具有電路圖案的電路基板及其制造方法
【專利摘要】一種具有電路圖案的電路基板，包含：一個形成有一個凹槽的圖案的絕緣基材，該凹槽是通過一個凹槽形成壁所形成，該凹槽形成壁具有一個底壁面及一個自該底壁面向上延伸的圍繞壁面；一個圖案化金屬層結(jié)構(gòu)，包括至少一個設(shè)置于該凹槽內(nèi)的圖案化活性金屬層，該圖案化活性金屬層是形成在該凹槽形成壁的底壁面上，且與該凹槽形成壁的圍繞壁面間隔分離，該圖案化活性金屬層含有一種能引發(fā)無電鍍的活性金屬；及一個鍍覆在該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)上的基礎(chǔ)金屬層。
【專利說明】具有電路圖案的電路基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有電路圖案的電路基板及其制造方法，特別是涉及一種具有形成在一個基材的一個凹槽中的電路圖案的電路基板。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在一個絕緣基材上形成一個具有電路圖案的電路基板的方法可通過在該絕緣基材中嵌入成型(insert molding)該電路圖案，或通過以該絕緣基材積層化(laminating)該電路圖案。然而，前述的傳統(tǒng)方法會不良地增加電路基板的厚度。此外，所述傳統(tǒng)方法在電路圖案的修改或制造設(shè)備的改變及調(diào)整的工藝步驟上是費(fèi)時的。
[0003]美國專利第4，865，873號公開一種在一個基材上制造具有電路圖案的電路基板的方法，該方法包含在一個基材上形成一個絕緣層，在該絕緣層上形成一個水溶性層，通過激光剝蝕(laser ablation)形成一個延伸穿透該水溶性層及該絕緣層的圖案化孔，在該圖案化孔中及該水溶性層上形成一個活性金屬層，并在該活性金屬層上無電鍍沉積(electroless depositing) 一個基礎(chǔ)金屬層及同時在一種水性電鍍液中溶解該水溶性層。由于該活性金屬層覆蓋了該圖案化孔壁與該水溶性層，該基礎(chǔ)金屬層的無電鍍(electroless plating)不只發(fā)生在該孔壁,也不良地發(fā)生在該水溶性層的表面。雖然在無電鍍的過程中，該水溶性層會逐漸溶解于該水性電鍍液中，但此會對于無電鍍造成不利的影響。此外，如此形成的電路基板的厚度會大幅度地增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種可有利于無電鍍和厚度可被控制及制造工藝簡化的的電路基板。
[0005]本發(fā)明具有電路圖案的電路基板，包含:一個絕緣基材，包括一個頂面，且自該頂面凹陷形成有一個凹槽的圖案，該凹槽是通過一個凹槽形成壁所形成，該凹槽形成壁具有一個底壁面及一個自該底壁面向上延伸的圍繞壁面；一個圖案化金屬層結(jié)構(gòu)，包括至少一個設(shè)置于該凹槽內(nèi)的圖案化活性金屬層，該圖案化活性金屬層是形成在該凹槽形成壁的底壁面上，且與該凹槽形成壁的圍繞壁面間隔分離，該圖案化活性金屬層含有一種能引發(fā)無電鍍的活性金屬，該圖案化活性金屬層的圖案在形狀上與該凹槽的圖案相對應(yīng)；及一個鍍覆在該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)上的基礎(chǔ)金屬層。
[0006]本發(fā)明的另一目的即在提供一種具有電路圖案的電路基板的制造方法。該方法包含:(a)提供一個具有一個頂面的絕緣基材；(b)在該絕緣基材中形成一個凹槽的圖案，以致該凹槽是凹陷自該頂面，該凹槽是通過一個具有一個底壁面及一個自該底壁面向上延伸的圍繞壁面的凹槽形成壁所形成；(C)在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上形成一個金屬層結(jié)構(gòu)，該金屬層結(jié)構(gòu)包括至少一個含有一種能引發(fā)無電鍍的活性金屬的活性金屬層；(d)將該金屬層結(jié)構(gòu)中沿著該凹槽形成壁的底壁面的外周緣設(shè)置的部分移除，以使該金屬層結(jié)構(gòu)形成一個設(shè)置在該底壁面上的第一區(qū)及一個與該第一區(qū)物理分離的第二區(qū)；及(e)在該金屬層結(jié)構(gòu)的第一區(qū)上鍍覆一個基礎(chǔ)金屬層。
[0007]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明通過在該絕緣基材中形成一個凹槽，及在該凹槽中形成一個包括至少一個活性金屬層的金屬層結(jié)構(gòu)，并隨后將該金屬層結(jié)構(gòu)的一部分自該絕緣基材移除，所以確實能達(dá)成本發(fā)明的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是一個立體透視圖，顯示本發(fā)明第一較佳實施例的一種制造電路基板的方法的第一步驟；
[0009]圖2是一個立體透視圖，顯示該制造第一較佳實施例的方法的第二步驟；
[0010]圖3是一個沿著圖2的剖切線II1-1II獲取的剖視圖；
[0011]圖4是一個立體透視圖，顯示該制造第一較佳實施例的方法的第三步驟；
[0012]圖5是一個沿著圖4的剖切線V - V獲取的剖視圖；
[0013]圖6是一個剖視圖，顯示該制造第一較佳實施例的方法的第四步驟；
[0014]圖7是一個剖視圖，顯示該制造第一較佳實施例的方法的第五步驟；
[0015]圖8是一個立體透視圖，顯示該制造第一較佳實施例的方法的第六步驟；
[0016]圖9是一個沿著圖8的剖切線IX -1X獲取的剖視圖；
[0017]圖10是一個剖視圖，顯示本發(fā)明第二較佳實施例的一種制造電路基板的方法的
第一步驟；
[0018]圖11是一個剖視圖，顯示該制造第二較佳實施例的方法的第二步驟；
[0019]圖12是一個剖視圖，顯示該制造第二較佳實施例的方法的第三步驟；
[0020]圖13是一個剖視圖，顯示該制造第二較佳實施例的方法的第四步驟；
[0021]圖14是一個剖視圖，顯示該制造第二較佳實施例的方法的第五步驟；
[0022]圖15是一個剖視圖，顯示本發(fā)明第三較佳實施例的一種制造電路基板的方法的第一步驟；
[0023]圖16是一個剖視圖，顯示該制造第三較佳實施例的方法的第二步驟；
[0024]圖17是一個剖視圖，顯示該制造第三較佳實施例的方法的第三步驟；
[0025]圖18是一個剖視圖，顯示該制造第三較佳實施例的方法的第四步驟；及
[0026]圖19是一個剖視圖，顯示該制造第三較佳實施例的方法的第五步驟。
【具體實施方式】
[0027]為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作詳細(xì)說明。首先需要說明的是，本發(fā)明并不限于下述【具體實施方式】，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該從下述實施方式所體現(xiàn)的精神來理解本發(fā)明，各技術(shù)術(shù)語可以基于本發(fā)明的精神實質(zhì)來作最寬泛的理解。圖中相同或相似的構(gòu)件采用相同的附圖標(biāo)記表示。
[0028]圖8及圖9說明本發(fā)明第一較佳實施例的電路基板100。該電路基板100包含:一個絕緣基材2，包括一個頂面21，且自該頂面21凹陷形成有一個凹槽20的圖案，該凹槽20是通過一個凹槽形成壁20’所形成，該凹槽形成壁20’具有一個底壁面201及一個自該底壁面201向上延伸的圍繞壁面202 個圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5，包括至少一個設(shè)置于該凹槽20內(nèi)的圖案化活性金屬層3，該圖案化活性金屬層3是形成在該凹槽形成壁20’的底壁面201上，且與該凹槽形成壁20’的圍繞壁面202通過一個間隙203間隔分離，該圖案化活性金屬層3含有一種能引發(fā)無電鍍的經(jīng)還原的活性金屬，該圖案化活性金屬層3的圖案在形狀上與該凹槽20的圖案相對應(yīng)；及一個鍍覆在該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5上的基礎(chǔ)金屬層4。該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5與該基礎(chǔ)金屬層4共同形成在形狀上與該凹槽20的圖案相對應(yīng)的電路圖案10。較佳地，該電路圖案10具有一個頂面101，該頂面101是大體上齊平于或略高地設(shè)置于該絕緣基材2的頂面21。
[0029]圖1至圖9說明本發(fā)明第一較佳實施例的電路基板100的制造方法的連續(xù)步驟。該方法包含以下步驟:(a)提供一個具有一個頂面21的絕緣基材2(參見圖1) ；(b)在該絕緣基材2中形成一個凹槽20的圖案，以致該凹槽20是凹陷自該頂面21 (參見圖2及圖3)，該凹槽20是通過一個具有一個底壁面201及一個自該底壁面201向上延伸的圍繞壁面202的凹槽形成壁20’所形成；(c)在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成一個金屬層結(jié)構(gòu)5’，該金屬層結(jié)構(gòu)5’包括至少一個含有一種能引發(fā)無電鍍的經(jīng)還原的或非經(jīng)還原的活性金屬的活性金屬層3’(參見圖4及圖5) ；(d)將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的一個沿著該凹槽形成壁20’的底壁面201的外周緣設(shè)置的閉環(huán)部分移除，以使該金屬層結(jié)構(gòu)5’形成一個設(shè)置在該底壁面201上的第一區(qū)51及一個與該第一區(qū)51通過一個間隙203物理分離的第二區(qū)52 (參見圖6)，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51形成出圖9中的圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51的活性金屬層3’形成出圖9中的圖案化活性金屬層3;(e)在該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51上鍍覆一個基礎(chǔ)金屬層4(參見圖7);及(f)通過電解將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第二區(qū)52自該絕緣基材2移除(參見圖8及圖9)。
[0030]在本實施例中，該金屬層結(jié)構(gòu)5’是通過在該步驟(C)中將該絕緣基材2浸入一種活性金屬溶液中所形成(圖未示)，以在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成一個含有非經(jīng)還原的活性金屬的非經(jīng)還原的活性金屬層(可為活性金屬膠體粒子或離子)，并接續(xù)還原該非經(jīng)還原的活性金屬層的非經(jīng)還原的活性金屬，以在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成該含有經(jīng)還原的活性金屬的活性金屬層3’，該金屬層結(jié)構(gòu)5’是形成在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上。該基礎(chǔ)金屬層4是通過電鍍而形成在該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51上。
[0031]較佳地，該經(jīng)還原的或非經(jīng)還原的活性金屬是選自于由下列所構(gòu)成的群組:鈀、錯、鉬、銥、鋨、金、鎳、鐵及它們的組合。
[0032]較佳地，該活性金屬溶液是鈀鹽溶液或鈀-錫膠體溶液。
[0033]較佳地，該基礎(chǔ)金屬層4是以一種選自于下列所構(gòu)成群組的金屬所制成:銅、鎳、銀及金。
[0034]較佳地，該絕緣基材2是以一種選自于下列所構(gòu)成群組的材料所制成:聚碳酸酯(polycarbonate)、丙烯酸樹脂(acryl resin)與丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABSresin)的組合，及聚碳酸酯與丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂的組合。
[0035]較佳地，該絕緣基材2中的凹槽20是通過激光或等離子體剝蝕(ablation)所形成。
[0036]較佳地，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的閉環(huán)部分是通過激光剝蝕所移除。
[0037]圖14說明本發(fā)明第二較佳實施例的電路基板100。該第二較佳實施例與先前的實施例不同處在于該圖案化活性金屬層3含有該非經(jīng)還原的活性金屬，該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5還包括一個無電鍍在該圖案化活性金屬層3上且具有一個與該圖案化活性金屬層3相對應(yīng)的圖案的中間金屬層6，且該基礎(chǔ)金屬層4是被電鍍在該中間金屬層6上。該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5與該基礎(chǔ)金屬層4共同形成該電路圖案10。
[0038]圖10至圖14說明本發(fā)明第二較佳實施例的電路基板100的制造方法的連續(xù)步驟。該方法包含以下步驟:在該絕緣基材2中形成一個凹槽20的圖案(參見圖10);在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成一個金屬層結(jié)構(gòu)5’，該金屬層結(jié)構(gòu)5’是通過將該絕緣基材2浸入一種活性金屬溶液中所形成(圖未示)，以在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成一個含有非經(jīng)還原的活性金屬的非經(jīng)還原的活性金屬層3’(參見圖10)，并接續(xù)在該非經(jīng)還原的活性金屬層3’上無電鍍一個中間金屬層6(參見圖11);將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的一個沿著該凹槽形成壁20’的底壁面201的外周緣設(shè)置的部分移除，以使該金屬層結(jié)構(gòu)5’形成一個設(shè)置在該底壁面201上的第一區(qū)51及一個與該第一區(qū)51通過一個間隙203物理分離的第二區(qū)52 (參見圖12)，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51形成出圖14中的圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51的非經(jīng)還原的活性金屬層3’形成出圖14中的圖案化活性金屬層3 ;在該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51的中間金屬層6上電鍍一個基礎(chǔ)金屬層4(參見圖13);及通過電解將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第二區(qū)52自該絕緣基材2移除(參見圖14)。
[0039]圖19說明本發(fā)明第三較佳實施例的電路基板100。該第三較佳實施例與該第一較佳實施例不同處在于該圖案化活性金屬層3含有該非經(jīng)還原的活性金屬，該基礎(chǔ)金屬層4是被無電鍍在該圖案化活性金屬層3上，且在該基礎(chǔ)金屬層4上形成一個頂部金屬層7。雖然該第三較佳實施例的制法與該第二較佳實施例不同，但當(dāng)該第三較佳實施例的基礎(chǔ)金屬層4與頂部金屬層7各自等同于該第二較佳實施例的中間金屬層6與基礎(chǔ)金屬層4時，該第三較佳實施例與該第二較佳實施例在結(jié)構(gòu)上近似。
[0040]圖15至圖19說明本發(fā)明第三較佳實施例的電路基板100的經(jīng)修改的制造方法的連續(xù)步驟。該方法包含以下步驟:在該絕緣基材2中形成一個凹槽20的圖案(參見圖15)；在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成一個金屬層結(jié)構(gòu)5’，該金屬層結(jié)構(gòu)5’是通過將該絕緣基材2浸入一種活性金屬溶液中所形成(圖未示)，以在該凹槽20的凹槽形成壁20’及該絕緣基材2的頂面21上形成一個含有非經(jīng)還原的活性金屬的非經(jīng)還原的活性金屬層3’(參見圖15);將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的一個沿著該凹槽形成壁20’的底壁面201的外周緣設(shè)置的部分移除，以使該金屬層結(jié)構(gòu)5’形成一個設(shè)置在該底壁面201上的第一區(qū)51及一個與該第一區(qū)51通過一個間隙203物理分離的第二區(qū)52 (參見圖16)，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51形成出圖19中的圖案化金屬層結(jié)構(gòu)5，該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51的非經(jīng)還原的活性金屬層3’形成出圖19中的圖案化活性金屬層3 ;在該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第一區(qū)51的活性金屬層3’上無電鍍一個基礎(chǔ)金屬層4(參見圖17);該基礎(chǔ)金屬層4上電鍍一個頂部金屬層7(參見圖18);及通過電解將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的第二區(qū)52自該絕緣基材2移除(參見圖19)。
[0041]綜上所述，由于本發(fā)明是通過在該絕緣基材2中形成一個凹槽20,及在該凹槽20中形成一個包括至少一個活性金屬層3’的金屬層結(jié)構(gòu)5’(該活性金屬層3’是通過使該絕緣基材2與一種活性金屬溶液接觸而形成)，并隨后將該金屬層結(jié)構(gòu)5’的一部分自該絕緣基材2移除，因而可以減輕上述現(xiàn)有技術(shù)所遭遇的缺點。[0042] 但以上所述的僅為本發(fā)明的較佳實施例與具體例，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實施的范圍，即根據(jù)本發(fā)明申請專利范圍及發(fā)明說明內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有電路圖案的電路基板，其特征在于其包含: 一個絕緣基材，包括一個頂面，且自該頂面凹陷形成有一個凹槽的圖案，該凹槽是通過一個凹槽形成壁所形成，該凹槽形成壁具有一個底壁面及一個自該底壁面向上延伸的圍繞壁面； 一個圖案化金屬層結(jié)構(gòu)，包括至少一個設(shè)置于該凹槽內(nèi)的圖案化活性金屬層，該圖案化活性金屬層是形成在該凹槽形成壁的底壁面上，且與該凹槽形成壁的圍繞壁面間隔分離，該圖案化活性金屬層含有一種能引發(fā)無電鍍的活性金屬，該圖案化活性金屬層的圖案在形狀上與該凹槽的圖案相對應(yīng)；及 一個鍍覆在該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)上的基礎(chǔ)金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電路圖案的電路基板，其特征在于:該活性金屬是選自于由下列所構(gòu)成的群組！、銠、鉬、銥、鋨、金、鎳、鐵及它們的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電路圖案的電路基板，其特征在于:該基礎(chǔ)金屬層是以一種選自于下列所構(gòu)成群組的金屬所制成:銅、鎳、銀及金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電路圖案的電路基板，其特征在于:該絕緣基材是以一種選自于下列所構(gòu)成群組的材料所制成:聚碳酸酯、丙烯酸樹脂與丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂的組合，及聚碳酸酯與丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電路圖案的電路基板，其特征在于:該圖案化活性金屬層含有經(jīng)還原的活性金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有電路圖案的電路基板，其特征在于:該圖案化活性金屬層含有非經(jīng)還原的活性金屬，該圖案化金屬層結(jié)構(gòu)還包括一個無電鍍在該圖案化活性金屬層上的中間金屬層，該基礎(chǔ)金屬層是被電鍍在該中間金屬層上。
7.一種具有電路圖案的電路基板的制造方法，其特征在于其包含: (a)提供一個具有一個頂面的絕緣基材； (b)在該絕緣基材中形成一個凹槽的圖案，以致該凹槽是凹陷自該頂面，該凹槽是通過一個具有一個底壁面及一個自該底壁面向上延伸的圍繞壁面的凹槽形成壁所形成； (C)在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上形成一個金屬層結(jié)構(gòu)，該金屬層結(jié)構(gòu)包括至少一個含有一種能引發(fā)無電鍍的活性金屬的活性金屬層； (d)將該金屬層結(jié)構(gòu)中沿著該凹槽形成壁的底壁面的外周緣設(shè)置的部分移除，以使該金屬層結(jié)構(gòu)形成一個設(shè)置在該底壁面上的第一區(qū)及一個與該第一區(qū)物理分離的第二區(qū)；及 (e)在該金屬層結(jié)構(gòu)的第一區(qū)上鍍覆一個基礎(chǔ)金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(C)中，該金屬層結(jié)構(gòu)是通過將該絕緣基材浸入一種活性金屬溶液中所形成，以在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上形成一個含有非經(jīng)還原的活性金屬的非經(jīng)還原的活性金屬層，并接續(xù)還原該非經(jīng)還原的活性金屬層的非經(jīng)還原的活性金屬，以形成該含有經(jīng)還原的活性金屬的活性金屬層，該金屬層結(jié)構(gòu)是形成在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(e)中，該基礎(chǔ)金屬層是通過電鍍而形成在該金屬層結(jié)構(gòu)的第一區(qū)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(C)中，該金屬層結(jié)構(gòu)是通過將該絕緣基材浸入一種活性金屬溶液中所形成，以在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上形成一個含有非經(jīng)還原的活性金屬的非經(jīng)還原的活性金屬層，并接續(xù)在該非經(jīng)還原的活性金屬層上無電鍍一個中間金屬層，該非經(jīng)還原的活性金屬層形成出該活性金屬層，該金屬層結(jié)構(gòu)是形成在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(e)中，該基礎(chǔ)金屬層是通過電鍍而形成在該金屬層結(jié)構(gòu)的第一區(qū)的中間金屬層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(c)中，該金屬層結(jié)構(gòu)是通過將該絕緣基材浸入一種活性金屬溶液中所形成，以在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上形成一個含有非經(jīng)還原的活性金屬的非經(jīng)還原的活性金屬層，該非經(jīng)還原的活性金屬層形成出該活性金屬層，該金屬層結(jié)構(gòu)是形成在該凹槽的凹槽形成壁及該絕緣基材的頂面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(e)中，該基礎(chǔ)金屬層是通過無電鍍而形成在該金屬層結(jié)構(gòu)的第一區(qū)的活性金屬層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:該方法還包含一個在該步驟(e)后在該基礎(chǔ)金屬層上電鍍一個頂部金屬層的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(b)中，該絕緣基材中的凹槽是通過激光或等離子體剝蝕所形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:在該步驟(d)中，該金屬層結(jié)構(gòu)的所述部分是通過激光剝蝕所移除。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:該方法還包含一個在該步驟(e)后自該絕緣基材將金屬層結(jié)構(gòu)的第二區(qū)移除的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的具有電路圖案的電路基板的方法，其特征在于:該金屬層結(jié)構(gòu)的第二區(qū)是通過電解自該絕緣基材所移除。
【文檔編號】H05K3/10GK103547055SQ201210238118
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月10日
【發(fā)明者】易聲宏, 廖本逸 申請人:綠點高新科技股份有限公司