專利名稱：具有上部斷熱材的單晶爐裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種硅單晶制造裝置，特別是涉及一種單晶爐裝置。
背景技術：
單晶硅一般用CZ法制造。CZ法指的是在單晶爐內設置石英坩堝，并將硅料裝入 石英坩堝內，再依靠安裝在石英坩堝周圍的加熱器使硅料熔化，后把安裝在籽晶夾頭上的 籽晶進入熔液，并通過籽晶夾頭與石英坩堝的相互逆轉進而制造出規(guī)定直徑和長度的單晶 棒。此時，為了遮蔽熔液的熱量，在石英坩堝上方設置圍繞單晶棒的熱屏。請參閱圖1，現有的單晶爐裝置通常包括熱屏。該熱屏13可以是由熱屏罩21和 斷熱材22所組成。斷熱材22環(huán)繞拉晶中的單晶棒11，斷熱材22的外周可以全部被熱屏 罩21覆蓋，也可以是斷熱材22的外周和內周全部被熱屏罩21覆蓋。熱屏13位于石英坩 堝12的上方。雖然在石英坩堝12上方設置圍繞單晶棒11的熱屏12，能夠一定程度上遮蔽熔液 的熱量，但是，熱屏12設置在支撐體上，在熱屏12和支撐體的相互連接處，熔液的熱量很容 易從此處散開。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種單晶爐裝置，在熱屏和支撐體的相互連接處，熔 液的熱量很容易從此處散開的技術問題。一種具有上部斷熱材的單晶爐裝置，在單晶爐內設置石英坩堝，并將硅料裝設石 英坩堝內，并且在石英坩堝周圍設置一使硅料熔化的加熱器，在石英坩堝的上部設置熱屏， 熱屏是通過支撐體設置在單晶爐裝置的殼內，在熱屏和支撐體的相互連接處設置一上部斷 熱材。上部斷熱材可以為環(huán)狀。支撐體上設置有凸臺，熱屏的上部直接放置在該凸臺上，所述上部斷熱材設置在 熱屏的上部。

圖1為現有的單晶爐裝置的實施例示意圖；圖2為本實用新型單晶爐裝置的實施例示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖，進一步說明本實用新型。實施例請參閱圖2，其為一種具有上部斷熱材的單晶爐裝置的結構示意圖。在單晶爐17 內設置石英坩堝12，并將硅料14裝設石英坩堝12內，并且在石英坩堝12周圍設置一使硅料熔化的加熱器15，在石英坩堝12的上部設置熱屏13，熱屏13是通過支撐體16設置在單 晶爐裝置的殼內，在熱屏13和支撐體16的連接處設置一上部斷熱材21。在實例中，上部斷熱材21為環(huán)狀。支撐體16上設置有凸臺161，熱屏13的上部直接放置在該凸臺161上，上部斷熱 材21設置在熱屏13的上部。上部斷熱材21的材質為石墨或C/C復合材料。本實用新型通過實驗，得到了如下結果。95kg裝料、拉制直徑6. 5英寸的晶棒時，使用本實用新型的熱屏將平均拉速由以 前的0. 95mm/min提高至1. 4mm/min實現了高速拉晶、拉晶時間縮短8. 7小時。拉晶時的電 力消耗降低了 35%。
權利要求一種具有上部斷熱材的單晶爐裝置，在單晶爐內設置石英坩堝，并將硅料裝設石英坩堝內，并且在石英坩堝周圍設置一使硅料熔化的加熱器，在石英坩堝的上部設置熱屏，熱屏是通過支撐體設置在單晶爐裝置的殼內，其特征在于，在熱屏和支撐體的連接處設置一上部斷熱材。
2.如權利要求1所述的具有上部斷熱材的單晶爐裝置，其特征在于，上部斷熱材為環(huán)狀。
3.如權利要求1所述的具有上部斷熱材的單晶爐裝置，其特征在于，支撐體上設置有 凸臺，熱屏的上部搭設在該凸臺上，所述上部斷熱材設置在熱屏的上部。
專利摘要本實用新型涉及一種硅單晶制造裝置，特別是涉及一種具有上部斷熱材的單晶爐裝置，在單晶爐內設置石英坩堝，并將硅料裝設石英坩堝內，并且在石英坩堝周圍設置一使硅料熔化的加熱器，在石英坩堝的上部設置熱屏，熱屏是通過支撐體設置在單晶爐裝置的殼內，在熱屏和支撐體的連接處設置一上部斷熱材。
文檔編號C30B15/00GK201614429SQ20102011820
公開日2010年10月27日 申請日期2010年2月25日 優(yōu)先權日2010年2月25日
發(fā)明者河野貴之, 舟橋啟, 賀賢漢 申請人:上海漢虹精密機械有限公司