石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置，用于承載多晶硅鑄錠爐中的坩堝，所述石墨底板開設(shè)環(huán)形槽和溢流通道；所述溢流通道連通于所述環(huán)形槽與所述石墨底板的邊緣之間，當(dāng)所述坩堝中漏出的硅液滴入所述環(huán)形槽時(shí)，所述溢流通道用于使所述硅液流到所述石墨底板的邊緣處，并滴落到溢流線。本實(shí)用新型提供的石墨底板通過在石墨底板上開設(shè)環(huán)形槽，同時(shí)，坩堝的底部的邊緣位于環(huán)形槽的槽寬之間，使得承載于所述石墨底板上坩堝一旦破裂，硅液就會(huì)溢流至所述環(huán)形槽中，進(jìn)而滴至所述溢流線，從而能夠及時(shí)檢測(cè)到硅液溢流，減少損失及降低生產(chǎn)安全事故發(fā)生的概率。
【專利說明】石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及多晶娃領(lǐng)域，尤其涉及一種用于石墨底板和多晶娃淀爐的娃溢流檢測(cè)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]坩堝在鑄錠(高溫)時(shí)破裂或變形，高溫硅液在坩堝破裂或變形后溢出坩堝體外，滲透隔熱層底部的隔熱板，溢出的硅液將下爐腔中的溢流報(bào)警線熔斷，觸發(fā)硅液溢流報(bào)警器報(bào)警。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的流出坩堝外部的硅液往往因?yàn)橥黄剖o(hù)板的阻攔而不能滴落或者延緩滴落至溢流線上，使得硅液溢流檢測(cè)裝置較晚察覺到硅液的溢流，產(chǎn)生更大的損失，甚至引發(fā)生產(chǎn)安全事故。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種能夠及時(shí)檢測(cè)到硅液溢流的石墨底板和多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種石墨底板，用于承載多晶硅鑄錠爐中的坩堝，所述石墨底板開設(shè)環(huán)形槽和溢流通道；所述溢流通道連通于所述環(huán)形槽與所述石墨底板的邊緣之間，當(dāng)所述坩堝中漏出的硅液滴入所述環(huán)形槽時(shí)，所述溢流通道用于使所述硅液流到所述石墨底板的邊緣處，并滴落到溢流線。
[0006]其中，所述環(huán)形槽的槽寬為10?15mm。
[0007]其中，所述環(huán)形槽包括底面，所述底面正對(duì)所述環(huán)形槽的開口，所述底面為沿著所述硅液的流動(dòng)方向傾斜的斜面，所述坩堝中漏出的硅液沿著所述底面的傾斜方向流至所述溢流通道。
[0008]其中,所述底面的橫截面為圓弧形。
[0009]其中，所述環(huán)形槽的縱截面為回形，所述底面具有兩個(gè)頂點(diǎn)和兩個(gè)底點(diǎn)，兩個(gè)所述頂點(diǎn)和兩個(gè)所述底點(diǎn)分別設(shè)置于所述環(huán)形槽的四個(gè)邊角上，其中一個(gè)所述頂點(diǎn)分別與兩個(gè)所述底點(diǎn)形成兩個(gè)引流通道，所述引流通道通過其高度差使所述底面上的硅液流入所述溢流通道。
[0010]其中，所述溢流通道的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述溢流通道分別連通至所述底面的兩個(gè)所述底點(diǎn)。
[0011]本實(shí)用新型還提供了一種多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置，包括爐腔、設(shè)置于所述爐腔中的所述的石墨底板、纟甘禍、石墨固定塊、隔熱塊和溢流線，
[0012]所述坩堝承載于所述石墨底板上，所述坩堝的底部的邊緣位于所述環(huán)形槽的槽寬之間，
[0013]所述石墨固定塊承載所述石墨底板，所述隔熱塊設(shè)于所述石墨固定塊的下方，所述隔熱塊開設(shè)溢流孔，所述溢流孔正對(duì)所述溢流通道，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方，且正對(duì)所述溢流孔。
[0014]其中，所述多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置還包括巖棉，所述巖棉鋪設(shè)于所述爐腔的底部上。
[0015]本實(shí)用新型提供的石墨底板通過在石墨底板上開設(shè)環(huán)形槽，同時(shí)，坩堝的底部的邊緣位于環(huán)形槽的槽寬之間，使得承載于所述石墨底板上坩堝一旦破裂，硅液就會(huì)溢流至所述環(huán)形槽中，進(jìn)而滴至所述溢流線，從而能夠及時(shí)檢測(cè)到硅液溢流，減少損失及降低生產(chǎn)安全事故發(fā)生的概率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石墨底板的示意圖；
[0018]圖2是承載有樹禍的石墨底板的不意圖；
[0019]圖3是圖1中的石墨底板沿著1-1線的剖視圖；
[0020]圖4是圖1中的石墨底板沿著I1-1I線的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0022]請(qǐng)參閱圖1至圖2,本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種石墨底板100和多晶娃鑄淀爐的硅溢流檢測(cè)裝置(未圖示)，所述多晶硅鑄錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置包括爐腔、設(shè)置于所述爐腔中的所述的石墨底板100、坩堝200、石墨固定塊、隔熱塊和溢流線，所述坩堝200承載于所述石墨底板100上，所述坩堝200的底部的邊緣位于所述環(huán)形槽2的槽寬LI之間，所述石墨固定塊承載所述石墨底板100,所述隔熱塊設(shè)于所述石墨固定塊的下方，所述隔熱塊開設(shè)溢流孔，所述溢流孔正對(duì)所述溢流通道3，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方，且正對(duì)所述溢流孔。其中，所述石墨底板100開設(shè)環(huán)形槽2和溢流通道3 ;所述溢流通道3連通于所述環(huán)形槽2與所述石墨底板100的邊緣之間，當(dāng)所述坩堝200中漏出的硅液300滴入所述環(huán)形槽2時(shí)，所述溢流通道3用于使所述硅液300流到所述石墨底板100的邊緣處，并滴落到溢流線。
[0023]通過在石墨底板100上開設(shè)環(huán)形槽2，同時(shí)，坩堝200的底部的邊緣位于環(huán)形槽2的槽寬LI之間，使得承載于所述石墨底板100上坩堝200 —旦破裂，硅液300就會(huì)溢流至所述環(huán)形槽2中，再流入所述溢流通道3，進(jìn)而滴至所述溢流線，從而能夠及時(shí)檢測(cè)到硅液300溢流，減少損失及降低生產(chǎn)安全事故發(fā)生的概率。
[0024]在本實(shí)施例中，所述石墨固定塊固設(shè)于所述爐腔的內(nèi)壁上，所述石墨底板100承載于所述石墨固定塊上，所述坩堝200置于所述石墨底板100上，并且，所述隔熱塊設(shè)于所述石墨固定塊的下方，與所述石墨固定塊之間沿著豎直方向設(shè)有間距，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方。
[0025]具體的，所述石墨底板100為矩形塊，所述石墨底板100包括承載面I，所述環(huán)形槽2開設(shè)于所述承載面I上。所述坩堝200的材質(zhì)為石英砂，適用于多晶硅鑄錠爐中的坩堝200。所述坩堝200的底部的邊緣剛好位于所述環(huán)形槽2的槽寬LI之間。當(dāng)所述坩堝200中的硅液300漏出時(shí)，會(huì)第一時(shí)間將所述硅液300滴至環(huán)形槽2中，進(jìn)而再流入所述溢流通道3中，并滴落到所述溢流線上，觸發(fā)警報(bào)，第一時(shí)間減少損失。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述坩堝200的材質(zhì)還可以為其它。
[0026]請(qǐng)參閱圖3，為了更進(jìn)一步的改進(jìn)，所述環(huán)形槽2的槽寬LI為10?15mm。
[0027]通過多晶硅的大量鑄錠的經(jīng)驗(yàn)，將所述環(huán)形槽2的槽寬LI限定為10?15mm之間，使得所述硅液300于所述環(huán)形槽2中流動(dòng)時(shí)不會(huì)因?yàn)樗霏h(huán)形槽2的槽寬LI過大或者過小，進(jìn)而使得所述硅液300粘稠流不動(dòng)或者流速很緩慢。
[0028]在本實(shí)施例中，所述環(huán)形槽2的槽寬LI優(yōu)選為12mm。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述環(huán)形槽2的槽寬LI還可以為1mm或者15mm。
[0029]為了進(jìn)一步的改進(jìn)，所述環(huán)形槽2包括底面21，所述底面21正對(duì)所述環(huán)形槽2的開口，所述底面21為沿著所述硅液300的流動(dòng)方向傾斜的斜面，所述坩堝200中漏出的硅液300沿著所述底面21的傾斜方向流至所述溢流通道3。
[0030]通過將所述環(huán)形槽2的底面21加工為沿著所述硅液300流動(dòng)方向傾斜的斜面，使得所述硅液300能夠更快速的從所述環(huán)形槽2中流入所述溢流通道3中，第一時(shí)間滴落到所述溢流線上，，觸發(fā)警報(bào)，第一時(shí)間減少損失。
[0031]在本實(shí)施例中,所述底面21的橫截面為圓弧形。所述底面21為圓弧形,更利于所述硅液300的流動(dòng)。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述底面21的橫截面還可以為型。
[0032]請(qǐng)參閱圖4，為了更進(jìn)一步的改進(jìn)，所述環(huán)形槽2的縱截面為回形，所述底面21具有兩個(gè)頂點(diǎn)211和兩個(gè)底點(diǎn)212，兩個(gè)所述頂點(diǎn)211和兩個(gè)所述底點(diǎn)212分別設(shè)置于所述環(huán)形槽2的四個(gè)邊角上，其中一個(gè)所述頂點(diǎn)211分別與兩個(gè)所述底點(diǎn)212形成兩個(gè)引流通道213，所述引流通道213通過其高度差使所述底面21上的硅液300流入所述溢流通道3。
[0033]通過將所述環(huán)形槽2形成兩個(gè)引流通道213，再與所述溢流通道3相配合，將所述硅液300分成了兩道，加快了所述硅液300于所述環(huán)形槽2中的流速。
[0034]在本實(shí)施例中，所述引流通道213 —共有4個(gè)，分別為環(huán)形槽2的4個(gè)邊，利于加工，所述頂點(diǎn)211與所述底點(diǎn)212的高度差為8_。當(dāng)所述引流通道213上硅液300流至所述底點(diǎn)212時(shí)，所述硅液300繼續(xù)流入所述溢流通道3中。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，所述環(huán)形槽2的縱截面還可以為圓形或者其它形狀。
[0035]為了更進(jìn)一步的改進(jìn)，所述溢流通道3的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述溢流通道3分別連通至所述底面21的兩個(gè)所述底點(diǎn)212。
[0036]在本實(shí)施例中，所述溢流通道3相應(yīng)的為兩個(gè)，分別連通于兩個(gè)所述底點(diǎn)212處，即兩個(gè)所述溢流通道3在所述環(huán)形槽2中的同一條對(duì)角線上。對(duì)所述硅液300進(jìn)行分流。
[0037]為了更進(jìn)一步的改進(jìn)，所述多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置還包括巖棉，所述巖棉鋪設(shè)于所述爐腔的底部上。
[0038]在本實(shí)施例中，通過設(shè)置巖棉，使得溢出的硅液300不會(huì)腐蝕所述爐腔，延長所述鑄錠爐的使用壽命。
[0039]當(dāng)所述石墨底板100開始使用時(shí):需首先將所述巖棉鋪設(shè)于所述爐腔的底部上，再將所述石墨固定塊固設(shè)于所述爐腔的內(nèi)壁上，所述石墨底板100承載于所述石墨固定塊上，所述坩堝200置于所述石墨底板100上，并且，所述坩堝200的底部的邊緣位于所述石墨底板100的環(huán)形槽2的槽寬LI之間，所述隔熱塊設(shè)于所述石墨固定塊的下方，與所述石墨固定塊之間沿著豎直方向設(shè)有間距，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方；當(dāng)所述坩堝200裂開時(shí)，所述坩堝200中的硅液300會(huì)滴落至所述環(huán)形槽2中，由于所述環(huán)形槽2的底面21為沿著所述硅液300流動(dòng)方向傾斜的斜面，故所述坩堝200中的硅液300會(huì)快速的從所述引流通道213的頂點(diǎn)211流至所述引流通道213的底點(diǎn)212，并在所述底點(diǎn)212處流入所述溢流通道3中，所述溢流通道3進(jìn)而將所述硅液300第一時(shí)間滴落至所述溢流線上，觸發(fā)報(bào)警器，減少所述硅液300溢流帶來的損失，并且保證多晶硅鑄錠的安全。
[0040]本實(shí)用新型提供的石墨底板100通過在石墨底板100上開設(shè)環(huán)形槽2，同時(shí)，坩堝200的底部的邊緣位于環(huán)形槽2的槽寬LI之間，使得承載于所述石墨底板100上坩堝200一旦破裂，硅液300就會(huì)溢流至所述環(huán)形槽2中，再流入所述溢流通道3，進(jìn)而滴至所述溢流線，從而能夠及時(shí)檢測(cè)到硅液300溢流，減少損失及降低生產(chǎn)安全事故發(fā)生的概率。
[0041]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種石墨底板，用于承載多晶硅鑄錠爐中的坩堝，其特征在于，所述石墨底板開設(shè)環(huán)形槽和溢流通道；所述溢流通道連通于所述環(huán)形槽與所述石墨底板的邊緣之間，當(dāng)所述坩堝中漏出的硅液滴入所述環(huán)形槽時(shí)，所述溢流通道用于使所述硅液流到所述石墨底板的邊緣處，并滴落到溢流線。
2.如權(quán)利要求1所述的石墨底板，其特征在于，所述環(huán)形槽的槽寬為10?15mm。
3.如權(quán)利要求2所述的石墨底板，其特征在于，所述環(huán)形槽包括底面，所述底面正對(duì)所述環(huán)形槽的開口，所述底面為沿著所述硅液的流動(dòng)方向傾斜的斜面，所述坩堝中漏出的硅液沿著所述底面的傾斜方向流至所述溢流通道。
4.如權(quán)利要求3所述的石墨底板，其特征在于，所述底面的橫截面為圓弧形。
5.如權(quán)利要求4所述的石墨底板，其特征在于，所述環(huán)形槽的縱截面為回形，所述底面具有兩個(gè)頂點(diǎn)和兩個(gè)底點(diǎn)，兩個(gè)所述頂點(diǎn)和兩個(gè)所述底點(diǎn)分別設(shè)置于所述環(huán)形槽的四個(gè)邊角上，其中一個(gè)所述頂點(diǎn)分別與兩個(gè)所述底點(diǎn)形成兩個(gè)引流通道，所述引流通道通過其高度差使所述底面上的硅液流入所述溢流通道。
6.如權(quán)利要求5所述的石墨底板，其特征在于，所述溢流通道的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述溢流通道分別連通至所述底面的兩個(gè)所述底點(diǎn)。
7.一種多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置，其特征在于，包括爐腔、設(shè)置于所述爐腔中的如權(quán)利要求1?6任意一項(xiàng)所述的石墨底板、坩堝、石墨固定塊、隔熱塊和溢流線， 所述坩堝承載于所述石墨底板上，所述坩堝的底部的邊緣位于所述環(huán)形槽的槽寬之間， 所述石墨固定塊承載所述石墨底板，所述隔熱塊設(shè)于所述石墨固定塊的下方，所述隔熱塊開設(shè)溢流孔，所述溢流孔正對(duì)所述溢流通道，所述溢流線位于所述隔熱塊的下方，且正對(duì)所述溢流孔。
8.如權(quán)利要求7所述的多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置，其特征在于，所述多晶硅錠爐的硅溢流檢測(cè)裝置還包括巖棉，所述巖棉鋪設(shè)于所述爐腔的底部上。
【文檔編號(hào)】C30B29/06GK204097598SQ201420529050
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年9月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月15日
【發(fā)明者】敖志青, 胡萍 申請(qǐng)人:江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司