用于單晶爐的石英銷的制作方法
【專利摘要】本實用新型用于單晶爐的石英銷，包括：插入部，所述插入部的一端插入熱屏底部的凹槽內(nèi)；接觸部，所述接觸部的一端與所述插入部的另一端連接，所述接觸部的非連接端向下探出所述熱屏底部；掛鉤，所述掛鉤設(shè)置在所述插入部與所述接觸部的連接處。所述接觸部的底端與所述熱屏底部的距離為15毫米。本實用新型用于單晶爐的石英銷在單晶爐化料結(jié)束后，利用坩堝與熱屏相對距離，使用石英定位銷進行判斷、調(diào)節(jié)好熔硅液面的位置，可以在單晶硅制取過程中起到控制熔硅液面位置作用，確保每次單晶制取過程中熔硅液面均在同一位置。
【專利說明】用于單晶爐的石英銷
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種位置控制裝置，特別是一種用于單晶爐的石英銷。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有單晶制取過程中，因操作人員不同以及設(shè)備誤差因素，影響化料結(jié)束后對熔硅液面的位置控制存在偏差。如此，容易導致單晶硅制取時工藝差異，單晶硅制取所處環(huán)境不穩(wěn)定，制取得到單晶硅品質(zhì)有差異，單晶品質(zhì)重復性不強。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的在于提供一種減少該類環(huán)境因素影響，保證單晶品質(zhì)重復性強的用于單晶爐的石英銷。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型用于單晶爐的石英銷，包括:插入部，所述插入部的一端插入熱屏底部的凹槽內(nèi)；接觸部，所述接觸部的一端與所述插入部的另一端連接，所述接觸部的非連接端向下探出所述熱屏底部；掛鉤，所述掛鉤設(shè)置在所述插入部與所述接觸部的連接處。
[0005]所述接觸部的頂端與所述熱屏底部的距離為15毫米。
[0006]本實用新型用于單晶爐的石英銷在單晶爐化料結(jié)束后，利用坩堝與熱屏相對距離，使用石英定位銷進行判斷、調(diào)節(jié)好熔硅液面的位置，可以在單晶硅制取過程中起到控制熔硅液面位置作用，確保每次單晶制熔硅液面取均在同一位置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實用新型用于單晶爐的石英銷結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2為本實用新型用于單晶爐的石英銷使用示意圖。
[0009]本實用新型用于單晶爐的石英銷附圖中附圖標記說明:
[0010]1-插入部 2-熱屏 3-凹槽
[0011]4-接觸部 5-掛鉤
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本實用新型用于單晶爐的石英銷作進一步詳細說明。
[0013]如圖1、圖2所示，本實用新型用于單晶爐的石英銷，包括:插入部1，插入部I的一端插入熱屏2底部的凹槽3內(nèi)；接觸部4，接觸部4的一端與插入部I的另一端連接，在插入部I與接觸部4的連接處設(shè)有掛鉤5。同時，接觸部4的非連接端向下探出熱屏2底部，非連接端的頂端與熱屏2底部的距離為15毫米。
[0014]工作時，石英銷定位銷初始狀態(tài)確認，接觸部4非連接端的底端距熱屏2底部15毫米；化料結(jié)束，上升坩堝至硅液面接觸到石英銷底部；石英銷接觸液面后，坩堝位置下降5毫米，固定在坩堝位置，開始拉晶過程引晶、放肩、等徑、收尾，整個過程不變。[0015]本實用新型用于單晶爐的石英銷在單晶爐化料結(jié)束后，利用坩堝與熱屏相對距離，使用石英定位銷進行判斷、調(diào)節(jié)好熔硅液面的位置，可以在單晶硅制取過程中起到控制熔硅液面位置作用，確保每次單晶制熔硅液面取均在同一位置。
[0016]以上已對本實用新型創(chuàng)造的較佳實施例進行了具體說明，但本實用新型創(chuàng)造并不限于所述實施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實用新型創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.用于單晶爐的石英銷，其特征在于，包括: 插入部，所述插入部的一端插入熱屏底部的凹槽內(nèi)； 接觸部，所述接觸部的一端與所述插入部的另一端連接，所述接觸部的非連接端向下探出所述熱屏底部； 掛鉤，所述掛鉤設(shè)置在所述插入部與所述接觸部的連接處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐的石英銷，其特征在于，所述接觸部的底端與所述熱屏底部的距離為15毫米。
【文檔編號】C30B15/00GK203530478SQ201320599816
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】陳小林, 賀賢漢, 顧燕濱 申請人:上海申和熱磁電子有限公司