高效嵌入技術(shù)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及高效嵌入技術(shù)。器件和技術(shù)的代表性的實(shí)現(xiàn)過程提供了改進(jìn)的到被部署在多層印刷電路板（PCB）的層內(nèi)的諸如芯片小片之類的組件的電接入。一個(gè)或多個(gè)絕緣層可以安置在容納該組件的間隔物層的任一側(cè)上。該絕緣層可以具有被策略性地安置以在該組件和該P(yáng)CB的傳導(dǎo)層之間提供電連接的孔隙。
【專利說明】高效嵌入技術(shù)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高效嵌入技術(shù)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種多層層壓的印刷電路板(PCB)，其包括:第一和第二傳導(dǎo)層；第一和第二電介質(zhì)層,其被部署在所述第一和第二傳導(dǎo)層之間,所述第一和第二電介質(zhì)層的至少一個(gè)具有一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙；間隔物層，其被部署在所述第一和第二電介質(zhì)層之間，所述間隔物層具有一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙；以及一個(gè)或多個(gè)電組件，其被部署在所述間隔物層的所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙內(nèi)，并且經(jīng)由所述第一和第二電介質(zhì)層的至少一個(gè)的所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙來(lái)電耦合到所述第一和第二傳導(dǎo)層的至少一個(gè)的一部分。
[0003]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種方法，其包括:形成第一電介質(zhì)膜和第二電介質(zhì)膜，所述第一和第二電介質(zhì)膜的至少一個(gè)具有一個(gè)或多個(gè)孔隙；用粘合劑涂敷所述第一電介質(zhì)膜，所述粘合劑填充所述第一電介質(zhì)膜中的任何孔隙；將所述第一電介質(zhì)膜釘?shù)降谝粋鲗?dǎo)薄片上；形成具有一個(gè)或多個(gè)孔隙的間隔物；將所述間隔物釘?shù)剿龅谝浑娊橘|(zhì)膜；將一個(gè)或多個(gè)電組件粘接到所述間隔物中的所述一個(gè)或多個(gè)孔隙中；用所述粘合劑涂敷所述第二電介質(zhì)膜，所述粘合劑填充所述第二電介質(zhì)膜中的任何孔隙；將所述第二電介質(zhì)膜釘?shù)剿鲭娊橘|(zhì)間隔物；將第二傳導(dǎo)薄片釘?shù)剿龅诙娊橘|(zhì)膜上；以及將所述第一傳導(dǎo)薄片、所述第一電介質(zhì)膜、所述間隔物、所述一個(gè)或多個(gè)電組件、所述第二電介質(zhì)膜、和所述第二傳導(dǎo)薄片層壓，以形成層壓結(jié)構(gòu)。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的還有另一個(gè)方面，提供了一種方法，其包括:將第一組的一個(gè)或多個(gè)形狀沉積到第一傳導(dǎo)層的表面上；圍繞所述第一組的一個(gè)或多個(gè)形狀將第一層電介質(zhì)材料沉積到所述第一傳導(dǎo)層上；將具有一個(gè)或多個(gè)孔隙的間隔物層沉積到所述電介質(zhì)材料和所述一個(gè)或多個(gè)形狀上；和將所述一個(gè)或多個(gè)電組件放到所述間隔物層中的所述一個(gè)或多個(gè)孔隙中，基于所述第一組的一個(gè)或多個(gè)形狀，所述一個(gè)或多個(gè)電組件被布置以經(jīng)由在所述第一層電介質(zhì)材料中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到所述第一傳導(dǎo)層的一部分。
【背景技術(shù)】
[0005]過去幾年半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)允許保持品質(zhì)因數(shù)(FoM)和電路效率，或者甚至在一些改進(jìn)的情形中，隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷地收縮。一種使用收縮的形狀因子的現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)是嵌入的管芯技術(shù)。集成電路(IC)芯片管芯可以例如安置在印刷電路板(PCB)的核心層內(nèi)，或者例如在多層電路板的層之間。這個(gè)技術(shù)為其它電路組件騰出PCB層表面上的表面區(qū)域。在一些情況下，多個(gè)芯片小片可以安置在多層PCB的不同的層或?qū)咏M內(nèi)。
[0006]嵌入組件和PCB的外層之間的電連接有時(shí)通過鉆通層壓層達(dá)成，從而在將該組件灌封在該層內(nèi)后，創(chuàng)建到該組件的接觸。在一些情況下，激光被用于去除該層的有機(jī)/有機(jī)玻璃混合物或無(wú)機(jī)襯底。然而，這些技術(shù)對(duì)于一些嵌入組件也可以是過于侵略性的或侵入的。例如，該鉆孔技術(shù)可以創(chuàng)建較不精確的連接通道，并且可以引起關(guān)于一些嵌入組件的損害或可靠性問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]參考附圖闡述詳細(xì)說明。圖中，參考數(shù)字的最左側(cè)的(多個(gè))位識(shí)別參考數(shù)字首先出現(xiàn)在其中的圖。不同圖中使用相同參考數(shù)字指示類似的或者相同的項(xiàng)。
[0008]為了該討論，在圖中所圖示的器件和系統(tǒng)被示出為具有多個(gè)組件。如于此所描述的那樣的器件和/或者系統(tǒng)的各種實(shí)施可以包括更少的組件，并且保持在本公開的范圍之內(nèi)。可替換地，器件和/或者系統(tǒng)的其它實(shí)施可以包括附加的組件，或者所描述的組件的各種組合，并且保持在本公開的范圍之內(nèi)。
[0009]圖1是根據(jù)例子的包括嵌入電路組件的多層PCB布置的橫截面剖視圖。
[0010]圖2A和2B是例如圖1的PCB層的透視圖。圖2A示出了兩個(gè)示例電介質(zhì)層并且圖2B示出了已經(jīng)將粘合劑應(yīng)用到電介質(zhì)層后的該電介質(zhì)層。
[0011]圖3A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程的已經(jīng)被釘?shù)絺鲗?dǎo)層的一個(gè)圖2B的該P(yáng)CB層的透視圖。
[0012]圖3B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程添加了被釘?shù)皆撾娊橘|(zhì)層的間隔層的圖3A的例子PCB組件的透視圖。
[0013]圖4A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出被粘接到該間隔物層的孔隙中的示例電組件的圖3B的PCB組件的透視圖。
[0014]圖4B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出被釘?shù)皆撻g隔物/組件層的第二電介質(zhì)層的圖4A的示例PCB組件的透視圖。
[0015]圖5A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程的示出被釘?shù)降诙娊橘|(zhì)層的第二傳導(dǎo)層的圖4B的該P(yáng)CB組件的透視圖。
[0016]圖5B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程創(chuàng)建電路路徑并暴露于粘合劑的第一次刻蝕的圖5A的示例PCB組件的透視圖。
[0017]圖6A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出去除過量粘合劑之后的電路路徑的圖5B的該P(yáng)CB組件的透視圖。
[0018]圖6B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出用電鍍和刻蝕工藝的該多層PCB的上面的圖6A的示例PCB組件的透視圖。
[0019]圖7是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程說明用于改進(jìn)到被部署在多層PCB的層內(nèi)的諸如芯片小片的組件的電接入的示例工藝的流程圖。
[0020]圖8A是根據(jù)另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程的為第一傳導(dǎo)層的圖1的一個(gè)PCB層的透視圖。
[0021]圖SB是根據(jù)該實(shí)現(xiàn)過程添加了一組傳導(dǎo)層的形狀的圖8A的傳導(dǎo)層的透視圖。
[0022]圖9A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程添加了沉積的電介質(zhì)層的圖SB的該示例PCB組件的透視圖。
[0023]圖9B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程添加了被釘?shù)皆撾娊橘|(zhì)層的間隔層的圖9A的示例PCB組件的透視圖。
[0024]圖1OA是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出被粘接到該間隔物層的孔隙中的示例電組件的圖9B的PCB組件的透視圖。[0025]圖1OB是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出被增加到該間隔物/組件層的第二組形狀的圖1OA的示例PCB組件的透視圖。
[0026]圖1lA是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出圍繞第二組形狀的被沉積到該間隔物層的第二電介質(zhì)層的圖1OB的PCB組件的透視圖。
[0027]圖1lB是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出被釘?shù)降诙娊橘|(zhì)層的第二傳導(dǎo)層的圖1lA的PCB組件的透視圖。
[0028]圖12A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程創(chuàng)建電路路徑并暴露于該形狀的第一次刻蝕的圖1lB的示例PCB組件的透視圖。
[0029]圖12B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出被去除的形狀的在第一側(cè)面上和所得到的孔隙上的圖12A的PCB的組件的透視圖。
[0030]圖13A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出用所去除的形狀的第二側(cè)面和所得到的孔隙上的圖12A的PCB組件的透視圖。
[0031]圖13B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出用電鍍和第二刻蝕工藝的該多層PCB的第一側(cè)面的圖12B的示例PCB組件的透視圖。
[0032]圖14A是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出用電鍍和第二刻蝕工藝的該多層PCB的第二側(cè)面的圖13A的示例PCB組件的透視圖。
[0033]圖14B是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程示出該多層PCB的第一側(cè)面的圖13B的示例PCB組件的透視圖。
[0034]圖15是根據(jù)另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程說明用于改進(jìn)到被部署在多層PCB的層內(nèi)的諸如芯片小片的組件的電學(xué)接入的例子處理的流程圖。
[0035]圖16是根據(jù)實(shí)現(xiàn)過程說明用于繼續(xù)圖15的工藝的第一示例工藝的流程圖。
[0036]圖17是根據(jù)另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程說明用于繼續(xù)圖15的工藝的第二示例工藝的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]概述
器件和技術(shù)的代表性的實(shí)現(xiàn)過程提供了到被部署在多層印刷電路板(PCB)的層內(nèi)的諸如例如芯片小片的組件的改進(jìn)的電接入。在例子中，一個(gè)或多個(gè)絕緣層可以安置在容納該組件的間隔物層的任一側(cè)上。該絕緣層可以具有被策略性地安置的孔隙，來(lái)在該組件和該P(yáng)CB的傳導(dǎo)層之間提供電連接性。例如，在實(shí)現(xiàn)過程中，該傳導(dǎo)層可以被安置作為多層PCB的外層。
[0038]在實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物層可以包括布置來(lái)夾持該組件的預(yù)先形成的孔隙。該組件可以被部署在該間隔物層的預(yù)先形成的孔隙內(nèi)，并且經(jīng)由該絕緣層的其他預(yù)先形成的孔隙來(lái)電耦合到一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)層的部分。例如，該絕緣層可以被形成具有孔隙，該孔隙被布置來(lái)提供從該(多個(gè))嵌入組件到該(多個(gè))傳導(dǎo)層的通道。
[0039]在一些實(shí)現(xiàn)過程中，該多層PCB可以通過連續(xù)建立技術(shù)來(lái)形成，其包括將層的序列一個(gè)添加到另一個(gè)上的工藝。在實(shí)現(xiàn)過程中，該多層PCB的層被對(duì)稱地布置在該間隔物層和該(多個(gè))嵌入組件的任一側(cè)上。
[0040]關(guān)于電組件和電子組件和變化的載體來(lái)討論各種實(shí)現(xiàn)過程和布置。盡管提到具體的組件(即，集成電路芯片小片、電阻器、電容器、電感器、扼流圈等等)，但是這不意圖是限制性的，而是為了討論的容易和圖示便利。關(guān)于芯片管芯討論的該技術(shù)和器件適用于任何類型或數(shù)目的電學(xué)組件(例如，傳感器、晶體管、二極管等等)、電路(例如，集成電路、模擬電路、數(shù)字電路、混合電路、ASICS、儲(chǔ)存器件、處理器等等)、組件組、封裝組件、結(jié)構(gòu)等等，其可以被完全或部分地嵌入諸如分層印刷電路板(PCB)的載體內(nèi)。附加地，關(guān)于印刷電路板(PCB)討論的該技術(shù)和器件適用于其他類型的載體(例如，板、芯片、晶片、襯底、封裝、容器、罐、模塊等等)，該芯片管芯可以被完全或部分地安裝在該載體上或內(nèi)。
[0041]下面通過使用多個(gè)例子更詳細(xì)地解釋實(shí)現(xiàn)過程。盡管這里和下面討論各種實(shí)現(xiàn)過程和例子，但是通過組合單獨(dú)的實(shí)現(xiàn)過程和例子的特征和元件，另外的實(shí)現(xiàn)過程和例子是可能的。
[0042]示例多層PCB
圖1是包括示例嵌入的電路組件102的示例多層PCB布置100的橫截面剖視圖。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100可以包括一個(gè)或多個(gè)組件102。
[0043]該布置100表示了示例環(huán)境，借此可以應(yīng)用在本文中討論的該技術(shù)和器件。例如，該組件102表示可以安置在(例如，部分地或完全地嵌入等等)PCB布置100的層內(nèi)的任何及全部的電器件。在本文中關(guān)于該布置100描述的技術(shù)、組件、和器件被限制于圖1至6和8至14中的圖示，并且可以在不偏離本公開的范圍的情況下，被應(yīng)用于包括其他電組件的其他設(shè)計(jì)、類型、布置、和構(gòu)造。在一些情況下，替換的組件可以被用于實(shí)現(xiàn)本文中所述的技術(shù)。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該布置100可以是單獨(dú)的模塊，或者其可以是系統(tǒng)、組件、結(jié)構(gòu)等等的一部分。在實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100包括多個(gè)層(例如，層104、106、108、110、和112)。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，如在圖1至6和8至14中所示的那樣，該P(yáng)CB布置100可以具有一個(gè)、兩個(gè)、或三個(gè)層，或者其可以包括五個(gè)或更多個(gè)層或?qū)咏M。在一些實(shí)現(xiàn)過程中，該布置100可以具有比在圖1至6和8至14中所示的更少或更多數(shù)目的層。
[0044]在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100包括第一傳導(dǎo)層104和第二傳導(dǎo)層112。在一些實(shí)現(xiàn)過程中，第一和第二傳導(dǎo)層104和112包括傳導(dǎo)材料或具有形成在其上的傳導(dǎo)軌道的絕緣材料。例如，第一和第二傳導(dǎo)層104和112可以是刻蝕的銅等等。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，例如，第一和第二傳導(dǎo)層104和112由諸如金或銅薄片之類的金屬箔組成。
[0045]在實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100包括被部署在該第一和第二傳導(dǎo)層104和112之間的第一電介質(zhì)層106和第二電介質(zhì)層110。在一些實(shí)現(xiàn)過程中，該第一和第二電介質(zhì)層106和110的至少一個(gè)具有一個(gè)或多個(gè)孔隙。例如，在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，預(yù)先形成該孔隙。換句話說，在該P(yáng)CB布置100的組裝之前，在該第一和第二電介質(zhì)層106和110內(nèi)形成該孔隙。在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，隨著該第一和第二電介質(zhì)層106和110被形成，形成該空隙。在另外的實(shí)現(xiàn)過程中，隨著該P(yáng)CB布置100被形成或組裝，形成該孔隙。下面進(jìn)一步討論各種這樣的實(shí)現(xiàn)過程。
[0046]在實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100包括被部署在該第一和第二電介質(zhì)層106和110之間的間隔物層108。在實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物層具有一個(gè)或多個(gè)孔隙。例如，在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，預(yù)先形成該孔隙。換句話說，在該P(yáng)CB布置100的組裝之前，在該間隔物層108內(nèi)形成該孔隙。在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，隨著該間隔物層108被形成，形成該孔隙。在另外的實(shí)現(xiàn)過程中，隨著該P(yáng)CB布置100被形成或組裝，形成該孔隙。下面進(jìn)一步討論各種這樣的實(shí)現(xiàn)過程。
[0047]在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物層108的孔隙的數(shù)目和尺寸取決于將被嵌入該P(yáng)CB布置100內(nèi)的該(多個(gè))組件102的數(shù)目和尺寸。例如，可以在該間隔物層內(nèi)形成孔隙，從而適應(yīng)該組件102的尺寸和形狀。附加地，該間隔物層108的厚度可以被布置為基本上類似于該(多個(gè))組件102的厚度。例如，與該(多個(gè))組件102相組合的該間隔物層108可以在該側(cè)面/表面的一個(gè)或兩者上形成基本上平面的表面。
[0048]例如，一對(duì)外層(B卩，第一和第二傳導(dǎo)層104和112)、一對(duì)內(nèi)層(B卩，第一和第二電介質(zhì)層106和110)和間隔物層108可以包括層組。在實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100可以關(guān)于該間隔物層108對(duì)稱。例如，如圖1中所圖示的那樣，在該間隔物層108的一側(cè)上的層的數(shù)目和類型可以類似于或基本上相同于在該間隔物層108的另一側(cè)上的層的數(shù)目和類型。在其他實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100可以包括處于層或?qū)咏M之間的一個(gè)或多個(gè)附加層，諸如例如絕緣層。
[0049]在各種實(shí)現(xiàn)過程中，如圖1至6和8至14中所示，電組件102(諸如例如一個(gè)或多個(gè)IC芯片小片)安置在該布置100的層之間，并且可以被嵌入層內(nèi)，諸如該間隔物層108。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，如上面所討論的那樣，該組件102可以包括諸如集成電路(IC)芯片小片、晶體管、二極管、半導(dǎo)體器件、電阻器、電感器、電容器等等的組件。
[0050]在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該組件102完全安置在該P(yáng)CB布置100的層內(nèi)。在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，一個(gè)或多個(gè)該組件102部分安置在該P(yáng)CB布置100的層內(nèi)。例如，組件102的一個(gè)或多個(gè)表面可以被暴露或延伸在PCB布置100的層外，而該組件102部分地安置在該層內(nèi)。圖1至6和8至14中示出一個(gè)嵌入的組件102用于圖示。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，PCB布置100可以具有任何數(shù)目的部分或完全嵌入的組件102。
[0051]在實(shí)現(xiàn)過程中，該一個(gè)或多個(gè)電組件102被部署在該間隔物層108的一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙內(nèi)。例如，該間隔物層108的孔隙可以被設(shè)計(jì)、形成、切割、或以其它方式布置為配合該一個(gè)或多個(gè)電組件102的尺寸和形狀。
[0052]在實(shí)現(xiàn)過程中，該組件102通過該第一電介質(zhì)層106或第二電介質(zhì)層110或兩個(gè)層106、110的一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙來(lái)電耦合到第一傳導(dǎo)層104或第二傳導(dǎo)層112(或?qū)?04、112兩者)的至少一部分。例如，該第一和第二電介質(zhì)層106和110中的孔隙被布置為用于從該外層104、112到該(多個(gè))組件102的連接的通道。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，可以在該第一和第二電介質(zhì)層106和110中的孔隙的通道內(nèi)形成傳導(dǎo)軌道，在這里該傳導(dǎo)軌道將該外層104、112耦合到該(多個(gè))組件102上的接觸點(diǎn)。
[0053]在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該第一和第二電介質(zhì)層106和110中的該孔隙被布置為提供由該(多個(gè))組件102使用的到該P(yáng)CB布置100的任何層的全部連接通道，而不鉆通或打通(drill through)該層，以連接到(多個(gè))嵌入的組件102。
[0054]在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置100包括打通每一層(例如，層104、106、108、110、和112)并且用傳導(dǎo)材料電鍍的一個(gè)或多個(gè)通孔114。在該實(shí)現(xiàn)過程中，該通孔114將被安裝到該P(yáng)CB布置110的一個(gè)層的組件與被安裝到另一個(gè)層的組件耦合。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該通孔114可以是延伸穿過該P(yáng)CB布置100的全部層的全局通孔，或者其可以是延伸穿過一個(gè)或多個(gè)層而沒有完全穿過該P(yáng)CB布置100的全部層的盲通孔。
[0055]在實(shí)現(xiàn)過程中，如上面所討論的那樣，通過使用連續(xù)建立技術(shù)來(lái)形成該多層PCB布置100，如下面進(jìn)一步討論的那樣，該技術(shù)包括增加層的序列。在實(shí)現(xiàn)過程中，該序列中的一個(gè)或多個(gè)層(諸如例如第一和第二電介質(zhì)層106和110)具有預(yù)先形成的孔隙，以形成用于到該(多個(gè))嵌入的組件102的電接觸的接入通道。
[0056]針對(duì)PCB布置100的不同配置有不同的實(shí)現(xiàn)過程是可能的。在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，該布置100的各種其他組合和設(shè)計(jì)也在本公開的范圍內(nèi)。該變化可以具有比圖1至6和8至14中所示的例子中所圖示的更少的元件，或者其可以具有比所示的那些更多的元件或替換的元件。
[0057]代表性的工藝
圖7和15圖示了根據(jù)各種實(shí)現(xiàn)過程的用于改進(jìn)到安置在載體(諸如例如PCB布置100)內(nèi)的嵌入電組件(諸如例如組件102)的電接入的代表性的工藝700和1500。在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，該P(yáng)CB布置可以具有任何數(shù)目的層。在一些實(shí)現(xiàn)過程中，該(多個(gè))組件可以被部分地或完全地嵌入該P(yáng)CB布置的層內(nèi)。
[0058]在示例實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝700和1500可以通過使用連續(xù)建立技術(shù)來(lái)導(dǎo)致對(duì)稱的分層結(jié)構(gòu)。這個(gè)相對(duì)廉價(jià)且靈活的技術(shù)能夠產(chǎn)生任何所期望的尺寸和形狀的孔隙和變化重量(即，軌道厚度)的傳導(dǎo)電路通道。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝700和1500可以被用在小范圍或大范圍上，以將單個(gè)電路布置制造到每面板具有多個(gè)電路的面板。
[0059]圖7圖示了第一代表性的工藝700。參考圖1至6描述該工藝700。描述工藝的順序不意圖被理解為限制，并且任意數(shù)目的所述的工藝區(qū)塊能夠以任何順序組合來(lái)實(shí)現(xiàn)該工藝或者替換的工藝。附加地，可以從工藝中刪除單獨(dú)區(qū)塊，而不偏離這里所述的主題的精神和范圍。此外，該工藝能夠以任何合適的材料或其組合實(shí)現(xiàn)，而不偏離這里所述的主題的范圍。
[0060]在區(qū)塊702,該工藝包括形成第一電介質(zhì)膜(諸如例如電介質(zhì)層106)和第二電介質(zhì)膜(諸如例如電介質(zhì)層110)。在實(shí)現(xiàn)過程中，該第一和第二電介質(zhì)膜的至少一個(gè)具有一個(gè)或多個(gè)孔隙(諸如例如圖2A中的孔隙202)。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該第一電介質(zhì)膜和/或該第二電介質(zhì)膜可以包括諸如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、增強(qiáng)環(huán)氧樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺、聚四氟乙烯(PTFE)等等的材料。
[0061]在區(qū)塊704，該工藝包括用粘合劑(諸如例如圖2A中的粘合劑204)涂敷該第一電介質(zhì)膜。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，如圖2B中所示的那樣，第一和第二電介質(zhì)膜兩個(gè)都用粘合劑涂敷。在實(shí)現(xiàn)過程中，涂敷該(多個(gè))電介質(zhì)膜，使得該粘合劑填充該第一(或第二)電介質(zhì)膜中的任何孔隙。例如，該工藝可以包括用粘合劑將該第一電介質(zhì)膜和第二電介質(zhì)膜的全部表面完全涂敷，在這里該粘合劑包括下列的一種:環(huán)氧樹脂、丙烯酸鹽、熱固樹脂、有機(jī)硅聚合物(silicone polymer)、娃樹脂、或類似的粘合劑。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中,光敏引發(fā)劑被并入在粘合劑中，并且被布置為阻隔該粘合劑的熱誘導(dǎo)交聯(lián)(cross linking)，在這里該粘合劑已經(jīng)暴露于紫外(UV)光下。
[0062]例如，在區(qū)塊706，如圖3A中所示的那樣，該工藝包括將該第一電介質(zhì)膜釘(tack)到第一傳導(dǎo)薄片(諸如例如傳導(dǎo)層104)上。釘包括例如通過使用壓力或壓力和加熱來(lái)將一個(gè)或多個(gè)層一起暫時(shí)粘接在若干區(qū)域中，以及在組裝期間將層保持對(duì)準(zhǔn)的類似技術(shù)。釘可以被用于在將該層層壓到該結(jié)構(gòu)中之前保持層壓結(jié)構(gòu)的層。
[0063]在區(qū)塊708，該工藝包括形成具有一個(gè)或多個(gè)孔隙(諸如例如圖3B中的孔隙302)的間隔物(諸如例如間隔物層108)。在例子中，該間隔物可以由電介質(zhì)材料等等構(gòu)造。在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物可以包括金屬成份等等。在實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物可以具有與將嵌入的組件基本上相同的厚度，使得當(dāng)添加該組件時(shí)，該層在該組裝內(nèi)是平面的。例如，在區(qū)塊710，如圖3B中所示，該工藝包括將該間隔物釘?shù)皆摰谝浑娊橘|(zhì)膜。
[0064]例如，在區(qū)塊712，如圖4A中所示，該工藝包括將一個(gè)或多個(gè)電組件(諸如例如組件102)粘接到在該間隔物中的一個(gè)或多個(gè)孔隙中。如上所述，該工藝可以包括布置該間隔物和該一個(gè)或多個(gè)電組件，以形成基本上平面的表面。這可以包括形成具有預(yù)先確定的厚度并有預(yù)先確定尺寸和形狀的一個(gè)或多個(gè)孔隙的該間隔物。
[0065]如果在先前還沒有發(fā)生，那么在區(qū)塊714，該工藝包括用該粘合劑涂敷第二電介質(zhì)膜。如上，在實(shí)現(xiàn)過程中，該粘合劑填充該第二電介質(zhì)膜中的任何孔隙。例如，在區(qū)塊716，如圖4B中所示，該工藝包括將第二電介質(zhì)膜釘?shù)皆撾娊橘|(zhì)間隔物。在區(qū)塊718，該工藝包括將第二傳導(dǎo)薄片(諸如例如傳導(dǎo)層112)釘?shù)皆摰诙娊橘|(zhì)膜上。
[0066]在區(qū)塊720,該工藝包括層壓該第一傳導(dǎo)薄片、第一電介質(zhì)膜、該間隔物、該一個(gè)或更多電組件、該第二電介質(zhì)膜、和該第二傳導(dǎo)薄片疊層，以形成層壓結(jié)構(gòu)(諸如例如如圖5B中所示的層壓結(jié)構(gòu)502)。在實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括增加粘合劑的流動(dòng)性以及當(dāng)層壓時(shí)使該粘合劑流入該層壓結(jié)構(gòu)的空隙中。例如，這可以通過使用壓力或壓力和真空的組合等等來(lái)完成。
[0067]在實(shí)現(xiàn)過程中，如圖5B中所示，該工藝包括刻蝕該層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面，以在該一個(gè)或多個(gè)外表面上形成電路通道。該刻蝕工藝也可以打開到被粘接到該間隔物中的(多個(gè))孔隙中的該一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸區(qū)域，和/或?qū)⒃撜澈蟿┍┞对谠摽紫秲?nèi)。
[0068]在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括從在該第一和/或第二電介質(zhì)膜中的任何和/或全部孔隙去除該粘合劑。這在圖6A中被圖示。在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括電鍍?cè)搶訅航Y(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面，以形成從至少該第一或第二傳導(dǎo)薄片的一個(gè)或多個(gè)部分到該一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸路徑。在實(shí)現(xiàn)過程中，可以使用化學(xué)電鍍。此外，可以通過使用例如電解電鍍和刻蝕的組合來(lái)增強(qiáng)該接觸路徑，以創(chuàng)建所期望的厚度和所期望的路徑布局。如圖6B中所示，一旦完成接觸，最終得到的組件就是PCB布置等等。
[0069]在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括將一個(gè)或多個(gè)通孔(諸如例如通孔114)打通該層壓結(jié)構(gòu)并且電鍍?cè)撏祝噪婑詈显搶訅航Y(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)節(jié)點(diǎn)。例如，一些組件可以被安裝到該P(yáng)CB布置的一個(gè)或多個(gè)外層。例如，這些組件可以通過使用通孔來(lái)電耦合。在實(shí)現(xiàn)過程中，例如，該通孔電耦合到在該外層上形成的傳導(dǎo)接觸路徑。該組件可以電耦合到其各自層上的接觸路徑。
[0070]圖15圖示了根據(jù)各種實(shí)現(xiàn)過程的用于改進(jìn)到安置在載體(諸如例如PCB布置100)內(nèi)的嵌入電組件(諸如例如組件102)的電接入的第二代表性的工藝1500。參考圖1和8至14描述該工藝1500。工藝被描述的順序不意圖被理解為限制性的，并且若干所述的工藝區(qū)塊能夠以任何順序組合，以實(shí)現(xiàn)該工藝或者替換的工藝。附加地，可以從工藝中刪除單獨(dú)區(qū)塊，而不偏離這里所述的主題的精神和范圍。此外，該工藝能夠以任何合適的材料或其組合實(shí)現(xiàn)，而不偏離這里所述的主題的范圍。
[0071]在區(qū)塊1502，該工藝包括將第一組的一個(gè)或多個(gè)形狀(諸如例如如圖8B中所示的形狀802)沉積到第一傳導(dǎo)層(諸如例如傳導(dǎo)層104)的表面上。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，該第一傳導(dǎo)層的表面可以被預(yù)處理，以創(chuàng)建粗糙表面。例如，這能夠具有改進(jìn)聚合物到該粗糙表面的粘合性的益處。
[0072]例如，在區(qū)塊1504，如圖9A中所示，該工藝包括圍繞第一組一個(gè)或多個(gè)形狀來(lái)將第一層電介質(zhì)材料(諸如例如電介質(zhì)層106)沉積到該第一傳導(dǎo)層的表面上。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該形狀是一種用來(lái)在第一層電介質(zhì)材料中形成孔隙的類型的塑模。當(dāng)該電介質(zhì)材料固化時(shí)，該形狀可以移除以露出該孔隙。例如，該孔隙可以用作針對(duì)嵌入組件的接觸通道。
[0073]例如，在區(qū)塊1506，如圖9B中所示，該工藝包括將具有一個(gè)或多個(gè)孔隙的間隔物層(諸如例如間隔物層108)沉積到該電介質(zhì)材料和該一個(gè)或多個(gè)形狀上。在實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物可以通過沉積電介質(zhì)材料的層來(lái)形成。在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，可以使用其他材料。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，可以在這個(gè)階段組裝之前，預(yù)先形成包括該孔隙的該間隔物層。在實(shí)現(xiàn)過程中，該間隔物可以具有與將嵌入的組件基本上相同的厚度，使得當(dāng)添加該組件時(shí)，該層在該組裝內(nèi)是平面的。
[0074]在區(qū)塊1508，如圖1OA中所示，該工藝包括將一個(gè)或多個(gè)電組件(諸如例如組件102)放入該間隔物層中的一個(gè)或多個(gè)孔隙中。在實(shí)現(xiàn)過程中，基于該第一組一個(gè)或多個(gè)形狀，該一個(gè)或多個(gè)電組件被布置以經(jīng)由在第一層電介質(zhì)材料層中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到該第一傳導(dǎo)層的一部分。
[0075]在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝?yán)^續(xù)圖16的該工藝1600。在工藝1600中，繼續(xù)在先前的層上添加新的層的技術(shù)。在區(qū)塊1602，該工藝包括將第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀(諸如例如圖1OB中所示的形狀1002)沉積到該一個(gè)或多個(gè)電組件上。這個(gè)第二組形狀可以被布置，以在隨后層中形成孔隙，例如用于到該(多個(gè))嵌入組件的連接。
[0076]在區(qū)塊1604，如圖1lA中所示，該工藝包括圍繞第二組的形狀將第二層電介質(zhì)材料(諸如例如電介質(zhì)層110)沉積到該間隔物層和該一個(gè)或多個(gè)電組件上。
[0077]在區(qū)塊1606，如圖1lB中所示，該工藝包括將第二傳導(dǎo)層(諸如例如傳導(dǎo)層112)沉積到該第二層電介質(zhì)材料和該第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀上。同樣在這里，該傳導(dǎo)層的內(nèi)表面可以被粗糙化(或類似的制備)，以改進(jìn)到該第二層電介質(zhì)材料的粘合。
[0078]在區(qū)塊1608,該工藝包括將第一傳導(dǎo)層、第一層電介質(zhì)材料、該間隔物層、該一個(gè)或多個(gè)電組件、第二層電介質(zhì)材料、和第二傳導(dǎo)層層壓，以形成層壓結(jié)構(gòu)。例如，該組裝可以在粘接壓機(jī)等等中被層壓。在實(shí)現(xiàn)過程中，基于該第二組形狀，該電組件被布置以經(jīng)由在該第二層電介質(zhì)材料中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到該第二傳導(dǎo)層的一部分。
[0079]在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝?yán)^續(xù)圖17的該工藝1700。在工藝1700中，該技術(shù)包括建立第二組裝，并且將該第二組裝添加到工藝1500的先前組裝。在區(qū)塊1702，該工藝包括將第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀(諸如例如圖1OB中所示的形狀1002)沉積到第二傳導(dǎo)層(諸如例如傳導(dǎo)層112)的表面上。如上面提及的那樣，可以制備(例如，粗糙化等等)該第二傳導(dǎo)層。
[0080]在區(qū)塊1704，該工藝包括圍繞第二組形狀將第二層電介質(zhì)材料(諸如例如電介質(zhì)層110)沉積到第二傳導(dǎo)層上。在區(qū)塊1706，該工藝包括將該第二傳導(dǎo)層和該第二層電介質(zhì)材料放在該間隔物層和該一個(gè)或多個(gè)電組件上。例如，該第二組裝(包括第二傳導(dǎo)層和第二層電介質(zhì)材料加上形狀)被轉(zhuǎn)到“電介質(zhì)側(cè)向下”，并且被堆疊到在工藝1500中形成的層的第一組裝上。
[0081]在區(qū)塊1708,該工藝包括將第一傳導(dǎo)層、第一層電介質(zhì)材料、該間隔物層、該一個(gè)或多個(gè)電組件、第二層電介質(zhì)材料、和第二傳導(dǎo)層層壓，以形成層壓結(jié)構(gòu)。在實(shí)現(xiàn)過程中，基于該第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀，該電組件被布置以經(jīng)由在該第二層電介質(zhì)材料中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到該第二傳導(dǎo)層的一部分。
[0082]在實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括將該第一層電介質(zhì)材料和/或該第二層電介質(zhì)材料沉積為液體或半固體。例如，作為該工藝的部分，該第一層電介質(zhì)材料和/或該第二層電介質(zhì)材料能夠被固化為基本上固態(tài)。在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括通過使用涂墨工藝(flood coating process)或絲網(wǎng)印刷工藝的至少一種來(lái)沉積該第一層電介質(zhì)材料和/或該第二層電介質(zhì)材料。
[0083]在一個(gè)實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括去除第一組形狀和第二組形狀，以創(chuàng)建用于該嵌入的電組件的接入通道。例如，該形狀可以從該孔隙中發(fā)展(假設(shè)該形狀已經(jīng)使用光活性材料制成)，從而創(chuàng)建從該組件到該層壓結(jié)構(gòu)的外表面的開口。
[0084]在實(shí)現(xiàn)過程中，如圖12A中所示，該工藝包括刻蝕該層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面，以在該一個(gè)或多個(gè)外表面上形成電路路徑。該電路路徑被創(chuàng)建，并且該形狀被暴露在該外表面上。此外，該刻蝕也能夠打開到被放入該間隔物層的孔隙中的一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸區(qū)域。附加地，如圖12B (—側(cè))和13A (另一側(cè))中所示，該工藝包括從在該第一和/或第二電介質(zhì)膜中的孔隙去除該粘合劑。在該實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括(例如，通過使用化學(xué)電鍍來(lái))將該層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面(諸如例如傳導(dǎo)層1014和112)電鍍，以形成從該第一和/或第二傳導(dǎo)層的部分到該一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸路徑。例如，第二刻蝕工藝可以被用于維持該線路布局。多電鍍和刻蝕工藝的一個(gè)益處是能夠維持精細(xì)的幾何形狀。
[0085]在實(shí)現(xiàn)過程中，該工藝包括通過使用絲網(wǎng)工藝、涂墨工藝、噴射工藝、散布工藝、光成像工藝等等來(lái)沉積一種或多種形狀(例如，在區(qū)塊1502、1602、和1702)。在各種實(shí)現(xiàn)過程中，例如，該形狀可以包括環(huán)氧樹脂材料或紫外(UV)曝光丙烯酸鹽材料。
[0086]在替換的實(shí)現(xiàn)過程中，在該工藝700、1500、1600、和1700可以以各種組合包括其他技術(shù)，并且保持在本公開的范圍內(nèi)。
[0087]結(jié)論
盡管已經(jīng)以特定于結(jié)構(gòu)特征和/或方法論動(dòng)作的語(yǔ)言描述了本公開的實(shí)現(xiàn)過程，但是應(yīng)當(dāng)理解，該實(shí)現(xiàn)過程不必被限制于所述的具體特征或動(dòng)作。相反，具體特征和動(dòng)作被公開作為實(shí)現(xiàn)示例器件和技術(shù)的代表性的形狀。
【權(quán)利要求】
1.一種多層層壓的印刷電路板(PCB)，其包括: 第一和第二傳導(dǎo)層， 第一和第二電介質(zhì)層，其被部署在所述第一和第二傳導(dǎo)層之間，所述第一和第二電介質(zhì)層的至少一個(gè)具有一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙； 間隔物層，其被部署在所述第一和第二電介質(zhì)層之間，所述間隔物層具有一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙；以及 一個(gè)或多個(gè)電組件，其被部署在所述間隔物層的所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙內(nèi)，并且經(jīng)由所述第一和第二電介質(zhì)層的至少一個(gè)的所述一個(gè)或多個(gè)預(yù)先形成的孔隙來(lái)電耦合到所述第一和第二傳導(dǎo)層的至少一個(gè)的一部分。
2.如權(quán)利要求1所述的多層層壓的PCB，其中， 所述多層PCB的層被對(duì)稱布置在所述間隔物層和所述一個(gè)或多個(gè)電組件的任一側(cè)上。
3.如權(quán)利要求1所述的多層層壓的PCB，其中， 通過使用連續(xù)建立技術(shù)來(lái)形成所述多層PCB，所述技術(shù)包括添加層的序列，而一個(gè)或多個(gè)所述層具有預(yù)先形成的孔隙，以形成用于到嵌入的組件的電接觸的接入通道。
4.一種方法，其包括: 形成第一電介質(zhì)膜和第二電介質(zhì)膜，所述第一和第二電介質(zhì)膜的至少一個(gè)具有一個(gè)或多個(gè)孔隙； 用粘合劑涂敷 所述第一電介質(zhì)膜，所述粘合劑填充所述第一電介質(zhì)膜中的任何孔隙； 將所述第一電介質(zhì)膜釘?shù)降谝粋鲗?dǎo)薄片上； 形成具有一個(gè)或多個(gè)孔隙的間隔物； 將所述間隔物釘?shù)剿龅谝浑娊橘|(zhì)膜； 將一個(gè)或多個(gè)電組件粘接到所述間隔物中的所述一個(gè)或多個(gè)孔隙中； 用所述粘合劑涂敷所述第二電介質(zhì)膜，所述粘合劑填充所述第二電介質(zhì)膜中的任何孔隙； 將所述第二電介質(zhì)膜釘?shù)剿鲭娊橘|(zhì)間隔物； 將第二傳導(dǎo)薄片釘?shù)剿龅诙娊橘|(zhì)膜上；以及 將所述第一傳導(dǎo)薄片、所述第一電介質(zhì)膜、所述間隔物、所述一個(gè)或多個(gè)電組件、所述第二電介質(zhì)膜、和所述第二傳導(dǎo)薄片層壓，以形成層壓結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括刻蝕所述層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面，以在所述一個(gè)或多個(gè)外表面上形成電路路徑，和/或打開到被粘接到所述間隔物中的所述一個(gè)或多個(gè)孔隙的所述一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸區(qū)域。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括從所述第一和/或第二電介質(zhì)膜中的孔隙去除所述粘合劑。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括將所述層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面電鍍，以形成從至少所述第一或第二傳導(dǎo)薄片的一個(gè)或多個(gè)部分到所述一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸路徑。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括通過使用電解電鍍和刻蝕的組合來(lái)增強(qiáng)所述接觸路徑，以創(chuàng)建所期望的厚度和所期望的路徑布置。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一電介質(zhì)膜和/或所述第二電介質(zhì)膜包括下列中的至少一種:聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、增強(qiáng)環(huán)氧樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺、和聚四氟乙烯(PTFE)0
10.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括用粘合劑將所述第一電介質(zhì)膜和第二電介質(zhì)膜的全部表面完全涂敷，所述粘合劑包括下列的一種:環(huán)氧樹脂、丙烯酸鹽、熱固樹脂、有機(jī)硅聚合物、或硅樹脂。
11.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括在所述粘合劑中并入光敏引發(fā)劑，所述引發(fā)劑被布置為阻隔所述粘合劑的熱誘導(dǎo)交聯(lián)，在這里所述粘合劑已經(jīng)被暴露于紫外(UV)光下。
12.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括在所述層壓結(jié)構(gòu)的組裝期間以及層壓之前，通過使用壓力或壓力和熱量來(lái)在若干區(qū)域中將一個(gè)或多個(gè)層暫時(shí)粘接在一起。
13.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括布置所述間隔物和所述一個(gè)或多個(gè)電組件，以形成基本上平面的表面。
14.如權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括當(dāng)層壓時(shí)通過使用壓力或壓力和真空的組合來(lái)增加所述粘合劑的流動(dòng)性，并且使所述粘合劑流入所述層壓結(jié)構(gòu)的空隙中。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，進(jìn)一步包括將一個(gè)或多個(gè)通孔鉆穿通過所述層壓結(jié)構(gòu)，并且將所述通孔電鍍，以電耦合所述層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)節(jié)點(diǎn)。
16.—種方法,其包括: 將第一組的一個(gè)或多個(gè)形狀沉積到第一傳導(dǎo)層的表面上； 圍繞所述第一 組的一個(gè)或多個(gè)形狀將第一層電介質(zhì)材料沉積到所述第一傳導(dǎo)層上； 將具有一個(gè)或多個(gè)孔隙的間隔物層沉積到所述電介質(zhì)材料和所述一個(gè)或多個(gè)形狀上；和 將所述一個(gè)或多個(gè)電組件放到所述間隔物層中的所述一個(gè)或多個(gè)孔隙中，基于所述第一組的一個(gè)或多個(gè)形狀，所述一個(gè)或多個(gè)電組件被布置以經(jīng)由在所述第一層電介質(zhì)材料中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到所述第一傳導(dǎo)層的一部分。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括: 將第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀沉積到所述一個(gè)或多個(gè)電組件上； 圍繞所述第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀，將第二層電介質(zhì)材料沉積到所述間隔物層和所述一個(gè)或多個(gè)電組件上； 將第二傳導(dǎo)層沉積到所述第二層電介質(zhì)材料和所述第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀上；和 將所述第一傳導(dǎo)層、所述第一層電介質(zhì)材料、所述間隔物層、所述一個(gè)或多個(gè)電組件、所述第二層電介質(zhì)材料、和所述第二傳導(dǎo)層層壓，以形成層壓結(jié)構(gòu)，基于所述第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀，所述一個(gè)或多個(gè)電組件被布置以經(jīng)由在所述第二層電介質(zhì)材料中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到所述第二傳導(dǎo)層的一部分。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括: 將第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀沉積到第二傳導(dǎo)層的表面上； 圍繞所述第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀將第二層電介質(zhì)材料沉積到所述第二傳導(dǎo)層上； 將所述第二傳導(dǎo)層和所述第二層電介質(zhì)材料放在所述間隔物層和所述一個(gè)或多個(gè)電組件上；和 將所述第一傳導(dǎo)層、所述第一層電介質(zhì)材料、所述間隔物層、所述一個(gè)或多個(gè)電組件、所述第二層電介質(zhì)材料、和所述第二傳導(dǎo)層層壓，以形成層壓結(jié)構(gòu)，基于所述第二組的一個(gè)或多個(gè)形狀，所述一個(gè)或多個(gè)電組件被布置以經(jīng)由在所述第二層電介質(zhì)材料中形成的一個(gè)或多個(gè)孔隙來(lái)電耦合到所述第二傳導(dǎo)層的一部分。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括將所述第一層電介質(zhì)材料和/或第二層電介質(zhì)材料沉積為液體或半固體，并且使所述第一層電介質(zhì)材料和/或所述第二層電介質(zhì)材料固化到基本上固態(tài)。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括通過使用涂墨工藝或絲網(wǎng)印刷工藝的至少一種來(lái)沉積所述第一層電介質(zhì)材料和/或所述第二層電介質(zhì)材料。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步地包括: 刻蝕所述層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面，以在所述一個(gè)或多個(gè)外表面上形成電路路徑，和/或打開到被放入所述間隔物層中的所述一個(gè)或多個(gè)孔隙的所述一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸區(qū)域； 從在所述第一和/或第二電介質(zhì)膜中的孔隙去除所述粘合劑；和 將所述層壓結(jié)構(gòu)的一個(gè)或多個(gè)外表面電鍍，以形成從至少所述第一或第二傳導(dǎo)層的一個(gè)或多個(gè)部分到所述一個(gè)或多個(gè)電組件的接觸路徑。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括通過使用絲網(wǎng)工藝、涂墨工藝、噴射工藝、散布工藝、或光成像工藝的至少一種來(lái)沉積所述一個(gè)或多個(gè)形狀。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述一個(gè)或多個(gè)形狀包括環(huán)氧樹脂材料或紫外(UV)曝光丙烯酸鹽材料。
24.如權(quán)利要求17所述·的方法，進(jìn)一步包括去除所述第一組的形狀和所述第二組的形狀，以創(chuàng)建用于所述一個(gè)或多個(gè)電組件的接入通道。
【文檔編號(hào)】H05K3/46GK103857173SQ201310489768
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月18日
【發(fā)明者】M.斯坦丁 申請(qǐng)人:英飛凌科技奧地利有限公司