專利名稱：一種低電磁波電熱膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電熱設(shè)備，更具體地說是涉及一種電磁波很低的電熱膜。
背景技術(shù)：
由于采用電能的加熱設(shè)備使用方便、簡單，而且使用電熱設(shè)備能使周圍的環(huán)境比 較干凈。因此，在人們的日常生活中的許多領(lǐng)域都使用由電能提供能源的加熱設(shè)備，其中電 熱膜就在上述領(lǐng)域廣泛使用。但是目前市面上所采用的電熱膜都是利用表面金屬屏蔽來降 低發(fā)熱體表面的電場；而且，利用雙面電路使其產(chǎn)生大小相同方向相反的磁場，使兩磁場相 互抵消，這樣一來用作屏蔽的金屬材料就會妨礙熱能的傳遞，使熱能的傳遞效率不佳。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、熱能的傳遞效率更高， 而且不需要專門制作一層金屬屏蔽層來屏蔽電場的電熱膜。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種低電磁波電熱膜，由電阻層、壓制在電阻層表面的絕緣層和連接在電阻層上 的連接導(dǎo)線組成，其特征在于，所述電阻層由一低電阻層和一高電阻層壓制而成，所述低電 阻層一面的表面上設(shè)有由低阻特性導(dǎo)體制成的第一并聯(lián)回路，所述高電阻層一面的表面上 設(shè)有由高阻特性導(dǎo)體制成的第二并聯(lián)回路，所述第一并聯(lián)回路和第二并聯(lián)回路由一連接導(dǎo) 線或由塞孔制程串聯(lián)，并且，所述低電阻層接地，使低電阻層一方成為電位零點(diǎn)。優(yōu)選的，所述低電阻層安裝在高電阻層的上方。優(yōu)選的，所述第一并聯(lián)回路內(nèi)設(shè)有一第一極性點(diǎn)。優(yōu)選的，所述第二并聯(lián)回路內(nèi)設(shè)有一第二極性點(diǎn)。優(yōu)選的，所述第一極性點(diǎn)可設(shè)置在第一并聯(lián)回路上的任意處。優(yōu)選的，所述第二極性點(diǎn)可設(shè)置在第二并聯(lián)回路上的任意處。采用上述方案后，由于本實(shí)用新型利用兩種高低阻抗不同的電阻層串聯(lián)，以使兩 電阻層產(chǎn)生大小相同、方向相反的磁場，這樣電阻層上的磁場就能夠抵消。另外，由于兩電 阻層有一層具有低阻抗特性的低電阻層，只要將低電阻層接地，就能達(dá)到屏蔽電場的效果， 而不需要另外再加一層屏蔽層來屏蔽電場，這樣不僅能屏蔽電場，還能節(jié)省產(chǎn)品的用料，而 且不會產(chǎn)生因?yàn)榻饘倨帘螌訉?dǎo)致熱能傳遞效率不佳的問題。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中標(biāo)號為1、絕緣層2、低電阻層 21、絕緣層22、第二并聯(lián)回路221、第二極性點(diǎn)3、高電阻層31、絕緣層32、第一并聯(lián)回路321、第一極性點(diǎn)[0017]4、連接導(dǎo)線具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明如圖1所示，本實(shí)用新型公開了一種低電磁波電熱膜，由電阻層、壓制在電阻層表 面的絕緣層1和連接在電阻層上的連接導(dǎo)線4組成，所述電阻層由一低電阻層2和一高電 阻層3壓制而成，所述低電阻層2由絕緣層21和利用低阻抗特性導(dǎo)電漿(銅漿、銀漿、鋁 漿、錫漿等)涂布于絕緣層21 —面的表面而制成的第一并聯(lián)回路22組成，所述高電阻層3 由絕緣層31和利用高阻特性導(dǎo)電漿(碳漿)涂布于絕緣層3—面的表面而制成的第二并 聯(lián)回路32組成，再使用連接導(dǎo)線4將高電阻層3內(nèi)的第二并聯(lián)回路32和低電阻層2內(nèi)的 第一并聯(lián)回路22將這兩個并聯(lián)回路串聯(lián)起來，形成一串聯(lián)回路，所述連接導(dǎo)線4是由灌銅 導(dǎo)線或者銅箔制成，所述第二并聯(lián)回路32上設(shè)有一第二極性點(diǎn)321，所述第二極性點(diǎn)321 與外接電源中交流電的火線相連接，所述第一并聯(lián)回路22上設(shè)有一第一極性點(diǎn)221，所述 第一極性點(diǎn)221與外接電源中的與隔離變壓器相連的交流電的中性線相連接，將中性線接 地，使低電阻層2的一方的電位成為電位零點(diǎn)，以達(dá)到消除電場干擾的效果。將低電阻層2 放在高電阻層3的上方，并且低電阻層2內(nèi)的第一極性點(diǎn)22和高電阻層3內(nèi)的第二極性點(diǎn) 32分別要朝向絕緣層1的方向擺放，然后再在低電阻層2的上方覆蓋一層絕緣層1，防止人 員觸電。以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出其它變形或改進(jìn)，這些都屬于本 實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種低電磁波電熱膜，由電阻層、壓制在電阻層表面的絕緣層和連接在電阻層上的 連接導(dǎo)線組成，其特征在于，所述電阻層由一低電阻層和一高電阻層壓制而成，所述低電阻 層一面的表面上設(shè)有由低阻特性導(dǎo)體制成的第一并聯(lián)回路，所述高電阻層一面的表面上設(shè) 有由高阻特性導(dǎo)體制成的第二并聯(lián)回路，所述第一并聯(lián)回路和第二并聯(lián)回路由一連接導(dǎo)線 或由塞孔制程串聯(lián)，并且，所述低電阻層接地，使低電阻層一方成為電位零點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電磁波電熱膜，其特征在于，所述低電阻層安裝在高電阻 層的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電磁波電熱膜，其特征在于，所述第一并聯(lián)回路內(nèi)設(shè)有一 第一極性點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電磁波電熱膜，其特征在于，所述第二并聯(lián)回路內(nèi)設(shè)有一 第二極性點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低電磁波電熱膜，其特征在于，所述第一極性點(diǎn)設(shè)置在第一 并聯(lián)回路上的任意處。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低電磁波電熱膜，其特征在于，所述第二極性點(diǎn)設(shè)置在第二 并聯(lián)回路上的任意處。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種低電磁波電熱膜，由電阻層、壓制在電阻層表面的絕緣層和連接在電阻層上的連接導(dǎo)線組成，其特征在于，所述電阻層由一低電阻層和一高電阻層壓制而成，低電阻層和高電阻層內(nèi)設(shè)有并聯(lián)回路，在這兩個并聯(lián)回路上用連接導(dǎo)線或由塞孔制程串聯(lián)，并且，所述低電阻層接地，使低電阻層一方成為電位零點(diǎn)。本實(shí)用新型的有益效果是結(jié)構(gòu)簡單、減少產(chǎn)品用料，而且不需要專門制作一層金屬屏蔽層來屏蔽電場的電熱膜。
文檔編號H05K9/00GK201893948SQ201020288009
公開日2011年7月6日 申請日期2010年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月11日
發(fā)明者林青輝 申請人:卜冠電器(無錫)有限公司