配線基板及使用配線基板的高頻模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種配線基板以及使用配線基板的高頻模塊。本發(fā)明的高頻模塊用配線基板具備高頻傳輸用配線部和形成在配線部上的阻焊劑層。阻焊劑層以在位于從芯片零件的輸入輸出端子到規(guī)定距離之間的區(qū)域內且在配線部的局部具有開口部的方式覆蓋配線部。
【專利說明】配線基板及使用配線基板的高頻模塊【技術領域】[0001]本發(fā)明涉及配線基板及使用配線基板的高頻(微波或毫米波)模塊，特別是涉及在 配線基板上安裝有聞頻電路芯片例如無線IC的聞頻|旲塊?！颈尘凹夹g】[0002]目前，在安裝SMT (Surface Mount Technology)零件的基板中，廣泛使用在不進 行焊接的部分涂敷被稱為阻焊劑的電介質，限制焊錫以使其不會在基板上擴展的技術。[0003]另一方面，在安裝聞頻電路兀件(聞頻電路芯片)的基板及聞頻天線|旲塊用基板 中，由于在配線部附近配置電介質即阻焊劑，阻焊劑的介電損耗會引起高頻的傳輸損失。圖 41 (a)及圖41 (b)表示由阻焊劑層覆蓋的配線基板的一例。[0004]高頻天線模塊用配線基板I在電介質層4的表面及背面形成配線部3及背面配線 部7，搭載表面安裝型的零件，例如，芯片零件2。[0005]通過在搭載表面安裝型的芯片零件2的表面的配線部3的附近配置電介質即阻焊 劑層5，以使焊錫6不會在基板上擴展。但是，阻焊劑層5的介電損耗卻會引起高頻的傳輸 損失。另外，阻焊劑層5的有效介電常數的上升會帶來有效波長的縮短，使傳輸損失增大。[0006]作為上述的模塊基板相關的安裝方法，已知有專利文獻I記載的技術。專利文獻 I的安裝方法公開了如下的模塊制作，即，在基板制作的時候，涂敷阻焊劑層，在基板上焊錫 安裝了 SMT零件之后，利用溶劑將阻焊劑層全部去除，由此來抑制高頻特性的損失。[0007]專利文獻1:日本特開昭62 - 11296號公報[0008]但是，在專利文獻I所示的現有技術中存在如下所示的課題。阻焊劑層除了具有 抑制焊錫的擴展的效果之外，還兼有使成為配線的基板上的導體圖案的緊密貼合強度上升 的效果。導體配線或天線的無源元件配線通過阻焊劑層來保持向基板的緊密貼合強度，因 此在將阻焊劑全部去除的上述專利文獻I的技術中，容易產生配線的剝離，模塊的可靠性 下降。
【發(fā)明內容】
[0009]本發(fā)明是鑒于上述情況而進行的，其目的在于提供一種高頻模塊用配線基板及使 用高頻模塊用配線基板的高頻模塊，不用將阻焊劑層全部去除卻能夠抑制介電損耗的影 響、有效波長的縮短，抑制傳輸損失的增大，提高配線的強度，可靠性高。[0010]因此，本發(fā)明的高頻模塊用配線基板具備高頻傳輸用配線部、形成在所述配線部 上的阻焊劑層，所述阻焊劑層在從芯片零件的輸入輸出端子到規(guī)定距離的區(qū)域內，在所述 配線部上的局部具有開口部。[0011]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部包含隔開規(guī)定間隔而形成的多 個開口。[0012]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述阻焊劑層的所述開口部由具有規(guī)定間 隔的條紋狀圖案構成。[0013]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部為四邊形。[0014]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部為圓形或橢圓形。[0015]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部包含所述配線部的側面。[0016]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部沿著所述配線部而形成，留下沿 著所述配線部的電流路(電流方向)的端緣部并排列在配線部上。[0017]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部的間隔在所述配線部上為傳輸 頻率(波長λ g)的λ g/8以下。[0018]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部的間隔形成為隨著遠離搭載于 所述配線部的表面安裝型的芯片零件的輸入輸出端子而逐漸地變小。[0019]另外，在上述高頻模塊用配線基板中，所述開口部的寬度形成為隨著遠離搭載于 所述配線部的表面安裝型的芯片零件的輸入輸出端子而逐漸地變大。[0020]另外，本發(fā)明提供一種高頻模塊，其使用上述高頻模塊用配線基板，在所述配線部 的局部具有經由輸入輸出端子而搭載的表面安裝型的芯片零件。[0021]另外，本發(fā)明提供一種高頻模塊，其使用上述高頻模塊用配線基板，所述配線部用 于微波或毫米波傳輸。[0022]根據本發(fā)明，不將阻焊劑層全部去除就能夠維持高頻特性，提供配線強度高的高 頻模塊用配線基板?！緦＠綀D】

【附圖說明】[0023]圖1 (a)是使用本發(fā)明實施方式I的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部分 構成的說明圖(俯視圖)，(b)是沿配線方向剖切的說明圖(剖面圖)；[0024]圖2(a)是本發(fā)明實施方式I的高頻模塊用配線基板的配線部的主要部分立體圖， (b)是(a)的A —A剖面圖；[0025]圖3是本發(fā)明實施方式I的高頻模塊的整體概要圖；[0026]圖4是本發(fā)明實施方式I的高頻模塊的表面安裝型的芯片零件(SMT零件)2附近 的阻焊劑層的圖案的俯視圖；[0027]圖5是表示本發(fā)明實施方式I的高頻模塊的三端子構造的高頻IC芯片9附近的 阻焊劑層的圖案的俯視圖；[0028]圖6是表示使用本發(fā)明實施方式I的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的變形例的 圖；[0029]圖7是表示對本發(fā)明實施方式I的高頻模塊用配線基板的使阻焊劑層的開口部的 間隔變化時的反射特性進行了測定的結果的圖；[0030]圖8是表示對本發(fā)明實施方式I的高頻模塊用配線基板的使阻焊劑層的開口部的 間隔變化時的反射特性進行了測定的結果的圖；[0031]圖9是表示使用本發(fā)明實施方式2的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部分 構成的圖；[0032]圖10是表示使用本發(fā)明實施方式3的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的俯視圖；[0033]圖11 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式3的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部分構成的俯視圖，(b)是沿配線方向剖切的剖面圖(A - A剖面圖)；[0034]圖12 Ca)是表示使用本發(fā)明實施方式4的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主 要部分構成的俯視圖，(b)是沿配線方向剖切的剖面圖(A — A剖面圖)；[0035]圖13 Ca)是表示使用本發(fā)明實施方式5的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主 要部分構成的俯視圖，(b)是沿配線方向剖切的剖面圖(A — A剖面圖)；[0036]圖14是表示使用本發(fā)明實施方式6的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的圖；[0037]圖15是表示使用本發(fā)明實施方式7的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的圖；[0038]圖16是表示使用本發(fā)明實施方式7的高頻模塊用配線基板的變形例的高頻模塊 的主要部分構成的圖；[0039]圖17是表示使用本發(fā)明實施方式8的高頻模塊用配線基板的變形例的高頻模塊 的主要部分構成的圖；[0040]圖18是表示使用本發(fā)明實施方式9的高頻模塊用配線基板的變形例的高頻模塊 的主要部分構成的圖；[0041]圖19 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式10的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主 要部分構成的圖(俯視圖)；(b)是沿配線方向剖切的圖(剖面圖)；[0042]圖20 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式10的高頻模塊用配線基板的變形例的高頻 模塊的主要部分構成的圖(俯視圖)，(b)是沿配線方向剖切的的圖(剖面圖)；[0043]圖21是表示本發(fā)明實施方式11的高頻模塊的構成的立體圖；[0044]圖22 Ca)是圖21的A — A剖面圖，(b)是圖21的B — B剖面圖；[0045]圖23是表示本發(fā)明實施方式12的高頻模塊的構成的俯視圖；[0046]圖24是表示本發(fā)明實施方式13的高頻模塊的構成的俯視圖；[0047]圖25是表示本發(fā)明實施方式14的高頻模塊的構成的俯視圖；[0048]圖26是表示本發(fā)明實施方式15的高頻模塊的構成的俯視圖；[0049]圖27 Ca)?(C)是表示本發(fā)明實施方式16的高頻模塊的構成的圖，Ca)是俯視 圖，(b)是(a)的A — A剖面圖，(c)是表示(b)的變形例的剖面圖；[0050]圖28 (a)及(b)是表示本發(fā)明實施方式17的高頻模塊的構成的圖，Ca)是俯視 圖，(b)是(a)的A — A剖面圖；[0051]圖29 (a)及(b)是表示本發(fā)明實施方式18的高頻模塊的構成的圖，Ca)是俯視 圖，(b)是(a)的A — A剖面圖；[0052]圖30 (a)及(b)是表示本發(fā)明實施方式19的高頻模塊的構成的圖，Ca)是俯視 圖，(b)是(a)的A — A剖面圖；[0053]圖31 (a)及(b)是表示本發(fā)明實施方式19的高頻模塊的變形例的構成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)的A — A首I]面圖；[0054]圖32 (a)及(b)是表示本發(fā)明實施方式20的高頻模塊的變形例的構成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)的A — A首I]面圖；[0055]圖33 (a)及(b)是表示本發(fā)明實施方式21的高頻模塊的變形例的構成的圖，(a) 是俯視圖，(b)的(a)的A — A剖面圖；[0056]圖34 (a)?(d)是表示本發(fā)明實施方式21的高頻模塊的變形例的構成的圖，(a) 及(b)是表示本實施方式的高頻模塊的主要部分俯視圖及主要部分剖面圖，(c)及(d)是本 實施方式的高頻電路芯片的俯視圖及剖面圖；[0057]圖35是表示本發(fā)明實施方式22的高頻模塊的主要部分俯視圖的圖；[0058]圖36 (a)及(b)是本發(fā)明實施方式23的高頻模塊的主要部分俯視圖及剖面圖；[0059]圖37是表示比較例的高頻模塊的構成的立體圖；[0060]圖38 Ca)是圖37的A — A剖面圖，(b)是圖37的B — B剖面圖；[0061]圖39是表示比較例的高頻模塊的主要部分俯視圖的圖；[0062]圖40 (a)及(b)是表示比較例的高頻模塊的主要部分俯視圖的圖；[0063]圖41 Ca)是表示使用現有例的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部分構成 的說明圖(俯視圖)，(b)是沿配線方向剖切的說明圖(剖面圖)；[0064]標記說明[0065]1:配線基板[0066]2:表面安裝型的芯片零件(SMT零件)[0067]2a、2b:輸入輸出端子[0068]3、3s、3p:配線部[0069]4:電介質層[0070]5:阻焊劑層[0071]6:焊錫[0072]7:背面配線部[0073]8、8c、8d、8p:開口部[0074]8s:側面開口部[0075]9:尚頻IC芯片[0076]9a、9b、9c:輸入輸出端子[0077]10:天線元件[0078]101:高頻模塊[0079]102:聞頻電路芯片[0080]103:配線基板[0081]104:輸入輸出端子(凸點)[0082]105:密封樹脂[0083]105e:密封端[0084]106:阻抗調節(jié)電路[0085]107:配線部[0086]107e:邊緣[0087]108:接地層[0088]109:芯片配線[0089]110:電介質基板[0090]16、26、36、46、56、166:阻抗調節(jié)電路[0091]16a、16b、16c:電介質層的圖案[0092]60R:阻抗調節(jié)部[0093]61:阻抗調節(jié)元件芯片[0094]62:凸部[0095]63:凹部【具體實施方式】[0096]以下，參照附圖對本發(fā)明實施方式的高頻模塊用配線基板(高頻模塊基板)進行詳 細地說明。[0097](實施方式I)[0098]圖1 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式I的高頻模塊用的配線基板的高頻模塊的主 要部分構成的說明圖(俯視圖)，圖1 (b)是沿配線方向剖切的說明圖(剖面圖)。圖2 (a)是 配線部的主要部分立體圖，圖2 (b)是圖2 (a)的A — A剖面圖，圖3是高頻模塊的整體概 要圖。[0099]圖4是表示表面安裝型的芯片零件(SMT零件)2附近的阻焊劑層的圖案的俯視圖。 圖5是表示三端子構造的SMT零件即高頻IC芯片9附近的阻焊劑層的圖案的俯視圖。[0100]本實施方式的高頻模塊用配線基板I具備高頻傳輸用配線部3以及形成在配線部 3上的阻焊劑層5。阻焊劑層5的開口部8由多個條紋狀的圖案構成。阻焊劑層5通過規(guī) 定的間隔覆蓋配線部3。[0101]如圖3的整體圖、圖4的主要部分放大圖所示，阻焊劑層5在從表面安裝型的芯片 零件(SMT零件)2的輸入輸出端子2a、2b到規(guī)定距離LI的區(qū)域內，在配線部3上的局部具 有開口部8。[0102]另外，阻焊劑層5覆蓋配線部3，以使在從高頻IC芯片9的輸入輸出端子9a、9b、 9c到規(guī)定距離LI的區(qū)域內，在配線部3上的局部具有開口部8。[0103]另外，配線基板I的背面由使用金屬而形成的背面配線部7覆蓋整個面，相對于表 面的配線部3，構成微帶線路。[0104]另外，通過參照圖3的整體圖，可明確相互的位置關系及配線部的構成。[0105]配線基板在使用高熔點玻璃環(huán)氧多層材料而構成的電介質層4上形成有使用 銅Cu的表面配線部3和背面配線部7，如上所述地在表面上層形成有使用了例如被稱為 PSR4000 - AuS703的日立化成研制的感光性液體狀阻焊劑的阻焊劑層5。[0106]阻焊劑層5例如為IGHz的介電常數為3.8，介質損耗因數tan σ為0.026。另外， 例如，基體的板厚設為40 μ m，配線部的阻焊劑層5的厚度設為15 μ m，表面配線部3及背面 配線部7的厚度設為16 μ m。另外，例如，表面配線部3的配線寬度設為65 μ m，線路的特性 阻抗成為50 Ω。[0107]而且，將涂敷阻焊劑層5的部分的配線方向的寬度設為ΙΟΟμπι，將不涂敷阻焊劑 的部分的配線方向的寬度設為100 μ m，且將以上的值設為代表值。另外，阻焊劑層的開口部 8由與配線部3的方向正交的條紋狀的圖案構成。阻焊劑層5由規(guī)定的間隔(每IOOym間 隔100 μ m的寬度)來覆蓋表面配線部3。[0108]另外，開口部8為四邊形。[0109]另外，在SMT零件的安裝中，配線基板I上的表面配線部3、雙端子元件例如構成電阻的SMT零件2、具有三端子元件的高頻IC芯片9的各端子分別通過焊錫6來連接。[0110]為了進行安裝，通過在帶有焊錫6的部分不涂敷阻焊劑層5，能夠進行抑制了焊錫 6的擴展的SMT零件安裝，避免與其他零件或配線部3的各配線的基于焊錫6實現的連接。[0111]另外，在本實施方式中，為了抑制介電損耗的影響或有效波長的縮短，且抑制傳輸 損失的增大，與配線部的延伸方向垂直的方向上的條紋狀地局部去除阻焊劑層5，在配線部 3選擇性地設置開口部，由阻焊劑層5覆蓋配線部3的局部。[0112]因此，阻焊劑層5也起到保持配線基板I上的配線部3和電介質層4的連接強度 的作用。[0113]在本發(fā)明的配線基板中，如圖1 (a)及圖1 (b)所示，通過在SMT零件的安裝部分 以外設置不涂敷阻焊劑層5的部分來構成。[0114]根據本實施方式的配線基板I，通過在形成有配線部3的配線基板I上沿著配線交 替地設置涂敷阻焊劑的部分和不涂敷阻焊劑的部分，能夠減輕阻焊劑的介電損耗引起的傳 輸損失。另外，通過也抑制有效介電常數的上升，且抑制有效波長的縮短，能夠減小傳輸損 失的增大。[0115]另外，在本實施方式中，在與雙端子的SMT零件連接的兩個配線的兩側及與三端 子的SMT零件連接的三個配線的全部阻焊劑層5上設有不涂敷的部分，但也可以如圖6的 變形例所示，對配線部3的配線中的至少一個，在阻焊劑層5上設置不涂敷的部分。[0116]根據本實施方式的配線基板，通過不是將阻焊劑層5全部去除，而是在配線部的 配線上的局部進行去除，能夠提供抑制介電損耗的影響、有效波長的縮短，抑制傳輸損失的 增大，提高配線的強度，可靠性高的高頻模塊用配線基板。[0117]另外，圖7表示對使開口部8的間隔變化時的反射特性進行了測定的結果?？v軸 為反射特性，橫軸為頻率(GHz )。[0118]線a是由阻焊劑層覆蓋了整體的(w/oSR)測定值，線b是將阻焊劑層的開口部的 間隔設為ΙΟΟμπι的測定值，線c是將阻焊劑層的開口部的間隔設為200μπι的測定值，線d 是將阻焊劑層的開口部的間隔設為300 μ m的測定值，線e是將阻焊劑層的開口部的間隔設 為400 μ m的測定值，線f是將阻焊劑層的開口部的間隔設為500 μ m的測定值，線g是將阻 焊劑層的開口部的間隔設為600 μ m的測定值。[0119]由圖7可知，在阻焊劑層的開口部的間隔為400μπι以上時，其反射性比間隔為 300 μ m以下時下降。在阻焊劑層的開口部的間隔大于400 μ m的情況下，反射特性成為一 30 [dB]以下。[0120]另外，圖8表示對60GHz的反射特性進行了測定的結果。在圖8中，縱軸表示反射 特性，橫軸表示阻焊劑(SR)的設置寬度即開口部的間隔。在阻焊劑的設置寬度即開口部的 間隔在400 μ m以上時，其反射特性比間隔為300 μ m以下時下降。另外，在60GHz時，300 μ m 成為λ g/8 (Ag:傳遞頻率的波長)。[0121]S卩，在高頻模塊用配線基板中，開口部的間隔在配線部上優(yōu)選設為傳輸頻率的 入g/8以下。[0122]另外，開口部的間距即開口部寬度和阻焊劑層的圖案寬度之和優(yōu)選設為比傳輸頻 率的波長的二分之一還小的值。這是因為，當以波長的二分之一的間隔進行反復并使阻抗 變化時，向輸入側的信號的反射就會增大。[0123]阻抗變化點成為高頻信號的反射面，信號的一部分沿原路徑反射，其余的信號透 過。從輸入側輸入的信號中的在第η+I個反射面反射的信號穿過二分之一波長的路徑并 返回到第η個反射面。反射后的信號產生了相當于二分之一波長量的相位變化，在第η個 反射面不會被再次反射，而是向輸入側返回，因此反射特性變差。[0124]因此，可以說開口部寬度和阻焊劑層的圖案寬度之和優(yōu)選設為比傳輸頻率的波長 入g的二分之一還小的值。[0125](實施方式2)[0126]圖9是表示使用本發(fā)明實施方式2的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部分 構成的圖，是表示表面安裝型的芯片零件(SMT零件)2附近的阻焊劑層5的圖案的俯視圖。[0127]實施方式2的阻焊劑層在配線部3上的阻焊劑層5的圖案上以規(guī)定的間隔形成有 圓形狀的開口部Sc。另外，關于其他部分，例如，配線部的構成與上述實施方式同樣，在此省 略說明。[0128]另外，開口部Sc的間隔與實施方式I同樣地，優(yōu)選設為Ag/8以下程度。[0129]另外，關于不涂敷阻焊劑的部分，即開口部，不限于條紋狀、四邊形、圓形，也可以 通過例如多邊形、如圖10所示地橢圓形的開口部8d來實現。[0130]根據本實施方式的配線基板，與上述實施方式I同樣地，通過不是全部去除阻焊 劑層5，而是在配線部的配線上的局部進行去除，能夠提供抑制介電損耗的影響、有效波長 的縮短，抑制傳輸損失的增大，提高配線的強度，可靠性高的高頻模塊用配線基板。[0131](實施方式3)[0132]圖11 (a)及圖11 (b)是表示使用本發(fā)明實施方式3的高頻模塊用配線基板的高 頻模塊的主要部分構成的圖。圖11 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式3的高頻模塊用配線 基板的高頻模塊的主要部分構成的俯視圖，圖11(b)是沿配線方向剖切的剖面圖(A - A剖 面圖)。[0133]實施方式3的高頻模塊用配線基板的阻焊劑層與實施方式I同樣地，條紋狀地形 成開口部8，但留下配線部3上的阻焊劑層5，去除配線部3的側面的阻焊劑層5。因此，配 線部3的側面成為側面開口部8s。[0134]另外，其他部分、例如配線部3的構成與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0135]另外，與實施方式I同樣地，開口部8的間隔優(yōu)選設為Ag/8以下程度。[0136]另外，關于不涂敷阻焊劑的部分、即開口部8，不限于條紋狀、四邊形、圓形，也可以 通過例如多邊形、圖10所示的橢圓形的開口部8d來實現。[0137]根據本實施方式的配線基板，與上述實施方式I同樣地，通過不是全部去除阻焊 劑層5，而是在配線部的配線上的局部進行去除，能夠提供抑制介電損耗的影響、有效波長 的縮短，抑制傳輸損失的增大，提高配線的強度，可靠性高的高頻模塊用配線基板。[0138](實施方式4)[0139]圖12 (a)及圖12 (b)是表示使用本發(fā)明實施方式4的高頻模塊用配線基板的高 頻模塊的主要部分構成的圖。圖12 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式4的高頻模塊用配線 基板的高頻模塊的主要部分構成的俯視圖，圖12(b)是沿配線方向剖切的剖面圖(A - A剖 面圖)。[0140]實施方式4的高頻模塊用配線基板的阻焊劑層基本上與實施方式3同樣地條紋狀地形成開口部8，但留下配線部3上的阻焊劑層5，去除配線部3的側面的阻焊劑層5。因 此，配線部3的側面成為開口部8p。[0141]另外，在本實施方式中，在配線部3的側面邊緣部也將阻焊劑層5去除并形成開口 部8。[0142]另外，關于其他部分，例如，配線部3的構成與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0143]另外，在配線部3流動的電流由于配線部3的邊緣部分占據一大半，故使邊緣部分 暴露對介電損耗上更為有效。[0144]另外，在本實施方式中，關于不涂敷阻焊劑層的部分、即開口部，不限于條紋狀、四 邊形、圓形，也可以通過例如多邊形、圖10所示的橢圓形的開口部8d來實現。[0145]根據本實施方式的配線基板，與上述實施方式I同樣地，通過不是全部去除阻焊 劑層5，而是在配線部的配線上的局部進行去除，能夠提供抑制介電損耗的影響、有效波長 的縮短，抑制傳輸損失的增大，提高配線的強度，可靠性高的高頻模塊用配線基板。[0146](實施方式5)[0147]圖13 (a)及圖13 (b)是表示使用本發(fā)明實施方式5的高頻模塊用配線基板的高 頻模塊的主要部分構成的圖。圖13 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式5的高頻模塊用配線 基板的高頻模塊的主要部分構成的俯視圖，圖13(b)是沿配線方向剖切的剖面圖(A - A剖 面圖)。[0148]在實施方式5的高頻模塊用配線基板I中，通過將不涂敷阻焊劑層5的部分配置 在配線基板I的配線部3上來實現。[0149]在配線部3上的阻焊劑層5上基本上以規(guī)定的間隔形成了開口部，但在本實施方 式中，在配線部3的側面邊緣部的周邊也可以在比配線寬度稍寬的區(qū)域，去除阻焊劑層5并 形成開口部8p。[0150]在配線部3中流動的電流由于配線部3的邊緣部分占據一大半故使邊緣部分暴露 對介電損耗上更為有效。[0151]另外，關于其他部分、例如配線部3的構成，與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0152]另外，在本實施方式中，關于不涂敷阻焊劑層的部分、即開口部，不限于條紋狀、四 邊形、圓形，也可以通過例如多邊形、橢圓形來實現。[0153]根據本實施方式的配線基板，與上述實施方式I同樣，通過不是全部去除阻焊劑 層5，而是去除配線部3的配線上的局部，能夠提供抑制介電損耗的影響、有效波長的縮短， 抑制傳輸損失的增大，進一步提高配線的強度，進一步提高表面保護性，可靠性高的高頻模 塊用配線基板。[0154](實施方式6)[0155]圖14是表示使用本發(fā)明實施方式6的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的圖。[0156]在實施方式6的高頻模塊用配線基板中，如圖14所示，也可以通過在配線基板上 的配線部3連續(xù)地配置涂敷阻焊劑層的部分、不涂敷阻焊劑層的部分之后，如圖14的右部 所示，連續(xù)地配置不涂敷阻焊劑層的部分R來實現。[0157]在圖14中，在從輸入輸出端子部分到LI = λ g/4的距離的范圍內，連續(xù)地配置有 涂敷阻焊劑層的部分和不涂敷阻焊劑層的部分，形成有條紋狀的開口部8。[0158]在此，在距輸入輸出端子部分為LI = λ g/4的情況下，例如，通過將開口部的間隔 設為λ g/24，能夠形成多個開口部，進而能夠滿足上述實施方式中所述的開口部的間隔為 入g/8以下的條件。[0159]另外，關于其他部分、例如配線部的構成，與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0160]根據該構成，在阻焊劑層的圖案設計中，自由度高，容易進行設計。[0161](實施方式7)[0162]圖15是表示使用本發(fā)明實施方式7的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的圖。[0163]在實施方式7的高頻模塊用配線基板中，也可以如圖15所示地由阻焊劑層5覆蓋 與SMT零件不是直接連接的配線基板上的配線部3s，或者，也可以如圖16所示地由阻焊劑 層5覆蓋不是與零件的電極或其他配線連接的配線基板上的配線部3p，間歇地形成開口部8。[0164]另外，關于配線部、其他部分的構成，與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0165]如上所述，本發(fā)明對與SMT零件不是直接連接的配線，或者不是與零件的電極、其 他配線連接的配線都能夠應用。[0166](實施方式8)[0167]圖17是表示使用本發(fā)明實施方式8的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的圖。[0168]在實施方式8的高頻模塊用配線基板中，如圖17所示，開口部8的配置間隔形成 為隨著遠離搭載于配線部3的表面安裝型的芯片零件2的輸入輸出端子2b而逐漸地變小。[0169]S卩，阻焊劑層5的寬度形成為遠離搭載于配線部3的表面安裝型的芯片零件2的 輸入輸出端子2b而逐漸地變寬。[0170]另外，關于其他部分、例如配線部的構成，與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0171]根據該構成，通過階段性地減小線路上的電介質的比例，具有防止電介質的急劇 變化引起的反射特性變差這樣的效果。[0172](實施方式9)[0173]圖18是表示使用本發(fā)明實施方式9的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主要部 分構成的圖。[0174]在實施方式8的高頻模塊用配線基板中，如圖18所示，開口部8的間隔形成為隨 著遠離搭載于配線部3的表面安裝型的芯片零件2的輸入輸出端子2b而逐漸地變大。另 夕卜，關于其他部分、例如配線部的構成，與上述實施方式同樣，在此省略說明。[0175]根據該構成，通過階段性地減小線路上的電介質的比例，具有防止電介質的急劇 變化引起的反射特性變差這樣的效果。[0176](實施方式10)[0177]圖19 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式10的高頻模塊用配線基板的高頻模塊的主 要部分構成的說明圖(俯視圖)，圖19 (b)是沿配線方向剖切的說明圖(A — A線剖面圖)。 圖19 (a)所示的高頻模塊設有天線元件10來代替圖1 (a)所示的設于實施方式I的高頻 模塊用配線基板I上的表面安裝型的SMT零件2。配線基板上的配線部3及阻焊劑層5與 實施方式I同樣。另外，天線元件10的一端和最近的阻焊劑層5的距離優(yōu)選為λ /8以上。[0178]圖20 (a)是表示使用本發(fā)明實施方式10的高頻模塊用配線基板的變形例的高頻模塊的主要部分構成的說明圖(俯視圖)，圖20(b)是沿配線方向剖切的說明圖(A — A線剖面圖)。如圖20 (a)及圖20 (b)所示，如果想提高天線單元10的向配線基板的安裝強度， 也可以在天線單元10上涂敷阻焊劑層5。[0179](實施方式11~23的內容概述)[0180]在小型無線模塊中，通過在構成模炔基板的配線基板上將高頻電路芯片(例如，無線IC)倒裝片安裝，或者將高頻電路芯片安裝于BGA (球柵陣列)封裝之后再進行二次安裝， 從而搭載于1旲炔基板。為了提聞聞頻電路芯片或BGA封裝向配線基板的安裝強度，且為了提聞聞頻電路芯片的防塵、防潮特性，在配線基板與聞頻電路芯片或BGA封裝之間注入密封樹脂。
[0181]但是，由于密封樹脂為電介質，故在高頻模塊中，當在配線上或配線的周邊存在密封樹脂時，阻抗就發(fā)生變化，會產生信號損失或阻抗不匹配。另外，即使在密封樹脂以外存在用于零件安裝的粘接劑或電介質零件也會有同樣的問題。[0182]可是，“阻抗”是表示高頻電力在傳輸線路中進行傳播時的電壓和電流之比的物理量。另外，將符合取出某信號源具有的最大功率的條件的情況稱為“匹配”。反之，將某信號源和信號輸入目的地的阻抗不一致的狀態(tài)稱為“不匹配”。[0183]在不匹配的狀態(tài)下，不傳輸全部的電力，將電力的一部分逆行返回的波稱為“反射波”。將前行的電力和逆行返回的電力合成且在特定的位置產生電力抵消的波稱為“駐波”。[0184]反射的大小由電壓反射系數gamma來表示，且利用[0185]gamma= (ZX- Z0) / (ZX + Z0)[0186]來求出。在此，ZX為被測定物的阻抗(Ω )，ZO為測定電路的特性阻抗(Ω )，通常為 50Ω。[0187]當用回波損耗來表示時，[0188]回波損耗(dB)=—20XL0G| gamma。[0189]零件安裝用的接合區(qū)(配線電極)與配線同樣，通過高精度地調節(jié)阻抗匹配而設計，但由于焊錫抗蝕劑通過掩模印刷來形成，故而難以進行位置、厚度的控制。[0190]另外，當在配線基板的配線上覆蓋密封樹脂時，在該部分，有效介電常數發(fā)生變化。因此，阻抗發(fā)生變化，產生阻抗不匹配引起的損失、導致駐波的發(fā)生。另外，高頻電路芯片安裝時所使用的密封樹脂由于高頻電路芯片的安裝高度、涂敷量的精度低，故而難以恒定地實現該部分的阻抗。[0191]因此，作為減輕焊錫抗蝕劑的影響的方法，已知有參考文獻I (日本特開昭63 -67795號公報)記載的方法。在參考文獻I的高頻模塊中，在基板制造時形成焊錫抗蝕劑(阻焊劑)，在錫焊工藝中安裝了零件之后，利用水或有機溶劑去除焊錫抗蝕劑，防止特性變化。[0192]另外，為了提聞聞頻電路芯片或BGA封裝向I旲炔基板的安裝強度，為了提聞聞頻電路芯片的防塵、防潮特性，在基板和高頻電路芯片、BGA封裝之間注入密封樹脂。[0193]但是，由于密封樹脂為電介質，故當在模炔基板的配線上覆蓋密封樹脂時，在該部分，有效介電常數發(fā)生變化。因此，由于阻抗不匹配而使傳輸損失增大，駐波顯露。[0194]作為減輕密封樹脂的影響的技術，已知有參考文獻2 (日本特開2000 - 269384號公報)記載的技術。參考文獻2記載的高頻模塊設有對MMIC (單片微波集成電路)芯片的內側的電路進行包圍的絕緣體壁，對絕緣體壁的外側實施有密封樹脂。由此，在配線基板與 高頻電路芯片之間能夠縮小密封樹脂覆蓋的范圍，能夠減小阻抗的變化。[0195]但是,在參考文獻1、2所示的現有高頻模塊中,存在如下所示的課題。[0196]在參考文獻I中，在安裝后去除阻焊，但由于沒有阻焊的包覆，故在配線與配線基 板之間，難以得到足夠的接合強度。另外，高頻電路芯片附近的配線有時也被密封樹脂包 覆，在配線上具有阻抗急劇變化的部分，產生不連續(xù)。[0197]另外，在參考文獻2中，由于在高頻電路芯片的電路面出現未被密封樹脂包覆的 場所，故會有損防塵、防水效果，難以得到足夠的接合強度。另外，由于在配線基板的配線上 存在密封樹脂，故難以防止密封樹脂存在的區(qū)域和不存在的區(qū)域的阻抗的不連續(xù)引起的損 失、駐波的發(fā)生。[0198]本發(fā)明是鑒于上述情況而進行的，其目的在于提供一種高頻模塊，即使全部由密 封樹脂覆蓋高頻電路芯片的IC電路面，也能夠抑制配線基板上的配線的阻抗變化引起的 損失或駐波發(fā)生。[0199]參照附圖對構成本發(fā)明實施方式的無線模塊的高頻模塊101進行說明。[0200](實施方式11)[0201]圖21是表示實施方式I的高頻模塊101的構成的說明圖(立體圖)，圖22(a)及圖 22 (b)是圖21的剖面圖，圖22 Ca)是通過沿配線方向使配線部107包含于其中而剖切高 頻模塊時的A — A剖面圖，圖22 (b)是B — B剖面圖。高頻模塊101通過將高頻電路(微 波或毫米波用IC)芯片102安裝于作為模塊基板的配線基板103而構成。[0202]在圖21、圖22 (a)及圖22 (b)中表示高頻電路芯片102的電路形成面與配線基 板103對向，且將上下面翻轉進行安裝的倒裝片安裝的例子。在圖21、圖22 (a)及圖22 (b)所示的本實施方式的高頻模塊101中，在高頻電路芯片102的安裝部即輸入輸出端子 104的外側配置有阻抗調節(jié)電路106。圖37、圖38 (a)及圖38 (b)是比較圖，圖37是未形 成阻抗調節(jié)電路106的高頻模塊的構成的說明圖(立體圖)，圖38 (a)是通過沿配線方向使 配線部107包含于其中而剖切高頻模塊時的A — A剖面圖，圖38 (b)是由垂直于配線的方 向剖切的B — B剖面圖。[0203]本實施方式的聞頻|旲塊101包括:聞頻電路芯片102、具備將聞頻電路芯片102的 作為輸入輸出端子104的凸點(bump)倒裝片連接的配線部107的配線基板103，在配線基 板103與高頻電路芯片102之間填充有密封樹脂105。配線基板103的配線部107在輸入 輸出端子104的外側且在規(guī)定的范圍內具有阻抗調節(jié)電路106。[0204]在倒裝片安裝中，聞頻電路芯片102的電路面與配線基板103面對面，聞頻電路芯 片102上的芯片配線109的電極在配線基板103上的配線部107和稱為凸點的金屬突起 部(輸入輸出端子104)連接。通過在高頻電路芯片102與配線基板103之間注入稱為密封 樹脂105的熱固性樹脂(例如，環(huán)氧樹脂)，可提聞聞頻電路芯片102向配線基板103的安裝 強度，另外，通過利用樹脂來覆蓋高頻電路芯片102的電路面，而得到防水、防潮、防塵的效 果O[0205]阻抗調節(jié)電路106使用包含阻焊劑的電介質層構成，所述電介質層設置在從輸入 輸出端子104起隔開規(guī)定距離的位置，以覆蓋在配線部107上，且具有例如寬度W=0.3mm、長 度L=0.5mm、厚度T=0.02mm。電介質層的電介質為例如3.4。距輸入輸出端子104規(guī)定的距離設為λ g/4以內的區(qū)域。配線基板103在電介質基板110 (例如，樹脂基板或陶瓷基板) 的表面形成配線部107，以整個背面為接地層108而構成接地共面構造。[0206]另外，作為阻抗調節(jié)電路106的位置的一例，當將在模炔基板即配線基板103上的配線內進行傳輸的信號頻率設為f，將配線基板103的有效介電常數設為ε r時，可利用配線基板103上的信號波長
【權利要求】
1.一種高頻模塊用配線基板，其具備:高頻傳輸用的配線部；形成在所述配線部上的阻焊劑層，所述阻焊劑層在位于從搭載在所述配線基板上的芯片零件的輸入輸出端子到規(guī)定距 離之間的區(qū)域內，在所述配線部的局部具有開口部。
2.如權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部包含隔開規(guī)定間隔而形成的多個開口。
3.如權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述阻焊劑層的所述開口部由條紋狀圖案構成，由規(guī)定的間隔來覆蓋所述配線部。
4.如權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部為四邊形。
5.如權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部為圓形或橢圓形。
6.如權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部包含所述配線部的側面。
7.如權利要求2所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部沿所述配線部而形成，留下沿著所述配線部的電流方向的端緣部并排列在 配線部上。
8.如權利要求2所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部的間隔在所述配線部上為傳輸頻率的Xg/8以下。
9.如權利要求2所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部的配置間隔形成為隨著遠離搭載于所述配線部的表面安裝型的芯片零件 的輸入輸出端子而逐漸地變小。
10.如權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述開口部的寬度形成為隨著遠離搭載于所述配線部的表面安裝型的芯片零件的輸 入輸出端子而逐漸地變大。
11.一種高頻模塊，其使用權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，在所述配線部的局部具有經由輸入輸出端子而搭載的表面安裝型的芯片零件。
12.—種高頻模塊，其使用權利要求1所述的高頻模塊用配線基板，所述配線部用于微波或毫米波傳輸。
【文檔編號】H05K1/02GK103563071SQ201280024489
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2012年8月23日 優(yōu)先權日:2011年8月23日
【發(fā)明者】鹽崎亮佑, 藤田卓 申請人:松下電器產業(yè)株式會社