基板制造方法及基板制造裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板制造方法及基板制造裝置。本發(fā)明的基板制造方法，反復(fù)進(jìn)行使薄膜材料的液滴著落于底層基板表面中與著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的工序，及使著落于底層基板的薄膜材料固化的工序，由此形成由薄膜材料構(gòu)成的薄膜圖案。以由二維分布的多個(gè)像素構(gòu)成的圖像數(shù)據(jù)定義薄膜圖案的平面形狀。著落對(duì)象像素是從底層基板表面中，應(yīng)用薄膜材料涂布的滿布區(qū)域內(nèi)的多個(gè)像素中提取的一部分像素。著落于與著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的薄膜材料向面內(nèi)方向擴(kuò)散至與沒有提取為著落對(duì)象像素的像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域之后，使薄膜材料固化，由此形成覆蓋滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域的薄膜圖案。
【專利說明】基板制造方法及基板制造裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明涉及一種從噴嘴孔吐出薄膜材料的液滴來形成薄膜圖案的基板制造方法及基板制造裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)在印刷基板上形成阻焊劑的圖案的現(xiàn)有的方法進(jìn)行說明。首先，將感光性阻焊劑涂布于表面形成有電路圖案的印刷基板的整個(gè)面。利用預(yù)定的掩模圖案曝光阻焊劑膜，之后，再通過顯影來形成阻焊劑的圖案。從多個(gè)噴嘴孔吐出阻焊劑的液滴，使液滴僅附著于印刷基板的所希望的區(qū)域，并使其固化，由此形成阻焊劑的圖案的技術(shù)備受關(guān)注。
[0003]下述專利文獻(xiàn)2中公開有如下液體吐出裝置，即從展開成矩陣狀的圖像數(shù)據(jù)，生成展開成交錯(cuò)狀的點(diǎn)形成數(shù)據(jù)，根據(jù)生成的點(diǎn)形成數(shù)據(jù)，有效地進(jìn)行點(diǎn)形成。
[0004]專利文獻(xiàn)1:日本專利第3544543號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)2:日本特開2009-166366號(hào)公報(bào)
[0006]在印刷基板上形成由阻焊劑構(gòu)成的薄膜時(shí)，首先，定義成為薄膜形成對(duì)象的印刷基板的尺寸(縱橫長度)。其次，將預(yù)定尺寸的正方形像素(Pixel)配置成行列狀，并定義與印刷基板的尺寸相等尺寸的矩陣。行方向(橫方向)及列方向(縱方向)排列的像素的個(gè)數(shù)，由基板尺寸和像素尺寸決定。
[0007]應(yīng)形成的薄膜圖案的圖像數(shù)據(jù)，通常以格伯格式提供。形成薄膜圖案之前，格伯格式的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為光柵格式的圖像數(shù)據(jù)。
[0008]圖1lA及圖1lB中，示出光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的一部分。圖1lA及圖1lB中，示出有橢圓形及正方形圖案附近的圖像數(shù)據(jù)。圖示的范圍為列方向上a Pm、行方向上P 的范圍。圖1lA及圖1lB中示出的是分別將像素的間距設(shè)為SOym及40i!m的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的一部分。圖1lA及圖1lB中，在需要涂布(應(yīng)附著)阻焊劑的區(qū)域的像素上附加對(duì)角線。
[0009]圖1lA所示的圖像數(shù)據(jù)中，橢圓形圖案與正方形圖案沒有被分離，而在圖1lB所示的圖像數(shù)據(jù)中，兩個(gè)圖案被分離。這起因于薄膜圖案的解析度(分辨率)的差異。解析度依賴于像素的間距，像素的間距越小解析度越變高。圖1lA所示的例子中，例如以300dpi的解析度形成薄膜圖案，圖1lB所示的例子中，例如以600dpi的解析度形成薄膜圖案。
[0010]實(shí)際上在形成有電路圖案的印刷基板上，以預(yù)定解析度涂布阻焊劑。當(dāng)根據(jù)涂布結(jié)果，判斷為解析度不足時(shí)，改變像素的間距來重新制作光柵格式的圖像數(shù)據(jù)。
[0011]伴隨印刷基板的配線圖案的微細(xì)化，對(duì)阻焊劑的圖案也要求微細(xì)化。例如，能夠利用4個(gè)具有以相當(dāng)于300dpi的間距排列的多個(gè)噴嘴孔的噴嘴頭來獲得1200dpi的解析度。此時(shí)，通過4個(gè)噴嘴頭向噴嘴孔的排列方向偏離微小距離(相當(dāng)于約20 y m)，可實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于1200dpi的間距。
[0012]另外，通過在去路和回路上，將由4個(gè)噴嘴頭構(gòu)成的噴嘴單元偏離微小距離，例如相當(dāng)于2400dpi的間距量來進(jìn)行往返掃描，由此能夠以2400dpi的解析度形成薄膜圖案。此時(shí)，與以1200dpi的解析度形成薄膜圖案時(shí)相比，著落于每單位面積的液滴數(shù)變成4倍。因此，薄膜圖案的厚度也變成4倍。即使在無需2400dpi的高解析度時(shí)，膜厚也變成4倍。
[0013]當(dāng)以高于要求值的解析度形成薄膜圖案時(shí)，薄膜材料的使用量變多。而且，由于將液滴的吐出頻率提高至必要以上，因此噴嘴單元的壽命變短。
[0014]
【發(fā)明內(nèi)容】
根據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，提供一種基板制造方法，
[0015]該基板制造方法通過反復(fù)進(jìn)行使光固化性薄膜材料的液滴著落于底層基板的表面中的與著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的工序；及
[0016]通過光照射使著落于所述底層基板的所述薄膜材料固化的工序，
[0017]由此形成由所述薄膜材料構(gòu)成的薄膜圖案，其中，
[0018]以由二維分布的多個(gè)像素構(gòu)成的圖像數(shù)據(jù)，定義所述薄膜圖案的平面形狀，所述著落對(duì)象像素為從所述底層基板表面中的應(yīng)用所述薄膜材料涂布的滿布區(qū)域內(nèi)的所述多個(gè)像素中提取的一部分像素，
[0019]著落于與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的所述薄膜材料向面內(nèi)方向擴(kuò)散至與沒有作為所述著落對(duì)象像素提取的像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域之后，使所述薄膜材料固化，由此形成覆蓋所述滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，且具有厚度的所述薄膜圖案。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，提供一種基板制造裝置，該基板制造裝置具有:
[0021]載物臺(tái)，保持底層基板；
[0022]噴嘴單元，與保持于所述載物臺(tái)的底層基板對(duì)置，且設(shè)置有朝向所述底層基板吐出光固化性的薄膜材料的液滴的多個(gè)噴嘴孔；
[0023]移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述載物臺(tái)及所述噴嘴單元的其中一方相對(duì)于另一方，向與所述底層基板的表面平行的方向移動(dòng)；
[0024]光源，對(duì)保持于所述載物臺(tái)的底層基板的表面，照射使所述薄膜材料固化的光；及
[0025]控制裝置，控制所述噴嘴單元及所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，
[0026]所述控制裝置中，
[0027]將應(yīng)形成于所述底層基板的薄膜圖案的平面形狀，記憶為由二維分布的多個(gè)像素構(gòu)成的圖像數(shù)據(jù)，
[0028]從以形成所述薄膜圖案的薄膜材料涂布的滿布區(qū)域內(nèi)的所述多個(gè)像素，提取應(yīng)使薄膜材料的液滴著落的一部分像素即著落對(duì)象像素，
[0029]以薄膜材料的液滴著落于所述底層基板的表面中的與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的著落位置，且已著落的液滴通過從所述光源照射的光固化的方式控制所述噴嘴單元及所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，
[0030]所述著落對(duì)象像素，以著落于所述著落位置的薄膜材料，向面內(nèi)方向擴(kuò)散至與沒有作為著落對(duì)象像素提取的像素對(duì)應(yīng)的位置從而覆蓋所述滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域的方式提取所述著落對(duì)象像素。
[0031]向面內(nèi)方向擴(kuò)散著落于著落對(duì)象像素的薄膜材料來覆蓋滿布區(qū)域，由此能夠減少整體薄膜材料的使用量。與使液滴著落于所有像素時(shí)相比，液滴的吐出頻率降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1是基于實(shí)施例1的基板制造裝置的示意圖。[0033]圖2A是噴嘴單元的立體圖，圖2B是噴嘴單元的仰視圖。
[0034]圖3是表示噴嘴孔與噴嘴孔圖像的位置關(guān)系的圖。
[0035]圖4A是噴嘴單元及印刷基板的主視圖，圖4B是紫外光源的主視圖。
[0036]圖5是表不應(yīng)形成的薄膜圖案的一例的俯視圖。
[0037]圖6是表示圓形圖案附近的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的像素的二維分布的圖。
[0038]圖7A?圖7C是表示已提取使薄膜材料的液滴著落的像素的圖像數(shù)據(jù)的一部分像素的二維分布的圖。
[0039]圖8A及圖SB是表示已提取使薄膜材料的液滴著落的像素的圖像數(shù)據(jù)的一部分像素的二維分布的其他例子的圖。
[0040]圖9A?圖9E是表示圖像數(shù)據(jù)的一部分像素的二維分布的圖，并表示利用面積規(guī)定解析度的例子。
[0041]圖10是表示像素間距為10 m及5 m時(shí)的圖8A所示的著落像素分布的圖。
[0042]圖1lA及圖1lB是表示光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的一部分像素的分布的圖。
[0043]圖12A及圖12B是分別表示在基于實(shí)施例2的基板制造方法的第I次掃描工序及第2次掃描工序中，液滴所著落的像素的分布的圖。
[0044]圖13A是表不在基于實(shí)施例2的描繪方法的第2次掃描工序結(jié)束的時(shí)刻液滴所著落的像素的分布的圖，圖13B是表示像素間距的圖。
[0045]圖14A及圖14B是分別表示用比較例及實(shí)施例3的基板制造方法提取的著落對(duì)象像素的分布的圖。
[0046]圖15是基于實(shí)施例4的基板制造裝置的噴嘴單元的仰視圖。
[0047]圖16A是表示通過基于實(shí)施例5的基板制造方法，從噴嘴孔吐出的液滴的著落點(diǎn)的Y座標(biāo)與吐出時(shí)刻的關(guān)系的圖，圖16B是表示基板上的著落點(diǎn)的位置的圖。
[0048]圖17A?圖17D是表示被吐出的液滴形狀的時(shí)間變化的圖。
[0049]圖18A是通過著落于基板上的液滴描繪的直線的俯視圖，圖18B是沿圖18A的單點(diǎn)劃線18B-18B的剖視圖。
[0050]圖19A是基于比較例的噴嘴單元的仰視圖，圖19B是利用基于比較例的噴嘴單元描繪的直線的剖視圖。
[0051]圖20是基于實(shí)施例6的基板制造裝置的噴嘴單元的仰視圖。
[0052]圖21是基于實(shí)施例7的基板制造裝置的噴嘴單元的仰視圖。
[0053]圖22A是表示用實(shí)施例8的薄膜形成方法應(yīng)形成于基板上的薄膜圖案的一部分的俯視圖，圖22B是表示光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的一例的圖。
[0054]圖23A?圖23D是表示提取使液滴著落的像素的像素?cái)?shù)據(jù)的一部分的圖。
[0055]圖24A?圖24E是對(duì)根據(jù)基板上的位置使阻焊劑的厚度不同而由此帶來的效果進(jìn)行說明的示意剖視圖。
[0056]圖25A及圖25B是分別表示通過實(shí)施例9的基板制造方法的第I次掃描及第2次掃描，液滴著落的像素的分布的圖。
[0057]圖26是表示液滴在基于實(shí)施例9的基板制造方法的第2次掃描結(jié)束的時(shí)刻著落的像素的分布的圖。
[0058]圖27A及圖27B是表示已涂布薄膜材料的基板的一部分的示意剖視圖。[0059]圖28A是表示用圖像數(shù)據(jù)定義的薄膜圖案的平面形狀與用于提取著落對(duì)象像素的滿布區(qū)域及邊界區(qū)域的關(guān)系的圖，圖28B是沿圖28A的單點(diǎn)劃線28B-28B的剖視圖。
[0060]圖29A是基于實(shí)施例10的基板制造方法的第I次掃描時(shí)的噴嘴單元、液滴著落的像素列的俯視圖及液滴的剖視圖，圖29B是第2次掃描時(shí)的噴嘴單元、液滴著落的像素列的俯視圖及液滴的剖視圖。
[0061]圖30是比較例的方法的第I次及第2次掃描時(shí)的噴嘴單元、液滴著落的像素列的俯視圖及液滴的剖視圖。
[0062]圖31是表示用實(shí)施例11的基板制造方法形成薄膜圖案時(shí)的噴嘴單元、像素及基板的位置關(guān)系的圖。
[0063]圖32是表示用實(shí)施例11的變形例的基板制造方法形成薄膜圖案時(shí)的噴嘴單元、像素及基板的位置關(guān)系的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0064][實(shí)施例1]
[0065]圖1中示出基于實(shí)施例1的基板制造裝置的示意圖。在平臺(tái)20上通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)21支承有載物臺(tái)25。移動(dòng)機(jī)構(gòu)21包括X移動(dòng)機(jī)構(gòu)22、Y移動(dòng)機(jī)構(gòu)23及0旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24。定義將水平面設(shè)為XY面，并將鉛垂方向設(shè)為Z軸的XYZ直角坐標(biāo)系。X移動(dòng)機(jī)構(gòu)22使Y移動(dòng)機(jī)構(gòu)23向X方向移動(dòng)。Y移動(dòng)機(jī)構(gòu)23使0旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24向Y方向移動(dòng)。0旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24以與Z軸平行的軸作為旋轉(zhuǎn)中心，改變載物臺(tái)25的旋轉(zhuǎn)方向的姿勢(shì)。載物臺(tái)25保持作為薄膜形成對(duì)象的底層基板50。載物臺(tái)25例如使用真空卡盤。底層基板50例如為印刷基板。以下將形成阻焊劑等的薄膜圖案之前的底層基板50稱為“基板”。
[0066]平臺(tái)20的上方通過支柱30支承有橫樑31。橫樑31上安裝有噴嘴單元40及拍攝裝置32。拍攝裝置32及噴嘴單元40與保持于載物臺(tái)25的基板50對(duì)置。拍攝裝置32拍攝形成于基板50的表面的配線圖案、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志等。拍攝結(jié)果輸入于控制裝置33。噴嘴單元40從多個(gè)噴嘴孔朝向基板50吐出光固化型(例如紫外線固化型)樹脂的液滴。該樹脂例如使用阻焊劑等絕緣性材料。從噴嘴孔吐出的液滴附著于基板50的表面。
[0067]控制裝置33控制X移動(dòng)機(jī)構(gòu)22、Y移動(dòng)機(jī)構(gòu)23、0旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)24、載物臺(tái)25及噴嘴單元40。例如從包括鍵盤或讀卡器的輸入裝置35輸入所希望的解析度。所輸入的數(shù)據(jù)發(fā)送到控制裝置33，并根據(jù)輸入內(nèi)容進(jìn)行處理。存儲(chǔ)裝置34儲(chǔ)存通過輸入裝置35輸入的格伯格式的圖像數(shù)據(jù)，或從格伯格式的圖像數(shù)據(jù)生成的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)。
[0068]圖1中，相對(duì)于平臺(tái)20固定噴嘴單元40，并且將移動(dòng)機(jī)構(gòu)21配置成使載物臺(tái)25移動(dòng)，但是也可相對(duì)載物臺(tái)25移動(dòng)噴嘴單元40。
[0069]圖2A中示出噴嘴單元40的立體圖。在支承部件(噴嘴夾具)41的底面，以向X方向排列的方式安裝有4個(gè)噴嘴頭42A?噴嘴頭42D。噴嘴頭42A?噴嘴頭42D朝向X軸的負(fù)方向以該順序排列。噴嘴頭42A?噴嘴頭42D的各個(gè)噴嘴頭上形成有多個(gè)噴嘴孔45。
[0070]在噴嘴頭42A與噴嘴頭42B之間、噴嘴頭42B與噴嘴頭42C之間、噴嘴頭42C與噴嘴頭42D之間配置有光源43。另外，在比噴嘴頭42A更靠X軸正側(cè)的區(qū)域及比噴嘴頭42D更靠X軸負(fù)側(cè)的區(qū)域配置有光源43。光源43向基板50 (圖1)照射包括使液狀薄膜材料固化的波長區(qū)域的成分的光，例如紫外線。[0071]圖2B中示出噴嘴頭42A~噴嘴頭42D及光源43的仰視圖。噴嘴頭42A的底面(與基板50對(duì)置的表面)形成有2列噴嘴列46a、噴嘴列46b。噴嘴列46a及噴嘴列46b的各個(gè)噴嘴列由在Y方向以間距(周期)8P排列的多個(gè)噴嘴孔45構(gòu)成。噴嘴列46b相對(duì)噴嘴列46a向X軸的負(fù)方向偏離，而且，向Y軸的負(fù)方向僅偏離間距4P。即，噴嘴頭42A的噴嘴孔45作為整體在Y方向上以間距4P等間隔分布。實(shí)施例1中，間距4P例如為相當(dāng)于300dpi的解析度的間距P3qq (約80 Pm)。
[0072]噴嘴頭42B~噴嘴頭42D的結(jié)構(gòu)與噴嘴頭42A的結(jié)構(gòu)相同。噴嘴頭42B、噴嘴頭42C、噴嘴頭42D，分別以相對(duì)噴嘴頭42A向Y軸的負(fù)方向僅偏離2P、P、3P的方式機(jī)械定位而安裝于支承部件41 (圖2A)。在噴嘴頭42A~噴嘴頭42D之間，及比最外側(cè)的噴嘴頭42A、噴嘴頭42D更靠外側(cè)配置有光源43。
[0073]如圖3所示，將噴嘴頭42A~噴嘴頭42D的噴嘴孔45垂直投影于與X軸垂直的虛擬平面56的影像55A~影像55D，在Y方向上以相當(dāng)于1200dpi的解析度的間距P12qq=P3qci/^等間隔排列。因此，能夠利用4個(gè)噴嘴頭42A~噴嘴頭42D以1200dpi的解析度形成薄膜圖案。對(duì)噴嘴頭42A~噴嘴頭42D附加序列號(hào)，并對(duì)噴嘴孔45的影像55A~影像55D附加對(duì)應(yīng)的噴嘴頭42A~噴嘴頭42D的序列號(hào)。此時(shí)，噴嘴孔45的影像55A~影像5?在Y方向上并不依序列號(hào) 順序排列。具體而言，對(duì)噴嘴頭42A~噴嘴頭42D分別附加序列號(hào)I~序列號(hào)4時(shí)，噴嘴孔45的影像55A、影像55B、影像55C、影像5?上分別附加序列號(hào)1、序列號(hào)2、序列號(hào)3、序列號(hào)4。噴嘴孔45的影像朝向Y軸的負(fù)方向以序列號(hào)1、序列號(hào)3、序列號(hào)
2、序列號(hào)4的順序排列。
[0074]另外，各噴嘴孔45包含壓電元件。通過從控制裝置33(圖1)向壓電元件施加電壓來從噴嘴孔45吐出液滴。液滴的吐出間隔依賴于施加的電壓的頻率，通過施加高頻電壓，能夠縮短吐出間隔。因此，例如通過提高施加的電壓頻率，能夠調(diào)整所形成的薄膜圖案的X方向的解析度。
[0075]圖4A中示出以與Y軸平行的視線觀察噴嘴單元40及基板50時(shí)的示意圖。在支承部件41的底面安裝有噴嘴頭42A~噴嘴頭42D及光源43?；?0與噴嘴頭42A~噴嘴頭42D對(duì)置。
[0076]安裝于噴嘴頭42A與噴嘴頭42B之間的光源43向基板50的表面中的與噴嘴頭42A對(duì)置的區(qū)域48A和與噴嘴頭42B對(duì)置的區(qū)域48B之間的區(qū)域照射光。同樣，對(duì)與噴嘴頭42B對(duì)置的區(qū)域48B，與噴嘴頭42C對(duì)置的區(qū)域48C，及與噴嘴頭42D對(duì)置的區(qū)域48D之間的區(qū)域也通過安裝于所對(duì)應(yīng)的噴嘴頭之間的光源43照射光。
[0077]安裝于比噴嘴頭42A更靠外側(cè)(X軸的正側(cè))的光源43向比區(qū)域48A更靠X軸的正側(cè)的區(qū)域照射光。安裝于比噴嘴頭42D更靠外側(cè)(X軸的負(fù)側(cè))的光源43向比區(qū)域48D更靠X軸的負(fù)側(cè)的區(qū)域照射光。
[0078]對(duì)使基板50向X軸的負(fù)方向移動(dòng)的同時(shí)從噴嘴頭42A~噴嘴頭42D吐出液滴來形成薄膜圖案的情況進(jìn)行說明。從噴嘴頭42A~噴嘴頭42D吐出而附著于基板50的液滴通過從比著落的時(shí)刻的液滴位置更靠前方(X軸的負(fù)方向)的光源照射的光而固化。
[0079]由于在各噴嘴頭42A~噴嘴頭42D的各個(gè)噴嘴頭的前方配置有光源43，因此能夠在液滴附著于基板50之后短時(shí)間內(nèi)使液滴固化。另外，在各噴嘴頭42A~噴嘴頭42D的X軸的正側(cè)也配置有光源43，因此當(dāng)使基板50向X軸的正方向移動(dòng)的同時(shí)形成薄膜圖案時(shí)，也能夠縮短從液滴的附著至固化為止的時(shí)間。
[0080]圖4B中示出光源43的示意圖。各個(gè)光源43包含與Y軸平行的方向排列的多個(gè)發(fā)光二極管43A，及在Y方向上較長的柱面透鏡43B。從發(fā)光二極管43A放射的紫外線通過柱面透鏡43B在ZX面內(nèi)聚焦并入射到基板50 (圖4A)。在ZX面內(nèi)，若向基板50的入射角變大，則有時(shí)由基板50反射的紫外線入射到附近的噴嘴頭42A?噴嘴頭42D的噴嘴孔45(圖4A)。若紫外線入射到噴嘴孔45，則薄膜材料在噴嘴孔45內(nèi)固化，噴嘴孔45堵塞的危險(xiǎn)性變高。
[0081]柱面透鏡43B將向基板50的入射角縮小，以便反射光不會(huì)入射到附近的噴嘴孔45。例如優(yōu)選在ZX面內(nèi)使紫外線大致垂直入射。
[0082]圖5中不出應(yīng)形成于基板50的表面的薄膜圖案的一例。在基板50的表面劃分出使阻焊劑等薄膜材料附著的區(qū)域(圖5中附加陰影線的區(qū)域)和不使其附著的區(qū)域(開口部)(圖5中空白區(qū)域)。不使薄膜材料附著的區(qū)域例如具有四邊形、圓形及具有一定寬度的直線等平面形狀。在這些開口部的外側(cè)區(qū)域58涂布薄膜材料。通常，應(yīng)形成的薄膜圖案的圖像數(shù)據(jù)是由格伯格式提供。
[0083]控制裝置33 (圖1)將格伯格式的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為光柵格式的圖像數(shù)據(jù)，并儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34。光柵格式的圖像數(shù)據(jù)中定義有應(yīng)通過行列狀配置的多個(gè)像素形成的薄膜圖案的平面形狀。
[0084]圖6中示出與圓形開口部的附近區(qū)域?qū)?yīng)的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的例子。圖像數(shù)據(jù)由向行方向及列方向排列的多個(gè)像素60構(gòu)成。應(yīng)涂布薄膜材料的區(qū)域的像素涂黑顯示。該圖像數(shù)據(jù)的行方向及列方向的解析度例如為2400dpi。像素60的行方向及列方向的間距(在行方向及列方向上相互鄰接的像素60的中心之間距離)為P3QQ/8 (約10 u m)。
[0085]像素60的行方向及列方向的間距被預(yù)先定義，并儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34。該間距按形成薄膜圖案的每種基板種類定義。根據(jù)已定義的間距制作光柵格式的圖像數(shù)據(jù)。像素60的行方向及列方向的間距的最小值例如通過基于Y移動(dòng)機(jī)構(gòu)23的基板50的定位精確度來限制。另外，間距的上限值通過所形成的薄膜圖案所要求的解析度來限制。優(yōu)選將像素60的間距在行方向及列方向上較小，較高地設(shè)定所形成的薄膜圖案的能夠?qū)崿F(xiàn)的解析度。
[0086]控制裝置33 (圖1)按照從輸入裝置35 (圖1)輸入的所希望的解析度(目標(biāo)解析度)，從應(yīng)涂布薄膜材料的區(qū)域的像素提取使液滴著落的著落對(duì)象像素。另外，以薄膜材料的液滴著落于與所提取的著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的基板50上的位置的方式，控制噴嘴單元40及移動(dòng)機(jī)構(gòu)21 (圖1)的動(dòng)作，并朝向基板50吐出液滴。在本說明書中，有時(shí)將與圖像數(shù)據(jù)的像素對(duì)應(yīng)的基板上的位置僅稱為“像素”。
[0087]圖7A?圖7C中示出提取的著落對(duì)象像素的分布的一例。圖7A?圖7C所示的范圍例如為在圖6中涂黑像素60的范圍(即，全面涂布薄膜材料的滿布(beta)區(qū)域)的一部分。圖7A?圖7C中，對(duì)著落對(duì)象像素附加有圓圈。著落對(duì)象像素例如向行方向及列方向有規(guī)則地(周期性地)配置。
[0088]圖7A中示出在行方向、列方向的兩個(gè)方向上將著落對(duì)象像素的間距設(shè)為20 ii m的例子。圖7A所示的例子中，無論行方向還是列方向上，在相互鄰接的著落對(duì)象像素之間配置I個(gè)像素。如圖7A所示，當(dāng)提取著落對(duì)象像素時(shí)，薄膜圖案的解析度在行方向及列方向上成為1200dpi。[0089]圖7B中示出在行方向、列方向的兩個(gè)方向上，將著落對(duì)象像素的間距設(shè)為40iim的例子。圖7B所示的例子中，無論行方向還是列方向上，在相互鄰接的著落對(duì)象像素之間配置3個(gè)像素。如圖7B所示，當(dāng)提取著落對(duì)象像素時(shí)，薄膜圖案的解析度在行方向及列方向上成為600dpi。
[0090]如圖7C所示，能夠?qū)M布區(qū)域內(nèi)的所有像素提取為著落對(duì)象像素。此時(shí)，薄膜圖案的解析度在行方向及列方向上成為2400dpi。
[0091]例如，當(dāng)所輸入的解析度(作為一例，為用戶所要求的解析度)為1200dpi時(shí)，如圖7A所示，控制裝置33(圖1)提取著落對(duì)象像素。以使薄膜材料的液滴著落于提取的著落對(duì)象像素的方式從噴嘴單元40吐出液滴來形成薄膜圖案。當(dāng)所輸入的解析度為600dpi時(shí)，如圖7B所示，提取著落對(duì)象像素，當(dāng)所輸入的解析度為2400dpi時(shí)，如圖7C所示，提取著落
對(duì)象像素。
[0092]圖7A~圖7C所示的例子中，針對(duì)行方向及列方向規(guī)定薄膜圖案的解析度，但是也可以以傾斜45°方向的解析度或與解析度變得最高的方向相關(guān)的解析度來規(guī)定薄膜圖案的解析度。
[0093]圖8A中示出著落對(duì)象像素提取為格子花紋狀的例子。在行方向及列方向上觀察時(shí)，薄膜圖案的解析度成為1200dpi，但是在傾斜45°方向上觀察時(shí)解析度成為約1700dpi。
[0094]圖SB所示的例子中，若著眼于行方向，則相互鄰接的著落對(duì)象像素之間配置有3個(gè)像素。并且，每隔I行配置包括著落對(duì)象像素的行。即，包括著落對(duì)象像素的行中，相鄰的行之間配置I行像素。另外，包括著落對(duì)象像素的行中，若著眼于相互鄰接的行，則著落對(duì)象像素向行方向僅偏離相當(dāng)于像素間距的2倍距離(20i!m)的距離。圖SB所示的例子中，行方向及列方向的解析度成為60`0dpi，但是在傾斜45°方向上觀察時(shí)解析度為約850dpi。
[0095]例如能夠利用面積來規(guī)定薄膜圖案的解析度，而不是在預(yù)定方向上規(guī)定薄膜圖案的解析度。
[0096]圖9A~圖9E中示出，利用面積來規(guī)定解析度的例子。例如以用直線連結(jié)3個(gè)著落對(duì)象像素的中心而形成的最小的三角形的面積來規(guī)定解析度。解析度與三角形面積的1/2乘方成反比例。
[0097]圖9A所示的著落對(duì)象像素的分布與圖7C所示的分布相同。圖9A中的三角形的面積與2400dpi的解析度對(duì)應(yīng)。圖9B所示的著落對(duì)象像素的分布與圖7A所示的分布相同，三角形的面積與1200dpi的解析度對(duì)應(yīng)。圖9C所示的著落對(duì)象像素的分布與圖8A所示的分布相同，三角形的面積與1700dpi的解析度對(duì)應(yīng)。圖9D、圖9E所示的著落對(duì)象像素的分布分別與1200dpi的解析度、800dpi的解析度對(duì)應(yīng)。
[0098]如此，用線段連結(jié)著落對(duì)象像素的中心位置來形成多邊形，且與其面積對(duì)應(yīng)地定義解析度，由此能夠不依賴于方向而規(guī)定解析度。例如，所輸入的解析度為1200dpi時(shí)，控制裝置33 (圖1)可以成為圖9B的分布的方式提取著落對(duì)象像素，也可以成為圖9E的分布的方式提取著落對(duì)象像素。另外，可與用線段連結(jié)著落對(duì)象像素的中心位置來形成的多邊形的面積對(duì)應(yīng)地定義解析度，也可與用線段連結(jié)著落對(duì)象像素的中心位置來形成的多邊形的邊長的平均對(duì)應(yīng)地定義解析度。
[0099]另外，例如使薄膜材料的液滴著落于圖7A~圖9E所示的著落對(duì)象像素時(shí)，薄膜材料超出著落的像素的范圍，向面內(nèi)方向擴(kuò)散至與未作為著落對(duì)象像素提取的像素對(duì)應(yīng)的位置。由此，薄膜材料覆蓋滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域。
[0100]控制裝置33 (圖1)以按照所輸入的目標(biāo)解析度，形成圖7A?圖9E所示的分布的方式提取著落對(duì)象像素并使薄膜材料的液滴著落于提取的著落對(duì)象像素。也可預(yù)先在存儲(chǔ)裝置34中儲(chǔ)存與解析度對(duì)應(yīng)的著落對(duì)象像素的分布(著落圖案)?？刂蒲b置33按照所輸入的目標(biāo)解析度從被儲(chǔ)存的著落圖案選擇與所輸入的解析度對(duì)應(yīng)的著落圖案。另外，控制裝置33根據(jù)所選擇的著落圖案提取著落對(duì)象像素，并控制噴嘴單元40 (圖1)及移動(dòng)機(jī)構(gòu)21(圖1)。
[0101]儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34的著落圖案可以是如圖7A?圖9E所示的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)，也可以是與它們對(duì)應(yīng)的數(shù)值數(shù)據(jù)。以下，對(duì)用數(shù)值數(shù)據(jù)定義著落圖案的方法進(jìn)行說明。
[0102]首先，根據(jù)格伯格式的圖像數(shù)據(jù)生成定義薄膜圖案的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)(選擇涂布薄膜材料的區(qū)域的像素)。從定義薄膜圖案的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)如下規(guī)定提取著落對(duì)象像素的基準(zhǔn)。在行方向上，在鄰接的著落對(duì)象像素之間配置A個(gè)非著落像素。在列方向上，在包括著落對(duì)象像素的行之間存在B行僅由非著落像素構(gòu)成的行。包含著落對(duì)象像素的行中，相互鄰接的行的著落對(duì)象像素相互向行方向僅偏離相當(dāng)于X個(gè)像素量的距離而配置。若根據(jù)該基準(zhǔn)，則A=1、B=1、X=0與1200dpi的解析度對(duì)應(yīng)。如此，與解析度對(duì)應(yīng)而儲(chǔ)存變量A、變量B、及變量X的值?？刂蒲b置33根據(jù)儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34的內(nèi)容以薄膜材料的液滴著落于著落對(duì)象像素的方式控制噴嘴單元40。
[0103]控制裝置33可選擇解析度最接近的著落圖案作為與所輸入的解析度對(duì)應(yīng)的著落圖案。例如，當(dāng)所輸入的解析度為1650dpi時(shí)，選擇相當(dāng)于1700dpi的圖9C所示的著落圖案，當(dāng)所輸入的解析度為780dpi時(shí),選擇相當(dāng)于800dpi的圖9E所示的著落圖案。
[0104]實(shí)施例1的基板制造裝置的存儲(chǔ)裝置34 (圖1)中至少儲(chǔ)存有預(yù)先規(guī)定的像素60的行方向及列方向的間距?？刂蒲b置33 (圖1)根據(jù)儲(chǔ)存內(nèi)容從已規(guī)定間距的像素60提取著落對(duì)象像素。以薄膜材料的液滴著落于提取的著落對(duì)象像素的方式控制液滴的吐出。
[0105]通過將像素的間距規(guī)定為較小值，能夠提高薄膜圖案的解析度的設(shè)定的自由度。由此，能夠形成與必要的解析度對(duì)應(yīng)的薄膜圖案。能夠防止圖像數(shù)據(jù)的重新制作或性能過剩引起的生產(chǎn)時(shí)間的增加。并且，不會(huì)使用不必要的薄膜材料等，能夠?qū)崿F(xiàn)成本降低。另外，能夠抑制基板制造裝置的劣化。
[0106]將像素60的間距規(guī)定為較小值，能夠提高解析度來形成高清晰度的薄膜圖案。另外，通過提高薄膜材料的液滴的著落位置的精確度，也能夠形成高清晰度的薄膜圖案。
[0107]圖10中，示出將如圖8A所示的著落圖案的像素間距為IOiim時(shí)的著落對(duì)象像素的分布與間距為5 ii m時(shí)的著落對(duì)象像素的分布。通過進(jìn)行著落于規(guī)定為較小間距(5 ii m)的像素的控制，使著落位置的誤差變小，并能夠提高液滴的著落位置的精確度。
[0108]實(shí)施例1中，向相互正交的行方向和列方向等間隔排列像素，但是通常，也可沿著第I方向及與第I方向交叉的第2方向分別以預(yù)定間距配置多個(gè)像素。第I方向與第2方向的交叉角不限定于直角。也可在被三角格子區(qū)分的正三角形的中心配置像素。
[0109]實(shí)施例1中示出用數(shù)值輸入解析度的例子，但是也可輸入例如“高解析度”、“中解析度”、“低解析度”等解析度程度。按照所輸入的解析度程度，例如“高解析度”時(shí)以2400dp1、“中解析度”時(shí)以1200dp1、“低解析度”時(shí)以600dpi提取著落對(duì)象像素。[0110]另外，無需如基于實(shí)施例1的基板制造裝置那樣事先準(zhǔn)備多個(gè)解析度，例如可以固定為1200dpi的解析度提取著落對(duì)象像素。此時(shí)，若操作員輸入格伯格式的圖像數(shù)據(jù)，則從格伯格式的圖像數(shù)據(jù)生成光柵格式的圖像數(shù)據(jù)。最終，從薄膜材料的涂布區(qū)域(滿布區(qū)域)內(nèi)的像素，根據(jù)圖7A所示的著落圖案，提取著落對(duì)象像素。以著落于提取的著落對(duì)象像素的方式吐出薄膜材料的液滴。
[0111]實(shí)施例1中，向行方向及列方向有規(guī)則地配置了使薄膜材料的液滴著落的像素，但是并非一定要有規(guī)則。
[0112]實(shí)施例1中示出按照目標(biāo)解析度提取著落對(duì)象像素的例子。若滿布區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度(著落對(duì)象像素的個(gè)數(shù)相對(duì)于滿布區(qū)域內(nèi)的所有像素?cái)?shù)的比例)不同，則所形成的薄膜圖案的膜厚不同。因此，可按照應(yīng)形成的薄膜圖案的厚度選定滿布區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度。
[0113]實(shí)施例1中，通過基板制造裝置在印刷基板上形成了阻焊劑的薄膜圖案，但是基于實(shí)施例1的基板制造裝置例如在觸控面板的制造中，還能夠利用于在玻璃基板上形成絕緣膜的用途。另外，還能夠利用于形成復(fù)合基板的絕緣膜的用途。
[0114][實(shí)施例2]
[0115]接著，對(duì)基于實(shí)施例2的基板制造裝置及基板制造方法進(jìn)行說明。以下，對(duì)與實(shí)施例I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，關(guān)于相同結(jié)構(gòu)省略說明。實(shí)施例2中，對(duì)形成包含圖6所示的圓形開口部的薄膜圖案的例子進(jìn)行說明。
[0116]圖12A中，將薄膜材料的液滴著落的像素(著落對(duì)象像素)60a涂黑表示。偶數(shù)列Ce與偶數(shù)行Re所交叉的位置的像素60a中，圓形開口部外側(cè)的像素成為液滴的著落對(duì)象。例如，列方向(圖12A中縱方向)與X方向?qū)?yīng)，行方向(圖12A中橫方向)與Y方向?qū)?yīng)。向X方向移動(dòng)基板50 (圖1)的同時(shí)控制噴嘴單元40 (圖1)來使液滴著落于圖12A所示的著落對(duì)象像素60a。將該工序稱為“第I次掃描工序”。
[0117]接著，選擇第I次掃描工序中未選擇的行及列，具體而言選擇奇數(shù)列和奇數(shù)行。從選擇的列及行所交叉的位置的像素提取使液滴著落的像素。
[0118]圖12B中將液滴著落的像素(著落對(duì)象像素)60b涂黑表示。奇數(shù)列Co與奇數(shù)行Ro所交叉的位置的像素60b中，圓形開口部外側(cè)的像素成為液滴的著落對(duì)象。
[0119]第I次掃描工序后，使基板50向Y方向僅移動(dòng)相當(dāng)于像素60的間距的距離，即等于P3QQ/8的距離。向Y方向移動(dòng)之后，使基板50向X方向移動(dòng)的同時(shí)，控制噴嘴單元40來使液滴著落于圖12B所示的著落對(duì)象像素60b。將該工序稱為“第2次掃描工序”。
[0120]圖13A中將在第I次及第2次掃描工序結(jié)束的時(shí)刻液滴所著落的像素涂黑表示。偶數(shù)列Ce與奇數(shù)行Ro所交叉的位置的像素60c及奇數(shù)列Co與偶數(shù)行Re所交叉的位置的像素60d在第I次及第2次掃描工序中均未被選擇為著落對(duì)象。因此，應(yīng)涂布薄膜材料的區(qū)域，即圓形開口部外側(cè)的區(qū)域中，著落有薄膜材料的液滴的像素分布為格子花紋狀。但是，著落于基板50之后，向面內(nèi)方向擴(kuò)散的液滴的大小大于像素的間距P3TO/8。因此，在圖13A中，以格子花紋表示的滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域被由阻焊劑構(gòu)成的薄膜材料包覆。即，形成由阻焊劑構(gòu)成的絕緣性的薄膜圖案。
[0121]如圖13B所示，在第I次及第2次掃描工序中能夠被選擇的像素向X方向及Y方向以相當(dāng)于2400dpi的間距P3TO/8的2倍，即間距P3(i(i/4排列。然而，在相對(duì)于X方向及Y方向呈45°的方向上，在第I次及第2次掃描工序中能夠被選擇的像素以(P3CICI/8)X21/2的間距排列。該間距相當(dāng)于約1700dpi的解析度。
[0122]第I次掃描工序及第2次掃描工序的各工序中，應(yīng)使液滴著落的像素向Y方向以相當(dāng)于1200dpi的解析度的間距P3(i(i/4排列。因此，圖3所示的噴嘴的影像55A?影像55D的間距P設(shè)為相當(dāng)于1200dpi的間距即可。如此，利用1200dpi用噴嘴單元40能夠以約1700dpi的解析度形成薄膜圖案。
[0123]另外，第I次掃描工序及第2次掃描工序的各工序中，應(yīng)使液滴著落的像素向X方向也以相當(dāng)于1200dpi的解析度的間距P3QQ/4排列。因此，每一個(gè)噴嘴孔45 (圖2A)吐出液滴的周期也可以是相當(dāng)于1200dpi的周期。該周期比相當(dāng)于實(shí)際形成的薄膜圖案的解析度1700dpi的周期長。若吐出周期變短，則液狀薄膜材料向噴嘴孔45的供給容易變得不穩(wěn)定。實(shí)施例2中，能夠?qū)⑼鲁鲆旱蔚闹芷谠O(shè)為相當(dāng)于1200dpi的周期，因此能夠穩(wěn)定地形成薄膜圖案。
[0124]另外，與以1200dpi的解析度形成薄膜圖案時(shí)相比，由薄膜材料構(gòu)成的絕緣膜的膜厚僅為2倍。與往返掃描1200dpi用噴嘴單元來以2400dpi描繪時(shí)相比，薄膜圖案的膜厚成為1/2。如此，能夠抑制薄膜圖案的膜厚的增大。
[0125][實(shí)施例3]
[0126]參考圖14A及圖14B，對(duì)基于實(shí)施例3的基板制造方法進(jìn)行說明。以下，對(duì)與實(shí)施例2的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同的結(jié)構(gòu)省略說明。
[0127]控制裝置33 (圖1)提取例如用格伯格式定義的圖像數(shù)據(jù)所含的直線狀邊緣。根據(jù)該邊緣的方向，來決定光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的列及行的方向。具體而言，將相對(duì)于直線狀邊緣最多的延伸方向，呈角度45°的方向設(shè)為列或行的方向。
[0128]根據(jù)已決定的列及行的方向，從格伯格式的圖像數(shù)據(jù)生成光柵格式的圖像數(shù)據(jù)。之后的工序與基于實(shí)施例2的基板制造方法相同。
[0129]圖14A中示出將與直線狀邊緣延伸的方向平行的方向，作為列及行方向來進(jìn)行描繪時(shí)，薄膜材料的液滴所著落的像素的分布，圖14B中示出用實(shí)施例3的方法，形成薄膜圖案時(shí)薄膜材料的液滴所著落的像素的分布。
[0130]圖14A中，向與直線狀邊緣平行的方向排列的像素的間距相當(dāng)于1200dpi。與此相對(duì)，圖14B中，向與直線狀邊緣平行的方向排列的像素的間距相當(dāng)于約1700dpi。因此，通過采用基于實(shí)施例3的基板制造方法，能夠使直線狀邊緣更加平滑。
[0131]用上述實(shí)施例3的方法實(shí)現(xiàn)高解析度化時(shí)，形成具有相對(duì)于像素所排列的行及列方向傾斜的邊緣，最佳具有傾斜45°的邊緣的薄膜圖案時(shí)，可獲得更高的效果。
[0132][實(shí)施例4]
[0133]圖15中示出在基于實(shí)施例4的基板制造方法中使用的噴嘴單元40的仰視圖。以下，對(duì)與實(shí)施例2的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同的結(jié)構(gòu)省略說明。
[0134]實(shí)施例2中，噴嘴頭42A?噴嘴頭42D的各噴嘴頭上形成有2列噴嘴列46a、噴嘴列46b (圖2B)，但是實(shí)施例3中，形成有I列噴嘴列46。噴嘴列46由以間距4P向Y方向排列的多個(gè)噴嘴孔45構(gòu)成。實(shí)施例2中，通過錯(cuò)開從2列噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出的時(shí)亥IJ，使液滴著落于I條直線上，但是實(shí)施例4中，從I個(gè)噴嘴頭內(nèi)的噴嘴孔45同時(shí)吐出液滴即可。[0135]I個(gè)噴嘴頭42A、噴嘴頭42B、噴嘴頭42C或噴嘴頭42D的噴嘴孔45，以相當(dāng)于300dpi的間距排列時(shí)，在實(shí)施例4中，也能夠利用4個(gè)噴嘴頭42A?噴嘴頭42D以約1700dpi的解析度形成薄膜圖案。
[0136]上述實(shí)施例4中，利用帶有相當(dāng)于1200dpi的噴嘴孔的配置的噴嘴單元40實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于約1700dpi的解析度，但是通常能夠?qū)崿F(xiàn)以噴嘴孔的配置規(guī)定的解析度的21/2倍的解析度。
[0137][實(shí)施例5]
[0138]接著，參考圖16A?圖19B，對(duì)實(shí)施例5進(jìn)行說明。以下，對(duì)與實(shí)施例1的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同的結(jié)構(gòu)省略說明。
[0139]圖16A中示出從各噴嘴孔45 (圖2A)吐出的液滴的著落點(diǎn)的Y座標(biāo)與吐出時(shí)刻的關(guān)系。圖16A的橫軸表不經(jīng)過時(shí)間，縱軸表不Y方向的位置。向X軸的負(fù)方向移動(dòng)載物臺(tái)25 (圖1)的同時(shí)從噴嘴孔45吐出液滴。
[0140]在時(shí)刻tAa、時(shí)刻tAb，分別從噴嘴頭42A的噴嘴列46a、噴嘴列46b (圖2B)吐出液滴。由此液滴著落于著落點(diǎn)47Aa、著落點(diǎn)47Ab。之后，在時(shí)刻tBa、時(shí)刻tBb，分別從噴嘴頭42B的噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出液滴，在時(shí)刻tCa、時(shí)刻tCb，分別從噴嘴頭42C的噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出液滴，在時(shí)刻tDa、時(shí)刻tDb，分別從噴嘴頭42D的噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出液滴。由此液滴著落于著落點(diǎn)47Ba、著落點(diǎn)47Bb、著落點(diǎn)47Ca、著落點(diǎn)47Cb、著落點(diǎn)47Da及著落點(diǎn)47Db。
[0141]通過控制載物臺(tái)25 (圖1)的移動(dòng)速度，及從各噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出的時(shí)亥IJ，能夠?qū)⒅潼c(diǎn)47Aa?著落點(diǎn)47Db配置于基板50 (圖1)的表面的I條虛擬直線上。
[0142]圖16B中示出著落點(diǎn)47Aa?著落點(diǎn)47Db排列于I條虛擬直線上的狀態(tài)。從噴嘴頭42A的噴嘴孔45吐出的液滴的著落點(diǎn)47Aa、著落點(diǎn)47Ab向Y方向以間距P排列。同樣，從其他噴嘴頭42B?噴嘴頭42D的各個(gè)噴嘴頭的噴嘴孔45吐出的液滴的著落點(diǎn)也向Y方向以間距P排列。
[0143]著落點(diǎn)47Ba位于將Y軸的正方向的端點(diǎn)作為著落點(diǎn)47Aa、將負(fù)方向的端點(diǎn)作為著落點(diǎn)47Ab的線段的中點(diǎn)。著落點(diǎn)47Ca位于將著落點(diǎn)47Aa與著落點(diǎn)47Ba作為兩端的線段的中點(diǎn)。著落點(diǎn)47Da位于將著落點(diǎn)47Ba與著落點(diǎn)47Ab作為兩端的線段的中點(diǎn)。
[0144]同樣，與各噴嘴頭42B?噴嘴頭42D的噴嘴列46b的噴嘴孔45對(duì)應(yīng)的著落點(diǎn)排列于將Y軸的正方向的端點(diǎn)作為著落點(diǎn)47Ab、將負(fù)方向的端點(diǎn)作為著落點(diǎn)47Aa的線段上。
[0145]從相互鄰接的噴嘴頭吐出的液滴的著落點(diǎn)不會(huì)在Y方向上鄰接。在兩者之間一定配置從其他噴嘴頭吐出的液滴的著落點(diǎn)。例如，從相互鄰接的噴嘴頭42A、噴嘴頭42B吐出的液滴的著落點(diǎn)47Aa與著落點(diǎn)46Ba不會(huì)鄰接，在兩者之間配置從噴嘴頭42C吐出的液滴的著落點(diǎn)47Ca。
[0146]例如，將圖13A所示的滿布區(qū)域(著落對(duì)象像素配置成格子花紋狀的區(qū)域)內(nèi)的位于與行方向(Y方向)平行的I條虛擬直線上的著落對(duì)象像素分類為4個(gè)組中的任意一組。第I組著落對(duì)象像素、第2組著落對(duì)象像素、第3組著落對(duì)象像素、第4組著落對(duì)象像素沿著虛擬直線以該順序反復(fù)出現(xiàn)。圖16B中，著落點(diǎn)47Aa、著落點(diǎn)47Ab與屬于第I組的著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)，著落點(diǎn)47Ca、著落點(diǎn)47Cb與屬于第2組的著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng),著落點(diǎn)47Ba、著落點(diǎn)47Bb與屬于第3組的著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)，著落點(diǎn)47Da、著落點(diǎn)47Db與屬于第4組的著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)。
[0147]如圖16A所示，在時(shí)刻tAa、時(shí)刻tAb，薄膜材料的液滴著落于第I組的著落對(duì)象像素47Aa、著落對(duì)象像素47Ab,已著落的薄膜材料通過光照射固化。接著，在時(shí)刻tBa、時(shí)刻tBb，薄膜材料的液滴著落于第3組著落對(duì)象像素47Ba、著落對(duì)象像素47Bb，已著落的薄膜材料通過光照射固化。之后，在時(shí)刻tCa、時(shí)刻tCb，薄膜材料的液滴著落于第2組著落對(duì)象像素47Ca、著落對(duì)象像素47Cb,已著落的薄膜材料通過光照射固化。最后，在時(shí)刻tDa、時(shí)刻tDb，薄膜材料的液滴著落于第4組著落對(duì)象像素47Da、著落對(duì)象像素47Db，已著落的薄膜材料通過光照射固化。如此，薄膜材料以第I組、第3組、第2組及第4組的順序著落于第I組、第3組、第2組及第4組的著落對(duì)象像素，并固化。
[0148]圖16B所示的圓形表示著落位置的中心與圓形的中心一致，并不表示液滴擴(kuò)散的區(qū)域。實(shí)際上，著落于著落點(diǎn)47Aa的液滴所擴(kuò)散的區(qū)域比圖4B所示的圓形區(qū)域?qū)挕?br> [0149]圖17A?圖17D示出從液滴的吐出到附著于基板50為止的液滴形狀的時(shí)間變化。如圖17A所示，液滴51著落于基板50之前幾乎為球形。如圖17B所示，若液滴51著落于基板50,則液滴51稍微向面內(nèi)方向擴(kuò)散。
[0150]如圖17C所示，若從著落時(shí)刻經(jīng)過時(shí)間，則液滴51的擴(kuò)散變大，并且產(chǎn)生滲入52。如圖17D所示，若時(shí)間進(jìn)一步經(jīng)過，則滲入52的擴(kuò)散變大。
[0151]實(shí)施例5中，如參考圖4A及圖4B進(jìn)行的說明，液滴51與基板50接觸之后，液滴51通過光照射固化，所以能夠抑制滲入的擴(kuò)大。由此，能夠高精確度地形成微細(xì)的薄膜圖案。
[0152]實(shí)施例5中，在噴嘴頭42A?噴嘴頭42D (圖4A沖的鄰接的噴嘴頭之間的所有區(qū)域配置光源43。根據(jù)被允許的滲入的大小，未必一定要在所有區(qū)域配置光源43?？稍谙嗷ム徑拥膰娮祛^之間的區(qū)域中僅在一部分區(qū)域配置光源43。例如，在圖4A中，也可為在噴嘴頭42A與噴嘴頭42B之間及噴嘴頭42C與噴嘴頭42D之間不配置光源43的結(jié)構(gòu)。
[0153]另外，實(shí)施例5中，在比兩端的噴嘴頭42A、噴嘴頭42D更靠外側(cè)，分別配置了光源43,但是使基板50僅向I方向移動(dòng)的同時(shí)形成薄膜圖案時(shí),僅在其中一方配置光源43即可。例如，在圖4A中，使基板50僅向X軸的負(fù)方向移動(dòng)的同時(shí)形成薄膜圖案時(shí)，無需在比噴嘴頭42A更靠后方(X軸的正側(cè))配置光源43。
[0154]如圖17B?圖17D所示，薄膜材料的液滴從著落于基板50的時(shí)刻，隨著時(shí)間經(jīng)過，向面內(nèi)方向擴(kuò)散，并且高度變低。因此，通過控制薄膜材料的液滴著落于基板50之后到固化為止的時(shí)間，能夠控制薄膜材料的液滴各自的高度。因此，也可事先設(shè)定著落于基板50的薄膜材料的液滴的高度的目標(biāo)值。在已設(shè)定該目標(biāo)值的情況下，按照目標(biāo)值調(diào)整薄膜材料的液滴著落于基板50之后至通過光照射固化著落于基板50的薄膜材料為止的時(shí)間即可。通過調(diào)整基板50的移動(dòng)速度，能夠?qū)⒈∧げ牧系囊旱沃溆诨?0之后至固化為止的時(shí)間設(shè)定為所希望的長度。
[0155]圖18A中示出著落于與Y軸平行的I條直線上的液滴的俯視圖，圖18B中示出在圖18A的單點(diǎn)劃線18B-18B的剖視圖。在最靠基板側(cè)附著從噴嘴頭42A的噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出的液滴49Aa、液滴49Ab。液滴49Aa與液滴49Ab之間附著從噴嘴頭42B的噴嘴列46a、噴嘴列46b吐出的液滴49Ba、液滴49Bb。從噴嘴頭42B的噴嘴吐出的液滴著落于基板50 (圖4A)之前，液滴49Aa及液滴49Ab已被固化。因此，液滴49Ba及液滴49Bb不與液滴49Aa及液滴49Ab混合。由此，液滴49Ba及液滴49Bb的外周附近與液滴49Aa及液滴49Ab重疊。
[0156]另外，從噴嘴頭42C的噴嘴列46a吐出的液滴49Ca在液滴49Aa與液滴49Ba的邊界線重疊，從噴嘴頭42C的噴嘴列46b吐出的液滴49Cb在液滴49Ab與液滴49Bb的邊界線重疊。另外，從噴嘴頭42D的噴嘴列46a吐出的液滴49Da在液滴49Ab與液滴49Ba的邊界線重疊，從噴嘴頭42D的噴嘴列46b吐出的液滴49Db在液滴49Aa與液滴49Bb的邊界線重疊。
[0157]圖19A中示出基于比較例的噴嘴頭42A?噴嘴頭42D的配置。在比較例中，噴嘴頭42B?噴嘴頭42D分別相對(duì)噴嘴頭42A向Y軸的負(fù)方向僅偏離P/4、2P/4、3P/4。與圖2B所示的實(shí)施例1的情況相同地在噴嘴頭42A?噴嘴頭42D形成有2列噴嘴列46a、噴嘴列46b o
[0158]圖19B中示出利用基于比較例中配置的噴嘴頭42A?噴嘴頭42D來形成的直線的剖視圖。從噴嘴頭42A的噴嘴列46a吐出的液滴49Aa、從噴嘴頭42B的噴嘴列46a吐出的液滴49Ba、從噴嘴頭42C的噴嘴列46a吐出的液滴49Ca及從噴嘴頭42D的噴嘴列46a吐出的液滴49Da朝向Y軸的正方向以該順序配置。位于Y軸的正側(cè)的液滴重疊在位于負(fù)側(cè)的液滴上。
[0159]每次在已固化的液滴上重疊下次吐出的液滴，液滴頂部的高度增高。因此，由液滴構(gòu)成的直線的高低差在直線的長邊方向(Y方向)上變大。
[0160]在實(shí)施例5的情況下，如圖18B所示，液滴49Ba著落之后，液滴49Ca著落于比液滴49Ba更靠Y軸的負(fù)側(cè)，之后，液滴49Da著落于比液滴49Ba更靠Y軸的正側(cè)。即，隨著時(shí)間經(jīng)過，著落位置向正方向及負(fù)方向的兩個(gè)方向移動(dòng)，而不是僅向Y軸的正方向的一方向移動(dòng)。因此，能夠減小由液滴構(gòu)成的直線的高低差。在滿布區(qū)域中，能夠減小薄膜圖案表面凹凸的高低差。
[0161][實(shí)施例6]
[0162]圖20中示出基于實(shí)施例6的基板制造裝置的噴嘴頭的配置。以下，對(duì)與實(shí)施例5的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同結(jié)構(gòu)省略說明。
[0163]實(shí)施例5中，如圖2B所示，噴嘴頭42C及噴嘴頭42D分別相對(duì)于噴嘴頭42A向Y軸的負(fù)方向僅偏離P/4、3P/4。實(shí)施例6中，噴嘴頭42C及噴嘴頭42D的偏離量分別替換為實(shí)施例5的噴嘴頭42D及噴嘴頭42C的偏離量。噴嘴頭42A?噴嘴頭42D的各個(gè)噴嘴頭的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例5的噴嘴頭42A的結(jié)構(gòu)相同。
[0164]對(duì)噴嘴頭42A?噴嘴頭42D附加序列號(hào)I?序列號(hào)4。對(duì)將噴嘴頭42A?噴嘴頭42D的噴嘴孔45垂直投影于與X軸垂直的虛擬平面的影像也分別附加序列號(hào)1、序列號(hào)2、序列號(hào)3、序列號(hào)4。此時(shí)，附加于噴嘴孔45的影像的序列號(hào)向Y方向以1、4、2、3的順序排列。
[0165]實(shí)施例6中，也與實(shí)施例5的情況相同，噴嘴孔45的影像向Y方向不以序列號(hào)順序排列。因此，能夠減小由液滴構(gòu)成的直線的高低差。
[0166][實(shí)施例7]
[0167]圖21中示出基于實(shí)施例7的基板制造裝置的噴嘴頭的配置。以下，對(duì)與實(shí)施例5的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同結(jié)構(gòu)省略說明。[0168]實(shí)施例5中，4個(gè)噴嘴頭42A?噴嘴頭42D向X方向排列，但在實(shí)施例7中，6個(gè)噴嘴頭42A?噴嘴頭42F向X方向排列。噴嘴頭42A?噴嘴頭42F的各個(gè)噴嘴頭的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例5的噴嘴頭42A的結(jié)構(gòu)相同。噴嘴頭42B?噴嘴頭42F分別相對(duì)于噴嘴頭42A向Y軸的負(fù)方向僅偏離 2P/6、4P/6、P/6、3P/6、5P/6。
[0169]將噴嘴頭42A?噴嘴頭42F的噴嘴孔45垂直投影于與X軸垂直的虛擬平面的影像，向Y方向以間距P/6排列。即，作為6個(gè)噴嘴頭42A?噴嘴頭42F整體，噴嘴孔45向Y方向以間距P/6排列。因此，與基于實(shí)施例5的基板制造裝置相比，能夠形成解析度較高的薄膜圖案。
[0170]與實(shí)施例5的情況相同，對(duì)噴嘴頭42A?噴嘴頭42F分別附加序列號(hào)I?序列號(hào)
6。對(duì)將噴嘴頭42A?噴嘴頭42F的噴嘴孔45垂直投影于與X軸垂直的虛擬平面的影像，也分別附加序列號(hào)1、序列號(hào)2、序列號(hào)3、序列號(hào)4、序列號(hào)5、序列號(hào)6。此時(shí)，序列號(hào)1、序列號(hào)4、序列號(hào)2、序列號(hào)5、序列號(hào)3、序列號(hào)6的噴嘴孔45的影像，以列舉的順序向Y方向排列。由于噴嘴孔45的影像在Y方向上不會(huì)以序列號(hào)順序排列，因此能夠減小由液滴構(gòu)成的直線的高低差。
[0171][實(shí)施例8]
[0172]參考圖22A?圖24E，對(duì)基于實(shí)施例8的基板制造方法進(jìn)行說明。以下，對(duì)與實(shí)施例I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同結(jié)構(gòu)省略說明。
[0173]圖22k中不出應(yīng)形成于基板50的表面的薄膜圖案的一部分。在基板50的表面劃分出附著薄膜材料的區(qū)域和不附著薄膜材料的區(qū)域(開口部)。圖22A中，對(duì)附著薄膜材料的區(qū)域附加陰影線，并以空白表示開口部。圖22A中，作為一例示出橢圓形和四邊形的開口部。除此之外，例如還可分隔出圓形、具有一定寬度的直線等的開口部。對(duì)這些開口部外側(cè)的區(qū)域58涂布薄膜材料。通常，以格伯格式提供應(yīng)形成的薄膜圖案的圖像數(shù)據(jù)。實(shí)施例8中，薄膜圖案的圖像數(shù)據(jù)中，除了包括表示應(yīng)形成的薄膜圖案的平面形狀的信息之外，還包括基板上的每個(gè)區(qū)域的與薄膜圖案的厚度有關(guān)的信息。
[0174]控制裝置33 (圖1)，將格伯格式的圖像數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為光柵格式的圖像數(shù)據(jù)，并將轉(zhuǎn)換后的圖像數(shù)據(jù)儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34 (圖1)。光柵格式的圖像數(shù)據(jù)中，通過配置成行列狀的多個(gè)像素定義應(yīng)形成的薄膜圖案的平面形狀。并且，通過與像素對(duì)應(yīng)的數(shù)值規(guī)定應(yīng)形成于與該像素對(duì)應(yīng)的位置的薄膜圖案的厚度。
[0175]圖22B中示出光柵格式的圖像數(shù)據(jù)的例子。圖22B所示的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)，由分配于向行方向及列方向排列的多個(gè)像素60的數(shù)值數(shù)據(jù)構(gòu)成。像素60的行方向及列方向的間距為P-X5/16 (約25iim)。實(shí)施例8中，應(yīng)涂布薄膜材料的區(qū)域的像素中附加有規(guī)定形成于與該像素對(duì)應(yīng)的位置的薄膜圖案的厚度的指標(biāo)值。例如形成于與附加有指標(biāo)值“4”的像素對(duì)應(yīng)的位置的薄膜圖案的厚度為形成于與附加有指標(biāo)值“I”的像素對(duì)應(yīng)的位置的薄膜圖案的厚度的4倍。對(duì)未涂布薄膜材料的像素附加指標(biāo)值“O”。因此，與厚度相關(guān)的信息包括與應(yīng)形成的薄膜圖案的平面形狀相關(guān)的信息。與薄膜圖案的厚度相關(guān)的信息例如利用0到7的8個(gè)指標(biāo)值來表示。
[0176]控制裝置33 (圖1)根據(jù)光柵格式的數(shù)據(jù)控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)21 (圖1)及噴嘴頭24，由此以使液滴著落于應(yīng)形成薄膜圖案的區(qū)域的像素，并以所形成的薄膜圖案成為指標(biāo)值所規(guī)定的厚度的方式控制液滴的吐出。[0177]例如圖22B所示的例子中，以如下方式控制液滴從噴嘴單元40的吐出，即對(duì)附加有指標(biāo)值“I”的像素著落I滴液滴，對(duì)附加有指標(biāo)值“2”的像素著落2滴液滴，對(duì)附加有指標(biāo)值“3”的像素著落3滴液滴，對(duì)附加有指標(biāo)值“4”的像素著落4滴液滴。
[0178]如此，通過使液滴的著落數(shù)(液滴朝向與像素對(duì)應(yīng)的位置吐出的次數(shù))在像素之間不同，能夠按照基板上的位置形成厚度不同的薄膜圖案。
[0179]圖22B所示的例子中，在形成薄膜圖案的區(qū)域與不形成的區(qū)域的邊界，加厚薄膜圖案的厚度，隨著遠(yuǎn)離邊界而減薄。通過以這種厚度分布形成薄膜圖案，將電子組件焊接于基板50時(shí)，能夠抑制焊錫從開口部向阻焊劑上流出。
[0180]上述實(shí)施例8中，通過著落于像素的液滴的個(gè)數(shù)調(diào)整薄膜圖案的膜厚。若改變著落于像素的液滴的個(gè)數(shù)，則著落于每單位面積的液滴的個(gè)數(shù)(液滴的著落密度)改變。該著落密度的控制無需以像素單位進(jìn)行?？蓪ǘ鄠€(gè)像素的區(qū)域作為單位，控制著落密度。
[0181]成為使著落密度不同的單位的區(qū)域(以下，稱為“子區(qū)域”。)例如通過所形成的薄膜圖案的厚度相等的多個(gè)像素來劃分。圖22B所示的例子中，由附加有指標(biāo)值“I”的像素構(gòu)成的區(qū)域相當(dāng)于I個(gè)子區(qū)域，由附加有指標(biāo)值“2”的像素構(gòu)成的區(qū)域相當(dāng)于I個(gè)子區(qū)域。
[0182]控制裝置33在每個(gè)子區(qū)域按照規(guī)定的膜厚提取使液滴著落的像素(著落對(duì)象像素)。之后，以薄膜材料的液滴著落于被提取的著落對(duì)象像素的方式控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)21及噴嘴單元40的動(dòng)作。另外，從應(yīng)涂布薄膜材料的區(qū)域內(nèi)的像素中提取著落對(duì)象像素。
[0183]圖23A?圖23D中示出著落對(duì)象像素的分布的例子。圖示的范圍為I個(gè)子區(qū)域的一部分。圖23A?圖23D中，用圓圈表示著落對(duì)象像素。著落對(duì)象像素例如向行方向及列方向有規(guī)則地配置。I滴液滴著落于與著落對(duì)象像素的各個(gè)像素對(duì)應(yīng)的位置。有時(shí)將著落對(duì)象像素的分布稱為著落圖案。
[0184]圖23A中示出以著落對(duì)象像素的間距在行方向、列方向的雙方成為原來像素間距的2倍，即成為50 ii m的方式提取著落對(duì)象像素的例子。圖23A所示的例子中，每I像素的著落數(shù)為0.25 (每Imm2的著落數(shù)為400)。
[0185]圖23B表示著落對(duì)象像素配置成格子花紋狀的例子。圖23B的例子中，每I像素的著落數(shù)為0.5 (每Imm2的著落數(shù)為800)。
[0186]還能夠提取如圖23C、圖23D所示的著落對(duì)象像素。圖23C所示的例子中，交替配置包含著落對(duì)象像素的列和不包含著落對(duì)象像素的列。包含著落對(duì)象像素的列的各個(gè)列中，著落對(duì)象像素以原來的像素間距的2倍的間距排列。包含著落對(duì)象像素的列中，若著眼于相互鄰接的列，則著落對(duì)象像素向列方向僅偏離相當(dāng)于像素的間距的距離。圖23C所示的例子中，每I像素的著落數(shù)為0.25 (每Imm2的著落數(shù)為400)。
[0187]圖23D所示的例子中，在包含著落對(duì)象像素的行之間配置2行不包含著落對(duì)象像素的行。包含著落對(duì)象像素的行的各個(gè)行中，著落對(duì)象像素以原來的像素間距的3倍的間距配置。若著眼于包含著落對(duì)象像素的行，則隨著附加于列的序列號(hào)變大，著落對(duì)象像素向右方向僅偏離相當(dāng)于像素間距的距離。圖23D所示的例子中，每I像素的著落數(shù)為0.11(每Imm2的著落數(shù)為180)。
[0188]若將圖23D所示的例子作為膜厚的基準(zhǔn)，則根據(jù)圖23A及圖23C所示的著落圖案形成的薄膜圖案的膜厚為2.25。根據(jù)圖23B所示的著落圖案形成的薄膜圖案的膜厚為4.5。
[0189]如此，通過從子區(qū)域內(nèi)的像素提取該一部分作為著落對(duì)象像素，能夠精確地控制薄膜圖案的厚度。采用以從I個(gè)噴嘴孔吐出的液滴的個(gè)數(shù)控制薄膜圖案的膜厚的多點(diǎn)方式時(shí)，能夠形成的薄膜圖案的膜厚限定于由I滴形成的薄膜圖案的膜厚的整數(shù)倍的膜厚。通過改變子區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度，能夠進(jìn)一步精確地控制薄膜圖案的膜厚。例如，在劃分于基板上的每個(gè)子區(qū)域，按照所要求的膜厚選定著落對(duì)象像素的面密度。
[0190]作為一例，對(duì)除了由附加有指標(biāo)值“0”的像素構(gòu)成的區(qū)域(不涂布薄膜材料的區(qū)域)之外，還分隔有由附加有指標(biāo)值“I”的像素構(gòu)成的第I子區(qū)域和由附加有指標(biāo)值“2”的像素構(gòu)成的第2子區(qū)域的例子進(jìn)行說明。假設(shè)指標(biāo)值“I”表示與0.25滴的液滴對(duì)應(yīng)的厚度。此時(shí)，第I子區(qū)域中，根據(jù)圖23A或圖23C所示的著落圖案提取著落對(duì)象像素，第2子區(qū)域中，根據(jù)圖23B所示的著落圖案提取著落對(duì)象像素。使I滴液滴著落于著落對(duì)象像素的各個(gè)像素，對(duì)其他像素不著落液滴。
[0191]另外，使薄膜材料的液滴著落于圖23A~圖23D所示的著落對(duì)象像素時(shí)，薄膜材料超出已著落的像素的范圍而擴(kuò)散。因此，能夠用薄膜材料覆蓋滿布區(qū)域的整個(gè)面。
[0192]作為其他例子，對(duì)除了由附加有指標(biāo)值“0”的像素構(gòu)成的區(qū)域之外，還劃分有由附加有指標(biāo)值“5”的像素構(gòu)成的第3子區(qū)域和由附加有指標(biāo)值“6”的像素構(gòu)成的第4子區(qū)域的例子進(jìn)行說明。假設(shè)與指標(biāo)值“I”對(duì)應(yīng)的厚度為與0.25滴的液滴對(duì)應(yīng)的厚度。第3子區(qū)域中，根據(jù)圖23A或圖23C所示的著落圖案提取著落對(duì)象像素，第4區(qū)域中，根據(jù)圖23B所示的著落圖案提取著落對(duì)象像素。首先，使I滴液滴著落于第3子區(qū)域及第4子區(qū)域的所有像素。之后，使I滴液滴著落于著落對(duì)象像素的各個(gè)像素。此時(shí)，圖23A中，附加有圓圈的著落對(duì)象像素著落有2滴液滴,對(duì)其他像素著落有I滴液滴。該例子中，著落對(duì)象像素能夠稱為使液滴附加著落于 已著落液滴的像素的像素。
[0193]通過使液滴的著落密度在基板上的每個(gè)子區(qū)域不同，并使薄膜圖案的厚度不同，可獲得以下效果。
[0194]圖24A所示的例子中，高度互不相同的電子組件70、電子組件71分別焊接于基板50的區(qū)域80、區(qū)域81內(nèi)的焊盤。電子組件70的高度方向的尺寸小于電子組件71的高度方向的尺寸。按照電子組件70、電子組件71的高度方向的尺寸差，使形成于區(qū)域80的薄膜圖案53比形成于區(qū)域81的薄膜圖案53厚。由此，能夠在將電子組件70、電子組件71的連接部分(導(dǎo)體)70a、連接部分71a分別通過焊錫70b、焊錫71b焊接于基板50的狀態(tài)下，使電子組件70、電子組件71的上表面的高度一致。如此，能夠使安裝電子組件后的包含基板和電子組件的厚度一樣。
[0195]圖24B所示的例子中，在下表面72A1、下表面72A2之間具有高低差的電子組件72的下表面72A1、下表面72A2分別形成有連接部分72&1、連接部分72a2。將電子組件72的連接部分72?、連接部分72a2，分別焊接于設(shè)置于基板50的區(qū)域80、區(qū)域81的焊盤上。電子組件72的從上表面到下表面72A2的厚度比從上表面到下表面Ilkl的厚度厚。按照下表面12k,與下表面72A2的邊界部分的高低差，使形成于區(qū)域80的薄膜圖案53比形成于區(qū)域81的薄膜圖案53厚。由此，在將連接部分72&1、連接部分72a2分別通過焊錫721^、焊錫72b2焊接于基板50的狀態(tài)下，電子組件72的上表面與基板50平行。通過使電子組件72的上表面與基板50平行，能夠提高安裝有電子組件72的基板的質(zhì)量。
[0196]圖24C所示的例子中，在電子組件73、電子組件74焊接于焊盤之前，或者在焊接之后，通過導(dǎo)線75相互電連接。連接于導(dǎo)線75的連接端子的高度方向的位置在電子組件73與電子組件74中不同。例如，從電子組件73的底面到連接端子的高度低于從電子組件74的底面到連接端子的高度。按照從電子組件73、電子組件74的底面到連接端子的高度差，使區(qū)域80的薄膜圖案53比區(qū)域81的薄膜圖案53厚。由此，能夠在將電子組件73、電子組件74的連接部分73a、連接部分74a分別通過焊錫73b、焊錫74b焊接于基板50的狀態(tài)下，相對(duì)于基板50的表面大致平行地配置導(dǎo)線75。
[0197]將基板50作為基準(zhǔn)，具有高低差地連接有導(dǎo)線75時(shí)易產(chǎn)生不良情況。圖24C所示的結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)線75的兩端沒有高低差，所以能夠提高安裝有電子組件的基板的質(zhì)量。
[0198]圖24D及圖24E所示的例子中，電子組件76的底面的中央部形成有凹坑。在該凹坑的底部形成有連接部分76a。電子組件76的安裝中，電子組件76的底面中未形成有凹坑的區(qū)域配置于薄膜圖案53上，連接部分76a與基板50的焊盤通過焊錫76b電連接。需使焊錫76b在焊盤上凸起來進(jìn)行與連接部分76a的電連接。
[0199]圖24E中示出薄膜圖案53的厚度均勻的情況。該結(jié)構(gòu)中，進(jìn)行焊接時(shí)，有時(shí)焊錫76b在薄膜圖案53上流出，導(dǎo)致基板50與連接部分76a之間的連接的可靠性變得不充分。
[0200]圖24D所示的例子中，使基板50的焊盤周邊區(qū)域80的薄膜圖案53比其他區(qū)域81的薄膜圖案53厚。該厚度差與形成于電子組件76的底面的凹坑的深度對(duì)應(yīng)。通過焊盤周邊區(qū)域80的薄膜圖案53防止焊錫76b的流出，并能夠提高基板50與連接部分76a之間的連接的可靠性。
[0201]如此，通過按照電子組件的外形及尺寸改變基板上每個(gè)子區(qū)域的阻焊劑的膜厚，能夠提高搭載有電子組件的基板的質(zhì)量。
[0202]如圖23A?圖23D所示，表示著落對(duì)象像素的分布的圖像數(shù)據(jù)根據(jù)定義薄膜圖案的平面形狀的圖像數(shù)據(jù)由控制裝置33 (圖1)制作。另外，控制裝置33根據(jù)已制作的圖像數(shù)據(jù)以使移動(dòng)機(jī)構(gòu)21動(dòng)作的同時(shí)使液滴著落于著落對(duì)象像素的方式控制噴嘴單元40。
[0203]控制裝置33按照所要求的薄膜圖案的膜厚制作如圖23A?圖23D所示的著落圖案，并使液滴選擇性地著落于提取的著落對(duì)象像素。在存儲(chǔ)裝置34可儲(chǔ)存與膜厚對(duì)應(yīng)的著落圖案?？刂蒲b置33從被儲(chǔ)存的多個(gè)著落圖案選擇與所要求的膜厚對(duì)應(yīng)的I個(gè)著落圖案。另外，控制裝置33根據(jù)被選擇的著落圖案及薄膜圖案的圖像數(shù)據(jù)提取著落對(duì)象像素。
[0204]儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34的著落圖案可以是如圖23A?圖23D所示的表示著落對(duì)象像素的分布的圖像數(shù)據(jù)，也可以是與它們對(duì)應(yīng)的數(shù)值數(shù)據(jù)。如下規(guī)定從薄膜圖案的厚度一樣的I個(gè)子區(qū)域內(nèi)的像素中提取著落對(duì)象像素的基準(zhǔn)。
[0205]在行方向上，在鄰接的著落對(duì)象像素之間配置A個(gè)非著落像素。沿著列方向，在包含著落對(duì)象像素的行之間存在B行僅包含非著落像素的行。關(guān)于包含著落對(duì)象像素的行，在鄰接的行中，著落對(duì)象像素的配置向行方向上相互僅偏離相當(dāng)于X個(gè)像素量的距離。根據(jù)該基準(zhǔn)，當(dāng)設(shè)為與指標(biāo)值“I”對(duì)應(yīng)的厚度為與0.25滴的液滴對(duì)應(yīng)的厚度時(shí)，作為與指標(biāo)值“I”的膜厚對(duì)應(yīng)的數(shù)值，可獲得A=l、B=l、X=O (圖23A所示的著落圖案)或A=3、B=0、X=2(圖23C所示的著落圖案)。作為與指標(biāo)值“2”的膜厚對(duì)應(yīng)的數(shù)值，對(duì)應(yīng)A=l、B=0、X=I (圖23B所示的著落圖案)。控制裝置33根據(jù)儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34的內(nèi)容，以液滴著落于著落對(duì)象像素的方式控制噴嘴單元40 (圖1)。
[0206]控制裝置33可選擇膜厚成為最接近的值的著落圖案作為與所要求的膜厚對(duì)應(yīng)的著落圖案。例如，當(dāng)與指標(biāo)值“I”對(duì)應(yīng)的厚度為與0.11滴的液滴對(duì)應(yīng)的厚度時(shí)，對(duì)于所要求的膜厚為指標(biāo)值“I”的子區(qū)域，選擇圖23D所示的著落圖案，對(duì)于所要求的膜厚為指標(biāo)值“2”的子區(qū)域，近似地選擇圖23A或圖23C所示的著落圖案。
[0207]在實(shí)施例8中使用的構(gòu)成圖像數(shù)據(jù)的像素向相互正交的行方向和列方向排列。通常，也可由沿著第I方向及與該第I方向交叉的第2方向排列的多個(gè)像素構(gòu)成圖像數(shù)據(jù)。像素的配置可以是正方格子狀，也可以是三角格子狀。
[0208]另外，在圖23A?圖23D所示的例子中，向行方向及列方向有規(guī)則地配置了著落對(duì)象像素，但是未必一定要有規(guī)則地配置。
[0209]根據(jù)基板上的位置使液滴的著落密度不同，不僅對(duì)銅(配線部)的厚度例如為6 ii m?20 ii m的通常的印刷基板有效，對(duì)具有銅的厚度為數(shù)百U m的厚銅圖案的基板也有效。對(duì)著落的液滴易流出的厚銅圖案的角部使液滴以較高的著落密度著落，著落后立刻照射紫外線來固化，由此能夠形成均勻的阻焊劑膜或形成所希望的尺寸的高低差。
[0210]實(shí)施例8中，通過基板制造裝置在印刷基板上形成了絕緣膜(阻焊劑)，但基于實(shí)施例8的基板制造裝置例如在觸控面板的制造中還能夠利用于在玻璃基板上形成絕緣膜的用途。
[0211][實(shí)施例9]
[0212]參考圖25A?圖28B，對(duì)基于實(shí)施例9的基板制造方法進(jìn)行說明。以下，對(duì)與實(shí)施例I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同結(jié)構(gòu)省略說明。
[0213]基于實(shí)施例9的基板制造方法中，基板50的表面中的被薄膜材料覆蓋的區(qū)域(滿布區(qū)域)中，將著落對(duì)象像素的面密度設(shè)為第I面密度，在與滿布區(qū)域和不附著薄膜材料的區(qū)域的邊界線(薄膜圖案的邊)對(duì)應(yīng)的邊界區(qū)域中，將著落對(duì)象像素的面密度設(shè)為高于第I面密度的第2面密度。以下，舉出形成具有圖6所示的圓形開口部的薄膜圖案的情況的例子進(jìn)行說明。
[0214]圖25A中將實(shí)施例9的基板制造方法的第I次掃描中使液滴著落的像素60e涂黑表示。在圓形開口部的外側(cè)分隔出中心與圓形的開口部相同且半徑僅僅大20pm (2個(gè)像素量)的圓周62。在圓周62的外側(cè)區(qū)域(滿布區(qū)域)中，將偶數(shù)列Ce與偶數(shù)行Re所交叉的位置的像素設(shè)為液滴的著落對(duì)象。在開口部的外周與圓周62之間的邊界區(qū)域63中，將偶數(shù)列Ce的所有像素設(shè)為液滴的著落對(duì)象。
[0215]圖25B中將第2次掃描中使液滴著落的像素60f涂黑表示。選擇在第I次掃描中未被選擇的列，具體而言選擇奇數(shù)列Co。在第2次掃描中,將滿布區(qū)域中的奇數(shù)列Co與奇數(shù)行Ro所交叉的位置的像素設(shè)為液滴的著落對(duì)象。邊界區(qū)域63中，將奇數(shù)列Co的所有像素設(shè)為液滴的著落對(duì)象。
[0216]圖26中將液滴在第I次及第2次掃描結(jié)束的時(shí)刻著落的像素涂黑表示。滿布區(qū)域內(nèi)的像素中偶數(shù)列Ce與奇數(shù)行Ro所交叉的位置的像素60g及奇數(shù)列Co與偶數(shù)行Re所交叉的位置的像素60h在第I次及第2次掃描的任一掃描中均未被選擇為著落對(duì)象。因此，在滿布區(qū)域內(nèi)已著落有薄膜材料的像素分布為格子花紋狀。邊界區(qū)域63中液滴著落于所有像素。已著落的I個(gè)液滴向面內(nèi)方向擴(kuò)散來覆蓋基板面的區(qū)域的大小大于像素的間距P3(i(i/8。因此，圖26中，用格子花紋表示的區(qū)域的整個(gè)區(qū)域及邊界區(qū)域63被薄膜材料包覆。
[0217]使液滴著落于邊界區(qū)域63的像素的噴嘴孔中，與在第I次掃描、第2次掃描雙方使液滴著落于滿布區(qū)域的像素的噴嘴孔相比，以2倍的頻率控制施加電壓。由此，掃描方向(X方向)的解析度成為2400dpi。當(dāng)該“2倍頻率”超過噴嘴孔的額定上限值時(shí)，通過使載物臺(tái)25 (圖1)的移動(dòng)速度緩慢，能夠?qū)ⅰ?倍的頻率”設(shè)為額定上限值以下。
[0218]基于實(shí)施例9的基板制造方法中，使解析度根據(jù)基板50上的位置而不同。具體而言，與其他滿布區(qū)域相比，邊界區(qū)域63以高解析度形成薄膜圖案。
[0219]比較圖26和圖13A可知，根據(jù)基于實(shí)施例9的方法，能夠使薄膜圖案的輪廓線平滑。通過在X方向上以2400dpi的解析度形成邊界區(qū)域63的薄膜圖案，針對(duì)邊界區(qū)域63，能夠在X方向、Y方向的雙方向上獲得與以2400dpi的解析度形成薄膜圖案的情況同等的
平滑度。
[0220]另外，僅在邊界區(qū)域63以高解析度形成薄膜圖案，因此能夠避免滿布區(qū)域內(nèi)的薄膜圖案膜厚的增大。薄膜圖案的平均膜厚為與以1200dpi的解析度形成整個(gè)薄膜圖案時(shí)的平均膜厚相同的程度，成為往返掃描1200dpi用的噴嘴單元并以2400dpi形成的薄膜圖案的膜厚的約1/2。
[0221]基于實(shí)施例9的方法中，相對(duì)于基板50,掃描2次(往返掃描)1200dpi用的噴嘴單元來形成薄膜圖案，但例如能夠通過掃描I次(單程掃描)2400dpi用的噴嘴單元來使液滴著落成圖26所示的著落圖案。
[0222]基于實(shí)施例9的方法中，將滿布區(qū)域的著落圖案設(shè)為格子花紋狀，但也可使液滴以任意著落圖案著落。
[0223]基于實(shí)施例9的方法中，通過圖25A所示的第I次掃描和圖25B所示的第2次掃描的雙方使液滴著落于邊界區(qū)域63內(nèi)的像素，但也可僅在任意一方的掃描中使液滴著落。例如將液滴的吐出周期設(shè)為1/2，將X方向的著落密度提高到2倍，由此能夠使向X方向延伸的輪廓線平滑。在吐出液滴的I周期中，通過縮短基板向X方向移動(dòng)的距離，能夠提高X方向上的著落密度。
[0224]通過提高Y方向的著落密度，也能夠使輪廓線平滑。作為一例，在第I次掃描中使液滴根據(jù)圖12A所示的著落圖案著落，在第2次掃描中，將邊界區(qū)域63的像素中的偶數(shù)行奇數(shù)列的像素作為著落對(duì)象。也可以在第I次掃描中，將邊界區(qū)域63的像素中的奇數(shù)行偶數(shù)列的像素設(shè)為著落對(duì)象，在第2次掃描中，使液滴根據(jù)圖12B所示的著落圖案著落。通過如上述選擇使液滴著落的像素，能夠提高Y方向的著落密度。在第I次掃描與第2次掃描之間，進(jìn)行使基板50相對(duì)噴嘴單元40向Y方向僅移動(dòng)相當(dāng)于噴嘴孔的間距(P3QQ/4)的1/2的距離(實(shí)施例中為P3(i(i/8的距離)的控制，由此能夠提高Y方向的著落密度。在第I次掃描、第2次掃描的至少其中一方，使液滴以高于滿布區(qū)域的著落密度著落于邊界區(qū)域63。
[0225]圖27A及圖27B中示出形成有薄膜圖案61的基板50的一部分(開口部及其附近)的剖視圖。圖27A表示使應(yīng)涂布薄膜材料的區(qū)域中的液滴的著落密度與基板50上的位置無關(guān)而恒定，從而著落薄膜材料的液滴的基板50。圖27B表示利用實(shí)施例9的方法著落薄膜材料的液滴的基板50。
[0226]圖27A所示的例子中，輪廓部中薄膜圖案61的表面的傾斜變得平緩。與此相對(duì)，如圖27B所示，利用基于實(shí)施例9的方法時(shí)，在輪廓部中薄膜圖案61的表面的傾斜變得陡峭。因此，能夠抑制在將電子組件焊接于基板50時(shí)流出焊錫。另外，即使相對(duì)提高邊界區(qū)域63 (圖26)的著落密度，如圖27B所示，輪廓部的薄膜圖案61也不一定特別凸起。
[0227]接著，對(duì)實(shí)施例9的變形例進(jìn)行說明。[0228]圖28A中示出以圖像數(shù)據(jù)定義的薄膜圖案的平面形狀與用于提取著落對(duì)象像素的滿布區(qū)域及邊界區(qū)域的關(guān)系?；?0的表面中劃分有開口部64。在開口部64的外側(cè)涂布薄膜材料。以包圍開口部64的方式劃分有環(huán)狀的邊界區(qū)域63。邊界區(qū)域63的內(nèi)周側(cè)的邊緣與開口部64之間劃分出偏移區(qū)域66。即，邊界區(qū)域63的內(nèi)周側(cè)的邊緣從開口部64的外周線后退，并不與開口部64的外周線一致。在比邊界區(qū)域63更靠外側(cè)配置有滿布區(qū)域65。如圖26所示，邊界區(qū)域63內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度高于滿布區(qū)域65內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度。從偏移區(qū)域66內(nèi)的像素不提取著落對(duì)象像素。即，對(duì)偏移區(qū)域66內(nèi)的像素不著落液滴。
[0229]圖28B中示出沿圖28A的單點(diǎn)劃線28B-28B的剖視圖。在著落于邊界區(qū)域63內(nèi)的著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之前，向面內(nèi)方向擴(kuò)散，由此偏移區(qū)域66被薄膜材料覆蓋。考慮薄膜材料的面內(nèi)方向的擴(kuò)散而配置偏移區(qū)域66，由此防止薄膜材料浸入至開口部64內(nèi)。由此，能夠形成具有目標(biāo)大小的開口部64的薄膜圖案。
[0230][實(shí)施例10]
[0231]參考圖29A?圖30，對(duì)基于實(shí)施例10的基板制造方法進(jìn)行說明。以下，對(duì)與實(shí)施例I的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，對(duì)相同結(jié)構(gòu)省略說明。
[0232]基于實(shí)施例10的基板制造方法也與實(shí)施例1相同，控制裝置33 (圖1)根據(jù)儲(chǔ)存于存儲(chǔ)裝置34 (圖1)的光柵格式的圖像數(shù)據(jù)，控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)21 (圖1)及噴嘴單元40來進(jìn)行。
[0233]基于實(shí)施例10的方法中，通過使噴嘴單元40相對(duì)于基板50 (圖4A)向與X軸平行的方向相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，改變Y方向的位置來進(jìn)行2次使液滴著落于基板50的掃描，由此在I個(gè)單位掃描區(qū)域形成薄膜圖案。
[0234]圖29A中示出噴嘴單元40的示意側(cè)視圖、液滴在第I次掃描中著落的像素列60A的俯視圖及著落并固化的薄膜材料67A的剖視圖。噴嘴孔45在Y方向上以間距P排列。另夕卜，如圖2B所示，噴嘴孔45構(gòu)成在X方向上配置于不同的位置的8列噴嘴列。構(gòu)成圖像數(shù)據(jù)的像素的X方向及Y方向的間距為P/2。
[0235]在第I次掃描中，使液滴著落于與噴嘴孔45對(duì)應(yīng)的像素列60A。像素列60A在X方向上構(gòu)成較長的直線。由于像素間距(鄰接的像素的中心間距離)為P/2，且噴嘴孔45的間距為P，所以液滴所著落的像素列60A在Y方向上隔開I個(gè)像素量的間隔來配置。像素列60A例如相當(dāng)于奇數(shù)列。
[0236]對(duì)I個(gè)噴嘴孔45F發(fā)生故障而無法吐出液滴的情況進(jìn)行說明。液滴著落于與正常的噴嘴孔45對(duì)應(yīng)的像素列60A的各像素。液滴不著落于與發(fā)生故障的噴嘴孔45F對(duì)應(yīng)的像素列60AF。
[0237]已著落的薄膜材料67A的平面形狀大致為圓形，其直徑D大于像素的間距。因此，薄膜材料67A擴(kuò)散至與已著落的像素鄰接的像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域。液滴并不著落于與發(fā)生故障的噴嘴孔45F對(duì)應(yīng)的區(qū)域，維持基板50 (圖4A)露出的狀態(tài)。當(dāng)薄膜材料廣范圍地?cái)U(kuò)散時(shí)，有時(shí)薄膜材料的外周附近到達(dá)與發(fā)生故障的噴嘴孔45F對(duì)應(yīng)的區(qū)域。但是，在該情況下，與其他區(qū)域的薄膜圖案相比，形成于與發(fā)生故障的噴嘴孔45F對(duì)應(yīng)的區(qū)域的薄膜圖案變得較薄。
[0238]圖29B中示出噴嘴單元40的示意側(cè)視圖、在第2次掃描中液滴所著落的像素列60B的俯視圖及著落并固化的薄膜材料67B的剖視圖。
[0239]第2次掃描在使噴嘴單元40相對(duì)基板50向Y軸的負(fù)方向僅移動(dòng)相當(dāng)于像素間距的3/2倍的距離即(3/2)P的狀態(tài)下進(jìn)行。由此，能夠使液滴著落于像素列60A之間的像素列60B。像素列60B例如相當(dāng)于偶數(shù)列。
[0240]液滴不著落于像素列60B中的與發(fā)生故障的噴嘴孔45F對(duì)應(yīng)的像素列60BF。未著落有液滴的像素列60AF和像素列60BF在Y方向上隔開2個(gè)像素量的間隔來配置。
[0241]在第2次掃描中液滴著落于在第I次掃描中未著落液滴的像素60AF的左右鄰的像素列60B。通過該液滴擴(kuò)散至像素列60AF的區(qū)域，與像素列60AF對(duì)應(yīng)的區(qū)域被薄膜材料67BS覆蓋。另外，與在第2次掃描中未著落液滴的像素列60BF對(duì)應(yīng)的區(qū)域通過第I次掃描被著落于左右鄰的像素列60A的薄膜材料67AS覆蓋。
[0242]因此，即使噴嘴孔45F發(fā)生故障而無法吐出液滴時(shí)，也可用來自正常的噴嘴孔45的液滴覆蓋應(yīng)通過發(fā)生故障的噴嘴孔45F著落液滴的區(qū)域。另外，能夠減小與發(fā)生故障的噴嘴孔45F對(duì)應(yīng)的區(qū)域的薄膜圖案的厚度與其他區(qū)域的薄膜圖案的厚度的差。
[0243]圖30中示出用比較例的方法形成薄膜圖案時(shí)的噴嘴單元40的示意側(cè)視圖、液滴所著落的像素列60A、像素列60B的俯視圖及已著落的薄膜材料67A、薄膜材料67B的剖視圖。
[0244]在用虛線表示的噴嘴單元40的位置進(jìn)行第I次掃描。第2次掃描在使噴嘴單元40向Y軸的負(fù)方向僅移動(dòng)相當(dāng)于間距的1/2的距離即P/2的狀態(tài)下進(jìn)行。在第I次掃描中液滴著落于像素列60A，第2次掃描中液滴著落于像素列60B。在第2次掃描中液滴未著落的像素列60BF與在第I次掃描中液滴未著落的像素列60AF鄰接。因此，來自周圍的像素的薄膜材料的擴(kuò)散變得不充分，無法以薄膜材料覆蓋與像素列60AF、像素列60BF對(duì)應(yīng)的區(qū)域的基板50的表面，或者該區(qū)域的薄膜圖案變薄。因此，觀察到涂布不充分的直線狀的不良圖案。
[0245]上述實(shí)施例10中，在I次掃描中，液滴著落于在Y方向上隔開I個(gè)像素量的間隔來配置的像素列。在第I次掃描與第2次掃描中從相同噴嘴孔吐出的液滴所著落的2列像素列在Y方向上隔開2個(gè)像素量的間隔來配置。因此，即使在噴嘴孔發(fā)生故障的情況下，也能夠抑制產(chǎn)生肉眼可觀察的涂布不良。另外，在第I次掃描和第2次掃描中，從相同噴嘴孔吐出的液滴所著落的2列像素列也可隔開3個(gè)像素量以上的間隔來配置。
[0246]當(dāng)假設(shè)噴嘴孔45F正常時(shí)，不良的像素列60AF、像素列60BF的間隔優(yōu)選設(shè)為原本著落于該2條像素列的液滴之間并不接觸的間隔。將相當(dāng)于從噴嘴孔吐出的I滴液滴的薄膜材料67A、薄膜材料67B的直徑設(shè)為D時(shí)，優(yōu)選將不良的像素列60AF與60BF的中心間距離設(shè)為D以上。
[0247]另外，實(shí)施例10中，將Y方向上的噴嘴孔45的間距P設(shè)為像素間距(像素的中心間距離)的2倍，但也可設(shè)為3倍以上的整數(shù)倍。例如，當(dāng)噴嘴孔45的間距P為像素的中心間距離的3倍時(shí)，在I次掃描中，液滴著落于在Y方向上隔開2個(gè)像素量的間隔來配置的像素列。在Y方向上每偏離nXP+P/3(n為正整數(shù))來進(jìn)行3次掃描，由此能夠使液滴遍及所有向Y方向連續(xù)的像素著落。
[0248]此時(shí)，在第I次掃描和第2次掃描中，以從相同噴嘴孔吐出的液滴所著落的2列像素列在Y方向上至少隔開3個(gè)像素量的間隔而配置的方式進(jìn)行掃描即可。同樣，在第2次掃描和第3次掃描中，以從相同噴嘴孔吐出的液滴所著落的2列像素列在Y方向上至少隔開3個(gè)像素量的間隔來配置的方式進(jìn)行掃描即可。
[0249][實(shí)施例11]
[0250]參考圖31，對(duì)實(shí)施例11的薄膜形成方法進(jìn)行說明。圖31的上部示出像素60與噴嘴孔45的相對(duì)位置關(guān)系，在下部示出在基板50的I次掃描中，液滴所著落的區(qū)域與噴嘴單元40的位置關(guān)系。
[0251]如圖31的上部所示，在X方向及Y方向上排列有像素60。將噴嘴孔45的間距設(shè)為P，將噴嘴孔45的個(gè)數(shù)設(shè)為N個(gè)。Y方向上的像素60的中心間距離為噴嘴孔45的間距P的1/2。在圖31所示的位置關(guān)系的情況下，能夠使液滴著落于奇數(shù)像素列60A。使噴嘴單元40向Y方向僅移動(dòng)P/2的奇數(shù)倍來進(jìn)行掃描，由此能夠使液滴著落于偶數(shù)像素列60B。
[0252]在I次掃描中，能夠?qū)挾萅XP的區(qū)域68進(jìn)行描繪。將寬度NXP的區(qū)域稱為單位掃描區(qū)域68。
[0253]如圖31的下部所示，將基板50的表面劃分為多個(gè)單位掃描區(qū)域68A。將該單位掃描區(qū)域68A稱為掃描區(qū)域組A的單位掃描區(qū)域68A。另外，改變邊界線的位置來將基板50的表面劃分為多個(gè)單位掃描區(qū)域68B。將該單位掃描區(qū)域68B稱為掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B。另外，I個(gè)掃描區(qū)域組的兩端的單位掃描區(qū)域68的寬度有時(shí)比NXP窄。對(duì)寬度比NXP窄的單位掃描區(qū)域68進(jìn)行掃描時(shí)，僅使用噴嘴單元40的一部分噴嘴孔45。
[0254]對(duì)掃描區(qū)域組A的單位掃描區(qū)域68A進(jìn)行掃描時(shí)，使液滴著落于奇數(shù)像素列60A，對(duì)掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B進(jìn)行掃描時(shí)，使液滴著落于偶數(shù)像素列60B。
[0255]掃描區(qū)域組A的相互鄰接的2個(gè)單位掃描區(qū)域68A的掃描在使噴嘴單元40向Y方向僅偏離NXP的狀態(tài)下進(jìn)行。由此，能夠?qū)呙鑵^(qū)域組A的所有單位掃描區(qū)域68A進(jìn)行掃描，并使液滴著落于所有奇數(shù)像素列60A。同樣，掃描區(qū)域組B內(nèi)的相互鄰接的2個(gè)單位掃描區(qū)域68B的掃描在使噴嘴單元40向Y方向僅偏離NXP的狀態(tài)下進(jìn)行。由此，能夠?qū)呙鑵^(qū)域組B的所有單位掃描區(qū)域68B進(jìn)行掃描，并使液滴著落于所有奇數(shù)像素列60B。
[0256]掃描區(qū)域組A的I個(gè)單位掃描區(qū)域68A的掃描和與其局部重疊的掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B的掃描在使噴嘴單元40向Y方向僅偏離NlXP+ (1/2)P的狀態(tài)下進(jìn)行。其中，NI為滿足NlXP + (1/2)P≥(3/2)P的整數(shù)。此時(shí)，在不同掃描工序中，在從相同噴嘴孔45吐出的液滴所著落的2列像素列之間至少確保2個(gè)像素量的間隔。因此，與實(shí)施例10的情況相同，即使噴嘴孔發(fā)生故障，也可抑制產(chǎn)生肉眼可觀察的涂布不良。
[0257]掃描單位掃描區(qū)域68的順序是任意的。例如，可對(duì)掃描區(qū)域組A的所有單位掃描區(qū)域68A進(jìn)行掃描之后，對(duì)掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B進(jìn)行掃描，也可從Y方向的其中一方的一端朝向另一方的一端按順序掃描單位掃描區(qū)域68。此時(shí)，交替進(jìn)行掃描區(qū)域組A的單位掃描區(qū)域68A的掃描和掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B的掃描。
[0258]參考圖32，對(duì)基于實(shí)施例11的變形例的薄膜形成方法進(jìn)行說明。
[0259]在該變形例中，Y方向上的像素的中心間距離為P/3。噴嘴孔45的個(gè)數(shù)為N個(gè)，噴嘴孔的間距為P。在該變形例中，也能夠在I次掃描中使液滴著落于寬度NXP的單位掃描區(qū)域68。實(shí)施例11中，劃分出掃描區(qū)域組A及掃描區(qū)域組B的2組單位掃描區(qū)域68，但在該變形例中，劃分出掃描區(qū)域組A、 掃描區(qū)域組B及掃描區(qū)域組C的3個(gè)掃描區(qū)域組的單位掃描區(qū)域68。[0260]當(dāng)對(duì)掃描區(qū)域組A的單位掃描區(qū)域68A進(jìn)行掃描時(shí)，使液滴著落于第(3i_2)像素列60A，當(dāng)對(duì)掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B進(jìn)行掃描時(shí)，使液滴著落于第(31-l)像素列60B，當(dāng)對(duì)掃描區(qū)域組C的單位掃描區(qū)域68C進(jìn)行掃描時(shí)，使液滴著落于第3i像素列60C。其中i為正整數(shù)。
[0261]掃描區(qū)域組A的單位掃描區(qū)域68A的掃描和與其局部重疊的掃描區(qū)域組C的單位掃描區(qū)域68C的掃描在使噴嘴單元40向Y方向僅偏離NI XP- (1/3)P的狀態(tài)下進(jìn)行。掃描區(qū)域組A的單位掃描區(qū)域68A的掃描和與其局部重疊的掃描區(qū)域組B的單位掃描區(qū)域68B的掃描在使噴嘴單元40向Y方向僅偏離N2XP- (1/3) P的狀態(tài)下進(jìn)行。其中，NI為滿足NlXP- (1/3)P≥(4/3)P的正整數(shù)，N2為滿足N2XP- (1/3)P≥(4/3)P的正整數(shù)。此時(shí)，在不同掃描工序中，在從相同噴嘴孔45吐出的液滴所著落的2列像素列之間至少確保3個(gè)像素量的間隔。因此，與實(shí)施例11的情況相同，即使噴嘴孔發(fā)生故障，也可抑制產(chǎn)生肉眼可觀察的涂布不良。
[0262]接著，對(duì)更一般化基于上述實(shí)施例11及其變形例的掃描區(qū)域組的個(gè)數(shù)的例子進(jìn)行說明。噴嘴孔45在Y方向上以間距P分布，在Y方向上鄰接的像素60的中心間距離為間距P的(1/M)。其中，M為正整數(shù)。通過將基板50的表面劃分為在一次掃描中描繪的單位掃描區(qū)域，劃分構(gòu)成I個(gè)掃描區(qū)域組(例如掃描區(qū)域組A)的多個(gè)單位掃描區(qū)域(例如單位掃描區(qū)域68A)。劃分出以邊界線的位置互不相同的方式區(qū)分的M個(gè)掃描區(qū)域組(例如掃描區(qū)域組A、掃描區(qū)域組B、掃描區(qū)域組C)。
[0263]每隔M列提取向X方向排列的像素列作為I個(gè)像素列組(例如多個(gè)像素列A)來劃分M個(gè)像素列組。對(duì)像素列組和掃描區(qū)域組建立I對(duì)I對(duì)應(yīng)關(guān)聯(lián)。例如，使掃描區(qū)域組A與由多個(gè)像素列60A構(gòu)成的像素列組建立對(duì)應(yīng)關(guān)聯(lián)，使掃描區(qū)域組B與由多個(gè)像素列60B構(gòu)成的像素列組建立對(duì)應(yīng)關(guān)聯(lián)。當(dāng)掃描單位掃描區(qū)域(例如單位掃描區(qū)域68A)時(shí)，使液滴著落于與該單位掃描區(qū)域?qū)?yīng)的像素列組(例如由多個(gè)像素列60A構(gòu)成的像素列組)。
[0264]著眼于任意2個(gè)掃描區(qū)域組時(shí)，控制裝置33 (圖1)以從相同噴嘴孔吐出的液滴所著落的像素列至少隔開2個(gè)像素量的間隔的方式，控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)21 (圖1)及噴嘴單元40(圖1)。
[0265]以上，根據(jù)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限定于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解例如能夠進(jìn)行各種變更、改良、組合等。
[0266]符號(hào)說明
[0267]20-平臺(tái)，21-移動(dòng)機(jī)構(gòu)，22-X移動(dòng)機(jī)構(gòu)，23_Y移動(dòng)機(jī)構(gòu)，24- 0旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，25-載物臺(tái)，30-支柱，31-橫樑，32-拍攝裝置，33-控制裝置，35-輸入裝置，40-噴嘴單元，41-支承部件(噴嘴夾具)，42A~42D-噴嘴頭，43-光源，43A-發(fā)光二極管，43B-柱面透鏡，45-噴嘴孔，46、46a、46b-噴嘴列，48A~48D-與噴嘴頭對(duì)置的區(qū)域，50-基板，51-液滴，52-滲入，53-薄膜圖案，55A~55D-噴嘴孔的圖像，56-與X軸垂直的虛擬平面，58-使薄膜材料附著的區(qū)域，60-像素，60a、60b-著落對(duì)象像素,60c、60d_沒有被選擇為著落對(duì)象的像素，60A.60B-像素列，61-薄膜圖案，62-環(huán)繞開口部的圓周，63-邊界區(qū)域，64-開口部，65-滿布區(qū)域，66-偏移區(qū)域，67A、67B-薄膜材料，68-單位掃描區(qū)域，70、71、72、73、74、76_電子組#,70&,71&,72&1,72&2,73&,74&,76&-連接部分，70b、71b、72bl、72b2、73b、74b、76b_ 焊錫，72A1,72A2-電子組件的下表面，75-導(dǎo)線，80、81-基板面內(nèi)區(qū)域。
【權(quán)利要求】
1.一種基板制造方法，
該基板制造方法反復(fù)進(jìn)行使光固化性薄膜材料的液滴著落于底層基板的表面中與著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的工序；及 通過光照射使著落于所述底層基板的所述薄膜材料固化的工序， 由此形成由所述薄膜材料構(gòu)成的薄膜圖案，其中， 以由二維分布的多個(gè)像素構(gòu)成的圖像數(shù)據(jù)定義所述薄膜圖案的平面形狀，所述著落對(duì)象像素為從所述底層基板表面中應(yīng)由所述薄膜材料涂滿的滿布區(qū)域內(nèi)的所述多個(gè)像素中提取的一部分像素， 著落于與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的所述薄膜材料向面內(nèi)方向擴(kuò)散至與未作為所述著落對(duì)象像素提取的像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域之后，使所述薄膜材料固化，由此形成覆蓋所述滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域，且具有一定厚度的所述薄膜圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制造方法，其中，還包括， 在使所述薄膜材料的液滴著落的工序之前，按照應(yīng)形成的所述薄膜圖案的厚度，選定所述滿布區(qū)域內(nèi)的所述著落對(duì)象像素的面密度，從而提取所述著落對(duì)象像素的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板制造方法，其中， 在所述滿布區(qū)域內(nèi)劃分出多個(gè)子區(qū)域，按每個(gè)所述子區(qū)域選定所述著落對(duì)象像素的面密度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板制造方法，其中， 所述多個(gè)像素配置成行列狀，按照應(yīng)形成的所述薄膜圖案的目標(biāo)解析度提取所述著落對(duì)象像素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基板制造方法，其中， 所述多個(gè)像素配置成行列狀，以構(gòu)成格子花紋的方式從所述多個(gè)像素提取所述著落對(duì)象像素， 使薄膜材料的液滴著落于與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置的工序中，具有: 進(jìn)行第I掃描的工序，即，使所述底層基板與具有多個(gè)噴嘴孔的噴嘴單元對(duì)置，并使所述底層基板相對(duì)于所述噴嘴單元向列方向移動(dòng)的同時(shí)，使薄膜材料的液滴著落于與每隔I個(gè)被選擇的列所含的所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置；及 進(jìn)行第2掃描的工序，即進(jìn)行所述第I掃描之后，使所述底層基板相對(duì)于所述噴嘴單元向列方向移動(dòng)的同時(shí)，使薄膜材料的液滴著落于與在所述第I掃描中未被選擇的列所含的所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板制造方法，其中， 形成所述薄膜圖案的工序包括: 沿著所述滿布區(qū)域內(nèi)的虛擬直線，以第I組著落對(duì)象像素、第2組著落對(duì)象像素、第3組著落對(duì)象像素、第4組著落對(duì)象像素按此順序重復(fù)出現(xiàn)的方式，將沿虛擬直線的多個(gè)著落對(duì)象像素分類為所述第I組至第4組時(shí)，使薄膜材料的液滴著落于第I組所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化的工序； 著落于所述第I組著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之后，使薄膜材料的液滴著落于所述第3組的所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化的工序； 著落于所述第3組著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之后，使薄膜材料的液滴著落于所述第2組的所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化的工序；及 著落于所述第2組著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之后，使薄膜材料的液滴著落于所述第4組的所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板制造方法，其中， 以使與所述滿布區(qū)域同未附著所述薄膜材料的區(qū)域的邊界線對(duì)應(yīng)的邊界區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度變得高于所述滿布區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度的方式提取所述著落對(duì)象像素。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板制造方法，其中， 所述邊界區(qū)域被劃分于比用所述圖像數(shù)據(jù)定義的邊界線更向所述滿布區(qū)域側(cè)后退的位置，不使薄膜材料的液滴著落于所述邊界區(qū)域與所述邊界線之間的偏移區(qū)域內(nèi)的像素，著落于所述著落對(duì)象像素的薄膜材料向面內(nèi)方向擴(kuò)散，由此所述偏移區(qū)域被薄膜材料覆至Jhl o
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的基板制造方法，其中， 所述多個(gè)像素配置成行列狀， 在形成所述薄膜 圖案的工序中，反復(fù)進(jìn)行多次掃描，所述掃描使具有沿行方向排列的多個(gè)噴嘴孔的噴嘴單元相對(duì)于所述底層基板向列方向相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，從所述噴嘴孔吐出薄膜材料的液滴，由此使薄膜材料著落于與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置， 使所述噴嘴單元相對(duì)于所述底層基板向行方向偏離來進(jìn)行所述多次掃描，以使基于某一次掃描的多個(gè)噴嘴孔的軌跡和基于其他掃描的所述多個(gè)噴嘴孔的軌跡交替嵌合， 向行方向偏離的偏離量為所述噴嘴孔的行方向間距的3/2倍以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的基板制造方法，其中， 按照著落于所述底層基板的薄膜材料的液滴高度的目標(biāo)值，選擇所述薄膜材料的液滴著落于所述底層基板之后至通過光照射使著落于所述底層基板的所述薄膜材料固化為止的時(shí)間。
11.一種基板制造裝置，其具有: 載物臺(tái)，保持底層基板； 噴嘴單元，與保持于所述載物臺(tái)的底層基板對(duì)置，且設(shè)置有朝向所述底層基板吐出光固化性薄膜材料的液滴的多個(gè)噴嘴孔； 移動(dòng)機(jī)構(gòu)，使所述載物臺(tái)及所述噴嘴單元的其中一方相對(duì)于另一方向與所述底層基板的表面平行的方向移動(dòng)； 光源，對(duì)保持于所述載物臺(tái)的底層基板的表面照射使所述薄膜材料固化的光；及 控制裝置，控制所述噴嘴單元及所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)， 所述控制裝置中， 將應(yīng)形成于所述底層基板的薄膜圖案的平面形狀，儲(chǔ)存為由二維分布的多個(gè)像素構(gòu)成的圖像數(shù)據(jù)， 從形成所述薄膜圖案的薄膜材料所涂滿的滿布區(qū)域內(nèi)的所述多個(gè)像素，提取應(yīng)使薄膜材料的液滴著落的一部分像素即著落對(duì)象像素， 控制所述噴嘴單元及所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，以使薄膜材料的液滴著落于所述底層基板的表面中與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的著落位置，并使已著落的液滴通過從所述光源照射的光而固化， 就所述著落對(duì)象像素而言，以著落于所述著落位置的薄膜材料向面內(nèi)方向擴(kuò)散至與未作為著落對(duì)象像素提取的像素對(duì)應(yīng)的位置為止而覆蓋所述滿布區(qū)域的整個(gè)區(qū)域的方式提取所述著落對(duì)象像素。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板制造裝置，其中， 所述控制裝置儲(chǔ)存應(yīng)形成于所述底層基板的薄膜圖案的厚度，按照應(yīng)形成的薄膜圖案的厚度，選定所述滿布區(qū)域內(nèi)的所述著落對(duì)象像素的面密度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的基板制造裝置，其中， 所述滿布區(qū)域內(nèi)劃分有多個(gè)子區(qū)域，所述控制裝置按每個(gè)所述子區(qū)域選定所述著落對(duì)象像素的面密度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的基板制造裝置，其中， 所述多個(gè)像素配置成行列狀，所述控制裝置按照應(yīng)形成的所述薄膜圖案的目標(biāo)解析度提取所述著落對(duì)象像素。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的基板制造裝置，其中， 所述多個(gè)像素配置成行列狀， 所述控制裝置在提取所述著落對(duì)象像素時(shí)，以所述著落對(duì)象像素構(gòu)成格子花紋的方式從所述多個(gè)像素中提取所述著落對(duì)象像素， 進(jìn)行第I掃描，即，使所述噴嘴單兀及所述底層基板的其中一方相對(duì)于另一方向列方向移動(dòng)的同時(shí)，使薄膜材料的液滴著落于與每隔I個(gè)被選擇的列所含的所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置，` 進(jìn)行第2掃描，即進(jìn)行所述第I掃描之后，使所述噴嘴單元及所述底層基板的其中一方相對(duì)于另一方向列方向移動(dòng)的同時(shí)，使薄膜材料的液滴著落于與在所述第I掃描中未被選擇的列所含的所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求11至15中任一項(xiàng)所述的基板制造裝置，其中， 在形成所述薄膜圖案時(shí)， 所述控制裝置以如下方式控制所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)及所述噴嘴單元，即，沿著所述滿布區(qū)域內(nèi)的虛擬直線，以第I組著落對(duì)象像素、第2組著落對(duì)象像素、第3組著落對(duì)象像素、第4組著落對(duì)象像素按此順序反復(fù)出現(xiàn)的方式，將沿虛擬直線的多個(gè)著落對(duì)象像素分類為所述第I組至第4組時(shí)，使薄膜材料的液滴著落于第I組所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化， 在著落于所述第I組著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之后，使薄膜材料的液滴著落于所述第3組所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化， 在著落于所述第3組著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之后，使薄膜材料的液滴著落于所述第2組所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化， 在著落于所述第2組著落對(duì)象像素的薄膜材料固化之后，使薄膜材料的液滴著落于所述第4組所述著落對(duì)象像素，并對(duì)已著落的薄膜材料照射光來使其固化。
17.根據(jù)權(quán)利要求11至16中任一項(xiàng)所述的基板制造裝置，其中， 在提取所述著落對(duì)象像素時(shí)，所述控制裝置以使與所述滿布區(qū)域同未附著所述薄膜材料的區(qū)域的邊界線對(duì)應(yīng)的邊界區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度變得高于所述滿布區(qū)域內(nèi)的著落對(duì)象像素的面密度的方式，提取所述著落對(duì)象像素。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板制造裝置，其中， 所述控制裝置在比用所述圖像數(shù)據(jù)定義的邊界線更向所述滿布區(qū)域側(cè)后退的位置劃分出所述邊界區(qū)域，并以與所述邊界區(qū)域和所述邊界線之間的像素對(duì)應(yīng)的區(qū)域通過著落于所述著落對(duì)象像素的薄膜材料向面內(nèi)方向擴(kuò)散而被薄膜材料覆蓋的方式在所述控制裝置中儲(chǔ)存后退量。
19.根據(jù)權(quán)利要求11至18中任一項(xiàng)所述的基板制造裝置，其中， 所述多個(gè)像素配置成行列狀， 所述噴嘴單元具有向行方向排列的多個(gè)噴嘴孔， 所述控制裝置以如下方式控制所述噴嘴單元及所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)，即， 反復(fù)進(jìn)行多次掃描，其中所述掃描使所述噴嘴單元相對(duì)于所述底層基板向列方向相對(duì)移動(dòng)的同時(shí)，從所述噴嘴孔吐出薄膜材料的液滴，由此使薄膜材料著落于與所述著落對(duì)象像素對(duì)應(yīng)的位置，且 以使所述噴嘴單元相對(duì)于所述底層基板向行方向偏離來進(jìn)行所述多次掃描，以使基于某一次掃描的多個(gè)噴嘴孔的軌跡的一部分與基于其他掃描的所述多個(gè)噴嘴孔的軌跡的一部分交替嵌合，并且 向行方向的偏離量成為所 述噴嘴孔的行方向間距的3/2倍以上。
【文檔編號(hào)】H05K3/28GK103688602SQ201280033928
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月8日
【發(fā)明者】岡本裕司, 礒圭二, 市川英志 申請(qǐng)人:住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社