專利名稱：半橋諧振電磁爐igbt的軟啟動(dòng)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半橋諧振電路領(lǐng)域，特別涉及一種半橋諧振電磁爐IGBT的軟啟動(dòng)方 法及裝置。
背景技術(shù)：
電磁爐是一種高效節(jié)能廚具，擺脫了明火 或傳導(dǎo)式加熱的方式，而是直接在鍋底 產(chǎn)生熱量，使得熱效率得到了極大的提高。電磁爐的工作原理為由整流電路將交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過(guò)LC振蕩電路 和IGBT控制電路，將直流電壓轉(zhuǎn)換成高頻電壓，使得高速變化的電流流過(guò)電磁爐的發(fā)熱線 盤線圈而產(chǎn)生高速變化的磁場(chǎng)，產(chǎn)生熱量。在高速振蕩LC回路中，由于電感線圈和諧振電容積累了大量的能量。而目前在半 橋諧振電路中，IGBT的開(kāi)通均采用硬開(kāi)通方式，這樣不僅對(duì)IGBT損耗比較大，而且對(duì)IGBT 的硬力要求也非常高，使得電磁爐的使用壽命降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種半橋諧振電磁爐IGBT的軟啟動(dòng)方法及裝置，旨在 提高電磁爐的使用壽命。本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT的軟啟動(dòng)裝置包括相位檢測(cè)模塊，與電磁爐的線盤線圈一端串聯(lián)，用于采集線盤線圈上電流的相位， 產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；處理模塊，與相位檢測(cè)模塊連接，根據(jù)相位檢測(cè)模塊產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)；IGBT驅(qū)動(dòng)模塊，與處理模塊連接，根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟。優(yōu)選地，上述相位檢測(cè)模塊包括電流互感器，包括初級(jí)和次級(jí)，初級(jí)串聯(lián)在線盤線圈回路中；第一相位檢測(cè)電路，與次級(jí)的一端連接，用于采集線盤線圈上電流的相位，當(dāng)采集 到線盤線圈的反相電流減小到第一參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第一觸發(fā)信號(hào)；第二相位檢測(cè)電路，與次級(jí)的另一端連接，用于采集電磁爐線盤線圈上電流的相 位，當(dāng)采集到線盤線圈的正相電流減小到第二參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第二觸發(fā)信號(hào)。優(yōu)選地，上述處理模塊具體用于根據(jù)第一相位檢測(cè)電路產(chǎn)生的第一觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生 第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，根據(jù)第二相位檢測(cè)電路產(chǎn)生的第二觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。優(yōu)選地，上述驅(qū)動(dòng)模塊包括第一驅(qū)動(dòng)單元，根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一 IGBT的開(kāi)啟；第二驅(qū)動(dòng)單元，根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT的開(kāi)啟。優(yōu)選地，上述裝置還包括電流檢測(cè)模塊，與電流互感器的次級(jí)兩端連接，用于采集線盤線圈上的電流值，當(dāng)采集的電流值超過(guò)閾值時(shí)，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)。優(yōu)選地，上述處理模塊還與電流檢測(cè)模塊連接，根據(jù)電流檢測(cè)模塊產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生關(guān)斷控制信號(hào)；所述驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)所述關(guān)斷控制信號(hào)，斷開(kāi)第一 IGBT及第二 IGBT。本發(fā)明還提供了一種半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法，包括以下步驟采集電磁爐線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；根據(jù)觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟。優(yōu)選地，上述采集電磁爐線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)的步驟具體為當(dāng)采集電磁爐線盤線圈上電流的反相電流減小到第一參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第一觸發(fā) 信號(hào)；當(dāng)采集電磁爐線盤線圈上電流的正相電流減小到第二參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第二觸發(fā)信號(hào)。優(yōu)選地，上述根據(jù)觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的步驟具體為根據(jù)第一相位檢測(cè)電路產(chǎn)生的第一觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，根據(jù)第二相位檢 測(cè)電路產(chǎn)生的第二觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。優(yōu)選地，上述IGBT包括第一 IGBT和第二 IGBT，所述根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì) 應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟的步驟具體為根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一 IGBT的開(kāi)啟；根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的 第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT的開(kāi)啟。本發(fā)明通過(guò)采集線盤線圈的電流相位的變化，當(dāng)電流相位處于正負(fù)換相時(shí)，控制 第一 IGBT及第二 IGBT的切換，以降低第一 IGBT及第二 IGBT的損耗，提高電磁爐的使用壽 命。


圖1是本發(fā)明相關(guān)的半橋諧振電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的半橋諧振電路中線盤線圈上的電流的波形示意圖；圖3是本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是上述實(shí)施例中半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是上述實(shí)施例中驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法一種實(shí)施例的流程示意圖。本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施例方式應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明電磁爐采用的是半橋串聯(lián)諧振電路，如圖1所示。諧振電容C2、C3、IGBT1、 IGBT2和線盤線圈組成一個(gè)半橋串聯(lián)諧振電路。電源電壓經(jīng)過(guò)整流橋，將交流電壓變成直 流電壓。諧振電容C2、C3與線盤線圈在IGBTl及IGBT2的通斷控制過(guò)程中，通過(guò)線盤線圈 的電流與正弦波類似，其電流與相位的關(guān)系如圖2所示。由圖2可以看出，當(dāng)線盤線圈在電 流正負(fù)換相時(shí)，進(jìn)行IGBTl與IGBT2開(kāi)啟狀態(tài)的切換，對(duì)IGBTl及IGBT2的損耗為最小。因此，本發(fā)明通過(guò)采集線盤線圈的電流相位的變化，當(dāng)電流相位處于正負(fù)換相時(shí)，控制IGBTl 及IGBT2的切換，以降低IGBTl及IGBT2的損耗，提高電磁爐的使用壽命。 圖3是本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置包括相位檢測(cè)模塊10，與電磁爐線盤線圈40 —端串聯(lián)，用于采集電磁爐線盤線圈40上 電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；處理模塊20，與相位檢測(cè)模塊10連接，根據(jù)相位檢測(cè)模塊10產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn) 生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；IGBT驅(qū)動(dòng)模塊30，與處理模塊20連接，根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT50 的開(kāi)啟。圖4是上述實(shí)施例中半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置的電路結(jié)構(gòu)圖。上述相位檢測(cè)模塊10包括電流互感器11、第一相位檢測(cè)電路12、第二相位檢測(cè)電 路13。電流互感器11包括初級(jí)、次級(jí)。其中，電流互感器11的初級(jí)串聯(lián)在線盤線圈40回 路中，次級(jí)的一端與第一相位檢測(cè)電路12連接，另一端與第二相位檢測(cè)電路13連接。在本 實(shí)施例中，當(dāng)電流互感器11初級(jí)上的電流由1端流向2端，則稱流過(guò)線盤線圈40上的電流 為正相電流；反之則為反相電流。第一相位檢測(cè)電路12包括一比較器QAl，該比較器QAl的正端與電流互感器11的 次級(jí)的一端(例如4端)連接，負(fù)端與第一參考電壓電路連接。該第一參考電路由+5V電 源、電阻R19及電阻R21組成，為比較器QAl提供第一參考電壓。通過(guò)電流互感器11的次 級(jí)電流與第一參考電壓比較，當(dāng)電流互感器11的次級(jí)電流大于第一參考電壓，則輸出高電 平，否則輸出低電平。因此，當(dāng)采集到線盤線圈40的反相電流逐漸減小至第一參考電壓時(shí)， 第一相位檢測(cè)電路12產(chǎn)生第一觸發(fā)信號(hào)。第二相位檢測(cè)電路13也包括一比較器QA2，該比 較器QA2的正端與電流互感器11的次級(jí)的另一端(例如3端)連接，負(fù)端與第二參考電壓 電路連接。該第二參考電路由+5V電源、電阻R10、電阻R12組成，為比較器QA2提供第二參 考電壓。通過(guò)電流互感器11的次級(jí)電流與第二參考電壓比較，當(dāng)電流互感器11的次級(jí)電 流大于第二參考電壓，則輸出高電平，否則輸出低電平。因此，當(dāng)采集到線盤線圈40的正相 電流逐漸減小至第二參考電壓時(shí)，第二相位檢測(cè)電路13產(chǎn)生第二觸發(fā)信號(hào)。上述處理模塊20優(yōu)選為一單片機(jī)，該單片機(jī)包括兩個(gè)觸發(fā)輸入端1/03、1/05及輸 出端1/01、1/02。其中兩個(gè)觸發(fā)輸入端1/03、1/05分別連接第一相位檢測(cè)電路12及第二 相位檢測(cè)電路13的輸出端。單片機(jī)根據(jù)第一相位檢測(cè)電路12產(chǎn)生的第一觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第 一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，根據(jù)第二相位檢測(cè)電路13產(chǎn)生的第二觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。結(jié)合圖5，上述IGBT驅(qū)動(dòng)模塊30包括第一驅(qū)動(dòng)單元31及第二驅(qū)動(dòng)單元32。第一 驅(qū)動(dòng)單元31與處理模塊20的一輸出端連接，根據(jù)處理模塊20產(chǎn)生的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng) 第一 IGBT51(即IGBT1)的開(kāi)啟。第二驅(qū)動(dòng)單元32與處理模塊20的另一輸出端連接，根據(jù) 處理模塊20產(chǎn)生的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT52(即IGBT2)的開(kāi)啟。本實(shí)施例的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置的工作原理如下(1)第一階段當(dāng)電磁爐需要啟動(dòng)工作，首先第一 IGBT51啟動(dòng)。諧振電容C2通過(guò)第一 IGBT51、線 盤線圈40向電容C3充電，電壓為U/2。因此，線盤線圈40的電流由零開(kāi)始逐漸增大，且電流方向由電流互感器11次級(jí)的1端流向2端，為正相電流。諧振電容C2兩端的電壓逐漸 減小。(2)第二階段關(guān)閉第一 IGBT51，此時(shí)流過(guò)線圈40的電流達(dá)到最大值，同時(shí)電能經(jīng)線盤線圈40后 轉(zhuǎn)化為磁能。由于線盤線圈40的作用，關(guān)斷第一 IGBT51后，線盤線圈40的電流通過(guò)第二 IGBT52的續(xù)流二極管D6向電容C3回饋能量，因此線盤線圈40的電流也逐漸減小。此時(shí)， 第二相位檢測(cè)電路13采集到線盤線圈40的正相電流小于或等于第二參考電壓，將產(chǎn)生第 二觸發(fā)信號(hào)。處理模塊20根據(jù)該第二觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT52的開(kāi) 啟ο(3)第三階段
第二 IGBT52開(kāi)啟，諧振電容C3通過(guò)第二 IGBT52進(jìn)行放電。此時(shí)線盤線圈40的 電流逐漸增大，電能開(kāi)始向磁能轉(zhuǎn)化，諧振電容C3兩端的電壓也逐漸減小。但電流方向由 電流互感器11次級(jí)的2端流向1端，為反相電流。(4)第四階段關(guān)斷第二 IGBT52，此時(shí)流過(guò)線盤線圈40的電流達(dá)到最大值，電能全部轉(zhuǎn)化為磁 能。由于感性線盤線圈40的作用，關(guān)斷第二 IGBT52后，線盤線圈40的電流通過(guò)第一 IGBT51 的續(xù)流二極管D5向電容C2回饋能量，因此線盤線圈40的電流也逐漸減小。此時(shí)，第一相 位檢測(cè)電路12采集到線盤線圈40的反相電流小于或等于第二參考電壓，將產(chǎn)生第一觸發(fā) 信號(hào)。處理模塊20根據(jù)該第一觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一 IGBT51的開(kāi)啟。如上所述，第一 IGBT51與第二 IGBT52之間不斷交替開(kāi)通和關(guān)斷，完成電磁爐的工 作。在這里需要說(shuō)明的是，第一 IGBT51與第二 IGBT52的開(kāi)通時(shí)間可以根據(jù)電磁爐的輸出 功率或負(fù)載變化而調(diào)整。圖6是本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置還包括電流檢測(cè)模塊60，與電流互感器11的次級(jí)兩端連接，用于采集電磁爐線盤線圈40 上的電流值，當(dāng)采集的電流值超過(guò)閾值時(shí)，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)。該閾值為IGBT及電磁爐其他電路所能承受的最大電流值，可以根據(jù)具體的承受 情況而設(shè)置，在此不做限定。當(dāng)電流檢測(cè)模塊60檢測(cè)到電磁爐線盤線圈40上的電流值超過(guò) 閾值，則產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)。相應(yīng)地，處理模塊20與電流檢測(cè)模塊60連接，根據(jù)電流檢測(cè)模塊60 產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生關(guān)斷控制信號(hào)；驅(qū)動(dòng)模塊30根據(jù)該關(guān)斷控制信號(hào)，斷開(kāi)第一 IGBT51 及第二 IGBT52，從而達(dá)到過(guò)流保護(hù)IGBT等電路的目的。圖7是本發(fā)明半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法一種實(shí)施例的流程示意圖。本實(shí)施例半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法包括以下步驟步驟S11、采集電磁爐線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；步驟Sll具體為通過(guò)第一相位檢測(cè)電路12采集電磁爐線盤線圈40上電流的反 相電流，當(dāng)其電流減小到第一參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第一觸發(fā)信號(hào)；通過(guò)第二相位檢測(cè)電路13 采集電磁爐線盤線圈40上的正相電流，當(dāng)其電流減小到第二參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第二觸發(fā)信 號(hào)。步驟S12、根據(jù)觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；
步驟S12具體為處理模塊20根據(jù)第一相位檢測(cè)電路12產(chǎn)生的第一觸發(fā)信號(hào)產(chǎn) 生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，根據(jù)第二相位檢測(cè)電路13產(chǎn)生的第二觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。步驟S13、根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟。IGBT包括第一 IGBT51和第二 IGBT52。步驟S13具體為根據(jù)處理模塊20產(chǎn)生的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一 IGBT51的開(kāi)啟；根據(jù)處理模塊 20產(chǎn)生的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT52的開(kāi)啟。本發(fā)明通過(guò)采集線盤線圈40的電流相位的變化，當(dāng)電流相位處于正負(fù)換相時(shí)，控 制第一 IGBT51及第二 IGBT52的切換，以降低第一 IGBT51及第二 IGBT52的損耗，提高電磁 爐的使用壽命。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用 本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān) 的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，其特征在于，包括相位檢測(cè)模塊，與電磁爐的線盤線圈一端串聯(lián)，用于采集線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；處理模塊，與相位檢測(cè)模塊連接，根據(jù)相位檢測(cè)模塊產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；IGBT驅(qū)動(dòng)模塊，與處理模塊連接，根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，其特征在于，所述相位檢 測(cè)模塊包括電流互感器，包括初級(jí)和次級(jí)，初級(jí)串聯(lián)在線盤線圈回路中；第一相位檢測(cè)電路，與次級(jí)的一端連接，用于采集線盤線圈上電流的相位，當(dāng)采集到線 盤線圈的反相電流減小到第一參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第一觸發(fā)信號(hào)；第二相位檢測(cè)電路，與次級(jí)的另一端連接，用于采集電磁爐線盤線圈上電流的相位，當(dāng) 采集到線盤線圈的正相電流減小到第二參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第二觸發(fā)信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，其特征在于，所述處理模 塊具體用于根據(jù)第一相位檢測(cè)電路產(chǎn)生的第一觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，根據(jù)第二相位 檢測(cè)電路產(chǎn)生的第二觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，其特征在于，所述IGBT驅(qū) 動(dòng)模塊包括第一驅(qū)動(dòng)單元，根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一 IGBT的開(kāi)啟；第二驅(qū)動(dòng)單元，根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT的開(kāi)啟。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，其特征在于，所述裝置還 包括電流檢測(cè)模塊，與電流互感器的次級(jí)兩端連接，用于采集線盤線圈上的電流值，當(dāng)采集 的電流值超過(guò)閾值時(shí)，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，其特征在于，所述處理模 塊還與電流檢測(cè)模塊連接，根據(jù)電流檢測(cè)模塊產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生關(guān)斷控制信號(hào)；所述驅(qū) 動(dòng)模塊根據(jù)所述關(guān)斷控制信號(hào)，斷開(kāi)第一 IGBT及第二 IGBT。
7.一種半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法，其特征在于，包括以下步驟采集電磁爐線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；根據(jù)觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法，其特征在于，所述采集電 磁爐線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)的步驟具體為當(dāng)采集電磁爐線盤線圈上電流的反相電流減小到第一參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第一觸發(fā)信 號(hào)；當(dāng)采集電磁爐線盤線圈上電流的正相電流減小到第二參考電壓時(shí)，產(chǎn)生第二觸發(fā)信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法，其特征在于，所述根據(jù)觸 發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的步驟具體為根據(jù)第一相位檢測(cè)電路產(chǎn)生的第一觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，根據(jù)第二相位檢測(cè)電 路產(chǎn)生的第二觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法，其特征在于，所述IGBT 包括第一 IGBT和第二 IGBT，所述根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟的步驟具體 為根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第一 IGBT的開(kāi)啟；根據(jù)處理模塊產(chǎn)生的第二 驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)第二 IGBT的開(kāi)啟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)裝置，包括相位檢測(cè)模塊，與電磁爐的線盤線圈一端串聯(lián)，用于采集線盤線圈上電流的相位，產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)；處理模塊，與相位檢測(cè)模塊連接，根據(jù)相位檢測(cè)模塊產(chǎn)生的觸發(fā)信號(hào)，產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；IGBT驅(qū)動(dòng)模塊，與處理模塊連接，根據(jù)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的IGBT的開(kāi)啟。相應(yīng)地，還提出了一種半橋諧振電磁爐IGBT軟啟動(dòng)方法，采集電磁爐線盤線圈上電流的相位，并根據(jù)相位的變化驅(qū)動(dòng)IGBT的開(kāi)啟。本發(fā)明通過(guò)采集線盤線圈的電流相位的變化，當(dāng)電流相位處于正負(fù)換相時(shí)，控制IGBT1及IGBT2的切換，以降低IGBT1及IGBT2的損耗，提高電磁爐的使用壽命。
文檔編號(hào)H05B6/06GK101877920SQ20101021450
公開(kāi)日2010年11月3日 申請(qǐng)日期2010年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月1日
發(fā)明者甘德喜 申請(qǐng)人:深圳和而泰智能控制股份有限公司