或拋光。
[0049]圖9A至圖9C是沿圖5的線A2截取的橫截面圖。圖1OA至圖1OC分別是在圖9A至圖9C的布線32附近的區(qū)域的放大圖。如圖9A和圖1OA所示，使掩模層54的寬度W2等于或略小于掩模層50的寬度Wl。由此，與掩模層50的側(cè)表面相鄰的種子層16暴露于開口 56。這里，從對(duì)準(zhǔn)精度的角度，寬度W2優(yōu)選小于寬度W。
[0050]如圖9B和圖1OB所示，當(dāng)形成鍍層22時(shí)，還在暴露于開口56的種子層16上形成鍍層22。由此，鍍層22的上表面向上突出。如圖9C和圖1OC所示，通過剝離方法去除掩模層50和54以及種子層16。由此，在布線30b和30c的在空間26附近的邊緣上形成突出部42。各個(gè)突出部42的寬度W3幾乎是鍍層22的膜厚度的一半。當(dāng)鍍層22的膜厚度為4μπι時(shí)，寬度W3為約2μπι。鍍層22的膜厚度與寬度W3之比可依據(jù)鍍覆條件等來恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0051 ]圖1lA至圖1lC是沿圖5的線A3截取的橫截面圖。圖12Α至圖12C分別是在圖1lA至圖1lC的布線32附近的區(qū)域的放大圖。如圖1lA和圖12Α所示，使掩模層54的寬度W2比掩模層50的寬度Wl大。由此，與掩模層50的側(cè)表面相鄰的種子層16未暴露于開口 56。例如，種子層16的側(cè)表面與掩模層54的側(cè)表面之間的間隔LI為0.5μπι至2μπι。間隔LI優(yōu)選被設(shè)定為即使在發(fā)生對(duì)準(zhǔn)偏離時(shí)也不會(huì)暴露種子層16的范圍內(nèi)較小。
[0052]如圖1lB和圖12B所示，當(dāng)形成鍍層22時(shí)，在種子層16的側(cè)表面上不形成鍍層22。由此，在種子層16的側(cè)表面附近的鍍層22的上表面平坦。如圖1lC和圖12C所示，通過剝離方法去除掩模層50和54以及種子層16。由此，在布線30b和30c的在空間26附近的邊緣上不形成突出部42，因此布線30b和30c的上表面平坦。
[0053]根據(jù)第二實(shí)施方式，如圖7A所示，在基板10的要形成聲波元件74、布線30和布線34的區(qū)域上形成金屬膜12。如圖7B所示，形成掩模層50(S卩，第一掩模層)，其中開口52(8卩，第一開口)位于用于形成布線30的區(qū)域中的金屬膜12上，開口52不在用于形成布線32的區(qū)域上。如圖7C所示，種子層16被形成為，在開口 52中與金屬膜12接觸，并覆蓋掩模層50。如圖8A、圖9A和圖1lA所示，形成掩模層54(8卩，第二層)，其中開口56(8卩，第二開口)位于用于形成布線30和32的區(qū)域上。如圖8B、圖9B和圖1lB所示，通過從種子層16供應(yīng)電流在開口 56中的種子層16上形成鍍層22。如圖8C、圖9C和圖1lC所示，通過去除掩模層50和54來剝離開口52之外的種子層16。由此，可提供固定到布線30并經(jīng)由空隙24形成在布線34上的布線32。
[0054]如圖9A和圖1OA所示，位于用于形成布線32的區(qū)域的兩側(cè)(從布線32的延伸方向看)并且形成在掩模層50的側(cè)表面上的種子層16暴露于開口56。由此，在圖9B和圖1OB中，鍍層22在所暴露的種子層16中生長。因此，可通過簡單的工藝形成與固定部40接觸的突出部42。在這樣形成的突出部42中，如圖1OC所示，種子層16沿著布線30b和30c中的每一個(gè)的邊緣的側(cè)表面向上延伸。
[0055]在如圖1OB所示的上面形成有突出部42的布線30的邊緣中，在圖1OC的剝離的時(shí)候種子層16未被剝離而留下，有機(jī)溶劑難以滲透到掩模層50中。因此，當(dāng)如圖1lA和圖12A所示形成掩模層54時(shí)，掩模層54被形成為使得種子層16的形成在掩模層50的側(cè)表面上的一部分未暴露于開口 56。即，突出部42如圖1A所示形成在布線30的邊緣的一部分上，而沒有形成在布線30的邊緣的其余部分上。由此，如圖12B所示，掩模層54覆蓋形成在掩模層50的側(cè)表面上的種子層16。因此，種子層16的剝落變得容易。如圖12C所示，在布線30的未形成突出部42的邊緣的側(cè)表面中，種子層16沒有向上延伸。
[0056]此外，布線30包括形成在基板10上的金屬膜12、種子層16和鍍層22。布線32包括種子層16和鍍層22，但是不包括金屬膜12。布線34包括金屬膜12，但是不包括種子層16和鍍層22。
[0057]圖13是從傾斜方向拍攝根據(jù)第一和第二實(shí)施方式的其它示例的布線的SEM(掃描電子顯微鏡)圖像。如圖13所示，突出部42圍繞各個(gè)布線30形成。用于將布線32固定到布線30的固定部40形成在布線32的各個(gè)根部。突出部42和固定部40連續(xù)地形成。第一和第二實(shí)施方式主要說明布線32經(jīng)由空隙24設(shè)置在布線34上方以與布線34交叉的示例。如圖13所示，布線32可經(jīng)由空隙形成在基板10上方，并且布線32無需形成為橫跨布線34。另外，突出部42可存在于各個(gè)布線30的所有邊緣上。
[0058]在第二實(shí)施方式中，作為聲波元件的示例說明了表面聲波器件，但是聲波元件可以是邊界聲波元件、勒夫波元件、壓電薄膜諧振元件等。此外，作為聲波器件的示例說明了使用DMS濾波器的接收濾波器，但是聲波器件可以是諸如發(fā)送濾波器的濾波器，或者可以是梯形濾波器。
[0059]盡管詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，本發(fā)明不限于這些特定實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對(duì)其進(jìn)行各種改變、替代和更改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種聲波器件，特征在于包括: 基板(10)； 聲波元件(74)，該聲波元件形成在所述基板上； 第一布線(30)，該第一布線形成在所述基板上并且電連接到所述聲波元件； 第二布線(32)，該第二布線經(jīng)由空隙(24)形成在所述基板上方，并且包括固定到所述第一布線的邊緣； 固定部(40)，該固定部形成在所述第一布線的邊緣上，向上突出，并且固定到所述第二布線；以及 突出部(42)，該突出部與所述固定部接觸，向上突出，形成在所述第一布線的所述邊緣上，并且在與所述第二布線的延伸方向交叉的方向上形成在所述第二布線的外側(cè)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，特征在于 所述第一布線和所述第二布線中的每一個(gè)包括種子層(16)以及形成在所述種子層上的鍍層(22)，并且 所述種子層沿著所述突出部的側(cè)表面向上延伸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波器件，特征在于 所述突出部形成在所述第一布線的邊緣的一部分上，沒有形成在所述第一布線的所述邊緣的其余部分上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲波器件，特征在于 所述第一布線和所述第二布線中的每一個(gè)包括種子層(16)以及形成在所述種子層上的鍍層(22)， 所述種子層沿著所述突出部的側(cè)表面向上延伸，并且 所述種子層在所述第一布線的未形成所述突出部的邊緣的側(cè)表面中不向上延伸。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的聲波器件，特征在于該聲波器件還包括: 第三布線(34)，該第三布線形成在所述基板上； 其中，所述第二布線經(jīng)由空隙(24)形成在所述第三布線上方。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲波器件，特征在于 所述第一布線包括形成在所述基板上的金屬膜(12)、形成在所述金屬膜上的種子層(16)以及形成在所述種子層上的鍍層(22)， 所述第二布線包括種子層和鍍層，不包括金屬膜，并且 所述第三布線包括金屬膜，不包括種子層和鍍層。7.—種制造聲波器件的方法，特征在于所述方法包括以下步驟: 在基板(10)的用于形成聲波元件(74)的第一區(qū)域上以及所述基板的用于形成第一布線(30)的第二區(qū)域上形成金屬膜(12)，所述第一布線電連接到所述聲波元件； 在所述基板上形成第一掩模層(50)，在所述第一掩模層(50)中，第一開口( 52)位于所述第二區(qū)域中的所述金屬膜上，不在用于形成第二布線(32)的第三區(qū)域上；形成種子層(16)，以在所述第一開口中與所述金屬膜接觸，并且覆蓋所述第一掩模層；形成第二掩模層(54)，在所述第二掩模層(54)中，第二開口(56)位于所述種子層上的所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域上，以使得所述種子層的一部分暴露于所述第二開口，所述種子層的所述一部分在所述第二布線的延伸方向上位于所述第三區(qū)域的兩側(cè)上，并且形成在所述第一掩模層的側(cè)表面上； 通過從所述種子層供應(yīng)電流，在所述第二開口中的所述種子層上形成鍍層(22);以及 通過去除所述第一掩模層和所述第二掩模層來剝離所述第一開口的外側(cè)的所述種子層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造聲波器件的方法，特征在于 形成所述第二掩模層的步驟包括:形成所述第二掩模層，以使得所述種子層的形成在所述第一掩模層的所述側(cè)表面上的另一部分不暴露于所述第二開口。
【文檔編號(hào)】H03H9/02GK105991107SQ201610027988
【公開日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年1月15日
【發(fā)明人】畑山和重, 月館均
【申請(qǐng)人】太陽誘電株式會(huì)社