專利名稱：生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及人工晶體技術領域，尤其是涉及一種生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈。背景技術：
目前，硅芯在國內(nèi)使用量非常巨大；現(xiàn)有的硅芯、單晶硅及其它材料晶體區(qū)熔方式生產(chǎn)的工藝過程中，大多使用的是一種單目高頻線圈，其工作原理是工作時通過給高頻線圈通入高頻電流，使高頻線圈產(chǎn)生電流對原料棒進行感應加熱，加熱后的原料棒上端頭形成融化區(qū)，然后將仔晶通過拉制孔后插入原料棒上端的熔化區(qū)，然后慢慢提升仔晶，熔化后的原料就會跟隨仔晶上升，形成一個新的柱形晶體，這個新的柱形晶體便是硅芯或其它材料晶體的制成品。本設計人在線申請了多項發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷母哳l線圈專利，使用中雖然得到了較好的技術效果，但如何在高頻線圈上分布較多的拉制孔和拉制出的硅芯橢圓度問題一直是一個技術瓶頸，這主要是在原料棒的上端對應拉制孔或化料孔形成的小溶區(qū)在拉制過程中，小溶區(qū)處的局部凹陷，另外的熔化原料向凹陷的小溶區(qū)流淌，也就是環(huán)繞中部拉制孔或化料孔的拉制孔的之間的原料棒的上端沒有得到利用，相應的拉制根數(shù)也得不到拓展，在先申請中的拉制孔通過改變?yōu)榍蚺男卫瓶谆蛩涡卫瓶?，使得橢圓度問題得以較大的克服。在高頻線圈上孔位布局不是隨便的，也就是高頻線圈上設置多少個拉制孔，相對應的電壓調(diào)整、籽晶夾頭結構等均需要做適應性調(diào)整，設備的匹配程度也是主要環(huán)節(jié)，所以高頻線圈拉制孔的數(shù)量必須對應相應設備，形成一個可適應設備的關鍵零部件。在本人近期多次實驗中發(fā)現(xiàn)，導流槽處的空白區(qū)域通過添加拉制孔可以有效克服拉制根數(shù)限制的技術瓶頸，而且通過在導流槽處添加拉制孔，不僅使得拉制數(shù)量得到提升，而且對于原料棒上端減少局部 過高也具有很好的益處，得到了相對平穩(wěn)度的提升；需要說明的是，高頻線圈看似一個簡單的銅板，實際制作難度極高，所以高頻線圈的單個售價都在3000元以上，其中的制作研發(fā)為主要成本；而且高頻線圈屬于易耗品，也就是原料棒上端以及拉制過程中的硅芯都不得與高頻線圈有任何接觸，一旦出現(xiàn)接觸便會出現(xiàn)瞬間打火，這時不得不停爐進行高頻線圈的更換，這中間的停爐成本、線圈成本以及耗費工時都是難以克服的生產(chǎn)成本，通常情況下一個高頻線圈使用期限在一個星期左右。多晶硅是太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)鏈的重要組成部分。光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游，主要包括的產(chǎn)業(yè)鏈條包括多晶硅、硅片、電池片以及電池組件。整個光伏產(chǎn)業(yè)的利潤和成本幾乎都集中在上游的多晶硅生產(chǎn)環(huán)節(jié)，也就是使用高頻線圈的晶體拉制，還原爐的晶體還原過程耗電量和加工成本占到很大部分。但是，由于歐洲金融危機的出現(xiàn)和國外技術的提升，美國對本國的多晶硅加工企業(yè)使用政府補貼方法，使得具有高技術和政府補貼的企業(yè)可以低價銷售，對于我國企業(yè)采取高關稅政策，并且歐洲國家紛紛取消太陽能補貼，國外訂單銳減，多晶硅價格一路暴跌。所以擺在我國多晶硅企業(yè)面前的是實實在在的生存問題。
事實上，多晶硅價格降低，終端市場價格也在降低，多晶硅的制作成本我國現(xiàn)在還無法跟國外先進的多晶硅企業(yè)相媲美，我們中國的多晶硅是迎合了太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要而匆忙上陣的一個模式；無論是自主研發(fā)還是引進設備、技術的企業(yè)，與國際先進技術相比，仍然有較大差距。本發(fā)明人在試驗成功的同時拉制多根硅芯技術“一爐五芯”，實現(xiàn)了國內(nèi)的多根硅芯同時拉制技術突破，節(jié)能效果明顯，成為江蘇中能、洛陽中硅等大型多晶硅企業(yè)的主選設備，不僅獲得了生產(chǎn)、用電成本的大幅度降低，也獲得了巨大的商業(yè)成功。然而，進一步降低成本是發(fā)明人不懈的技術訴求，只有降低生產(chǎn)成本，多晶硅行業(yè)才能夠有效增強競爭力，這也是我國多晶硅行業(yè)起死回生的必經(jīng)之路。參考文獻網(wǎng)上對于本發(fā)明人在先申請技術的報道我國硅材料生產(chǎn)實現(xiàn)“一爐五芯”；鏈接網(wǎng)址http://www. cpcia. org. cn/html/news/20094/65746_9044. shtml以下為相關中國專利申請；1、專利或申請?zhí)枴?00810182052. X ;專利名稱、可同時生產(chǎn)七根硅芯及其它晶體材 料的高頻線圈結構；2、專利或申請?zhí)枴?00810182053. 4 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)八根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結構；3、專利或申請?zhí)枴?00810182055. 3 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)五根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結構；4、專利或申請?zhí)枴?00810182054. 9 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)四根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結構；5、專利或申請?zhí)枴?00810181998. 4 ;專利名稱、可同時生產(chǎn)六根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結構；6、專利或申請?zhí)枴?01120352975. 2 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯的水滴形拉制孔
結構的聞頻線圈；7、專利或申請?zhí)枴?01120365572.1 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯水滴形和球拍形
組合拉制孔的高頻線圈；8、專利或申請?zhí)枴?01120365577. 4 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯水滴形和球拍形組合拉制孔的高頻線圈；9、專利或申請?zhí)枴?01120352910. 8 ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯的球拍形拉制孔
結構的聞頻線圈；10、專利或申請?zhí)枴?01120365569. X ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯水滴形和球拍
形組合拉制孔的高頻線圈；11、專利或申請?zhí)枴?01120365581. O ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯水滴形和球拍
形組合拉制孔的高頻線圈；12、專利或申請?zhí)枴?01120352917. X ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯的水滴形拉制
孔結構的高頻線圈；13、專利或申請?zhí)枴?01120352923. 5 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯的水滴形拉制
孔結構的高頻線圈；
14、專利或申請?zhí)枴?01120352971. 4 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯的球拍形拉制
孔結構的高頻線圈；15、專利或申請?zhí)枴?01120365527. 6 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯的水滴形拉制
孔結構的高頻線圈；16、專利或申請?zhí)枴?01120352958. 9 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯的球拍形拉制
孔結構的高頻線圈；17、專利或申請?zhí)枴?01120366356. 9 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯的球拍形拉制
孔結構的高頻線圈。

發(fā)明內(nèi)容為了實現(xiàn)所述發(fā)明目的，本發(fā)明公開了一種生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，本發(fā)明在通過球拍形拉制孔或水滴形拉制孔結合導流槽上設置的拉制孔以及導流槽長度的有機結合，實現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設計要求的硅芯，也使原料棒上端減少了不規(guī)則凸起，大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率，高頻線圈的使用壽命也得到了有效延長。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本發(fā)明采用如下技術方案一種生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈、冷卻水道、連接座和地線連接機構，所述聞頻線圈的上部面中部設有向下凹陷面，在聞頻線圈的下部面中部設有向上凹陷平面，在高頻線圈的外部環(huán)繞設置冷卻水道，拉制孔或化料孔設置在高頻線圈的中部，在拉制孔或化料孔外部的高頻線圈上均勻設置三個環(huán)繞的拉制孔，由拉制孔或化料孔向外呈放射狀設有三個導流槽，三個導流槽形成“Y”形結構，在“Y”形導流槽上部兩根的中部或外端分別設置導流槽拉制孔，所述上部兩根導流槽的外端頭或?qū)Я鞑弁舛祟^的導流槽拉制孔設置在三個呈三角分布的上部拉制孔與下部兩個拉制孔之間，三個呈“Y”形結構導流槽下部的導流槽通過開口貫通至高頻線圈的外緣面，冷卻水道的兩端設置在開口兩側(cè)的延伸管路分別形成水道A端、水道B端,其中水道A端為進水端、水道B端為出水端,在水道A端、水道B端的端部分別設置有連接座，所述高頻線圈的外部設有地線連接機構。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，在導流槽拉制孔的上部孔口處設有倒角。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，在拉制孔或化料孔外部的高頻線圈上設置的三個所述環(huán)繞的拉制孔為球拍形拉制孔或水滴形拉制孔中的任意一種；或設置為兩個球拍形拉制孔或一個水滴形拉制孔；或設置為一個球拍形拉制孔或兩個水滴形拉制孔，所述球拍形拉制孔的“V”形豁口和所述水滴形拉制孔的引流槽朝向拉制孔或化料孔。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，在拉制孔或化料孔、球拍形拉制孔和所述水滴形拉制孔的上部孔口處分別設有倒角。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，所述“Y”形導流槽上部兩根的中部設置導流槽拉制孔時，在“Y”形導流槽上部兩根的外端分別設有端孔；所述端孔為圓形或多角形。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，所述水道A端和水道B端通孔穿過兩個連接座，在所述兩個連接座的水道A端、水道B端的上下或一側(cè)分別設有安裝孔。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，所述連接座為多角形連接座；或雙半圓形連接座；或橢圓形連接座。
所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，在高頻線圈外部環(huán)繞設置冷卻水道為，在高頻線圈的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道環(huán)埋在高頻線圈內(nèi)，然后由封蓋通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或在高頻線圈的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻水道，使冷卻水道與高頻線圈形成一體。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，所述開口設置為“U”形開口或“V”形開口或“》”形開口或斜開口。所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，所述地線連接機構，在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設有地線連接板，或在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。由于采用上述技術方案，本發(fā)明具有如下有益效果本發(fā)明所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，通過將三根呈“Y”形結構導流槽的上部兩根中部或端部設置導流槽拉制孔，在“Y”形結構導流槽的外端部之間分別設置球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，使得高頻線圈的孔位布局更為合理，并且所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的引流槽和“V”形豁口可以將電流更深入的引導至中部的拉制孔或化料孔，由引流槽或“V”形豁口引導電流使得拉制孔內(nèi)側(cè)電流降低，避免了所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的內(nèi)側(cè)過熱問題，使得電流分布較為合理，拉制出的籽晶橢圓度得到了很大的克服；本發(fā)明由于使用了導流槽處設置的導流槽拉制孔，使得拉制孔孔位布局相對較為均勻的對應原料棒上端的熔化區(qū)，本發(fā)明實現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設計要求的硅芯，也使原料棒上端減少了不規(guī)則凸起“拉制中原料棒上端的高低不平現(xiàn)象”，大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率，高頻線圈的使用壽命也得到了有效延長；本發(fā)明所述結構使得硅芯成品率大幅度提高；本發(fā)明提高能量利用率，降低生產(chǎn)成本和減少次品率并且具有加熱均勻、大量節(jié)約能源、減少設備投資及人工綜合成本可有效降低等優(yōu)點，易于在多晶硅行 業(yè)推廣實施。

圖1是本發(fā)明的拉制孔與導流槽布局結構示意圖。圖2是圖1的A-A示圖。圖3是本發(fā)明的拉制孔與導流槽布局另一實施例結構示意圖。圖4是本發(fā)明開口的第一實施例斜開口結構示意圖。圖5是本發(fā)明開口的第二實施例直開口結構示意圖。圖6是本發(fā)明開口的第三實施例“U”形開口結構示意圖。圖7是本發(fā)明開口的第四實施例“V”形開口結構示意圖。圖8是本發(fā)明開口的第二實施例“》”形開口結構示意圖。圖9是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第一實施例結構示意圖。圖10是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第二實施例結構示意圖。圖11是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第三實施例結構示意圖。圖12是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第四實施例結構示意圖。圖13是本發(fā)明的水滴形拉制孔立體結構示意圖。圖14是本發(fā)明的連接座第一實施例長方形連接座立體結構示意圖。
圖15是本發(fā)明的連接座第二實施例雙半圓形連接座立體結構示意圖。圖16是本發(fā)明的連接座第三實施例長方形連接座另一替換結構示意圖。圖17是本發(fā)明的導流槽外端設置為方形端孔結構示意圖。圖18是本發(fā)明的導流槽外端設置為半圓形端孔結構示意圖。圖19是本發(fā)明的導流槽外端設置為菱形端孔結構示意圖。圖20是本發(fā)明的導流槽外端設置為圓形端孔結構示意圖。圖21是本發(fā)明的導流槽外端設置為橢圓形端孔結構示意圖。圖22是本發(fā)明的導流槽外端設置為三角形端孔結構示意圖。在圖中1、高頻線圈；2、倒角；3、球拍形拉制孔；4、拉制孔或化料孔；5、導流槽拉制孔；6、水滴形拉制孔；7、開口 ；8、水道A端；9、連接座；10、水道B端；11、導流槽；12、冷卻水道；13、向下凹陷面；14、端孔；15、地線連接板；16、向上凹陷平面；17、封蓋；18、引流槽；19、“V”形豁口 ；20、安裝孔。
具體實施方式參考下面的實施例，可以更詳細地解釋本發(fā)明；但是，本發(fā)明并不局限于這些實施例。結合附圖1、2或3中所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈1、冷卻水道12、、連接座9和地線連接機構，所述高頻線圈I的上部面中部設有向下凹陷面13“在附圖2中可以看出”，所述向下凹`陷面13為中部平底或接近平底，由平底向外呈環(huán)形坡度向外延伸，構成外高內(nèi)低的結構，本發(fā)明所述向下凹陷面13是為了克服電流運行時出現(xiàn)的肌膚效應，容易導致電流由高頻線圈上部面運行時，拉制孔的中部溫度相對于高頻線圈的上部面和下部面過低溫度而設置的，結合高頻線圈I下部面中部設有的向上凹陷平面16，形成中部厚度小于外緣厚度；其中向上凹陷平面16與高頻線圈的下部面過度設置為至少一個環(huán)形臺階或上小下大的喇叭口狀結構。進一步，在高頻線圈I的外部環(huán)繞設置冷卻水道12，所述冷卻水道為，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，然后埋入銅管“當銅管通入冷卻水或冷卻介質(zhì)時便成為本發(fā)明所述的冷卻水道12”，所述銅管呈“C”形，在開口處的兩端部分別設置一段順延開口向外方向的延伸銅管，將銅管的圓形部分埋入高頻線圈I的開槽中，然后由封蓋17通過釬焊或銅焊或銀焊焊接，使銅管與高頻線圈I形成一體結構；也可使用另一替換方式，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，利用兩根短銅管替代“C”形銅管所述開口處的兩順延開口向外方向的延伸銅管，高頻線圈I上的開槽直接由封蓋17封閉，兩根短銅管分別焊接在原延伸銅管處，由兩根短銅管和開槽形成冷卻水道12，本發(fā)明公開這種方式但不建議使用，這是用于任何焊接處出現(xiàn)不牢固容易引起事故的發(fā)生，若技術達到并能夠確保不漏冷卻介質(zhì)，也可作為備用方案。進一步，拉制孔或化料孔4設置在高頻線圈I的中部，所述拉制孔或化料孔4可根據(jù)技術能力而定，也就是拉制孔或化料孔4既可以作為拉制孔，也可以作為化料孔，這是由于中部相對于外部的溫度較高，通過調(diào)整拉制孔或化料孔4的大小，便可實現(xiàn)作為拉制孔或作為化料孔的替換；在不脫離本發(fā)明結構的情況下，本發(fā)明也可拉制除了五或六根硅芯以下的四根娃芯、三根娃芯、兩根娃芯或一根娃芯，優(yōu)選五或六根娃芯的拉制。
進一步，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈I上均勻設置三個環(huán)繞的拉制孔，所述三個環(huán)繞的拉制孔為球拍形拉制孔3 “附圖9 12給出了球拍形拉制孔3的可變化種類，也就是引流槽18與拉制孔的連接一端和另一端倒角或尖或圓形變化”或水滴形拉制孔6“附圖13給出了水滴形拉制孔6的由下部觀察的立體結構”中的任意一種；或設置為兩個球拍形拉制孔3或一個水滴形拉制孔6 ;或設置為一個球拍形拉制孔3或兩個水滴形拉制孔6，其中所述拉制孔或化料孔4、球拍形拉制孔3和水滴形拉制孔6的上部孔口處分別設有倒角2 ;所述球拍形拉制孔3的“V”形豁口 19和所述水滴形拉制孔6的引流槽18朝向拉制孔或化料孔4，由拉制孔或化料孔4向外呈放射狀設有三個導流槽11，三個導流槽11形成“Y”形結構，在“Y”形導流槽11上部兩根的中部或外端分別設置導流槽拉制孔5，在導流槽拉制孔5的上部孔口處設有倒角2，“附圖1中給出了導流槽拉制孔5設置在“Y”形導流槽11上部兩根中部的實施方式，附圖2給出了導流槽拉制孔5設置在“Y”形導流槽11上部兩根端部的實施方式”;其中，所述“Y”形導流槽11上部兩根的中部設置導流槽拉制孔5時，在“Y”形導流槽11上部兩根的外端分別設有圓形或多角形端孔14 “結合附圖17 22給出了端孔14的變化形式，需要說明的是受到專利法要求申請文件簡潔的要求，本發(fā)明并未對端孔14的進一步變形進行解釋，但多角形端孔14、圓形端孔14或幾何形端孔14均在本發(fā)明構思的范圍之內(nèi)”;所述上部兩根導流槽11的外端頭或?qū)Я鞑?1外端頭的導流槽拉制孔5設置在三個呈三角分布的上部拉制孔與下部兩個拉制孔之間，三個呈“Y”形結構導流槽11下部的導流槽11通過開口 7貫通至高頻線圈I的外緣面，形成由外緣面至拉制孔或化料孔4的斷開的導流槽11和開口 7，開口 7與導流槽11連接處或設置端孔14，便于斜開口與導流槽11的對接過度，這其中的端孔14作用僅此而已，當然為了進一步保護本發(fā)明給出的方案，結合附圖4 8給出的實施方式，所述開口 7設置為可供選擇的“U”形開口 7或“V”形開口 7或“》”形開口 7或斜開口 7，本發(fā)明優(yōu)選斜開口 7。
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進一步冷卻水道的兩端設置在開口 7兩側(cè)的延伸管路“也叫延伸銅管”分別形成水道A端8、水道B端10,其中水道A端8為進水端、水道B端10為出水端,或?qū)⑺繟端8作為出水端、水道B端10作為進水端,在水道A端8、水道B端10的端部分別設置有連接座9，所述水道A端8 “延伸銅管”和水道B端10 “另一延伸銅管”通孔穿過兩個連接座9，在所述兩個連接座9的水道A端8、水道B端的上下或一側(cè)分別設有安裝孔20，結合附圖14 16所述連接座9為多角形連接座9 ;或雙半圓形連接座9 ;或橢圓形連接座9 ;所述高頻線圈I外部的地線連接機構，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設有地線連接板15，或在高頻線圈I的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。實施本發(fā)明所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，本發(fā)明所述高頻線圈的使用過程如下所述原料棒上端最好設置為平面或接近平面，利用設備的下軸升降系統(tǒng)將原料棒緩慢送至高頻線圈I下部，所述高頻線圈I的向上凹陷平面16盡可能的接近原料棒上端，但不得與原料棒有接觸，生產(chǎn)過程中一旦接觸便會出現(xiàn)打火而燒壞高頻線圈，然后在高頻線圈I上連接座9的水道A端8、水道B端10通電送水，水道A端8和水道B端10 —個進水另一個排水，這時高頻電流促使高頻線圈I產(chǎn)生強大的磁力線，使原料棒上端頭靠近高頻線圈I的部分利用磁力線進行感應加熱，所述球拍形拉制孔3、水滴形拉制孔6、導流槽11、導流槽拉制孔5和拉制孔或化料孔4形成的空隙，使原料棒上端對應空隙處受到感應加熱大于其它部位形成溶區(qū)“本發(fā)明的導流槽11以及開口 7使得水道A端8和水道B端10 —個為電流進入另一個為電流回路，電流受到走近路特性的影響，經(jīng)由“Y”形導流槽11上部兩根端部時，也同時由最上部的球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔6兩側(cè)經(jīng)過，同理呈三角形排列的下部的球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔6也使經(jīng)由兩側(cè)經(jīng)過，“Y”形導流槽11的作用是減少高頻電流過于在高頻線圈的中部集中，使電流在高頻線圈I上均勻分布，以實現(xiàn)受熱均勻的效果”，待原料棒的端頭靠近高頻線圈I下面靠近向上凹陷平面16的部位融化后，仔晶夾頭帶著仔晶下降，使仔晶通過拉制孔后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升仔晶，原料棒上部的熔化液體會跟隨仔晶上升，其它部位融化的液體也會隨之向拉制部位流淌，原料棒上端接近平面 但還是不太平整“本發(fā)明所述高頻線圈平整度明顯優(yōu)于本人在先申請，通過相同的操作工和相同的設備實驗證明本發(fā)明所述高頻線圈使用壽命延長了至少一倍以上”，在這一過程中原料棒下部的下軸也相應跟隨同步緩慢上升，但是其原料棒要保持不與高頻線圈I接觸；原料棒上部的熔化區(qū)在仔晶的粘和帶動并通過高頻線圈I拉制孔后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個新的柱型晶體，其仔晶夾頭夾帶仔晶緩慢上升，便可形成所需長度的成品硅芯。
權利要求
1.一種生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，包括高頻線圈(I)、冷卻水道(12)、連接座(9) 和地線連接機構，所述高頻線圈(I)的上部面中部設有向下凹陷面(13)，在高頻線圈(I)的下部面中部設有向上凹陷平面(16)，在高頻線圈(I)的外部環(huán)繞設置冷卻水道(12)，其特征在于拉制孔或化料孔⑷設置在高頻線圈⑴的中部，在拉制孔或化料孔⑷外部的高頻線圈(I)上均勻設置三個環(huán)繞的拉制孔，由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射狀設有三個導流槽(11)，三個導流槽(11)形成“Y”形結構，在“Y”形導流槽(11)上部兩根的中部或外端分別設置導流槽拉制孔(5)，所述上部兩根導流槽(11)的外端頭或?qū)Я鞑?11)外端頭的導流槽拉制孔(5)設置在三個呈三角分布的上部拉制孔與下部兩個拉制孔之間，三個呈 “Y”形結構導流槽(11)下部的導流槽(11)通過開口(7)貫通至高頻線圈(I)的外緣面，冷卻水道的兩端設置在開口(7)兩側(cè)的延伸管路分別形成水道A端(8、)水道B端(10)，其中水道A端(8)為進水端、水道B端(10)為出水端,在水道A端(8)、水道B端(10)的端部分別設置有連接座(9)，所述高頻線圈(I)的外部設有地線連接機構。
2.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是在導流槽拉制孔(5) 的上部孔口處設有倒角(2)。
3.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是在拉制孔或化料孔 (4)外部的高頻線圈(I)上設置的三個所述環(huán)繞的拉制孔為球拍形拉制孔(3)或水滴形拉制孔(6)中的任意一種；或設置為兩個球拍形拉制孔(3)或一個水滴形拉制孔￠);或設置為一個球拍形拉制孔(3)或兩個水滴形拉制孔￠)，所述球拍形拉制孔(3)的“V”形豁口 (19)和所述水滴形拉制孔(6)的引流槽(18)朝向拉制孔或化料孔(4)。
4.如權利要求3所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是在拉制孔或化料孔 (4)、球拍形拉制孔(3)和所述水滴形拉制孔￠)的上部孔口處分別設有倒角(2)。
5.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是所述“Y”形導流槽 (11)上部兩根的中部設置導流槽拉制孔(5)時，在“Y”形導流槽(11)上部兩根的外端分別設有端孔(14);所述端孔(14)為圓形或多角形。
6.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是所述水道A端(8)和水道B端(10)通孔穿過兩個連接座(9)，在所述兩個連接座(9)的水道A端(8)、水道B端的上下或一側(cè)分別設有安裝孔(20)。
7.如權利要求6所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是所述連接座(9)為多角形連接座(9);或雙半圓形連接座(9);或橢圓形連接座(9)。
8.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是在高頻線圈(I)外部環(huán)繞設置冷卻水道為，在高頻線圈(I)的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道環(huán)埋在高頻線圈(I)內(nèi)，然后由封蓋(17)通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或在高頻線圈(I)的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻水道，使冷卻水道與高頻線圈(I)形成一體。
9.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是所述開口(7)設置為“U”形開口(7)或“V”形開口(7)或“》”形開口(7)或斜開口(7)。
10.如權利要求1所述的生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，其特征是所述地線連接機構，在高頻線圈(I)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設有地線連接板(15)，或在高頻線圈 (I)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。
全文摘要
一種生產(chǎn)五或六根硅芯的高頻線圈，涉及人工晶體技術領域，在拉制孔或化料孔(4)外部的高頻線圈(1)上均勻設置三個環(huán)繞的拉制孔，由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射狀設有三個導流槽(11)，在“Y”形導流槽(11)上部兩根的中部或外端分別設置導流槽拉制孔(5)，上部兩根導流槽的外端頭或?qū)Я鞑弁舛祟^的導流槽拉制孔設置在三個呈三角分布的上部拉制孔與下部兩個拉制孔之間，在水道A端(8)、水道B端(10)的端部分別設置有連接座(9)；本發(fā)明在通過球拍形拉制孔或水滴形拉制孔結合導流槽上設置的拉制孔以及導流槽長度的有機結合，實現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設計要求的硅芯。
文檔編號H05B6/42GK103046118SQ20121056814
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月25日 優(yōu)先權日2012年12月25日
發(fā)明者劉朝軒 申請人:洛陽金諾機械工程有限公司