專利名稱：同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種高頻線圈，尤其是涉及一種可使電流均勻分布在拉制孔周圍且通過(guò)冷卻介質(zhì)通道合理設(shè)置確保線圈溫度較為均衡的高頻線圈，具體涉及一種同時(shí)拉制多根硅芯或其它晶體材料的花瓣?duì)畹母哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
已知的硅芯或其它晶體材料大部分以區(qū)熔方式的加工工藝進(jìn)行生產(chǎn)，現(xiàn)有的可同時(shí)生產(chǎn)多根硅芯及其它晶體材料的高頻線圈結(jié)構(gòu)，其工作原理如下工作時(shí)通過(guò)給高頻線 圈通入高頻電流和冷卻介質(zhì)，其中高頻電流在高頻線圈的上下面運(yùn)行，冷卻介質(zhì)在環(huán)埋在高頻線圈外圍的冷卻介質(zhì)通道“冷卻水道”內(nèi)運(yùn)行，在高頻電流流經(jīng)線圈時(shí)使高頻線圈產(chǎn)生感應(yīng)磁場(chǎng)，并由感應(yīng)磁場(chǎng)對(duì)原料棒上部端頭進(jìn)行感應(yīng)加熱，同時(shí)冷卻介質(zhì)對(duì)高頻線圈相鄰的部分進(jìn)行冷卻，防止線圈因過(guò)熱而熔化；通過(guò)高頻線圈下面加熱后的原料棒上端頭達(dá)到熔化溫度后形成融化區(qū)，在提升機(jī)構(gòu)籽晶夾頭上設(shè)置有籽晶，由籽晶穿過(guò)高頻線圈內(nèi)孔后與熔化后的原料棒上端頭相粘合，待籽晶與熔化后所述原料棒融為一體時(shí)，而后由提升機(jī)構(gòu)帶動(dòng)籽晶和柱形晶體通過(guò)內(nèi)孔按照預(yù)定的速度上升，粘附在籽晶上的晶體在脫離高頻線圈內(nèi)孔后便會(huì)按照籽晶的晶體排列順序進(jìn)行結(jié)晶，并慢慢被提升起來(lái)形成具有一定形狀的晶棒“也就是柱形晶體”，這個(gè)新的柱形晶體便是硅芯或其它材料晶體的制成品；柱形晶體再經(jīng)過(guò)還原等工序形成所需產(chǎn)品。需要說(shuō)明的是目前高頻線圈在電流經(jīng)過(guò)時(shí)受到趨膚效應(yīng)、電流走近路所產(chǎn)生的中部過(guò)熱等現(xiàn)象的困擾，造成線圈的使用壽命降低；其中趨膚效應(yīng)是指電流在高頻線圈上運(yùn)行時(shí)會(huì)沿著上下面行走；電流走近路是指電流通常會(huì)沿著最近的回路線行走；由于冷卻水道設(shè)置在高頻線圈的外圍，使得高頻線圈的中部受到電流走近路現(xiàn)象便會(huì)產(chǎn)生過(guò)高的溫度,在長(zhǎng)時(shí)間的高溫環(huán)境下高頻線圈的損壞便會(huì)由高頻線圈的中部開(kāi)始“主要是高溫環(huán)境下材質(zhì)發(fā)生的改變”，使高頻線圈的使用壽命大幅度縮短。發(fā)明人在先專利申請(qǐng)的多項(xiàng)專利雖然說(shuō)較好的實(shí)現(xiàn)了同時(shí)拉制多根硅芯或其它晶體材料，但是水路“冷卻介質(zhì)通道”設(shè)置不合理的弊端也得以顯現(xiàn)，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高頻感應(yīng)加熱線圈的較長(zhǎng)壽命，有必要對(duì)于水路進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容為了實(shí)現(xiàn)所述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)將冷卻介質(zhì)通道設(shè)置為花瓣形狀，通過(guò)圓形冷卻介質(zhì)通路的擴(kuò)大有效克服了原料硅棒端頭的加熱問(wèn)題，并且通過(guò)“V”形冷卻介質(zhì)通道使得原料硅棒的端頭中部也獲得相應(yīng)的電流，由于“V”形冷卻介質(zhì)通道的設(shè)置，中部溫度也不會(huì)過(guò)高且使得中部較熱區(qū)域得到更多的降溫機(jī)會(huì)，有效地克服了中部過(guò)熱現(xiàn)象的發(fā)生，而且磁力線并不會(huì)減弱；本發(fā)明通過(guò)將多個(gè)拉制孔分別設(shè)置為孔口處具有環(huán)狀斜面；保證了原料棒的受熱均勻和防范趨膚效應(yīng)；本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命較長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，包括冷卻介質(zhì)通道、鑲嵌銅片、雙開(kāi)口銅片、連接座和地線連接片；所述冷卻介質(zhì)通道包含多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路環(huán)形排列,在每一個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路的內(nèi)側(cè)設(shè)有開(kāi)口，所述開(kāi)口兩個(gè)通路分別聯(lián)通角部向內(nèi)的“V”形管道折彎一端，在開(kāi)口處兩相鄰的“V”形管道折彎之間留有間隙，由冷卻介質(zhì)通道、“V”形管道折彎形成放射狀花瓣?duì)罱Y(jié)構(gòu)，其中下部的一個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路為向下分開(kāi)且并列順直延伸形成兩個(gè)兩個(gè)獨(dú) 立的管口，所述冷卻介質(zhì)通道的兩個(gè)獨(dú)立的管口一個(gè)為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口，另一個(gè)為冷卻介質(zhì)出口 ；鑲嵌銅片的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路的內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在鑲嵌銅片的中部設(shè)有拉制孔；所述雙開(kāi)口銅片的中部設(shè)有拉制孔，拉制孔的對(duì)應(yīng)兩相鄰的“V”形管道折彎間隙和向下分開(kāi)一側(cè)分別設(shè)有電流交叉斜開(kāi)口；所述連接座為兩個(gè)，兩個(gè)連接座上分別設(shè)有聯(lián)通冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口的連接口 ；在環(huán)繞排列的多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路中部分別設(shè)有鑲嵌銅片，鑲嵌銅片的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路的內(nèi)壁連接，鑲嵌銅片的中部設(shè)有拉制孔；在下部的圓形冷卻介質(zhì)通路內(nèi)設(shè)置為雙開(kāi)口銅片，雙開(kāi)口銅片的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路內(nèi)壁連接，電流交叉斜開(kāi)口由雙開(kāi)口銅片中部設(shè)置的拉制孔向上和向下貫通至兩相鄰的“V”形管道折彎間隙和圓形冷卻介質(zhì)通路的向下分開(kāi)處；在圓形冷卻介質(zhì)通路的向下分開(kāi)兩端部分別連接兩個(gè)連接座的冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口連接口 ；在任一圓形冷卻介質(zhì)通路或“V”形管道折彎外部設(shè)有地線連接片形成完整的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，在鑲嵌銅片的對(duì)應(yīng)兩“V”形冷卻介質(zhì)通道間隙一側(cè)設(shè)有半環(huán)繞拉制孔的半圓導(dǎo)流槽，半圓導(dǎo)流槽的對(duì)應(yīng)兩“V”形冷卻介質(zhì)通道間隙處設(shè)有開(kāi)口。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，在拉制孔的上部或下部孔口處設(shè)有環(huán)狀斜面。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述拉制孔設(shè)置為圓形或多角形。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，環(huán)形排列的圓形冷卻介質(zhì)通路包含下部的具有向下分開(kāi)的圓形冷卻介質(zhì)通路為至少三個(gè)。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述兩個(gè)連接座外側(cè)分別設(shè)置的連接孔為至少一個(gè)。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述鑲嵌銅片或雙開(kāi)口銅片與圓形冷卻介質(zhì)通路的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述冷卻介質(zhì)通道、鑲嵌銅片、雙開(kāi)口銅片、連接座和地線連接片通過(guò)銅焊或銀焊形成一體。由于采用如上所述的技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果
本發(fā)明所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，本發(fā)明將冷卻介質(zhì)通道設(shè)置為花瓣形狀，通過(guò)圓形冷卻介質(zhì)通路的擴(kuò)大有效克服了原料硅棒端頭的加熱問(wèn)題，并且通過(guò)“V”形冷卻介質(zhì)通道使得原料硅棒的端頭中部也獲得相應(yīng)的電流，由于“V”形冷卻介質(zhì)通道的設(shè)置，中部溫度也不會(huì)過(guò)高且使得中部較熱區(qū)域得到更多的降溫機(jī)會(huì)，有效地克服了中部過(guò)熱現(xiàn)象的發(fā)生，而且磁力線并不會(huì)減弱；使用時(shí)將連接座連接的冷卻介質(zhì)通道接通冷卻介質(zhì)，地線連接片同時(shí)外接防止短路，在原料硅棒的端頭靠近本發(fā)明下面時(shí)，在原料硅棒的端頭部位融化后，籽晶夾頭帶著籽晶下降，使籽晶通過(guò)多個(gè)拉制孔后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升籽晶，原料棒上部的熔化液體會(huì)跟隨籽晶上升，其原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升；由于原料棒的端部可能不太平整；所以需要控制原料棒的上升速度以實(shí)現(xiàn)受熱均勻的效果；原料硅棒上部的熔化區(qū)在籽晶的粘和帶動(dòng)并通過(guò)拉制孔后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個(gè)新的柱型晶體；本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命較長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

圖I是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的鑲嵌銅片立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明的另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的鑲嵌銅片另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意5是本發(fā)明的雙開(kāi)口銅片立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明的連接座立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、地線連接片；2、圓形冷卻介質(zhì)通路；3、環(huán)狀斜面；4、拉制孔；5、半圓導(dǎo)流槽；6、管道折彎；7、鑲嵌銅片；8、中部口 ；9、電流交叉斜開(kāi)口 ；10、雙開(kāi)口銅片；11、冷卻介質(zhì)通道；12、連接座；13、開(kāi)口 ；14、連接孔。
具體實(shí)施方式通過(guò)下面的實(shí)施例可以更詳細(xì)的解釋本發(fā)明，公開(kāi)本發(fā)明的目的旨在保護(hù)本發(fā)明范圍內(nèi)的一切變化和改進(jìn)，本發(fā)明并不局限于下面的實(shí)施例；結(jié)合附圖I 4中所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，包括冷卻介質(zhì)通道11、鑲嵌銅片7、雙開(kāi)口銅片10、連接座12和地線連接片I ;所述冷卻介質(zhì)通道11包含多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2環(huán)形排列，制作時(shí)根據(jù)需求設(shè)計(jì)圓形冷卻介質(zhì)通路2的數(shù)量，在附圖I和3中本發(fā)明分別給出了八個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2和四個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2的結(jié)構(gòu)示意圖，實(shí)際使用中數(shù)量至少在三個(gè)或三個(gè)以上，在每一個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2的內(nèi)側(cè)設(shè)有開(kāi)口，所述開(kāi)口兩個(gè)通路分別聯(lián)通角部向內(nèi)的“V”形管道折彎6 —端，在開(kāi)口處兩相鄰的“V”形管道折彎6之間留有間隙，由冷卻介質(zhì)通道11、“V”形管道折彎6形成放射狀花瓣?duì)罱Y(jié)構(gòu)，其中下部的一個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2為向下分開(kāi)且并列順直延伸形成兩個(gè)兩個(gè)獨(dú)立的管口，所述冷卻介質(zhì)通道11的兩個(gè)獨(dú)立的管口一個(gè)為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口，另一個(gè)為冷卻介質(zhì)出口；
結(jié)合附圖2或4中并結(jié)合圖I或3給出的結(jié)構(gòu)，所述鑲嵌銅片7的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路2的內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在鑲嵌銅片7的中部設(shè)有拉制孔4 ;所述拉制孔4的上部或下部孔口處設(shè)有環(huán)狀斜面3 ;所述拉制孔2可設(shè)置為圓形或多角形結(jié)構(gòu)。結(jié)合附圖5中并結(jié)合圖I或3給出的結(jié)構(gòu)，所述雙開(kāi)口銅片10的中部設(shè)有拉制孔4，拉制孔4的對(duì)應(yīng)兩相鄰的“V”形管道折彎6間隙和向下分開(kāi)一側(cè)分別設(shè)有電流交叉斜開(kāi)口 9 ;本發(fā)明為了克服趨膚效應(yīng)問(wèn)題，通過(guò)將鑲嵌銅片7和雙開(kāi)口銅片10設(shè)置為較薄的板體，并在拉制孔4的上部或下部孔口處設(shè)有環(huán)狀斜面3來(lái)引導(dǎo)電流，克服了趨膚效應(yīng)時(shí)電流會(huì)在鑲嵌銅片7和雙開(kāi)口銅片10的上下表面運(yùn)行，避免硅芯在拉制過(guò)程中到達(dá)拉制孔4中部時(shí)出現(xiàn)的結(jié)晶現(xiàn)象，克服了當(dāng)硅芯在拉制時(shí)的融化-結(jié)晶-融化必然導(dǎo)致硅芯結(jié)晶斷裂的后果，所以拉制孔4的環(huán)狀斜面3就是為了很好的克服趨膚效應(yīng)問(wèn)題。結(jié)合附圖6中并結(jié)合圖I或3給出的結(jié)構(gòu)，所述連接座12為兩個(gè)，兩個(gè)連接座12上分別設(shè)有聯(lián)通冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和 冷卻介質(zhì)出口的連接口 ；所述兩個(gè)連接座12外側(cè)分別設(shè)置的連接孔14為至少一個(gè)，優(yōu)選兩個(gè)。在環(huán)繞排列的多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2中部分別設(shè)有鑲嵌銅片7，鑲嵌銅片7的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路2的內(nèi)壁連接，鑲嵌銅片7的中部設(shè)有拉制孔4 ;在下部的圓形冷卻介質(zhì)通路2內(nèi)設(shè)置為雙開(kāi)口銅片10，雙開(kāi)口銅片10的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路2內(nèi)壁連接，電流交叉斜開(kāi)口 9由雙開(kāi)口銅片10中部設(shè)置的拉制孔4向上和向下貫通至兩相鄰的“V”形管道折彎6間隙和圓形冷卻介質(zhì)通路2的向下分開(kāi)處；在圓形冷卻介質(zhì)通路2的向下分開(kāi)兩端部分別連接兩個(gè)連接座12的冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口連接口 ；在任一圓形冷卻介質(zhì)通路2或“V”形管道折彎6外部設(shè)有地線連接片I形成完整的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，在鑲嵌銅片7的對(duì)應(yīng)兩“V”形冷卻介質(zhì)通道11間隙一側(cè)設(shè)有半環(huán)繞拉制孔4的半圓導(dǎo)流槽5，半圓導(dǎo)流槽5的對(duì)應(yīng)兩“V”形冷卻介質(zhì)通道11間隙處設(shè)有開(kāi)口 13 ;環(huán)形排列的圓形冷卻介質(zhì)通路2包含下部的具有向下分開(kāi)的圓形冷卻介質(zhì)通路2為至少三個(gè)。本發(fā)明還給出了拓展結(jié)構(gòu)，所述鑲嵌銅片7或雙開(kāi)口銅片10與圓形冷卻介質(zhì)通路2的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，所述冷卻介質(zhì)通道
11、鑲嵌銅片7、雙開(kāi)口銅片10、連接座12和地線連接片I通過(guò)銅焊或銀焊形成一體。實(shí)施本發(fā)明所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的設(shè)計(jì)初衷是通過(guò)這兩年對(duì)于在先專利的使用中，發(fā)現(xiàn)了在所述專利內(nèi)孔周圍的電流運(yùn)行較好，但是由于冷卻介質(zhì)通道11設(shè)置在外部，中部相應(yīng)的較熱，金屬在高溫環(huán)境下出現(xiàn)疲勞，材質(zhì)發(fā)生改變，最終出現(xiàn)了由中心部位損壞；電流在環(huán)繞各個(gè)內(nèi)孔“拉制孔4”運(yùn)行時(shí)，會(huì)出現(xiàn)中部?jī)?nèi)孔“拉制孔4”的電流運(yùn)行較多，使得中部?jī)?nèi)孔“拉制孔4”的溫度也遠(yuǎn)高于外圍的內(nèi)孔“拉制孔4”也就是電流走近路現(xiàn)象；本發(fā)明將冷卻介質(zhì)通道11設(shè)置在中部迂回后，使得上述問(wèn)題得到了有效克服。通過(guò)設(shè)置為花瓣?duì)畹睦鋮s介質(zhì)通道11對(duì)于相對(duì)中部較高的溫度得到緩解，而且磁力線并不會(huì)減弱，使用時(shí)將連接座12連接的冷卻介質(zhì)通道11接通冷卻介質(zhì)“”需要說(shuō)明的是冷卻介質(zhì)通道11包含的多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路2和“V”形管道折彎6是相互貫通的，所以冷卻介質(zhì)通道11的兩個(gè)獨(dú)立的管口一個(gè)為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口，另一個(gè)為冷卻介質(zhì)出口 ；地線連接片I同時(shí)外接防止短路，冷卻介質(zhì)通道11的“V”形管道折彎6設(shè)置主要功能是為了使高頻電流在中部口 8處形成匯集，并能夠形成借用或交叉使原料棒均勻受熱，并且可以實(shí)現(xiàn)輔助化料的作用；在原料硅棒的端頭靠近本發(fā)明冷卻介質(zhì)通道11下方時(shí)，原料硅棒的端頭部位融化后，籽晶夾頭帶著籽晶下降，使籽晶通過(guò)多個(gè)拉制孔4后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升籽晶，原料棒上部的熔化液體會(huì)跟隨籽晶上升，其原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升，但是其原料棒不得與冷卻介質(zhì)通道11和鑲嵌銅片7、雙開(kāi)口銅片10下面接觸；因?yàn)樵习舻亩瞬靠赡懿惶秸凰孕枰刂圃习舻纳仙俣?，但要盡可能的使原料硅棒靠近冷卻介質(zhì)通道11和鑲嵌銅片7、雙開(kāi)口銅片10下面；以實(shí)現(xiàn)受熱均勻的 效果；原料硅棒上部的熔化區(qū)在籽晶的粘和帶動(dòng)并通過(guò)拉制孔4后，由于磁力線的減弱而冷凝，便形成一個(gè)新的柱型晶體，其籽晶夾頭夾帶籽晶緩慢上升，便可形成所需長(zhǎng)度的成品硅芯。以上內(nèi)容中未細(xì)述部份為現(xiàn)有技術(shù)，故未做細(xì)述。
權(quán)利要求
1.一種同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，包括冷卻介質(zhì)通道(11)、鑲嵌銅片(7)、雙開(kāi)ロ銅片(10)、連接座(12)和地線連接片(1)，其特征是 所述冷卻介質(zhì)通道(11)包含多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路(2)環(huán)形排列，在每ー個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路(2)的內(nèi)側(cè)設(shè)有開(kāi)ロ，所述開(kāi)ロ兩個(gè)通路分別聯(lián)通角部向內(nèi)的“V”形管道折彎(6)一端，在開(kāi)ロ處兩相鄰的“V”形管道折彎(6)之間留有間隙，由冷卻介質(zhì)通道(11)、“V”形管道折彎(6)形成放射狀花瓣?duì)罱Y(jié)構(gòu)，其中下部的一個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路(2)為向下分開(kāi)且并列順直延伸形成兩個(gè)兩個(gè)獨(dú)立的管ロ，所述冷卻介質(zhì)通道(11)的兩個(gè)獨(dú)立的管ロー個(gè)為冷卻介質(zhì)進(jìn)入口，另ー個(gè)為冷卻介質(zhì)出口 ； 鑲嵌銅片(7)的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路(2)的內(nèi)側(cè)壁形狀相同，在鑲嵌銅片(7)的中部設(shè)有拉制孔(4)； 所述雙開(kāi)ロ銅片(10)的中部設(shè)有拉制孔(4)，拉制孔(4)的對(duì)應(yīng)兩相鄰的“V”形管道折彎(6)間隙和向下分開(kāi)ー側(cè)分別設(shè)有電流交叉斜開(kāi)ロ(9)； 所述連接座(12)為兩個(gè)，兩個(gè)連接座(12)上分別設(shè)有聯(lián)通冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口的連接ロ； 在環(huán)繞排列的多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路(2)中部分別設(shè)有鑲嵌銅片(7)，鑲嵌銅片(7)的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路⑵的內(nèi)壁連接，鑲嵌銅片⑵的中部設(shè)有拉制孔⑷；在下部的圓形冷卻介質(zhì)通路⑵內(nèi)設(shè)置為雙開(kāi)ロ銅片(10)，雙開(kāi)ロ銅片(10)的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路(2)內(nèi)壁連接，電流交叉斜開(kāi)ロ(9)由雙開(kāi)ロ銅片(10)中部設(shè)置的拉制孔(4)向上和向下貫通至兩相鄰的“V”形管道折彎￠)間隙和圓形冷卻介質(zhì)通路(2)的向下分開(kāi)處；在圓形冷卻介質(zhì)通路(2)的向下分開(kāi)兩端部分別連接兩個(gè)連接座(12)的冷卻介質(zhì)進(jìn)入口和冷卻介質(zhì)出口連接ロ ；在任一圓形冷卻介質(zhì)通路(2)或“ V”形管道折彎(6)外部設(shè)有地線連接片(I)形成完整的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是在鑲嵌銅片(7)的對(duì)應(yīng)兩“V”形冷卻介質(zhì)通道(11)間隙ー側(cè)設(shè)有半環(huán)繞拉制孔⑷的半圓導(dǎo)流槽(5)，半圓導(dǎo)流槽5的對(duì)應(yīng)兩“V”形冷卻介質(zhì)通道(11)間隙處設(shè)有開(kāi)ロ(13)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是在拉制孔(4)的上部或下部孔ロ處設(shè)有環(huán)狀斜面(3)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或3所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述拉制孔(2)設(shè)置為圓形或多角形。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是環(huán)形排列的圓形冷卻介質(zhì)通路(2)包含下部的具有向下分開(kāi)的圓形冷卻介質(zhì)通路(2)為至少三個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述兩個(gè)連接座(12)外側(cè)分別設(shè)置的連接孔(14)為至少ー個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述鑲嵌銅片⑵或雙開(kāi)ロ銅片(10)與圓形冷卻介質(zhì)通路(2)的下部側(cè)壁連接；或上部側(cè)壁連接；或中部側(cè)壁連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，其特征是所述冷卻介質(zhì)通道(11)、鑲嵌銅片(7)、雙開(kāi)ロ銅片(10)、連接座(12)和地線連接片(I)通過(guò)銅 焊或銀焊形成一體。
全文摘要
本發(fā)明屬于一種高頻線圈，具體涉及一種同時(shí)拉制多根硅芯的花瓣?duì)罡哳l感應(yīng)加熱線圈結(jié)構(gòu)，在環(huán)繞排列的多個(gè)圓形冷卻介質(zhì)通路(2)中部分別設(shè)有鑲嵌銅片(7)，鑲嵌銅片(7)的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路(2)的內(nèi)壁連接，鑲嵌銅片(7)的中部設(shè)有拉制孔(4)；在下部的圓形冷卻介質(zhì)通路(2)內(nèi)設(shè)置為雙開(kāi)口銅片(10)，雙開(kāi)口銅片(10)的外緣與圓形冷卻介質(zhì)通路(2)內(nèi)壁連接；本發(fā)明將冷卻介質(zhì)通道設(shè)置為花瓣形狀，通過(guò)圓形冷卻介質(zhì)通路的擴(kuò)大有效克服了原料硅棒端頭的加熱問(wèn)題，并且通過(guò)“V”形冷卻介質(zhì)通道使得原料硅棒的端頭中部也獲得相應(yīng)的電流，有效地克服了中部過(guò)熱現(xiàn)象的發(fā)生，而且磁力線并不會(huì)減弱。
文檔編號(hào)C30B13/20GK102691095SQ201110068519
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者劉朝軒 申請(qǐng)人:洛陽(yáng)金諾機(jī)械工程有限公司