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一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架的制作方法

文檔序號(hào):10260231閱讀:467來源:國知局
一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及懸浮坩禍技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的懸浮坩禍采用的支架為固定支架,固定支架上部懸掛于大禍之上,下部將懸浮禍套在其中以穩(wěn)定懸浮坩禍。固定支架能夠很好地穩(wěn)定懸浮坩禍的位置,但是由于在實(shí)際拉晶的過程中,隨著鍺溶液液面的下降,懸浮坩禍隨之下降,而固定支架位置不變,這樣存在兩點(diǎn)問題:一是隨著液面下降,懸浮坩禍有可能脫離支架,二是破壞爐內(nèi)系統(tǒng)的熱場(chǎng)平衡,導(dǎo)致單晶出現(xiàn)位錯(cuò)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型提供一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,能夠控制懸浮坩禍內(nèi)的鍺熔體深度及懸浮坩禍內(nèi)的熱場(chǎng)平衡。
[0004]技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu),所述支架本體設(shè)于懸浮坩禍上部、通過凹槽卡緊懸浮坩禍的上沿,所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大禍接觸以保持穩(wěn)定。支架本體通過凹槽與懸浮坩禍相連,通過卡位結(jié)構(gòu)與大禍保持接觸以保持相對(duì)位置穩(wěn)定,即起到了穩(wěn)定懸浮坩禍的作用,又能夠控制懸浮坩禍內(nèi)的鍺熔體深度及懸浮坩禍內(nèi)的熱場(chǎng)平衡。
[0005]進(jìn)一步完善上述技術(shù)方案,所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。
[0006]進(jìn)一步地,所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm,所述凹槽高度為4mm,所述中空?qǐng)A直徑為330mm。
[0007]進(jìn)一步地,所述卡位機(jī)構(gòu)為四個(gè),均勻設(shè)置在所述環(huán)形凹槽外圍。
[0008]進(jìn)一步地,所述卡位機(jī)構(gòu)包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。
[0009]進(jìn)一步地,所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面,弧面半徑為10mm。
[0010]進(jìn)一步地,所述半圓塊的半徑為25mm。
[0011]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):通過本實(shí)用新型,支架本體與懸浮坩禍上沿直接相連后,實(shí)際上成為懸浮坩禍的配重裝置,通過控制支架本體的重量,在設(shè)計(jì)熱場(chǎng)時(shí)可以更加自由地設(shè)計(jì)懸浮坩禍的熔體深度和界面形狀,拉出零位錯(cuò)鍺單晶的成功率也大大提高;支架本體和懸浮坩禍直接相連后,拉晶過程中隨著液面的下降,支架本體隨著懸浮坩禍一起下降,這樣可以保證懸浮坩禍內(nèi)的熱場(chǎng)在拉晶全程幾乎都能保持穩(wěn)定和平衡,可以使單晶拉的更長(zhǎng),合格部分更長(zhǎng)(由以前的1cm至現(xiàn)在的60cm)o
【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖;
[0013]圖2為本實(shí)用新型沿圖1中AOB向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本實(shí)用新型與大禍、懸浮坩禍的連接示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面通過附圖對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0016]實(shí)施例1:如圖1、2所示的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,包括支架本體I,支架本體I呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu),支架本體I的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁2、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽I以及凹槽中心的中空?qǐng)A5;外圍壁2的內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm,凹槽I的高度為4mm,中空?qǐng)A5直徑為330_??ㄎ粰C(jī)構(gòu)包括與支架本體相連的矩形塊3以及與矩形塊3相連的半圓塊4,矩形塊3與支架本體連接處呈弧面,弧面半徑為1mm,半圓塊4的半徑為25_。
[0017]如圖3所示,支架本體I設(shè)于懸浮坩禍2上部、通過凹槽卡緊懸浮坩禍2的上沿,環(huán)形凹槽外圍均勻突出四個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大禍3固定以保持相對(duì)位置固定。太陽能鍺單晶的生長(zhǎng)條件極其苛刻,通過設(shè)置支架本體I,在拉晶的過程中,隨著鍺溶液液面的下降,支架本體I和懸浮坩禍2—起降低,不存在脫離的風(fēng)險(xiǎn),控制了懸浮坩禍2內(nèi)的鍺熔體深度,保證了單晶拉制過程中熱場(chǎng)的穩(wěn)定。
[0018]如上所述,盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本實(shí)用新型,但其不得解釋為對(duì)本實(shí)用新型自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本實(shí)用新型的精神和范圍前提下,可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,包括支架本體,其特征在于:所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu),所述支架本體設(shè)于懸浮坩禍上部、通過凹槽卡緊懸浮坩禍的上沿,所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大禍接觸以保持穩(wěn)定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,其特征在于:所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,其特征在于:所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm,所述凹槽高度為4mm,所述中空?qǐng)A直徑為330mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,其特征在于:所述卡位機(jī)構(gòu)為四個(gè),均勻設(shè)置在所述環(huán)形凹槽外圍。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,其特征在于:所述卡位機(jī)構(gòu)包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,其特征在于:所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面,弧面半徑為10mm。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩禍支架,其特征在于:所述半圓塊的半徑為25mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種太陽能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架,包括支架本體,所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu),所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿,所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定;所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。本實(shí)用新型提供的支架本體與懸浮坩堝直接相連后,實(shí)際上成為懸浮坩堝的配重裝置,通過控制支架本體的重量,在設(shè)計(jì)熱場(chǎng)時(shí)可以更加自由地設(shè)計(jì)懸浮坩堝的熔體深度和界面形狀,拉出零位錯(cuò)鍺單晶的成功率也大大提高。
【IPC分類】C30B15/10, C30B29/08
【公開號(hào)】CN205171016
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520949982
【發(fā)明人】陸海鳳, 柯尊斌, 秦瑤, 席珍強(qiáng)
【申請(qǐng)人】中鍺科技有限公司, 南京中鍺科技有限責(zé)任公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年11月25日
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