專利名稱：生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及高頻線圈技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈。
背景技術(shù)：
目前，硅芯在國內(nèi)使用量非常巨大；現(xiàn)有的硅芯、單晶硅及其它材料晶體區(qū)熔方式生產(chǎn)的工藝過程中，大多使用的是一種單目高頻線圈，其工作原理是:工作時通過給高頻線圈通入高頻電流，使高頻線圈產(chǎn)生電流對原料棒進(jìn)行感應(yīng)加熱，加熱后的原料棒上端頭形成融化區(qū)，然后將仔晶通過拉制孔后插入原料棒上端的熔化區(qū)，然后慢慢提升仔晶，熔化后的原料就會跟隨仔晶上升，形成一個新的柱形晶體，這個新的柱形晶體便是硅芯或其它材料晶體的制成品。 本設(shè)計(jì)人在先申請了多項(xiàng)發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷母哳l線圈專利，使得單根硅芯的拉制國內(nèi)基本結(jié)束，使用中雖然得到了較好的技術(shù)效果，但如何在高頻線圈上分布較多的拉制孔和拉制出的硅芯橢圓度問題一直是一個技術(shù)瓶頸，這主要是高頻線圈電流分布問題的限制，若拉制孔設(shè)置過多，便會使得原料棒的受熱不勻，局部化料不徹底，也就是對應(yīng)拉制孔或化料孔形成的小溶區(qū)在拉制過程中，小溶區(qū)處的融化原料供應(yīng)不了拉制所需，相應(yīng)的拉制根數(shù)也得不到拓展，在先申請中的拉制孔通過改變?yōu)榍蚺男卫瓶谆蛩涡卫瓶?，使得橢圓度問題得以較大的克服。需要解釋的是在高頻線圈上孔位布局不是隨便的，也就是高頻線圈上設(shè)置多少個拉制孔，拉制孔位置如何排列，相對應(yīng)的電壓調(diào)整、籽晶夾頭結(jié)構(gòu)等均需要做適應(yīng)性調(diào)整，設(shè)備的匹配程度也是主要環(huán)節(jié)，所以高頻線圈拉制孔的數(shù)量必須對應(yīng)相應(yīng)設(shè)備，形成一個可適應(yīng)設(shè)備的關(guān)鍵零部件。在本人近期多次實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，球拍形拉制孔或水滴形拉制孔上設(shè)置的引流槽或“V”形豁口引流作用明顯，可以說是高頻線圈技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)創(chuàng)舉，突破了原有拉制孔的圓形或略帶橢圓格局，也就是引流槽或“V”形豁口可以有效克服拉制根數(shù)限制的技術(shù)瓶頸，使得拉制數(shù)量得到提升，而且對于原料棒上端減少局部溫度過低不能夠化料也具有很好的益處，得到了相對穩(wěn)定的原料融化；需要說明的是，高頻線圈看似一個簡單的銅板，實(shí)際制作難度極高，所以高頻線圈的單個售價都在3000元以上，其中的制作研發(fā)為主要成本；而且高頻線圈屬于易耗品，也就是原料棒上端以及拉制過程中的硅芯都不得與高頻線圈有任何接觸，一旦出現(xiàn)接觸便會出現(xiàn)瞬間打火，這時不得不停爐進(jìn)行高頻線圈的更換，這中間的停爐成本、線圈成本以及耗費(fèi)工時都是難以克服的生產(chǎn)成本，通常情況下一個高頻線圈使用期限在一個月左右。多晶硅是太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)鏈的重要組成部分。光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游，主要包括的產(chǎn)業(yè)鏈條包括多晶硅、硅片、電池片以及電池組件。整個光伏產(chǎn)業(yè)的利潤和成本幾乎都集中在上游的多晶硅生產(chǎn)環(huán)節(jié)，也就是使用高頻線圈的晶體拉制，還原爐的晶體還原過程耗電量和加工成本占到很大部分。[0007]但是，由于歐洲金融危機(jī)的出現(xiàn)和國外技術(shù)的提升，美國對本國的多晶硅加工企業(yè)使用政府補(bǔ)貼方法，使得具有高技術(shù)和政府補(bǔ)貼的企業(yè)可以低價銷售，對于我國企業(yè)采取高關(guān)稅政策，并且歐洲國家紛紛取消太陽能補(bǔ)貼，國外訂單銳減，多晶硅價格一路暴跌。所以擺在我國多晶硅企業(yè)面前的是實(shí)實(shí)在在的生存問題。事實(shí)上，多晶硅價格降低，終端市場價格也在降低，多晶硅的制作成本我國現(xiàn)在還無法跟國外先進(jìn)的多晶硅企業(yè)相媲美，我們中國的多晶硅是迎合了太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要而匆忙上陣的一個模式；無論是自主研發(fā)還是引進(jìn)設(shè)備、技術(shù)的企業(yè)，與國際先進(jìn)技術(shù)相比，仍然有較大差距。本發(fā)明人在試驗(yàn)成功的同時拉制多根硅芯技術(shù)“一爐五芯”，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)的多根硅芯同時拉制技術(shù)突破，節(jié)能效果明顯，成為江蘇中能、洛陽中硅等大型多晶硅企業(yè)的主選設(shè)備，不僅獲得了生產(chǎn)、用電成本的大幅度降低，也獲得了巨大的商業(yè)成功。然而，進(jìn)一步降低成本是發(fā)明人不懈的技術(shù)訴求，只有降低生產(chǎn)成本，一次拉制出更多的硅芯，多晶硅行業(yè)才能夠有效增強(qiáng)競爭力，這也是我國多晶硅行業(yè)起死回生的必經(jīng)之路。參考文獻(xiàn):網(wǎng)上對于本發(fā)明人在先申請技術(shù)的報(bào)道我國硅材料生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)“一爐五芯”；鏈接網(wǎng)址http://www.cpcia.0rg.cn/html/news/20094/65746_9044.shtml以下為相關(guān)中國專利申請；1、專利或申 請?zhí)枴?00810182052.X ;專利名稱、可同時生產(chǎn)七根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；2、專利或申請?zhí)枴?00810182053.4 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)八根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；3、專利或申請?zhí)枴?00810182055.3 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)五根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；4、專利或申請?zhí)枴?00810182054.9 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)四根硅芯及其它晶體材料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；5、專利或申請?zhí)枴?00810181998.4 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)六根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；6、專利或申請?zhí)枴?01120352975.2 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯的水滴形拉制孔
結(jié)構(gòu)的聞頻線圈；7、專利或申請?zhí)枴?01120365572.1 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯水滴形和球拍形
組合拉制孔的高頻線圈；8、專利或申請?zhí)枴?01120365577.4 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯水滴形和球拍形組合拉制孔的高頻線圈；9、專利或申請?zhí)枴?01120352910.8 ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯的球拍形拉制孔
結(jié)構(gòu)的聞頻線圈；10、專利或申請?zhí)枴?01120365569.X專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯水滴形和球拍形
組合拉制孔的高頻線圈；11、專利或申請?zhí)枴?01120365581.0 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯水滴形和球拍形組合拉制孔的高頻線圈；12、專利或申請?zhí)枴?01120352917.X ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯的水滴形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；13、專利或申請?zhí)枴?01120352923.5 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯的水滴形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；14、專利或申請?zhí)枴?01120352971.4專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯的球拍形拉制孔
結(jié)構(gòu)的聞頻線圈；15、專利或申請?zhí)枴?01120365527.6專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯的水滴形拉制孔
結(jié)構(gòu)的聞頻線圈；16、專利或申請?zhí)枴?01120352958.9 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯的球拍形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；17、專利或申請?zhí)枴?01120366356.9 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯的球拍形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)所述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型公開了一種生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，本實(shí)用新型通過在“Y”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽之間球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，利用引流槽或“V”形豁口使得兩拉制孔受益，增加了高頻線圈的拉制孔數(shù)量，使得高頻線圈的孔位布局更為合理，由于孔位布局合理，原料棒上端融化與現(xiàn)有技術(shù)相比也相對均衡，大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率，高頻線圈的使用壽命也得到了有效延長。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈、冷卻水道、連接座和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道，拉制孔或化料孔設(shè)置在高頻線圈的中部，由拉制孔或化料孔向外呈放射狀設(shè)有三個導(dǎo)流槽，所述三個導(dǎo)流槽呈Y形結(jié)構(gòu)，在三個導(dǎo)流槽外端形成的三個空擋之間分別設(shè)有兩個拉制孔和一個球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，其中任一的所述兩個拉制孔分別與拉制孔或化料孔等距排列，球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的弓丨流槽或“V”形豁口朝向高頻線圈的外緣，兩個拉制孔處于所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的引流槽或“V”形豁口端部兩側(cè)，三個呈“Y”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽下部的導(dǎo)流槽外端部直接貫通至高頻線圈的外緣面或通過開口貫通至高頻線圈的外緣面，冷卻水道的兩口部設(shè)置在導(dǎo)流槽或開口的兩側(cè)，冷卻水道的兩口部分別設(shè)有延伸管路，所述延伸管路分別形成水道A端、水道B端，其中水道A端為進(jìn)水端、水道B端為出水端，在水道A端、水道B端的端部分別設(shè)置有連接座；或兩個連接座直接焊接在開口的兩側(cè)，所述高頻線圈的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，在拉制孔、拉制孔或化料孔、球拍形拉制孔、水滴形拉制孔的上部孔口處設(shè)有倒角。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，所述高頻線圈的上部面中部設(shè)有向下凹陷面，在高頻線圈的下部面中部設(shè)有向上凹陷平面。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，在三個導(dǎo)流槽外端形成的三個空擋之間設(shè)置的三個球拍形拉制孔或水滴形拉制孔全部為球拍形拉制孔；或全部為水滴形拉制孔；或兩個球拍形拉制孔一個水滴形拉制孔；或一個球拍形拉制孔兩個水滴形拉制孔。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，所述“Y”形導(dǎo)流槽上部的兩根端部分別設(shè)置有端孔；所述端孔為圓形或多角形。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，所述“Y”形導(dǎo)流槽下部的一根端部與開口連接時，在導(dǎo)流槽與開口的連接處設(shè)置有過度孔。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，所述水道A端和水道B端的端部分別通過連接座上設(shè)置的孔穿兩個連接座后固定在兩個連接座上，在所述兩個連接座的水道A端、水道B端的上下或一側(cè)分別設(shè)有安裝孔；所述連接座為多角形連接座；或雙半圓形連接座；或橢圓形連接座。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，在高頻線圈外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道為，在高頻線圈的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道環(huán)埋在高頻線圈的開槽內(nèi)，然后由封蓋通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或利用“Ω”形銅管焊接在高頻線圈的外緣面上，所述“ Ω ”形銅管形成所述冷卻水道；或在高頻線圈的外緣面或外部上環(huán)面或外部下環(huán)面開槽，然后通過釬焊或銅焊或銀焊將封蓋在開槽上，所述開槽形成所述冷卻水道，在冷卻水道兩端部分別連接銅管的水道A端、水道B端，使冷卻水道與高頻線圈形成一體。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，所述開口設(shè)置為“U”形開口或“V”形開口或“》”形開口或斜開口。所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，所述地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有地線連接板，或在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。由于采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有如下有益效果:本實(shí)用新型所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，通過將三根導(dǎo)流槽設(shè)置為“Y”形結(jié)構(gòu)，使得電流經(jīng)由路線向外擴(kuò)展，利用在的球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的引流槽或“V”形豁口，使得電流能夠引向拉制孔，突破了原有導(dǎo)流槽之間一個獨(dú)立的拉制孔或球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，使得高頻線圈的孔位布局更為合理，并且使兩兩導(dǎo)流槽端部之間的拉制數(shù)量得到大幅度提升，由球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的引流槽或“V”形豁口引導(dǎo)電流使得拉制孔或化料孔電流降低，同時也避免了所述拉制孔的內(nèi)側(cè)過熱問題，使得電流分布較為均衡合理，拉制出的籽晶橢圓度得到了很大的克服；本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設(shè)計(jì)要求的硅芯，大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率，高頻線圈的使用壽命也得到了有效延長；本實(shí)用新型所述結(jié)構(gòu)使得硅芯成品率大幅度提高；本實(shí)用新型減少了電能使用量、提高能量利用率，降低生產(chǎn)成本和減少次品率并且具有加熱均勻、大量節(jié)約能源、減少設(shè)備投資及人工綜合成本可有效降低等優(yōu)點(diǎn)，易于在多晶硅行業(yè)推廣實(shí)施。

圖1是本實(shí)用新型的拉制孔、球拍形拉制孔與導(dǎo)流槽布局結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的A-A視圖。圖3是本實(shí)用新型的拉制孔、水滴形拉制孔與導(dǎo)流槽布局另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。[0049]圖4是本實(shí)用新型開口的第一實(shí)施例斜開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本實(shí)用新型拉制孔、球拍形拉制孔、水滴形拉制孔的組合與導(dǎo)流槽布局結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是圖5的B-B視圖。圖7是本實(shí)用新型開口的第二實(shí)施例直開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖8是本實(shí)用新型開口的第三實(shí)施例“U”形開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是本實(shí)用新型開口的第四實(shí)施例“V”形開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖10是本實(shí)用新型開口的第二實(shí)施例“》”形開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖11是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔引流槽第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖12是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔引流槽第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖13是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔引流槽第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖14是本實(shí)用新型的球拍形拉制孔引流槽第四實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖15是本實(shí)用新型的水滴形拉制孔立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖16是本實(shí)用新型的連接座第一實(shí)施例長方形連接座立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖17是本實(shí)用新型的連接座第二實(shí)施例雙半圓形連接座立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖18是本實(shí)用新型的連接座第三實(shí)施例長方形連接座另一替換結(jié)構(gòu)示意圖。圖19是本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為方形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖20是本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為半圓形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖21是本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為菱形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖22是本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為圓形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖23是本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為橢圓形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖24是本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為三角形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。在圖中:1、聞頻線圈；2、倒角；3、球拍形拉制孔；4、拉制孔或化料孔；5、拉制孔；
6、開口；7、水道A端；8、連接座；9、水道B端；10、過度孔；11、導(dǎo)流槽；12、冷卻水道；13、向下凹陷面；14、地線連接板；15、向上凹陷平面；16、封蓋；17、水滴形拉制孔；18、端孔；19、引流槽；20、“V”形豁口 ；21、安裝孔。
具體實(shí)施方式參考下面的實(shí)施例，可以更詳細(xì)地解釋本實(shí)用新型；但是，本實(shí)用新型并不局限于這些實(shí)施例。結(jié)合附圖1、2或3中所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈1、冷卻水道12、連接座8和地線連接機(jī)構(gòu)，所述高頻線圈I的上部面中部設(shè)有向下凹陷面13，在高頻線圈I的下部面中部設(shè)有向上凹陷平面15，在高頻線圈的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道12，拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈I的中部，由拉制孔或化料孔4向外呈放射狀設(shè)有三個導(dǎo)流槽11，所述三個導(dǎo)流槽11呈Y形結(jié)構(gòu)，在三個導(dǎo)流槽11外端形成的三個空擋之間分別設(shè)有兩個拉制孔5和一個球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17，其中任一的所述兩個拉制孔5分別與拉制孔或化料孔4等距排列，球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17的引流槽19或“V”形豁口 20朝向高頻線圈I的外緣，兩個拉制孔5處于所述球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17的引流槽19或“V”形豁口 20端部兩側(cè)，在三個導(dǎo)流槽11外端形成的三個空擋之間設(shè)置的三個球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17全部為球拍形拉制孔3“附圖1中給出的實(shí)施例”;或全部為水滴形拉制孔17 “附圖3中給出的實(shí)施例”;或“附圖5或6中”兩個球拍形拉制孔3 —個水滴形拉制孔17 ;或一個球拍形拉制孔3兩個水滴形拉制孔17“圖中未顯示這種布局，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過圖1、圖3結(jié)合圖5中的球拍形拉制孔3和水滴形拉制孔17的置換實(shí)現(xiàn)上述兩種球拍形拉制孔3和水滴形拉制孔17的設(shè)置方式”，在所述拉制孔5、拉制孔或化料孔4、球拍形拉制孔3、水滴形拉制孔17的上部孔口處設(shè)有倒角2，結(jié)合附圖3或19 24給出的導(dǎo)流槽11結(jié)構(gòu)，所述“Y”形導(dǎo)流槽11上部的兩根端部分別設(shè)置有端孔18 ;所述端孔18為圓形或多角形，三個呈“Y”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽11下部的導(dǎo)流槽11外端部直接貫通至高頻線圈I的外緣面或通過開口 6貫通至高頻線圈I的外緣面，冷卻水道的兩口部設(shè)置在導(dǎo)流槽11或開口的兩側(cè)，冷卻水道的兩口部分別設(shè)有延伸管路，所述延伸管路分別形成水道A端、水道B端，其中水道A端為進(jìn)水端、水道B端為出水端，在水道A端、水道B端的端部分別設(shè)置有連接座，或兩個連接座直接焊接在開口的兩側(cè)，所述高頻線圈的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)，所述地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有地線連接板14，或在高頻線圈I的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。進(jìn)一步，結(jié)合附圖4或7 10給出的開口 6替換結(jié)構(gòu)，所述開口 6設(shè)置為“U”形開口 6或“V”形開口 6或“》”形開口 6或斜開口 6。進(jìn)一步，所述水道A端7和水道B端9的端部分別通過連接座8上設(shè)置的孔穿兩個連接座8后固定在兩個連接座8上，在所述兩個連接座8的水道A端7、水道B端9的上下或一側(cè)分別設(shè)有安裝孔21 ;所述連接座8為多角形連接座8 ;或雙半圓形連接座8 ;或橢圓形連接座8。進(jìn)一步，所述“Y”形導(dǎo)流槽11下部的一根端部與開口 6連接時，在導(dǎo)流槽11與開口 6的連接處設(shè)置有過度孔10。進(jìn)一步，在高頻線圈I外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道12為，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道12環(huán)埋在高頻線圈I的開槽內(nèi)，然后由封蓋16通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或利用“ Ω ”形銅管焊接在高頻線圈I的外緣面上，所述高頻線圈I使用厚度較小且相同厚度的銅板，所述“ Ω ”形銅管形成所述冷卻水道12，由于銅管形成的冷卻水道12直徑比銅板的厚度大，銅管的上部內(nèi)側(cè)與高頻線圈I上部面形成高頻線圈I的向下凹陷面13，銅管的下部內(nèi)側(cè)的所述高頻線圈I下部面形成高頻線圈I的向上凹陷平面15 ;或在高頻線圈的外緣面開槽，然后通過釬焊或銅焊或銀焊將封蓋16在開槽上，所述開槽形成所述冷卻水道12，在冷卻水道12兩端部分別連接銅管的水道A端7、水道B端9，使冷卻水道12與高頻線圈I形成一體。進(jìn)一步，在附圖11 14中，本實(shí)用新型對于球拍形拉制孔3的引流槽19外端也給出了可替換的結(jié)構(gòu)變化，也就是上述引流槽19端部可設(shè)置為尖角或圓弧形狀，尖角或圓弧形狀的引流槽19端部的任意設(shè)置，目的是引導(dǎo)電流，并無其它特殊功效，也就是引流槽19與球拍形拉制孔3的拉制孔連接處設(shè)置為圓弧過渡或角過渡原理是:電流平穩(wěn)由此經(jīng)過。進(jìn)一步，本實(shí)用新型所述拉制孔或化料孔4可根據(jù)技術(shù)能力而定，也就是拉制孔或化料孔4既可以作為拉制孔，也可以作為化料孔，這是由于中部相對于外部的溫度略高，若操控得當(dāng)“操作工的技術(shù)較好時，所述拉制孔或化料孔4也可拉制出硅芯，但硅芯的質(zhì)量略遜”，所以本實(shí)用新型并不排除中部作為拉制孔或作為化料孔的替換方式需要說明的是由于本發(fā)明人在先的一項(xiàng)專利侵權(quán)案件中，某侵權(quán)企業(yè)由于技術(shù)水平達(dá)不到“這中間包含設(shè)備中零部件的設(shè)置，各個零部件位置關(guān)系，也就是工業(yè)生產(chǎn)中的五大要素:人員、設(shè)備、原料、加工方法以及生產(chǎn)環(huán)境，關(guān)鍵是操作工的實(shí)際操作水平限制，該企業(yè)不用中部孔作為拉制孔‘該企業(yè)認(rèn)為中部孔拉不出來’，便一再強(qiáng)調(diào)中部的拉制孔拉不出來硅芯，后經(jīng)專利復(fù)審委員會和某市中級人民法院和北京市第一中級人民法院確認(rèn)本發(fā)明人提供的現(xiàn)場拉制過程錄像，證明在先申請實(shí)現(xiàn)了審查指南規(guī)定的能夠?qū)崿F(xiàn)的規(guī)定”，前述內(nèi)容并不針對任何企業(yè)，僅是本發(fā)明人對于技術(shù)現(xiàn)狀的解釋和便于審查員和本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解。實(shí)施本實(shí)用新型所述的生產(chǎn)九或十根娃芯的高頻線圈,在高頻線圈I的開口 6、過度孔10、球拍形拉制孔3、水滴形拉制孔17、拉制孔或化料孔4、導(dǎo)流槽11、端孔18與高頻線圈I的上下面過度處的所有尖角進(jìn)行倒圓處理，有效的防止了尖角放電和燒蝕；其中所述過度孔10可以設(shè)置為圓形或多角形結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型所述高頻線圈的使用過程如下所述:原料棒上端最好設(shè)置為平面或接近平面，利用設(shè)備的下軸升降系統(tǒng)將原料棒緩慢送至高頻線圈I下部，所述高頻線圈I的向上凹陷平面15盡可能的接近原料棒上端，但不得與原料棒有接觸“這是由于生產(chǎn)過程中一旦接觸便會出現(xiàn)打火而燒壞高頻線圈”，然后在高頻線圈I上連接座8的水道A端7、水道B端9通電送水，水道A端7和水道B端9 一個進(jìn)水另一個排水，這時高頻電流促使高頻線圈I產(chǎn)生強(qiáng)大的磁力線，使原料棒上端頭靠近高頻線圈I的部分利用磁力線進(jìn)行感應(yīng)加熱，所述球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17、拉制孔
5、導(dǎo)流槽11和拉制孔或 化料孔4形成的空隙，使原料棒上端對應(yīng)空隙處受到感應(yīng)加熱，力口熱溫度大于其它部位形成溶區(qū)“本實(shí)用新型的導(dǎo)流槽11以及開口 6使得水道A端8和水道B端10—個為電流進(jìn)入另一個為電流回路，電流受到走近路特性的影響，環(huán)繞“Y”形導(dǎo)流槽11時，也同時經(jīng)由兩兩導(dǎo)流槽11之間的兩個拉制孔5和球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17的兩側(cè)經(jīng)過，本實(shí)用新型所述“Y”形導(dǎo)流槽11的作用是減少高頻電流過于在高頻線圈的中部集中，使電流在高頻線圈I上均勻分布，以實(shí)現(xiàn)受熱均勻的效果”，待原料棒的端頭靠近高頻線圈I下面靠近向上凹陷平面15的部位融化后，仔晶夾頭帶著九或十個仔晶下降，使仔晶通過拉制孔后插入原料棒上端的熔化區(qū)，然后提升仔晶，原料棒上部的熔化液體會跟隨仔晶上升，其它部位融化的液體也會隨之向拉制部位流淌“需要說明的是本實(shí)用新型所述高頻線圈I平整度明顯優(yōu)于本人在先申請，通過相同的操作工和相同的設(shè)備實(shí)驗(yàn)證明本實(shí)用新型所述高頻線圈使用壽命延長了至少一倍以上”，在這一過程中原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升，但是其原料棒要保持不與高頻線圈I接觸；原料棒上部的熔化區(qū)在仔晶的粘和帶動并通過高頻線圈I拉制孔后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個新的柱型晶體，其仔晶夾頭夾帶仔晶緩慢上升，便可形成所需長度的成品硅芯。本實(shí)用新型通過六個拉制孔5、三個球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔17實(shí)現(xiàn)了同時拉制九根硅芯，所述中部的一個拉制孔或化料孔作為拉制孔時，可實(shí)現(xiàn)同時拉制十根硅芯的目的。
權(quán)利要求1.一種生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈(I)、冷卻水道(12)、連接座(8)和地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道(12)，拉制孔或化料孔(4)設(shè)置在高頻線圈(I)的中部，其特征在于:由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射狀設(shè)有三個導(dǎo)流槽(11)，所述三個導(dǎo)流槽(11)呈Y形結(jié)構(gòu)，在三個導(dǎo)流槽(11)外端形成的三個空擋之間分別設(shè)有兩個拉制孔5和一個球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔(17)，其中任一的所述兩個拉制孔(5)分別與拉制孔或化料孔⑷等距排列，球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔(17)的引流槽(19)或“V”形豁口(20)朝向高頻線圈(I)的外緣，兩個拉制孔(5)處于所述球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔(17)的引流槽(19)或“V”形豁口(20)端部兩側(cè)，三個呈“Y”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽(11)下部的導(dǎo)流槽(11)外端部直接貫通至高頻線圈(I)的外緣面或通過開口(6)貫通至高頻線圈⑴的外緣面，冷卻水道的兩口部設(shè)置在導(dǎo)流槽(11)或開口的兩側(cè)，冷卻水道(12)的兩口部分別設(shè)有延伸管路，所述延伸管路分別形成水道A端(7)、7jC道B端(9),其中水道A端(7)為進(jìn)水端、水道B端(9)為出水端,在水道A端(7)、水道B端9的端部分別設(shè)置有連接座(8);或兩個連接座(8)直接焊接在開口的兩側(cè)，所述高頻線圈的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:在拉制孔(5)、拉制孔或化料孔(4)、球拍形拉制孔(3)、水滴形拉制孔(17)的上部孔口處設(shè)有倒角(2)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:所述高頻線圈(I)的上部面中部設(shè)有向下凹陷面(13)，在高頻線圈I的下部面中部設(shè)有向上凹陷平面(15)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:在三個導(dǎo)流槽(II)外端形成的三個空擋之間設(shè)置的三個球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔(17)全部為球拍形拉制孔(3);或全部為水滴形拉制孔(17);或兩個球拍形拉制孔(3) —個水滴形拉制孔(17);或一個球拍形拉制孔(3)兩個水滴形拉制孔(17)。
5.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:所述“Y”形導(dǎo)流槽(11)上部的兩根端部分別設(shè)置有端孔(18);所述端孔(18)為圓形或多角形。
6.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:所述“Y”形導(dǎo)流槽(11)下部的一根端部與開口(6)連接時，在導(dǎo)流槽(11)與開口 6的連接處設(shè)置有過度孔(10)。
7.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:所述水道A端(7)和水道B端(9)的端部分別通過連接座(8)上設(shè)置的孔穿兩個連接座(8)后固定在兩個連接座(8)上，在所述兩個連接座(8)的水道A端(7)、水道B端(9)的上下或一側(cè)分別設(shè)有安裝孔(21);所述連接座(8)為多角形連接座(8);或雙半圓形連接座(8);或橢圓形連接座⑶。
8.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:在高頻線圈(I)外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道(12)為，在高頻線圈(I)的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道(12)環(huán)埋在高頻線圈(I)的開槽內(nèi)，然后由封蓋16通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或利用“ Ω ”形銅管焊接在高頻線圈的外緣面上，所述“ Ω ”形銅管形成所述冷卻水道(12);或在高頻線圈的外緣面或外部上環(huán)面或外部下環(huán)面開槽，然后通過釬焊或銅焊或銀焊將封蓋(16)在開槽上， 所述開槽形成所述冷卻水道(12)，在冷卻水道12兩端部分別連接銅管的水道A端(7)、水道B端(9)，使冷卻水道(12)與高頻線圈(1)形成一體。
9.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:所述開口(6)設(shè)置為“U”形開口(6)或“V”形開口(6)或“》”形開口(6)或斜開口(6)。
10.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，其特征是:所述地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈(1)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有地線連接板(14)，或在高頻線圈(1)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。
專利摘要一種生產(chǎn)九或十根硅芯的高頻線圈，涉及高頻線圈技術(shù)領(lǐng)域，在高頻線圈的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道(12)，拉制孔或化料孔(4)設(shè)置在高頻線圈(1)的中部，由拉制孔或化料孔向外呈放射狀設(shè)有三個導(dǎo)流槽(11)，在三個導(dǎo)流槽外端形成的三個空擋之間分別設(shè)有兩個拉制孔(5)和一個球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔(17)，“Y”形導(dǎo)流槽下部的導(dǎo)流槽外端部直接貫通至高頻線圈的外緣面或通過開口(6)貫通至高頻線圈的外緣面，水道A端(7)、水道B端(9)的端部分別設(shè)置有連接座(8)；所述高頻線圈的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)；本實(shí)用新型增加了高頻線圈的拉制孔數(shù)量，并大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率。
文檔編號C30B29/06GK202989332SQ20122047769
公開日2013年6月12日 申請日期2012年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月9日
發(fā)明者劉朝軒 申請人:洛陽金諾機(jī)械工程有限公司