一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及懸浮坩禍技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的懸浮坩禍采用的支架為固定支架，固定支架上部懸掛于大禍之上，下部將懸浮禍套在其中以穩(wěn)定懸浮坩禍。固定支架能夠很好地穩(wěn)定懸浮坩禍的位置，但是由于在實(shí)際拉晶的過程中，隨著鍺溶液液面的下降，懸浮坩禍隨之下降，而固定支架位置不變，這樣存在兩點(diǎn)問題:一是隨著液面下降，懸浮坩禍有可能脫離支架，二是破壞爐內(nèi)系統(tǒng)的熱場(chǎng)平衡，導(dǎo)致單晶出現(xiàn)位錯(cuò)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，能夠控制懸浮坩禍內(nèi)的鍺熔體深度及懸浮坩禍內(nèi)的熱場(chǎng)平衡。
[0004]技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩禍上部、通過凹槽卡緊懸浮坩禍的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大禍接觸以保持穩(wěn)定。支架本體通過凹槽與懸浮坩禍相連，通過卡位結(jié)構(gòu)與大禍保持接觸以保持相對(duì)位置穩(wěn)定，即起到了穩(wěn)定懸浮坩禍的作用，又能夠控制懸浮坩禍內(nèi)的鍺熔體深度及懸浮坩禍內(nèi)的熱場(chǎng)平衡。
[0005]進(jìn)一步完善上述技術(shù)方案，所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。
[0006]進(jìn)一步地，所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，所述凹槽高度為4mm，所述中空?qǐng)A直徑為330mm。
[0007]進(jìn)一步地，所述卡位機(jī)構(gòu)為四個(gè)，均勻設(shè)置在所述環(huán)形凹槽外圍。
[0008]進(jìn)一步地，所述卡位機(jī)構(gòu)包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。
[0009]進(jìn)一步地，所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm。
[0010]進(jìn)一步地，所述半圓塊的半徑為25mm。
[0011]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):通過本實(shí)用新型，支架本體與懸浮坩禍上沿直接相連后，實(shí)際上成為懸浮坩禍的配重裝置，通過控制支架本體的重量，在設(shè)計(jì)熱場(chǎng)時(shí)可以更加自由地設(shè)計(jì)懸浮坩禍的熔體深度和界面形狀，拉出零位錯(cuò)鍺單晶的成功率也大大提高;支架本體和懸浮坩禍直接相連后，拉晶過程中隨著液面的下降，支架本體隨著懸浮坩禍一起下降，這樣可以保證懸浮坩禍內(nèi)的熱場(chǎng)在拉晶全程幾乎都能保持穩(wěn)定和平衡，可以使單晶拉的更長(zhǎng)，合格部分更長(zhǎng)(由以前的1cm至現(xiàn)在的60cm)o
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0013]圖2為本實(shí)用新型沿圖1中AOB向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本實(shí)用新型與大禍、懸浮坩禍的連接示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面通過附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0016]實(shí)施例1:如圖1、2所示的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，包括支架本體I，支架本體I呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，支架本體I的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁2、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽I以及凹槽中心的中空?qǐng)A5;外圍壁2的內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，凹槽I的高度為4mm，中空?qǐng)A5直徑為330_?？ㄎ粰C(jī)構(gòu)包括與支架本體相連的矩形塊3以及與矩形塊3相連的半圓塊4，矩形塊3與支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為1mm，半圓塊4的半徑為25_。
[0017]如圖3所示，支架本體I設(shè)于懸浮坩禍2上部、通過凹槽卡緊懸浮坩禍2的上沿，環(huán)形凹槽外圍均勻突出四個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大禍3固定以保持相對(duì)位置固定。太陽能鍺單晶的生長(zhǎng)條件極其苛刻，通過設(shè)置支架本體I，在拉晶的過程中，隨著鍺溶液液面的下降，支架本體I和懸浮坩禍2—起降低，不存在脫離的風(fēng)險(xiǎn)，控制了懸浮坩禍2內(nèi)的鍺熔體深度，保證了單晶拉制過程中熱場(chǎng)的穩(wěn)定。
[0018]如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本實(shí)用新型，但其不得解釋為對(duì)本實(shí)用新型自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本實(shí)用新型的精神和范圍前提下，可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，包括支架本體，其特征在于:所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩禍上部、通過凹槽卡緊懸浮坩禍的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大禍接觸以保持穩(wěn)定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，其特征在于:所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，其特征在于:所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，所述凹槽高度為4mm，所述中空?qǐng)A直徑為330mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，其特征在于:所述卡位機(jī)構(gòu)為四個(gè)，均勻設(shè)置在所述環(huán)形凹槽外圍。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，其特征在于:所述卡位機(jī)構(gòu)包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，其特征在于:所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架，其特征在于:所述半圓塊的半徑為25mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，包括支架本體，所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定；所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。本實(shí)用新型提供的支架本體與懸浮坩堝直接相連后，實(shí)際上成為懸浮坩堝的配重裝置，通過控制支架本體的重量，在設(shè)計(jì)熱場(chǎng)時(shí)可以更加自由地設(shè)計(jì)懸浮坩堝的熔體深度和界面形狀，拉出零位錯(cuò)鍺單晶的成功率也大大提高。
【IPC分類】C30B15/10, C30B29/08
【公開號(hào)】CN205171016
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520949982
【發(fā)明人】陸海鳳, 柯尊斌, 秦瑤, 席珍強(qiáng)
【申請(qǐng)人】中鍺科技有限公司, 南京中鍺科技有限責(zé)任公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年11月25日