單晶爐的上爐體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及單晶爐的上爐體，包括上爐體本體，所述上爐體本體上、下兩端分別設(shè)有上、下連接件，上爐體本體包括內(nèi)爐體和外爐體，外爐體和內(nèi)爐體之間形成有冷卻腔體，所述內(nèi)爐體的外壁上設(shè)有多個凸起，相鄰?fù)蛊鹬g形成導(dǎo)流槽，外爐體的內(nèi)壁上設(shè)有與導(dǎo)流槽相適應(yīng)的柵板，柵板的一端固定在外爐體上，另一端延伸至導(dǎo)流槽內(nèi)，外爐體的外壁上設(shè)有與冷卻腔體相連的進水口和出水口。本發(fā)明具有使用壽命長，能夠散熱等特點。
【專利說明】單晶爐的上爐體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及單晶硅的生產(chǎn)制造設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及單晶爐的上爐體。

【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅是具有完整的點陣結(jié)構(gòu)的晶體，是一種良好的半導(dǎo)體材料，目前被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件以及太陽能電池的制造。單晶硅使用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成的，在市場上有很廣闊的前景。目前單晶硅的拉制裝置為單晶爐，它是由上爐體、下爐室、上爐室、爐蓋、翻板箱、副室六大部分組成，目前普遍采用的單晶爐的上爐體只有單層爐壁，由于在單晶爐的工作過程中長時間處于高溫狀態(tài)，會將上爐體燒壞，造成很大的損失。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種使用壽命長，能夠散熱的單晶爐的上爐體。
[0004]實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005]單晶爐的上爐體，包括上爐體本體，所述上爐體本體上、下兩端分別設(shè)有上、下連接件，上爐體本體包括內(nèi)爐體和外爐體，外爐體和內(nèi)爐體之間形成有冷卻腔體，所述內(nèi)爐體的外壁上設(shè)有多個凸起，相鄰?fù)蛊鹬g形成導(dǎo)流槽，外爐體的內(nèi)壁上設(shè)有與導(dǎo)流槽相適應(yīng)的柵板，柵板的一端固定在外爐體上，另一端延伸至導(dǎo)流槽內(nèi)，外爐體的外壁上設(shè)有與冷卻腔體相連的進水口和出水口。
[0006]所述進水口設(shè)置于緊鄰上連接件處，出水口設(shè)置于緊鄰下連接件處。
[0007]所述進水口與出水口設(shè)置在外爐體的同一側(cè)，優(yōu)點是便于加水和排水。
[0008]所述上、下連接件為上、下法蘭，優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單，便于連接其他裝置。
[0009]采用了上述的方案，單晶爐工作時爐體溫度較高，通過進水口對冷卻腔體內(nèi)注水可以對上爐體進行冷卻，由于內(nèi)爐體的內(nèi)壁上設(shè)有凸起和外爐體內(nèi)壁上有柵板，這樣就造成水流變得緩慢而且與爐體的接觸面積增大，水流經(jīng)過柵板和導(dǎo)流槽，充分與爐體接觸，這樣能夠充分的吸收爐體內(nèi)的溫度，提高冷卻效率，達到降低爐壁的溫度，提高上爐體的使用壽命ο

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2為本發(fā)明的俯視圖；

【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0013]如圖1和圖2，單晶爐的上爐體，包括上爐體本體，所述上爐體本體上、下兩端分別設(shè)有上、下連接件1、2，上爐體本體包括內(nèi)爐體4和外爐體3，外爐體3和內(nèi)爐體4之間形成有冷卻腔體5，所述內(nèi)爐體4的外壁上設(shè)有多個凸起41，相鄰?fù)蛊?1之間形成導(dǎo)流槽42，夕卜爐體3的內(nèi)壁上設(shè)有與導(dǎo)流槽42相適應(yīng)的柵板31，柵板31的一端固定在外爐體3上，另一端延伸至導(dǎo)流槽42內(nèi)，外爐體3的外壁上設(shè)有與冷卻腔體5相連的進水口 6和出水口 7。
[0014]所述進水口 6設(shè)置于緊鄰上連接件1處，出水口 7設(shè)置于緊鄰下連接件2處。
[0015]所述進水口 6與出水口 7設(shè)置在外爐體的同一側(cè)，優(yōu)點是便于加水和排水。
[0016]所述上、下連接件1、2為上、下法蘭，優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單，便于連接其他裝置。
【權(quán)利要求】
1.單晶爐的上爐體，包括上爐體本體，其特征在于:所述上爐體本體上、下兩端分別設(shè)有上、下連接件，上爐體本體包括內(nèi)爐體和外爐體，外爐體和內(nèi)爐體之間形成有冷卻腔體，所述內(nèi)爐體的外壁上設(shè)有多個凸起，相鄰?fù)蛊鹬g形成導(dǎo)流槽，外爐體的內(nèi)壁上設(shè)有與導(dǎo)流槽相適應(yīng)的柵板，柵板的一端固定在外爐體上，另一端延伸至導(dǎo)流槽內(nèi)，外爐體的外壁上設(shè)有與冷卻腔體相連的進水口和出水口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐的上爐體，其特征在于:所述進水口設(shè)置于緊鄰上連接件處，出水口設(shè)置于緊鄰下連接件處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐的上爐體，其特征在于:所述進水口與出水口設(shè)置在外爐體的同一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐的上爐體，其特征在于:所述上、下連接件為上、下法.~O
【文檔編號】C30B15/00GK104451861SQ201410692509
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】馬海善 申請人:常州市海豪力智能裝備科技有限公司