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Led驅動芯片的電流源電路的制作方法

文檔序號:8052914閱讀:347來源:國知局
專利名稱:Led驅動芯片的電流源電路的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種LED驅動芯片的電流源電路,屬于LED電路技術領域。
背景技術
電流源電路在模擬電路中是非常常見的電路,它不隨電壓和溫度的變化而變化,用于為電路中其他模塊產(chǎn)生電流基準,如放大器,振蕩器,PLL等?,F(xiàn)有技術中存在兩種不同的電流源電路,一種不受電源電壓的影響,但是精確度有限、易受溫度影響。另一種精確度很高,不受電源電壓的影響,但是需要bandgap核和額外的運放,受到電阻和Vref溫度特性影響。上述兩種結構有一個共同的缺點:片內(nèi)電阻的關鍵參數(shù)通常會因為工藝漲落發(fā)生偏離。電流基準電路易受到工藝、電壓、溫度(PVT)變化的影響,這就導致輸出電流會有相當大的變化,難以為后續(xù)電路提供性能優(yōu)越的電流源。如振蕩器的輸出頻率不能得到很好的控制。所以,設計高性能的基準電流電路就要克服以上的困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種不受電壓、溫度和工藝影響的LED驅動芯片的電流源電路。為了解決上述的技術問題,本發(fā)明的技術方案是:一種LED驅動芯片的電流源電路,其特征在于包括放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路,所述放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路串聯(lián)。所述工藝補償級通過用陣列疊加式MOS工藝進行補償實現(xiàn)。

本發(fā)明電路采用工藝補償級和溫度補償級級聯(lián)的思想。工藝補償?shù)膶崿F(xiàn),用陣列疊加式MOS工藝進行補償,其具有較大負溫度特性。傳統(tǒng)的帶隙結構電路能夠產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電流,但是要使二者實現(xiàn)溫度的補償,需要專門為其設計一個溫度系數(shù)。對于較大負溫度系數(shù)的MOSFET組合電路,需要相當數(shù)量的三極管才能實現(xiàn)。一般的模擬電路中都會有帶隙基準,是否能夠不改變原有的帶隙電路僅外加一部分電路,而進行PTAT特性調節(jié),針對這種想法設計一種可靈活調節(jié)提高電路的正溫度系數(shù),抵消工藝補償電路負溫度特性,產(chǎn)生具有低溫漂的電流源電路。


附圖為本發(fā)明的結構示意圖。
具體實施例方式如附圖所示,本發(fā)明LED驅動芯片的電流源電路應用于背光的Boost型白光LED驅動芯片上,其將放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路電路串聯(lián),工藝補償級通過用陣列疊加式MOS工藝進行補償實現(xiàn)。
本發(fā)明為振蕩器等電路提供精確的偏置電流,其具有輸出阻抗高,輸出電流及溫度特性調整簡單方便的特點。解決了以往只針對PVT中一到兩個方面設計的弊端,具有優(yōu)越的性能。上述實施例不以任何方式限制本發(fā)明,凡是采用等同替換或等效變換的方式獲得的技術方案均落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種LED驅動芯片的電流源電路,其特征在于包括放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路,所述放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路串聯(lián)。
2.根據(jù)權利要求1所述的LED驅動芯片的電流源電路,其特征在于:所述工藝補償級通過用陣列疊加式MOS工藝進行補償實現(xiàn)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LED驅動芯片的電流源電路,其包括放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路,所述放大器電路、溫度補償級電路和工藝補償級電路串聯(lián),本發(fā)明電路可靈活調節(jié)提高電路的正溫度系數(shù),抵消工藝補償電路負溫度特性,產(chǎn)生具有低溫漂的電流源電路。
文檔編號H05B37/02GK103179714SQ201110427759
公開日2013年6月26日 申請日期2011年12月20日 優(yōu)先權日2011年12月20日
發(fā)明者楊耀武, 蘇曉燕, 蘇怡 申請人:常熟卓輝光電科技有限公司
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