專利名稱：用加成法制造電路板的方法、以及用該方法獲得的電路板和多層電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過加成法制造電路板的方法以及通過該方法獲得的電路板和 多層電路板。
背景技術(shù)：
近來，在包括便攜式信息系統(tǒng)的電氣設(shè)備的功能性方面存在快速的增長，該便攜 式信息系統(tǒng)諸如是手機(jī)、電腦及其外圍設(shè)備、各種信息家電等等。伴隨該趨勢，對(duì)于提高在 這些電氣設(shè)備中使用的電路板上的電路密度的需求也有所增加。為了提高這種電路的密 度，需要一種精確地制造具有較窄的線寬和線間距的電路的方法。在高密度的布線電路中 常常發(fā)現(xiàn)一些問題，諸如線路之間的短路和遷移。此外，寬度窄的布線導(dǎo)致布線的機(jī)械強(qiáng)度 的惡化，使結(jié)果形成的電路更易遭受電路損壞，例如受到碰撞。進(jìn)一步，由于薄片層的數(shù)量 的增加而導(dǎo)致將要制造電路的平面上的凹部和凸出部的尺寸增加，所以很難形成精細(xì)的電 路。已知減成法和加成法作為在電路板上形成這種電路的方法。減成法是一種通過除 去(減去)覆金屬層壓板的表面上的、除了希望形成電路的區(qū)域中的金屬來形成電路的方 法。另一方面，加成法是一種僅僅在絕緣襯底上的、希望由無電鍍形成電路的區(qū)域中形成電 路的方法。減成法是一種通過刻蝕厚膜的金屬箔，僅僅在電路形成的區(qū)域留下金屬的方法。 在區(qū)域中除去的金屬僅僅由該方法被浪費(fèi)。相反，通過加成法，僅僅在希望形成金屬線路的 區(qū)域中形成無電鍍的膜，而沒有導(dǎo)致金屬的浪費(fèi)。從以上這點(diǎn)，作為電路形成方法，加成法 更好。將參考圖IA到IE的示意性的橫截面圖，來描述全加成法、一個(gè)典型的傳統(tǒng)的加成法。如圖IA所示，在具有通孔101的絕緣襯底100的表面上沉積鍍催化劑102。絕緣 襯底100的表面被預(yù)先地做粗糙。如圖IB所示，然后在鍍催化劑102上形成光致抗蝕劑 層103。然后，如圖IC所示，光致抗蝕劑層103的表面經(jīng)由具有特殊圖案的電路的光掩模 (photomask) 110而暴露于光。如圖ID所示，然后電路圖案被顯影。如圖IE所示，在通過 顯影形成的電路圖案上以及通孔101的內(nèi)壁表面上進(jìn)行無電鍍銅之后，形成金屬線路104。 通過這些步驟，電路被形成在絕緣襯底100上。在如上所述的傳統(tǒng)的加成法中，鍍催化劑102被沉積在絕緣襯底100的整個(gè)表面 上。結(jié)果，引起以下問題。如果以高精度對(duì)光致抗蝕劑層103進(jìn)行顯影，則可以僅僅在不受 光致抗蝕劑保護(hù)的區(qū)域中形成鍍膜。然而，如果沒有以高精度對(duì)光致抗蝕劑層103進(jìn)行顯 影，則不希望鍍膜的區(qū)域105可能殘留在不希望鍍膜的區(qū)域中而未除去，如圖2所示。因?yàn)?鍍催化劑102被沉積在絕緣襯底100的整個(gè)表面上，所以出現(xiàn)了這種麻煩。不希望鍍膜的 區(qū)域105引起相鄰電路之間的短路和遷移。當(dāng)形成具有較窄的線寬和線間距的電路時(shí)，更頻繁地發(fā)現(xiàn)短路和遷移。專利文獻(xiàn)1 JP-A No. 58-186994專利文獻(xiàn)2 JP-A No. 57-134996保護(hù)膜首先被涂布在絕緣襯底上(第一步驟)。然后，通過機(jī)械加工或激光束的照 射，對(duì)應(yīng)于布線圖案的凹槽和通孔形成在涂布了保護(hù)膜的絕緣襯底上(第二步驟)。然后， 在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成活化層(第三步驟)。然后，通過分離保護(hù)膜并就此除去絕緣 襯底上的活化層，僅僅在凹槽和通孔的內(nèi)壁表面上留下活化層(第四步驟)。然后，通過在 不使用鍍保護(hù)膜的絕緣襯底上進(jìn)行鍍膜，僅僅在活化的凹槽和通孔的內(nèi)壁表面上有選擇地 形成導(dǎo)電層(第五步驟)。將參考圖3A到圖3E的示意性的橫截面圖來說明形成金屬線路 圖案的步驟。如圖3A所示，保護(hù)膜201被涂布在絕緣襯底200的表面上。然后，如圖3B所示，在 涂布了保護(hù)膜201的絕緣襯底200上形成有期望的布線圖案的凹槽202和通孔203。如圖 3C所示，然后，在凹槽202和通孔203的表面以及保護(hù)膜201的表面上沉積鍍催化劑204。 如圖3D所示，在分離保護(hù)膜201之后，僅僅在凹槽202和通孔203的表面上留下鍍催化劑 204。如圖3E所示，僅僅有選擇地在具有殘留的鍍催化劑204的區(qū)域中形成無電鍍膜，僅僅 在通孔203和凹槽202的內(nèi)壁表面上給予導(dǎo)電層205。專利文獻(xiàn)1描述一種在絕緣襯底上涂布和熱固化一種熱固性樹脂作為保護(hù)膜、根 據(jù)特殊的布線圖案機(jī)器加工保護(hù)膜和絕緣襯底、用溶劑將絕緣襯底表面上的熱固性樹脂除 去的方法(專利文獻(xiàn)1，第2頁，左下欄1. 16到右下欄1. 11)。在專利文獻(xiàn)1中用作保護(hù)膜的熱固性樹脂的種類沒有具體地描述。通常的熱固性 樹脂的耐溶劑性較高，并且因此有很難簡單地用溶劑除去樹脂的問題。這種熱固性樹脂常 常過度地粘附到樹脂質(zhì)的襯底，使得難以僅僅可靠地分離保護(hù)膜，而不在樹脂質(zhì)的襯底表 面上留下保護(hù)膜的碎片。如果為了充分的分離而使用強(qiáng)溶劑或?qū)⒁r底長時(shí)間浸泡在溶劑 中，則襯底表面上的鍍催化劑就被一起除去。在這種情況下，在除去鍍催化劑的區(qū)域中沒有 形成導(dǎo)電層。此外，強(qiáng)溶劑的使用或長時(shí)間的浸泡偶而會(huì)導(dǎo)致熱固性樹脂的保護(hù)膜的破裂、 以及保護(hù)膜的鍍催化劑再分散進(jìn)入溶劑中。再分散在溶劑中的鍍催化劑被再沉積在樹脂襯 底表面上，可能在該區(qū)域中形成不希望的鍍膜。由于該緣故，很難按照專利文獻(xiàn)1中揭示的 方法形成具有精確圖案的電路。另外地，專利文獻(xiàn)2揭示了作為另一個(gè)加成法的以下方法首先在絕緣襯底上形 成可溶于有機(jī)溶劑的第一感光樹脂層和可溶于堿性溶液的第二感光樹脂層。第一和第二感 光樹脂層經(jīng)由具有特殊電路圖案的光掩模而暴露于光。然后第一和第二感光樹脂層被顯 影。然后，通過將催化劑吸附在具有在顯影之后形成的凹部的整個(gè)表面上而使催化劑被沉 積，并且僅僅除去不想要的催化劑，同時(shí)堿溶性的第二感光樹脂利用堿性溶液被溶解。然 后，僅僅在具有鍍催化劑的區(qū)域中精確地形成電路。然而，這種方法需要預(yù)備兩種溶劑可溶 性不同的感光樹脂層，利用兩種溶劑對(duì)其進(jìn)行顯影，并且在吸附催化劑之后、利用堿性溶液 溶解第二感光樹脂，因此，該制造過程非常復(fù)雜。通過使用如上所述的電路形成方法預(yù)備具有窄的線寬和線間距的電路同樣引起 以下問題具體地，減小電路的線寬和線間距導(dǎo)致線路強(qiáng)度的惡化。線路強(qiáng)度的惡化接著導(dǎo) 致產(chǎn)生的電子裝置的可靠性的惡化。
具體地，當(dāng)在諸如手機(jī)的便攜式信息系統(tǒng)中使用時(shí)，可能出現(xiàn)在電路板中的問題 將在下面舉例來描述。比較大的LSI (大規(guī)模集成電路)電路板用于便攜式信息系統(tǒng)。這 種LSI通過焊料塊(solderbumping)被連接到形成在電路板上的焊盤區(qū)域。便攜式信息系 統(tǒng)常常在運(yùn)輸時(shí)受到碰撞。受到這種碰撞使得物理力(physicalforce)被施加到所安裝的 LSI上，可能由于損壞而毀壞構(gòu)成焊盤區(qū)域的金屬線路。類似地，還可能由于LSI和襯底之 間的觸點(diǎn)的分離而毀壞LSI。電路的線寬和線間距的減小導(dǎo)致電路毀壞的頻率增加。為了解決以上問題，可能用增加電路線路的線寬的方法來加固金屬線路。然而，這 種方法妨礙了電路密度的增加。由減成法獲得的電路中的金屬線路的厚度取決于所使用的 銅箔的厚度，并且因此還不可能通過使膜增厚來加固金屬線路。近來，逐層形成每層電路、并且在這些層中形成層間連接過孔的同時(shí)層壓這些層 的構(gòu)造方法是一種已知的制造高密度多層電路板的方法。將參考圖4A到4G的示意性的截 面圖來描述該構(gòu)造方法的一般步驟。在該構(gòu)造方法中，如圖4A所示，金屬線路301首先被形成在第一層絕緣襯底300 上。然后如圖4B所示，絕緣樹脂層302形成在絕緣襯底300的表面上。例如，通過涂布并 硬化液態(tài)樹脂或?qū)⒔^緣體膜接合到絕緣樹脂300的表面上來形成絕緣樹脂層302。然后如 圖4C所示，過孔(IVH) 304形成在絕緣樹脂層302中。通過激光加工來形成IVH304。如圖 4D所示，樹脂的殘余污跡(樹脂污跡)305殘留在通過激光加工形成的每個(gè)IVH304的底部 上。金屬線路301是薄膜。因此，如果為了完全除去樹脂污跡305而對(duì)樹脂污跡305進(jìn)行 激光加工，則金屬線路301可能會(huì)變薄或可能具有一個(gè)孔。由于該緣故，應(yīng)該在完全的除去 絕緣樹脂之前終止激光照射。殘留在IVH304底部上的樹脂污跡305可能引起導(dǎo)電率的煩惱。因此如圖4D所示， 應(yīng)該除去樹脂污跡305。通過去污處理來除去樹脂污跡305。該去污處理是通過溶解作用 除去樹脂污跡的處理，具體地，例如在高錳酸溶液中溶解樹脂污跡。然后如圖4E所示，光致 抗蝕劑層306形成在絕緣樹脂層302的表面上。如圖4F所示，然后，光致抗蝕劑層306的 表面經(jīng)由未顯示在圖中的具有特殊電路圖案的光掩模被暴露于光，并且產(chǎn)生的電路圖案被 顯影。如圖4G所示，通過在顯影的電路圖案的區(qū)域和通孔上進(jìn)行無電鍍銅來形成金屬線路 307。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面的目的是提供一種制造電路板的方法，該方法允許非常精確的保 存電路輪廓，以及在精細(xì)電路的預(yù)備中，通過加成法給出具有希望的深度的電路。本發(fā)明的一方面中的制造電路板的方法包括膜形成步驟，在絕緣襯底的表面上 形成可膨脹的樹脂膜；電路凹槽形成步驟，在可膨脹的樹脂膜的外表面上形成深度等于或 大于可膨脹的樹脂膜的厚度的電路凹槽；催化劑沉積步驟，在電路凹槽的表面上以及可膨 脹的樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑或其前體；膜分離步驟，用特殊的液體使可膨脹的樹脂 膜膨脹，然后從絕緣襯底表面分離膨脹的樹脂膜；以及鍍加工步驟，在分離可膨脹的樹脂膜 之后，僅僅在鍍催化劑或由鍍催化劑的前體形成的鍍催化劑殘留未分離的區(qū)域中，形成無 電鍍膜。一旦連同所附的附圖一起閱讀以下的詳細(xì)說明后，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)
8點(diǎn)將變得更明顯。


圖IA到IE是分別說明通過傳統(tǒng)的全加成法形成金屬線路的步驟的示意性的橫截 面圖。圖2是說明通過傳統(tǒng)的全加成法形成的電路的剖面的圖。圖3A到3E是分別說明通過專利文獻(xiàn)1中描述的加成法形成金屬線路的步驟的示 意性的橫截面圖。圖4A到4G是分別說明通過傳統(tǒng)的構(gòu)造方法形成金屬線路的步驟的示意性的橫截 面圖。圖5A到5E是分別說明通過第一實(shí)施例中的制造電路的方法形成金屬線路的步驟的 示意性的橫截面圖。圖6是圖解通過使用電路凹槽形成的電路的形狀的示意性的橫截面圖，通過將絕 緣襯底機(jī)械加工為各種深度來預(yù)備該電路凹槽。圖7A到7E是分別說明第二實(shí)施例中的制造電路板的方法的步驟的示意性的橫截 面圖。圖8A是說明通過第二實(shí)施例中的制造方法形成的局部加固結(jié)構(gòu)的示意性的俯視 圖，和圖8B是沿圖8A中的線8-8'看到的顯示橫截面的示意圖。圖9A是說明通過第二實(shí)施例中的制造方法形成的另一個(gè)局部加固結(jié)構(gòu)的示意性 的俯視圖，和圖9B是沿圖9A中的線9-9'看到的顯示橫截面的示意圖。圖10是說明通過第二實(shí)施例中的制造方法預(yù)備的又一個(gè)局部加固結(jié)構(gòu)的示意性 的俯視圖。圖IlA到IlC是說明第二實(shí)施例中的制造方法中通過壓紋形成局部加固結(jié)構(gòu)的方 法的示意性的橫截面圖。圖12A到12E是說明第三實(shí)施例中的制造方法中制造含電容器的電路板的方法的 示意圖。圖13是圖解通過第三實(shí)施例中的制造方法形成的電路板中的電容器區(qū)域的示意 性的展開圖。圖14是說明通過第三實(shí)施例中的制造方法形成的包含電容器的電路板的應(yīng)用的 說明圖。圖15A到15E是分別說明當(dāng)通過將專利文獻(xiàn)1中描述的加成法應(yīng)用作為構(gòu)造方法 來形成金屬線路時(shí)，使用的步驟的示意性的橫截面圖。圖16A到16G是分別說明第四實(shí)施例中制造多層線路襯底的方法中的步驟的示意 性的橫截面圖。圖17A是圖解傳導(dǎo)塊的頂部未露出并被埋入絕緣層中的示意性的橫截面圖，而圖 17B是圖解傳導(dǎo)塊穿透絕緣層并伸出絕緣層使其頂部露出的示意性的橫截面圖。圖18是說明第四實(shí)施例中的導(dǎo)電塊的頂部區(qū)域凹陷并且被除去的示意性的橫截 面圖。圖19是圖解襯底的形成電路的面的示意性的俯視圖，用于說明第四實(shí)施例中說明在 膜除去步驟之后的面上殘留的膜的檢驗(yàn)步驟。圖20A到20G是說明第五實(shí)施例中制造包含散熱器的多層電路板的方法的示意性的橫截面圖。圖21是圖解通過第五實(shí)施例中描述的制造方法獲得的包含散熱器的多層電路板 的實(shí)例的示意性的橫截面圖。圖22是圖解當(dāng)被用作IC襯底時(shí)的包含散熱器的多層電路板的示意性的橫截面 圖。圖23是圖解多層電路板的俯視圖，用于說明散熱器的位置。圖24A到24E是說明本發(fā)明的第六實(shí)施例中制造包含傳導(dǎo)棒的多層電路板的方法 的逐步的橫截面圖。圖25A到25F是說明本發(fā)明的第七實(shí)施例中制造多層布線襯底的方法中的前一半 步驟的逐步的橫截面圖。圖26A到26C是說明說明發(fā)明的第七實(shí)施例中制造多層布線襯底的方法中的后一 半步驟的逐步的橫截面圖。圖27A到27E是說明第八實(shí)施例中制造布線襯底的方法的步驟的局部橫截面圖。
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施例(通過使用可膨脹的樹脂膜制造電路板的方法)將參考附圖來描述該實(shí)施例中的制造電路板的方法。圖5A到5E是說明第一實(shí)施 例中的制造電路板的方法的步驟的示意性的橫截面圖。在圖5A到5E中，1表示絕緣襯底； 2表示可膨脹的樹脂膜；3表示電路凹槽；4表示穿過電路凹槽3的一部分的通孔；5表示鍍 催化劑；以及6表示無電鍍膜。在該實(shí)施例的制造方法中，如圖5A所示，可膨脹的樹脂膜2 首先形成在絕緣襯底1的表面上?？膳蛎浀臉渲ひ庵咐锰厥獾囊后w通過膨脹而容易與 襯底表面分離的樹脂膜。 在制造電路板中使用的各種有機(jī)襯底可以被用作絕緣襯底1，而沒有特殊的限制。 有機(jī)襯底的材料的典型實(shí)例包括那些諸如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰亞胺 樹脂以及聚苯硫醚樹脂。襯底形狀不受特別的限制，并且襯底可以是板、膜、半固化片、三維 的模具等等。絕緣襯底1的厚度不受特別地限制。就板、膜或半固化片來說，厚度較好地是 例如10到200 μ m、更好地是大約20到100 μ m。形成可膨脹的樹脂膜2的方法不受特別地限制。具體地，例如，通過在絕緣襯底1 的主表面上涂布和干燥能夠形成可膨脹的樹脂膜2的液態(tài)樹脂材料的方法，形成這種膜。 另外地，可以使用在絕緣襯底1的主表面上接合可膨脹的樹脂膜2的樹脂膜的方法。用于可膨脹的樹脂膜2的材料不受特別的限制，只要它是在以下描述的膨脹溶液 中通常不溶解并且在膨脹的時(shí)候容易與絕緣襯底1的表面分離的樹脂。有利地使用在特殊 的液體中具有50%以上、更好是100%以上、并且1000%以下的膨脹度的樹脂。具有太低膨 脹度的樹脂常常使可膨脹的樹脂膜不太容易分離。另外地，具有太高膨脹度的樹脂常常給 予膜較低的膜強(qiáng)度，使其由于損壞而難以分離膜。例如，通過在絕緣襯底的表面上涂上并干燥一種彈性體懸浮液或乳液、或通過將 預(yù)先在支持襯底上涂布并干燥一種彈性體懸浮液或乳液而形成的膜轉(zhuǎn)移到絕緣襯底表面 的表面上的方法，可以容易地形成這種可膨脹的樹脂膜。彈性體的典型實(shí)例包括諸如苯乙烯_ 丁二烯類共聚物的二烯類彈性體、諸如丙烯酸酯類共聚物的丙烯酸彈性體、聚酯彈性體等等。利用這種彈性體，可以通過例如調(diào)節(jié)分散 在懸浮液或乳液中的彈性體樹脂顆粒的交聯(lián)度或凝膠化度，容易地形成具有期望的膨脹度 的可膨脹的膜?？膳蛎浀臉渲さ奶貏e好的實(shí)例是其膨脹度依據(jù)膨脹溶液的pH值而變化的膜。 使用具有以上特性的膜作為可膨脹的樹脂膜2有益于可靠地在催化劑沉積步驟中在pH值 范圍內(nèi)在絕緣襯底1上保留可膨脹的樹脂膜2，并且有益于通過設(shè)定催化劑沉積步驟中的 溶液條件和膜分離步驟中的溶液條件，容易地在膜分離步驟中在PH值范圍內(nèi)分離該可膨 脹的樹脂膜2，將隨后描述彼此不同的催化劑沉積步驟和膜分離步驟。更具體地說，例如，在隨后描述的催化劑沉積步驟可包括在pH值為1到3的范圍 內(nèi)在酸性催化劑金屬膠體溶液中加工該可膨脹的樹脂膜2的步驟、并且隨后描述的膜分離 步驟包括在PH值為12到14的范圍內(nèi)在堿性溶液中膨脹可膨脹的樹脂膜2的步驟的情況 下，可膨脹的樹脂膜2較好是相對(duì)于酸性催化劑金屬膠體溶液具有25%以下、更好是10% 以下的膨脹度，并且相對(duì)于堿性溶液具有50%以上、較好是100%以上、并且更好是500% 以上的膨脹度?？膳蛎浀臉渲さ膶?shí)例是由具有預(yù)定量的羧基的彈性體制成的板，通過使整個(gè)固 化過程經(jīng)受用于使印刷電路板形成圖案的可光固化的堿性顯影型抗蝕劑、例如干膜抗蝕劑 (以下還稱為DFR)而獲得的板，熱固型板和堿性顯影型板。具有羧基的彈性體的實(shí)例是諸如苯乙烯_ 丁二烯共聚物苯乙烯_ 丁二烯共聚物的 二烯類彈性體、諸如丙烯酸酯類共聚物的丙烯酸彈性體以及聚酯彈性體，該聚酯彈性體通 過包含具有羧基的單體單元作為可共聚的組分，在一個(gè)分子中具有羧基。彈性體的使用有 益于通過調(diào)節(jié)懸浮液或乳液形式的分散的彈性體的酸當(dāng)量、交聯(lián)度、凝膠化度等等，形成在 堿性溶液中具有預(yù)定膨脹度的可膨脹的樹脂膜。彈性體中的羧基具有在堿性溶液中膨脹可 膨脹的樹脂膜從而將可膨脹的樹脂膜從絕緣襯底的表面分離的功能。酸當(dāng)量對(duì)應(yīng)于每一羧 基的當(dāng)量的聚合體的重量。具有羧基的單體單元的實(shí)例是(甲基)丙烯酸、富馬酸、苯基-2-丙烯酸、丁烯酸、 亞甲基丁二酸以及順丁烯二酸酐。在包含羧基的彈性體中，較好的是包含100到2000酸當(dāng)量，更好地是100到800
酸當(dāng)量的羧基。如果酸當(dāng)量的量太小，對(duì)鍍液或鍍預(yù)處理溶液的阻力可能降低。如果酸當(dāng) 量的量太小，則可能很難在堿性溶液中分離可膨脹的樹脂膜。彈性體的分子量較好的是從20000到500000，并且更好地是從20000到60000。如
果彈性體的分子量太大，則可能很難分離可膨脹的樹脂膜。另一方面，如果彈性體的分子量 太小，則可能因?yàn)檎承詼p少而很難均勻地保持可膨脹的樹脂膜的厚度，并且對(duì)鍍液或鍍預(yù) 處理溶液的阻力也可能降低。作為DFR，可以使用可光固化的樹脂成分的板，該可光固化的樹脂成分作為一種樹 脂組分包含丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、苯乙烯樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂或具有預(yù)定量的羧 基的類似樹脂，并且該可光固化的樹脂成分包含光聚合引發(fā)劑。DFR的實(shí)例是通過使整個(gè)固 化過程經(jīng)受在日本專利公報(bào)第2000-231190號(hào)、日本專利公報(bào)第2001-201851號(hào)以及日本 專利公報(bào)平成第11-212262號(hào)公開的可光固化的樹脂成分的干膜而獲得的板，并且是市場 上可買到的諸如旭化成工業(yè)有限公司(Asahi Kasei Kogyo K. K)的URi系列的堿性顯影型DFR。另一個(gè)可膨脹的樹脂膜的實(shí)例是包含松香作為主成分的樹脂(例如，吉川化學(xué)制 品有限公司(Yoshikawa Chemical Co. ,Ltd.)的NAZDAR229)，以及包含苯酚作為主成分的 樹脂(例如，LEKTRACHEM的104F)，其中兩者都具有羧基。通過以下步驟可以容易地形成可 膨脹的樹脂膜使用傳統(tǒng)的眾所周知的旋涂處理或棒式涂布處理將懸浮液或乳液形式的樹 脂涂布到絕緣襯底的表面；隨后是干燥；或使用真空層壓機(jī)等等裝置將形成在支持襯底上 的DFR附著到絕緣襯底的表面，隨后是使DFR經(jīng)受整個(gè)固化過程?？膳蛎浀臉渲?的厚度較好的是10 μ m以下，更好地是5 μ m以下以及0. 1 μ m 以上，更好地是1 μ m以上。太大的厚度可能導(dǎo)致由激光加工精細(xì)的電路圖案期間精度的惡 化。另外地，太小的厚度可能難以制造均勻的厚膜。然后如圖5B所示，具有與可膨脹的樹脂膜2 —樣厚度的深度或比可膨脹的樹脂膜 2的厚度大的深度的電路凹槽3在形成的可膨脹的樹脂膜2的外表面上形成預(yù)定圖案中。 例如，通過激光加工、機(jī)械加工或壓紋形成電路凹槽3。此外，用于預(yù)備過孔的通孔4可以形 成在電路凹槽3的一部分中。在該步驟中，電路的圖案和深度以及過孔的直徑和位置是指 定的。在這種情況下，如果形成具有與可膨脹的樹脂膜2的厚度相同的深度的電路凹槽，則 在絕緣襯底的表面上形成電路，而沒有任何絕緣襯底的雕刻，如圖5E所示。另外地，如果電 路凹槽被刻制為比可膨脹的樹脂膜2的厚度要大的深度，則絕緣襯底本身被刻制，給出刻 制進(jìn)絕緣襯底1中的電路，如圖6所示。形成的電路的寬度不受特別的限制。在使用激光加工的時(shí)候，可以容易地形成具 有20 μ m以下線寬的精細(xì)電路。另外在該步驟中，可以形成通孔4用于層狀電路之間的電連通。在制造具有多電 路層的多層電路板中，通孔4可以被用作過孔或內(nèi)部過孔。在隨后的步驟中，為了層間電連 通，通孔4的內(nèi)壁表面被無電鍍。形成電路凹槽的方法不受特別的限制。具體地，例如，通過激光加工、諸如切割、 壓紋等等的機(jī)械加工來形成電路凹槽。激光加工對(duì)制造高精度的精細(xì)電路是有利的?？?以通過改變由激光加工的激光功率任意地調(diào)節(jié)深度等等。例如，通過使用諸如在納米壓印 (nanoimprint)領(lǐng)域中使用的精細(xì)模具，有利地進(jìn)行壓紋處理。在設(shè)置無電鍍膜之后，形成為特殊電路圖案的電路凹槽3限定形成電路的區(qū)域。然后如圖5C所示，鍍催化劑5沉積在整個(gè)表面上，該整個(gè)表面包括形成有電路凹 槽3的表面以及沒有形成電路凹槽的表面(催化劑沉積步驟)。然后，如果形成有通孔4， 則鍍催化劑5也沉積在通孔4的內(nèi)壁表面上。鍍催化劑5是只在以下描述的鍍加工步驟中希望形成無電鍍膜的區(qū)域中形成鍍 膜的催化劑。使用的鍍催化劑不受特別的限制，只要它是無電鍍的催化劑即可。另外地，可 以首先沉積鍍催化劑的前體(precursor)，然后在可膨脹的樹脂膜分離之后形成鍍催化劑。 鍍催化劑的典型實(shí)例例如包括鈀(Pd)、鉬(Pt)、銀(Ag)、它們的前體等等。沉積鍍催化劑5的方法的一個(gè)實(shí)例是包括在pH值為1到3的酸性的Pd-Sn膠體 溶液中處理、隨后是在酸性溶液中處理的方法。具體地，以下是該方法的實(shí)例。首先，以浸于熱表面活性劑溶液(清潔劑_調(diào)節(jié)劑)中預(yù)定時(shí)間的方式?jīng)_洗形成 有電路凹槽3和通孔4的絕緣襯底1，用于除去表面上的油及其他污點(diǎn)。然后，根據(jù)需要，利
12用過硫酸鈉-硫酸型溫和的蝕刻溶液對(duì)絕緣襯底1進(jìn)行溫和的刻蝕處理。然后，以浸于酸 性溶液中的方式?jīng)_洗絕緣襯底1，該酸性溶液諸如是PH值為1到2的硫酸水溶液或鹽酸水 溶液。然后，絕緣襯底1被浸于預(yù)浸溶液中，用于吸附絕緣襯底1的表面上的氯離子，該預(yù) 浸溶液包含濃度大約為0. 的氯化亞錫水溶液作為主要成分。此后，絕緣襯底1被浸于酸 性催化劑金屬膠體溶液中用于凝結(jié)和吸附Pd和Sn，該酸性催化劑金屬膠體溶液諸如是包 含氯化亞錫和氯化鈀的PH值為1到3的酸性Pd-Sn膠體。被吸附的氯化亞錫和氯化鈀以 以下氧化還原反應(yīng)相互反應(yīng)(SnCl2+PdCl2 — SnCl4+Pd I )，因此，留下金屬鈀沉積作為鍍催化劑。公知的酸性Pd-Sn膠體的催化劑溶液或類似溶液可以被用作酸性催化劑金屬膠 體溶液，并且可以使用市場上可買到的使用酸性催化劑金屬膠體溶液的鍍膜裝備。該鍍膜 裝備例如由羅門哈斯電子材料有限公司(Rohm and Haas Electronic Materials K. K)銷
佳口。通過如圖5C所示的催化劑沉積處理，鍍催化劑5被沉積在電路凹槽3的表面上、 通孔4的內(nèi)壁表面上以及可膨脹的樹脂膜2的表面上。然后如圖5D所示，由于用特殊的液體使可膨脹的樹脂膜2膨脹，所以從絕緣襯底 1的表面除去可膨脹的樹脂膜2 (膜分離步驟)。在該步驟中，鍍催化劑5殘留沉積在絕緣 襯底1的形成有電路凹槽3和通孔4的表面上。另一方面，由于鍍催化劑5被保留在被膨 脹的樹脂膜2上，所以涂布在可膨脹的樹脂膜2的表面上的鍍催化劑5被除去。用于膨脹該可膨脹的樹脂膜2的液體不受特別的限制，只要它是使可膨脹的樹脂 膜2膨脹到允許容易地分離、而大多不分解或溶解絕緣襯底1、可膨脹的樹脂膜2和鍍催化 劑5的液體即可。根據(jù)可膨脹的樹脂膜2的種類適當(dāng)?shù)剡x擇這種膨脹溶液。具體地，例如， 當(dāng)可膨脹的樹脂膜是由諸如二烯類彈性體、丙烯酸彈性體或聚酯彈性體的彈性體制成時(shí)， 有利地使用諸如濃度大約在1到10%的氫氧化鈉水溶液的堿性水溶液。在上述酸性條件中的鍍加工被用于催化劑沉積步驟中的情況下，更好地是，可膨 脹的樹脂膜2可以由諸如二烯類彈性體、丙烯酸彈性體和聚酯彈性體的彈性體制成，該彈 性體在酸性條件中具有10%以下的膨脹度以及在堿性條件中具有50%以上的膨脹度?？?膨脹的樹脂膜容易被膨脹，用于在例如濃度大約為1到10%的氫氧化鈉水溶液的pH值 為12到14的堿性溶液中分離。另外地，可膨脹的樹脂膜可以隨著浸泡而受到超聲作用 (ultrasonification)，以便更容易地分離可膨脹的樹脂膜。進(jìn)一步可選的，根據(jù)需要，可以 施加很小的力來分離可膨脹的樹脂膜。例如，通過將涂布有可膨脹的樹脂膜2的絕緣襯底1浸泡在膨脹溶液中一段特定 的時(shí)間的方法，來膨脹可膨脹的樹脂膜2。更好地是襯底在浸泡期間經(jīng)受超聲作用，以提高 分離效率。如果只通過膨脹不能分離膜，則可以根據(jù)需要利用很小的力來將膜剝離。然后如圖5E所示，只在鍍催化劑5殘留沉積的區(qū)域中形成無電鍍膜6 (鍍加工步 驟)。在該步驟中，無電鍍膜被沉積在形成有電路凹槽3和通孔4的區(qū)域中。例如，通過將局部具有鍍催化劑5的絕緣襯底1浸泡在無電鍍?nèi)芤褐胁⑶乙虼酥?在涂布有該鍍催化劑5的區(qū)域中沉積無電鍍膜的方法，進(jìn)行無電鍍加工。在無電鍍中使用的金屬的實(shí)例包括銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋁(Al)等等。特別
13地，從導(dǎo)電率的角度，用含有Cu作為主要成分的金屬來鍍膜是更好的。使用含有M的鍍液 也有利于制造在對(duì)焊料的耐腐蝕性和粘附性方面優(yōu)越的膜。無電鍍膜6的厚度不受特別的限制。具體地，例如，較好的是0. 1到10 μ m,更好地 是大約1到5μπι。在鍍加工步驟中，只在絕緣襯底1表面上殘留鍍催化劑5的區(qū)域沉積無 電鍍膜。因此可以只在形成電路凹槽的區(qū)域中精確地形成導(dǎo)電層。另一方面，可以防止在 沒有形成電路凹槽的區(qū)域中沉積無電鍍膜。因此，即使當(dāng)具有小的線寬的多個(gè)精細(xì)電路形 成為窄的間距時(shí)，在相鄰電路之間的區(qū)域中也沒有不希望的鍍膜殘留。因此可以防止發(fā)生 短路和遷移。通過以上程序形成圖5Ε顯示的電路板10。在本實(shí)施例中描述的制造方法中，可以 通過調(diào)節(jié)電路凹槽的深度來任意地控制電路的膜厚度和深度。如圖6所示，例如，因此可以 在絕緣襯底1的深處中的區(qū)域中形成電路6a，并且可以在這些位置形成多個(gè)互相不同的電 路(例如圖6中的6a和6b)。同樣如圖6中的6c和6d所示，還可以通過形成深的電路凹 槽來形成厚的電路。厚的電路具有更大的截面積并且因此具有更大的強(qiáng)度和電容。以下，將參考實(shí)例更具體地描述本實(shí)施例中的制造方法。應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明的 范圍完全不受以下實(shí)例的限制。(實(shí)例1)厚度為2μπι的苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR)膜被形成在具有100 μ m厚度的環(huán) 氧樹脂襯底(松下電工有限公司制造的R1766)的表面上。通過將甲乙酮(MEK)中的苯乙 烯-丁二烯共聚物(SBR)懸浮液(由瑞翁有限公司(Zeon Corporation)制造，酸當(dāng)量600， 顆粒直徑200nm，固體物質(zhì)15% )涂布在環(huán)氧樹脂襯底的主面上、并且將產(chǎn)生的涂膜在 80°C下干燥30分鐘，來形成膜。具有寬度為20 μ m以及深度為30 μ m的近似矩形橫截面的凹槽經(jīng)過激光加工被形 成在形成有膜的環(huán)氧樹脂襯底上。由配備有UV-YAG激光器的ESI制造的型號(hào)5330被用于 該激光加工。然后經(jīng)過激光加工的環(huán)氧樹脂襯底被浸于清潔劑調(diào)節(jié)劑(由羅門哈斯電子材料 有限公司制造的pH< 1的表面活性劑溶液，C/N3320)中，然后被用水沖洗。然后，用pH< 1 的過硫酸鈉硫酸型溫和的蝕刻溶液對(duì)襯底進(jìn)行溫和的刻蝕處理。進(jìn)一步被預(yù)浸于PD404中 (pH< 1 由羅門哈斯電子材料有限公司制造)。進(jìn)一步被浸于含有氯化亞錫和氯化鈀的pH 值為1的酸性Pd-Sn膠體溶液(CAT44，由羅門哈斯電子材料有限公司制造)中，用于在環(huán)氧 樹脂襯底上的錫鈀膠體的狀態(tài)中，沉積無電鍍銅中的鈀、核。然后被浸于pH < 1的加速劑溶液(ACC19E，由羅門哈斯電子材料有限公司制造) 中用于產(chǎn)生鈀核。接下來，環(huán)氧樹脂襯底在超聲作用下被浸于PH值為14的5%氫氧化鈉水 溶液中10分鐘。結(jié)果，表面上的SBR膜被膨脹和分離。然后沒有SBR膜的碎片殘留在環(huán)氧 樹脂襯底的表面上。然后，環(huán)氧樹脂襯底被浸于無電鍍?nèi)芤?CP-251，羅門哈斯電子材料有 限公司)中用于無電鍍銅。無電鍍銅導(dǎo)致沉積具有厚度為3到5 μ m的無電鍍銅的膜。在無電鍍銅之后借助 SEM(掃描電子顯微鏡)觀測的環(huán)氧樹脂襯底的表面顯示了只在激光加工區(qū)域的區(qū)域中精 確地形成無電鍍膜。按以下方式確定可膨脹的樹脂膜的膨脹度
用于預(yù)備可膨脹的樹脂膜的SBR懸浮液被涂布在脫膜紙上并且在80°C下被干燥 30分鐘，從而給出具有2 μ m厚度的樹脂膜。通過強(qiáng)有力地除去形成的膜來獲得樣品。獲得的大約0. 02g的樣品被精確地稱重。然后樣品重量被指定為膨脹之前的重量 m(b)。該稱重的樣品在20士2°C下被浸于IOml的5%氫氧化鈉水溶液中15分鐘。然后，另 一個(gè)樣品以如上所述類似的方式在20士2°C下被浸于IOml的5%鹽酸水溶液中15分鐘?；?合物在離心機(jī)中以1000G被離心分離10分鐘，用于除去吸附在樣品上的水。離心作用之后 的膨脹的樣品的重量被指定為膨脹之后的重量m(a)。因此，根據(jù)以下公式“膨脹度SW = (m(a)-m(b))/m(b)X100(%)”，由膨脹之前的重量m(b)和膨脹之后的重量m(a)計(jì)算獲得 膨脹度。其他條件與JISL10158. 27中描述的那些相同(用于測量堿膨脹度的方法)。相對(duì)于pH值為14的5%氫氧化鈉水溶液的膨脹度是750%。另一方面，相對(duì)于pH 值為1的5%鹽酸水溶液的膨脹度是3%。如上所述，通過除去可膨脹的樹脂膜，可以通過使用本實(shí)施例中的制造方法而只 在襯底表面的希望形成電路的區(qū)域中沉積鍍催化劑。因此，只在沉積鍍催化劑的區(qū)域中精 確地形成無電鍍膜。另外，因?yàn)榭梢越柚蛎涀饔萌菀椎爻タ膳蛎浀臉渲?，所以也容?地和精確地進(jìn)行分離步驟。第二實(shí)施例(在精細(xì)布線中形成局部加固結(jié)構(gòu)方法)通過施行第一實(shí)施例中描述的制造電路板的方法，可以形成將在以下描述的局部 加固結(jié)構(gòu)用于電路的局部加固。將具體地參考附圖來描述該實(shí)施例中的制造電路板的方法。為防止重復(fù)，僅僅簡 短地描述與第一實(shí)施例的說明中共有的那些內(nèi)容。圖7A到7E是分別說明第二實(shí)施例中的制造電路板的方法的步驟的示意性的橫截 面圖。在該實(shí)施例的制造方法中，如圖7A所示，樹脂膜12首先形成在絕緣襯底1的表面 上。與第一實(shí)施例中描述的那些類似的各種有機(jī)襯底可以被用作絕緣襯底1。通過在 絕緣襯底1的主表面上涂布和干燥液態(tài)樹脂材料或?qū)⒅靶纬傻臉渲そ雍系浇^緣襯底1 的主表面上來形成樹脂膜12。使用的樹脂膜12是利用特定的液體通過膨脹或溶解作用容易地從絕緣襯底1的 表面除去的樹脂膜。其典型實(shí)例包括在有機(jī)溶劑或堿性溶液中容易溶解或膨脹的樹脂膜。 在這樣的樹脂膜當(dāng)中，為了精確和方便的除去，可膨脹的樹脂膜是特別好的。然后如圖7B所示，具有大于樹脂膜12的厚度的深度的電路凹槽3和需要的通孔 4從樹脂膜12的最外層表面開始形成。如果電路凹槽具有和厚度一樣深度，則電路形成在 絕緣襯底1的表面上。利用特定的電路圖案形成電路凹槽3。然后如圖7B所示，例如具有不規(guī)則表面 (粗糙表面)的局部加固結(jié)構(gòu)3a至少形成在電路凹槽3的一部分表面上(電路圖案形成步
驟)ο然后如圖7C所示，鍍催化劑5或其前體被涂布在絕緣襯底1和樹脂膜12的表面 上(催化劑沉積步驟)。通過這種鍍催化劑沉積處理，鍍催化劑5被沉積在電路凹槽3和通 孔4的表面上以及樹脂膜12的表面上，如圖7C所示。
然后如圖7D所示，由于用特定的液體膨脹或溶解樹脂膜12，所以樹脂膜12被除去 (膜除去步驟)。樹脂膜12的除去使鍍催化劑5僅僅殘留在希望形成電路的表面上以及通 孔4的內(nèi)表面上。在該膜除去步驟中，例如，可以通過將樹脂膜12浸泡一段特定時(shí)間溶解樹脂膜12 或在樹脂膜12膨脹之后分離樹脂膜12的方法除去樹脂膜12。使用的堿性溶液例如是諸如 濃度大約1到10%的氫氧化鈉水溶液的堿性水溶液。更好地是襯底在浸泡期間經(jīng)受超聲處 理，以提高去除效率。如果通過來膨脹分離膜，則可以根據(jù)需要借助很輕的力的應(yīng)用來剝離膜。然后如圖7E所示，除去膜的絕緣襯底1受到無電鍍(鍍加工步驟)。在該步驟中 的，無電鍍膜6沉積在電路凹槽3的表面上和通孔4的內(nèi)表面上。例如，在制造具有用于平面式安裝諸如LSI的電子部件的焊盤區(qū)域和與焊盤區(qū)域 結(jié)合的電路布線區(qū)域的電路中，安裝電子部件的焊盤區(qū)域顯然由于碰撞更易遭受損壞和分 離。在這種情況下，通過在易遭受碰撞的焊盤區(qū)域中形成如上所述的局部加固結(jié)構(gòu)，可以在 安裝電子部件的時(shí)候進(jìn)一步提高安裝強(qiáng)度。將參考附圖描述局部加固結(jié)構(gòu)的實(shí)例。圖8A和8B是說明形成為不規(guī)則形狀40的用于展示粘固效應(yīng)的局部加固結(jié)構(gòu)的 附圖。圖8A是圖解具有焊盤區(qū)域18a和電路布線區(qū)域18b的電路18的示意性的俯視圖。 圖8B是沿圖8A中的線8-8’看到的示意性的橫截面圖。通過在絕緣襯底1上預(yù)備電路凹 槽中形成這種不規(guī)則形狀40，可以借助于粘固效應(yīng)提高電路的粘附性。圖8B中顯示的不規(guī)則形狀40較好的是具有10點(diǎn)平均粗糙度(Rz)，例如，0. 1到 20 μ m，最好為大約1到10 μ m。在希望加固電路的區(qū)域中形成這種不規(guī)則形狀導(dǎo)致不牢固 地布線區(qū)域的局部加固。圖9A和9B是圖解電路的附圖，該電路通過在希望加固的區(qū)域中擴(kuò)大凹槽深度而 具有形成有厚的鍍膜的區(qū)域。圖9A是圖解具有焊盤區(qū)域18a和電路布線區(qū)域18b的電路 的示意性的俯視圖。圖9B是沿圖9A中的線9-9'看到的示意性的橫截面圖。通過在絕緣 襯底上預(yù)備電路凹槽中在希望加固的區(qū)域中形成較深的凹槽，可以僅僅在希望加固的區(qū)域 中增厚鍍膜。因此可以僅僅加固不牢固地布線區(qū)域。在圖9A和9B中顯示的結(jié)構(gòu)中，希望加固的區(qū)域中的鍍膜較好的是調(diào)節(jié)為比未加 固的區(qū)域中的那些鍍膜要厚1到10倍、最好為2到5倍。圖10是圖解具有焊盤區(qū)域18a和電路布線區(qū)域18b的電路的示意性的俯視圖。焊 盤區(qū)域18a具有形成在其外圍上的位置處的凸出部18c。凸出部18c加固該焊盤區(qū)域18a?？梢栽陬A(yù)備電路凹槽期間借助于激光加工、機(jī)械加工、或壓紋來形成如上所述的 所有加固結(jié)構(gòu)。具體地，如果通過激光加工形成圖8A和8B所示的局部加固結(jié)構(gòu)，則可以在 僅僅在襯底表面的區(qū)域上改變激光照射部位的同時(shí)，通過間歇地照射激光來形成不規(guī)則形 狀40，其中，該襯底表面的區(qū)域是在形成具有焊盤區(qū)域18a和電路布線區(qū)域18b的電路圖案 區(qū)域18之后形成焊盤區(qū)域18a的區(qū)域。可選的，如果使用壓紋，則可以通過使用用于在表 面區(qū)域形成具有不規(guī)則形狀的電路圖案的模具50，從最外層表面朝絕緣襯底1的方向?qū)?脂膜12進(jìn)行壓紋，如圖IlA和IlB所示，來形成類似于如圖IlC所示的不規(guī)則形狀40。至于類似于圖9A和9B所示的局部加固結(jié)構(gòu)，可以通過在激光加工期間局部地增
1加激光功率來局部地形成深槽?？蛇x的，如果使用壓紋，則可以通過在加固區(qū)域中利用形成 的深槽的模具來局部地形成深槽。在激光加工期間，還可以通過在電路的外圍上對(duì)凸出部進(jìn)行蝕刻來形成類似于圖 10所示的局部加固結(jié)構(gòu)。如果使用壓紋，則可以通過利用在外圍上具有凸出部的模具來形 成凸出部。通過形成這種局部加固結(jié)構(gòu)，可以獲得局部加固的布線。通過如上所述的制造電路板的方法，即使形成具有較小線寬和較小線間距的電 路，也可以僅僅在易毀區(qū)域加固金屬線路。形成的電路有較高尺寸精度，因?yàn)閮H僅在希望形 成金屬線路的區(qū)域中沉積形成鍍催化劑。通過利用這種電路制造方法，可以根據(jù)應(yīng)用，以單 面的、雙面的和多層型制造諸如IC襯底、用于手機(jī)的印刷電路板和三維電路板的電路板， 其中使用的電路的線寬和線間距較小，并且使用的電路經(jīng)常具有易遭受毀壞的局部區(qū)域。第三實(shí)施例(制造其中具有三維的電容器結(jié)構(gòu)的含電容器的電路板的方法)如以下描述的，也可以通過施行第一和第二實(shí)施例中描述的制造電路板的方法， 形成其中具有三維的電容器結(jié)構(gòu)的含電容器的電路板。圖12A到12E是分別說明第三實(shí)施例中制造具有三維的電容器結(jié)構(gòu)的電路板的方 法中的步驟的示意圖。在本實(shí)施例中的制造方法中，如圖12A所示，樹脂膜12首先形成在絕緣襯底1的 表面上。如圖12B所示，然后通過從樹脂膜12的最外層表面進(jìn)行激光加工，在絕緣襯底1 上形成電容器形成凹槽80。每個(gè)電容器形成凹槽80具有彼此面對(duì)的兩個(gè)電極單元80a和 80b。經(jīng)由作為介質(zhì)層的用于絕緣襯底1的材料將這兩個(gè)電極單元80a和80b放置在彼此 面對(duì)的位置。然后如圖12C所示，鍍催化劑5或其前體沉積在絕緣襯底1的形成有電容器形成 凹槽80的表面上以及樹脂膜12的表面上(催化劑沉積步驟)。然后如圖12D所示，除去樹脂膜12(膜除去步驟)。樹脂膜12的除去使鍍催化劑 5殘留在形成在絕緣襯底1上的電容器形成凹槽80的表面上。然后如圖12E所示，除去膜的絕緣襯底1經(jīng)受無電鍍(鍍加工步驟)。在該步驟 中，僅僅在絕緣襯底1的形成電容器形成凹槽80的區(qū)域中沉積無電鍍6，給出形成在電路板 的絕緣襯底1上的三維的電容器85。圖13是圖解形成的電容器85的示意圖。通過本實(shí)施例的制造方法在電路板的絕緣層中形成三維的電容器，并且因此，電 容器可以形成為處于相對(duì)于電路板的主面的Z軸方向，因此，不需要用于安裝傳統(tǒng)的電路 板的表面上所需的電容器元件的空間。已知利用兩個(gè)布線層的內(nèi)部的電容器，該兩個(gè)布線 層經(jīng)由作為電極的多層布線板的絕緣層和作為電容器層的絕緣層彼此面對(duì)。然而，這種形 成在多層布線板的x-y面上的傳統(tǒng)的內(nèi)部電容器需要一定量的空間?？梢耘c本實(shí)施例中獲 得的電容器一起使用用于安裝電容器的空間作為用于形成電路或用于安裝其他元件的空 間。通過利用這種制造方法可以制造高密度電路板。圖14是圖解包含這種三維的電容器85的IC襯底140(電路板)的示意圖。在圖 14中，IC芯片31安裝在IC襯底140上并且通過線路33被接合到電路(無電鍍6)。142 表示用于平面式安裝的焊球。第四實(shí)施例(多層布線電路的制造)
如果應(yīng)用于構(gòu)造方法，圖3A到圖3E中描述的加成法會(huì)引起以下描述的問題。如 果應(yīng)用于構(gòu)造方法，則將參考圖15A到15E的示意性的橫截面圖描述參考圖3A到3E描述 的加成法中的步驟。首先如圖15A所示，金屬線路301形成在絕緣襯底300的表面上。然后如圖15B所 示，絕緣樹脂層200形成在絕緣襯底300的表面上。如圖15C所示，然后在絕緣樹脂層200 的表面上涂布保護(hù)膜201。如圖15D所示，通過激光加工在涂布有保護(hù)膜201的絕緣樹脂 層200上形成對(duì)應(yīng)于布線圖案的電路凹槽202和通孔203。然后在通過激光加工形成的通 孔203的底部上殘留有樹脂污跡305。應(yīng)該除去可能引起導(dǎo)電率煩惱的樹脂污跡305。然 而，如圖15E所示，在保護(hù)膜201形成之后的去污處理引起保護(hù)膜201也被膨脹或與樹脂污 跡305 —起被溶解的問題。可選的，在沉積鍍催化劑之后的去污處理引起在希望形成金屬 線路的區(qū)域中沉積的鍍催化劑被釋出的問題。因此，不能夠通過參考圖15A到15E的方法 形成高精度的金屬線路。以下，將參考附圖來描述該實(shí)施例中的制造多層電路板的方法。類似于先前的實(shí) 施例中的那些說明將被省略。圖16A到16G是分別說明第四實(shí)施例中制造多層電路板的方法中的步驟的示意性 的橫截面圖。在圖16A到16G中，1和11各個(gè)表示絕緣層(絕緣襯底)；Ila表示第一電路； 12表示樹脂膜；3表示電路凹槽，5表示鍍催化劑以及6表示無電鍍膜。另外，在第一電路 Ila的表面上的特定的位置處形成圓錐形傳導(dǎo)塊(傳導(dǎo)棒)lib。在本說明書中，“傳導(dǎo)棒” 是具有厚度足夠地大于形成電路的金屬箔、并在電路表面的近似垂直方向上伸出的傳導(dǎo)的 凸出部，并且形狀不受特別限制。因此，該形狀包括諸如圓筒和棱柱的柱形形狀以及諸如所 謂的傳導(dǎo)塊的圓錐形形狀。在本實(shí)施例的制造方法中，如圖16A所示，絕緣襯底1首先被層壓在絕緣襯底11 的表面上，用于利用絕緣襯底1包圍在第一電路Ila的預(yù)定位置處伸出形成的傳導(dǎo)塊lib。 因此，如圖16B所示，形成電路板9，該電路板9包含在第一電路Ila的表面上形成的伸出絕 緣層外部的傳導(dǎo)棒lib。類似于在第一實(shí)施例中描述的絕緣襯底的各種有機(jī)襯底可被用作絕緣襯底1和 11?？赏ㄟ^在絕緣層11的表面上涂布和硬化樹脂溶液來形成絕緣層1。通常在制造多 層電路板中使用的樹脂溶液，諸如環(huán)氧樹脂、聚苯醚樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等等 的溶液，可被用作該方法中使用的樹脂溶液，而沒有特別的限制?？蛇x的，通過將絕緣襯底1放置在絕緣層11的表面上并且借助加壓和加熱將絕緣 襯底1接合到絕緣層11的表面上來形成絕緣襯底1。如果半固化片被用作絕緣襯底1，則 借助加壓和加熱的硬化更可取。在本實(shí)施例中，第一電路1 Ia形成在絕緣襯底11的表面上。此外，形成傳導(dǎo)塊1 lb, 該傳導(dǎo)塊lib在第一電路Ila的表面上的特定的位置處伸出。通過諸如減成法或加成法的 傳統(tǒng)已知的電路形成方法來形成第一電路11a?？赏ㄟ^在第一電路Ila的表面上絲網(wǎng)印刷(screen-printing) —種傳導(dǎo)膏 (conductive paste)來形成傳導(dǎo)塊lib。具體地，例如，通過絲網(wǎng)印刷在第一電路Ila的表 面上的特定的位置涂上諸如銀膏的傳導(dǎo)膏。如果通過一次印刷沒有獲得期望的厚度，則可通過重復(fù)應(yīng)用絲網(wǎng)印刷來增加傳導(dǎo)膏的厚度。并且，通過在特定的位置應(yīng)用傳導(dǎo)膏、例如在 半硬化狀態(tài)將其模制成圓錐形形狀并且隨后對(duì)成形體進(jìn)行硬化處理，來形成傳導(dǎo)塊?？蛇x 的，傳導(dǎo)膏可在特定的位置形成，可通過例如刻蝕處理來代替半硬化狀態(tài)中的模制，對(duì)其進(jìn) 行硬化處理然后將其模制成為特定的形狀。仍可選的，可通過光致抗蝕劑方法腐蝕比較厚 的金屬箔來形成傳導(dǎo)塊。仍可選的，可通過鍍加工在金屬箔表面上形成傳導(dǎo)塊。傳導(dǎo)塊lib的形狀、大小、間距等等沒有特別的限制。具體地，例如，塊可以是具有 高度大約為5到200 μ m以及底面直徑大約為10到500 μ m的近似圓錐形形狀。埋入的傳導(dǎo)塊lib的形狀沒有特別限制；并且例如，傳導(dǎo)塊lib的頂部可以完全地 埋入絕緣襯底1中而沒有外露，如圖17A所示，或如圖17B所示，傳導(dǎo)塊lib可以被插入絕 緣襯底1中，僅僅留下傳導(dǎo)塊Ub的頂部露出。如圖16C所示，在包含傳導(dǎo)棒的電路板9的主表面上(在絕緣層1的面對(duì)伸出的 傳導(dǎo)塊lib的表面上)形成樹脂膜12 (膜形成步驟)。形成的樹脂膜12是類似于第一或第二實(shí)施例中描述的那些膜。然后如圖16D所示，具有深度比樹脂膜12的厚度大的電路凹槽3通過激光加工形 成在樹脂膜12的外表面上(電路凹槽形成步驟)。如圖16D所示，經(jīng)過激光加工，傳導(dǎo)塊lib從樹脂膜12的最外層表面?zhèn)嚷冻?傳 導(dǎo)棒露出步驟)。為了充分的除去表面污跡，最好以除去傳導(dǎo)塊lib的頂部區(qū)域并且留下傳 導(dǎo)塊lib的底部被挖的區(qū)域被露出的方式露出傳導(dǎo)塊11b，如圖18所示。傳導(dǎo)塊lib具有 比第一電路Ila的厚度足夠大的厚度。因此，即使在高強(qiáng)度下用激光加工傳導(dǎo)塊11b，第一 電路Ila本身也仍未受損傷。因此，可以通過以這種方式露出傳導(dǎo)塊lib來除去傳導(dǎo)塊lib 的表面上的污跡。所以，在露出傳導(dǎo)塊lib之后，通過以下描述的激光加工和鍍加工，可以 不用去污處理，而經(jīng)過利用鍍膜的層間連接來彼此連接露出的傳導(dǎo)塊lib和最新形成的第 二電路8。然后如16E所示，鍍催化劑5或其前體沉積在經(jīng)過激光加工露出的傳導(dǎo)塊lib的 整個(gè)外表面上、電路凹槽3上以及樹脂膜12上(催化劑沉積步驟)。使用的鍍催化劑5是類似于第一實(shí)施例中描述的那些催化劑，并且使用的沉積方 法也類似于那里描述的那些沉積方法。如圖16E所示，通過在經(jīng)過激光加工的區(qū)域和沒有經(jīng)過激光加工的樹脂膜12兩者 的整個(gè)表面上進(jìn)行催化劑沉積處理來沉積鍍催化劑5。然后，如圖16F所示，用特定的液體 膨脹或溶解樹脂膜12，來除去樹脂膜12 (膜除去步驟)。該步驟使鍍催化劑5僅僅殘留在 通過激光加工形成的電路凹槽3的表面上和露出的傳導(dǎo)塊lib上。另一方面，除去沉積在 另一個(gè)區(qū)域(樹脂膜12的表面)中的鍍催化劑5。通過類似于第二實(shí)施例中描述的方法進(jìn)行膜除去步驟。然后如圖16G所示，在膜 除去步驟之后，在殘留有鍍催化劑5的區(qū)域中形成無電鍍膜(鍍加工步驟)。在該步驟中可 以僅僅在希望形成第二電路8的區(qū)域中沉積無電鍍膜。同樣在該步驟中，最新形成的較高 層的第二電路8和較低層的第一電路Ila經(jīng)由傳導(dǎo)塊lib和無電鍍膜6通過層間連接而相 互連接。例如，可以通過在膜除去步驟之后將包含傳導(dǎo)棒的電路板9浸泡在無電鍍?nèi)芤褐?的方法形成無電鍍膜，這允許僅僅在沉積鍍催化劑5的區(qū)域中沉積無電鍍膜6。
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在無電鍍中使用的金屬是類似于第一實(shí)施例中描述的那些金屬。在鍍加工步驟中，可以僅僅在經(jīng)過激光加工的絕緣層1的表面上的區(qū)域中沉積無 電鍍膜6。這樣，第二電路8形成在絕緣層1表面上，并且形成的第二電路8和第一電路Ila 經(jīng)由傳導(dǎo)塊lib通過層間連接而相互連接。圖16G中所示的在絕緣層1的表面上具有第二電路8的多層電路板20在以上步 驟中形成。在該多層電路板20中，較高層的第二電路8經(jīng)由傳導(dǎo)塊lib和無電鍍膜6被電 連接到較低層的第一電路11a。在制造電路板的方法中，在如上所述的膜除去步驟之后，通過將紫外線光或近似 紫外線光照射到測試面上，將熒光物質(zhì)添加到樹脂膜并且檢查熒光物質(zhì)的放射，來確定膜 除去故障。通過本實(shí)施例中的制造電路板的方法，可以形成具有極小的線寬和線間距的金 屬線路。在這種情況下，例如，擔(dān)心相鄰金屬線路之間未完全除去的殘留的樹脂膜，如圖19 中的電路8的擴(kuò)大俯視圖中的樹脂膜殘余13所示。殘留在金屬線路之間的、允許在該區(qū)域 中形成鍍膜的樹脂膜可能導(dǎo)致諸如遷移和短路的困擾。在這種情況下，在膜除去步驟之后， 通過將熒光物質(zhì)添加到樹脂膜12、用來自特殊光源的光照射膜除去面來檢查膜除去故障的 出現(xiàn)和位置，并且因此，允許僅僅在膜殘留區(qū)域中由熒光物質(zhì)發(fā)光。檢查步驟中使用的添加 到樹脂膜的熒光物質(zhì)沒有特別的限制，只要通過照射來自特殊光源的光來發(fā)光即可。其典 型實(shí)例包括熒光素、四溴熒光素、焦寧G等等。在檢查步驟中觀察到熒光物質(zhì)的放射的區(qū)域是具有殘留的樹脂膜13的區(qū)域。因 此，通過除去放射檢測區(qū)域來防止在該區(qū)域中形成鍍膜、因而，預(yù)先避免諸如遷移和短路的 困擾。通過如上所述的制造多層電路板的方法，在經(jīng)構(gòu)造方法層壓電路來制造多層電路 板中，使形成在較低層的第一電路上的傳導(dǎo)塊經(jīng)受激光加工來形成無電鍍膜，從而可以通 過層間連接容易地將最新形成的較高層的第二電路連接到預(yù)先形成的較低層的第一電路。 此外，該最新形成的第二電路是尺寸精度較高的電路，該最新形成的第二電路是通過僅僅 在希望形成金屬線路的區(qū)域中沉積鍍催化劑來形成的。因而可以設(shè)置具有較高尺寸精度的 電路的多層電路板。通過利用這種制造多層電路板的方法，可以制造多層電路板，該多層電 路板使用在諸如具有小的線寬和線間距的IC襯底以及用于手機(jī)和3D電路板的印刷電路板 的應(yīng)用中。以下，將參考實(shí)例更具體地說描述本實(shí)施例中的制造方法。應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明 的范圍完全不受以下實(shí)例的限制。(實(shí)例2)在表面上形成有金屬線路(厚度為18 μ m)的電路板放置在具有100 μ m厚度的半 固化片上。具有50 μ m高度以及200 μ m的底面直徑的圓錐形傳導(dǎo)塊形成在金屬線路表面 上的特殊位置處。該傳導(dǎo)塊是用傳導(dǎo)膏形成的塊。通過在傳導(dǎo)塊粘住半固化片的狀態(tài)下在 加熱的情況下按壓模制(press-molding)合成物來獲得層壓的層壓膜以及結(jié)合的合成物。然后，通過旋涂將甲乙酮(MEK)中的苯乙烯_ 丁二烯共聚物(SBR)的懸浮液(瑞 翁有限公司制造，酸當(dāng)量600，顆粒直徑200nm，固體物質(zhì)15% )涂布在獲得的層壓膜的 半固化片側(cè)的表面上，并且在80°C下干燥30分鐘，從而形成具有2 μ m厚度的樹脂膜。凹槽具有20 μ m的寬度以及30 μ m的深度的近似矩形的橫截面，通過在形成有樹脂膜的層壓膜的特殊的位置進(jìn)行激光加工來形成特殊的圖案。此外，以朝形成傳導(dǎo)塊的區(qū) 域挖傳導(dǎo)塊并使傳導(dǎo)塊露出的方式形成孔。在激光加工中使用由ESI制造的型號(hào)5330的 UV-YAG激光器。然后經(jīng)過激光加工的層壓膜被浸于清潔劑調(diào)節(jié)劑(C/N3320)中并且用水沖洗。然 后，用？11值< 1的過硫酸鈉硫酸型溫和的蝕刻溶液對(duì)層壓膜進(jìn)行溫和的刻蝕處理。通過利 用？0404&!1值< 1 由希普列遠(yuǎn)東有限公司制造)在預(yù)浸步驟中進(jìn)一步處理。然后，被浸 于含有氯化亞錫和氯化鈀的PH值為1的酸性Pd-Sn膠體溶液(CAT44，由希普列遠(yuǎn)東有限公 司制造)中，用于在環(huán)氧樹脂襯底上的錫鈀膠體的狀態(tài)中，沉積無電鍍銅中的鈀、核。然后該層壓板被浸于pH值< 1的加速劑溶液(ACC19E，由希普列遠(yuǎn)東有限公司制 造)中，從而生成鈀核。該層壓板在超聲作用下被浸于PH值為14的5%氫氧化鈉水溶液中 10分鐘，以膨脹表面SBR膜以及分離樹脂膜。然后紫外線光被照射到層壓板表面上。通過紫外線照射觀測局部熒光放射。通過 用布擦拭來除去熒光放射的區(qū)域。層壓板浸于無電鍍?nèi)芤?希普列遠(yuǎn)東有限公司制造的CM328A、CM328L、CM328C)中 經(jīng)受無電鍍銅，從而給出具有5 μ m厚度的沉積的無電鍍銅膜。借助SEM (掃描電子顯微鏡) 觀察的如上所述的無電鍍的層壓膜的表面顯示在激光加工的凹槽區(qū)域以及傳導(dǎo)塊的表面 中以高精度形成由無電鍍膜形成的金屬線路，并且凹槽區(qū)域經(jīng)由無電鍍膜被相互電連接。以類似于第一實(shí)施例中描述的方法確定可膨脹的樹脂膜的膨脹度。第五實(shí)施例(預(yù)備包含散熱器的多層布線電路)本實(shí)施例中制造電路板的方法涉及制造穿透多層電路的散熱器的方法，同時(shí)應(yīng)用 第四實(shí)施例中的制造多層電路板的方法。以下，將參考附圖來描述制造該實(shí)施例中的具有穿透的散熱器的多層電路板的方 法。類似于第四實(shí)施例中的那些說明將被省略。圖20A到20G是分別說明第五實(shí)施例中制造具有穿透多個(gè)層的散熱器的多層電路 板的方法中的步驟的示意性的橫截面圖。用與第一到第四實(shí)施例中相同的數(shù)字表示的第五 實(shí)施例中的區(qū)域相互類似，并且因而省略其詳細(xì)說明。本實(shí)施例的制造方法與第四實(shí)施例中描述的制造方法的不同之處在于，另外在形 成第一電路的面上形成用于散熱部16a的傳導(dǎo)膜，該散熱部16a與第一電路Ila斷開電連 接。還有，在用于散熱部16a的傳導(dǎo)膜的預(yù)定位置處形成傳導(dǎo)棒16b，傳導(dǎo)棒16b以類似于 在第一電路Ila的表面上伸出放置的傳導(dǎo)棒lib的形狀伸出。還有在本實(shí)施例的制造方法中，如圖20A所示，首先絕緣襯底1被層壓在絕緣襯底 11的表面上。然后如圖20B所示，傳導(dǎo)塊lib和傳導(dǎo)棒16b被埋入絕緣襯底1中。如圖20C所示，然后樹脂膜12被形成在具有傳導(dǎo)棒的電路板19的主面上(膜形 成步驟)。然后如圖20D所示，通過激光加工從樹脂膜12的外表面形成電路凹槽3，該電路凹 槽3具有與樹脂膜12的厚度相同或大于樹脂膜12的厚度的深度(電路凹槽形成步驟)。 進(jìn)一步如圖20D所示，通過從樹脂膜12的外表面進(jìn)行激光加工而露出傳導(dǎo)塊lib和傳導(dǎo)棒 16b (傳導(dǎo)棒露出步驟)。然后如圖20E所示，鍍催化劑5或其前體被沉積在經(jīng)過激光加工而露出的傳導(dǎo)塊
21lib和16b的整個(gè)表面上、電路凹槽3上和樹脂膜12上(催化劑沉積步驟)。經(jīng)過該催化 劑沉積處理，鍍催化劑5被沉積在整個(gè)表面上，該整個(gè)表面包括經(jīng)過激光加工的區(qū)域的表 面還有沒有經(jīng)過激光加工的樹脂膜12的表面。然后，如圖20F所示，用特定的液體膨脹或溶解樹脂膜12，來除去樹脂膜12(膜除 去步驟)。如圖20G所示，然后無電鍍膜被形成在鍍催化劑5殘留未除去的區(qū)域上(鍍加工 步驟)。在該步驟中，僅僅在鍍催化劑5殘留未除去的區(qū)域中沉積無電鍍膜6。最新形成的 較高層的第二電路8和較低層的第一電路Ila經(jīng)由傳導(dǎo)塊lib和無電鍍膜6通過層間連接 被相互連接。此外，熱連接到用于散熱部16a的較低層的傳導(dǎo)膜的用于散熱部16a的新的 傳導(dǎo)膜被形成在具有該最新形成的較高層的第二電路8的面上。在這些步驟之后，就形成了多層電路板30，該多層電路板30在絕緣層1的表面上 具有第二電路8和用于散熱部16a的最新形成的傳導(dǎo)膜，如圖20G所示。在該多層電路板 30中，較高層的第二電路8經(jīng)由傳導(dǎo)塊lib和無電鍍膜6被電連接到較低層的第一電路 11a。用于散熱部16a的較高層的傳導(dǎo)膜經(jīng)由傳導(dǎo)塊16b和無電鍍膜6被熱連接到用于散 熱部16a的較低層的傳導(dǎo)膜。另外，在用于散熱部16a的最新形成的較高層的傳導(dǎo)膜中形成傳導(dǎo)塊16b，如圖 20G所示，并且另外在第二電路8的預(yù)定位置形成傳導(dǎo)塊lib。通過重復(fù)圖20A到20G中說 明的步驟特定的次數(shù)，獲得其中具有穿透多個(gè)層的散熱器的多層電路板。舉例來說，圖21 顯示通過重復(fù)圖20A到20G中顯示的步驟四次，預(yù)備的五層多層電路板35的示意性的橫截 面圖。穿透絕緣襯底11和五層絕緣層的散熱器16形成在圖21所示的五層多層電路板 35中。穿透多層電路板35的散熱器16有效地將頂面上的熱傳遞到底面。因而，包含散熱 器的多層電路板可以被有利地用作例如用于安裝釋放大量熱的IC芯片的IC襯底以及具有 低能電子衍射(Leed)的LED襯底，該低能電子衍射的發(fā)光效率受發(fā)熱的影響。將參考圖22和23描述使用包含散熱器16的多層電路板35作為IC襯底。圖22 是圖解在其上安裝有IC芯片31的多層電路板35的示意性的橫截面圖。圖23是圖解圖22 中所示的在其上安裝有芯片31的多層電路板35的俯視圖。在圖22中，通過焊接，多層電路板35經(jīng)由背面上的電極塊31被連接到印刷電路 板40的表面上的電極焊盤區(qū)域41。熱連接到散熱器16的散熱器塊32形成在多層電路板 35的背面上。通過焊接將散熱器塊32連接到形成在印刷電路板40上用于散熱的金屬層 42。用于散熱的金屬層42形成為與印刷電路板40的表面上形成的電路電絕緣。如果經(jīng)由用于線路接合的線路33向IC芯片31供電，則安裝在多層電路板35上 的IC芯片31會(huì)發(fā)熱。多層電路板35可以將釋放的熱從IC芯片31經(jīng)由散熱器16傳遞到 形成在印刷電路板40的表面上的金屬層42。因此，通過形成在印刷電路板40的表面上的 金屬層42有效地散發(fā)從IC芯片31釋放的熱，因而，防止IC芯片31的操作效率的惡化。形成在多層電路板上的散熱器的形狀、圖案等等沒有特別的限制，只要散熱器形 成為與多層電路板中形成的電路電絕緣即可。通過適當(dāng)?shù)剡x擇散熱器的形狀和圖案，可以 使散熱器起加固結(jié)構(gòu)的作用，用于防止多層電路板的熱變形。如果多層電路板的絕緣層由 有機(jī)材料制成，則在焊接期間熱量可能會(huì)使層熱變形。在這種情況下，例如，如果沿多層電路板30的外表面形成圖23中所示的框架狀的圖案的散熱器16，則作為加固結(jié)構(gòu)，金屬材料 的散熱器16具有比樹脂材料的線性熱膨脹系數(shù)要低的線性熱膨脹系數(shù)，防止整個(gè)多層電 路板30的變形。第六實(shí)施例(制造多層布線電路的另一個(gè)方法)在第六實(shí)施例中將描述制造包含傳導(dǎo)棒的電路板的另一個(gè)方法。除了制造包含傳 導(dǎo)棒的電路板之外的步驟與第四和第五實(shí)施例中描述的步驟相同，并且刪除其詳細(xì)說明。將參考圖24A到24E描述第六實(shí)施例中制造具有傳導(dǎo)棒的多層電路板的方法。在圖24A到24E中，1和21各自表示絕緣層(絕緣襯底)；21a表示第一電路；24 表示經(jīng)過激光加工形成的孔；25表示污跡；并且27表示傳導(dǎo)棒。在本實(shí)施例的制造方法中，如圖24A和24B所示，絕緣層1首先被層壓在形成有第 一電路21a的絕緣層21的表面上。如圖24C所示，經(jīng)過激光加工絕緣層1，露出第一電路 21a的表面。樹脂質(zhì)的殘余污跡25殘留沉積在經(jīng)過激光加工而露出的第一電路21a的表面 上，如圖24C所示。該污跡25可能引起傳導(dǎo)率困擾。由于那個(gè)緣故，最好通過去污處理除 去污跡25，如圖24D所示。可以使用例如利用浸泡在高錳酸溶液中的溶解作用來除去污跡 25的已知的方法，對(duì)于去污處理沒有任何限制。在去污處理之后，通過電解電鍍或無電鍍，從露出的第一電路21a的表面產(chǎn)生板 層。結(jié)果，如圖24E所示，傳導(dǎo)棒27形成為在第一電路21a的表面上伸出。當(dāng)執(zhí)行電解電 鍍時(shí)，第一電路21a起電極的作用，而當(dāng)執(zhí)行無電鍍時(shí)，第一電路21a的表面起鍍核的作用。在類似于第四或第五實(shí)施例中描述的那些步驟中獲得多層電路板，除了使用諸如 如上所述的包含傳導(dǎo)棒的電路板19來替換包含傳導(dǎo)棒的電路板9之外。具體地，樹脂膜12 形成在包含傳導(dǎo)棒的電路板19的表面上(膜形成步驟)。通過激光加工從樹脂膜12的外 表面形成電路凹槽3，該電路凹槽3具有與樹脂膜12的厚度相同或大于樹脂膜12的厚度的 深度(電路凹槽形成步驟)。經(jīng)過激光加工，傳導(dǎo)棒27從樹脂膜12的外表面露出(傳導(dǎo) 棒露出步驟)。鍍催化劑5或其前體被沉積在露出的傳導(dǎo)棒27的整個(gè)表面上和電路凹槽3 上以及樹脂膜12上(催化劑沉積步驟)。然后除去該樹脂膜12 (膜除去步驟)。在膜除去 步驟之后，在殘留未除去的鍍催化劑5的區(qū)域中形成無電鍍膜6 (鍍加工步驟)。在這些步 驟之后，形成在絕緣層1的表面上具有第二電路8的多層電路板。在該多層電路板中，較高 層的第二電路8經(jīng)由傳導(dǎo)棒27和無電鍍膜6被電連接到較低層的第一電路21a。在這種方法中，第一電路的表面可在預(yù)備樹脂膜之前經(jīng)受去污處理，然后，經(jīng)過電 解電鍍或無電鍍形成用于層間連接的傳導(dǎo)棒。因而，例如，沒有考慮經(jīng)過去污處理產(chǎn)生樹脂 膜。如果利用露出的第一電路作為電極經(jīng)過電解電鍍產(chǎn)生鍍膜，則還可以更有效地形成傳 導(dǎo)棒。如果為第一電路通電比較困難，則可利用露出的電路表面來作為鍍核，經(jīng)過無電鍍產(chǎn) 生鍍膜。第七實(shí)施例(制造多層布線電路的另一個(gè)方法)在第七實(shí)施例中，在分離樹脂膜12以及形成第二電路之后的層間連接的方法代 替第四到第六實(shí)施例中的利用在預(yù)備樹脂膜12之前形成的傳導(dǎo)棒的方法。將省略類似于 第四到第六實(shí)施例中描述的那些步驟的詳細(xì)說明。在本實(shí)施例的制造方法中，如圖25A所示，首先絕緣層1層壓在絕緣襯底21的表 面上。這樣，第一電路21a被埋入絕緣層1中。
然后如圖25B所示，樹脂膜12形成在絕緣層1的表面上(膜形成步驟)。然后如 圖25C所示，經(jīng)過激光加工在樹脂膜12的外表面上形成電路凹槽3，該電路凹槽3具有與樹 脂膜12的厚度相同或大于樹脂膜12的厚度的深度(電路凹槽形成步驟)。然后如圖25D所示，鍍催化劑5被沉積在形成的電路凹槽3的外表面上以及樹脂 膜12上(催化劑沉積步驟)。經(jīng)過這樣的催化劑沉積處理，鍍催化劑5被沉積在整個(gè)表面 上，該整個(gè)表面包括電路凹槽3的表面以及沒有經(jīng)過激光加工的樹脂膜12的表面。如圖25E所示，用特定的液體膨脹或溶解樹脂膜12，來除去樹脂膜12(膜除去步 驟)。該步驟中的處理使鍍催化劑5殘留在經(jīng)過激光加工形成的電路凹槽3的表面上、并且 除去沉積在另一個(gè)樹脂膜12的表面上的鍍催化劑5。如圖25F所示，在殘留未除去的鍍催化劑5的區(qū)域中形成無電鍍膜6(鍍加工步 驟)。該步驟使無電鍍膜6沉積在希望形成第二電路8的區(qū)域上。然后如圖26A所示，第一電路21a的表面經(jīng)過激光加工從希望形成層間連接到第 二電路8的區(qū)域上方露出。然后污跡25殘留在經(jīng)過激光加工露出的第一電路21a的表面 上。經(jīng)過去污處理除去污跡25，如圖26B所示。在去污處理之后，通過電解電鍍或無電鍍在露出的第一電路21a的表面上產(chǎn)生鍍 膜，形成傳導(dǎo)棒37，如圖26C所示。如果進(jìn)行電解電鍍，則第一電路21a起電極的作用，而如 果進(jìn)行無電鍍，則第一電路21a起表面鍍核的作用。通過這種方法可以在分離樹脂膜12以及形成第二電路8之后形成層間連接37。結(jié) 果，即使當(dāng)具有小的線寬和線間距通過該構(gòu)造方法被層壓時(shí)，第二電路也抵抗短路和遷移。第八實(shí)施例(通過利用可膨脹的樹脂膜三維電路板的預(yù)備)將具體地參考附圖來描述該實(shí)施例中的制造電路板的方法。圖27A到27E是分別說明第八實(shí)施例中制造三維電路襯底的方法的步驟的示意性 的橫截面圖。在本實(shí)施例的制造方法中，如圖27A所示，在具有階梯狀區(qū)域的三維的絕緣襯底 51的表面上形成樹脂膜12。對(duì)三維的絕緣襯底51，可以使用在制造三維電路板中使用的各種傳統(tǒng)的樹脂模 具，而沒有任何限制。從生產(chǎn)力的角度，較好是通過注塑成型來預(yù)備這種模具。用于樹脂成 型的樹脂材料的典型實(shí)例包括聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、各種聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、 聚苯硫醚樹脂等等。制造樹脂膜12的方法沒有特別的限制。具體地，例如，可通過在三維的絕緣襯底 51的希望形成樹脂膜12的階梯面上涂布和干燥液態(tài)樹脂材料來預(yù)備。該涂布方法沒有特 別的限制。具體地，可以使用諸如旋涂、棒式涂布或噴涂的已知的方法，而沒有特別的限制。如圖27B所示，然后，通過僅僅在特殊的區(qū)域中從形成的樹脂膜12的外表面除去 樹脂膜來形成有特殊圖案的電路凹槽3。形成電路凹槽的方法不受特別的限制。具體地， 例如，通過激光加工、諸如切割、壓紋等等的機(jī)械加工來形成。激光加工對(duì)制造高精度的精 細(xì)電路是有利的?？梢酝ㄟ^改變由激光加工的激光功率任意地調(diào)節(jié)機(jī)械加工深度等等。例 如，通過使用諸如在納米壓印領(lǐng)域中使用的精細(xì)模具，有利地進(jìn)行壓紋處理。以特殊的電路圖案形成的電路凹槽3限定在設(shè)置無電鍍膜之后形成的電路的區(qū) 域。
然后如圖27C所示，鍍催化劑5被沉積在形成有電路凹槽3的表面上以及未形成 有電路凹槽的表面上(催化劑沉積步驟)。如圖27C所示，通過催化劑沉積處理，可以將鍍 催化劑5沉積在電路凹槽3的表面上以及樹脂膜2的表面上。然后如圖27D所示，用特殊的液體使樹脂膜12膨脹，從三維的絕緣襯底51的表面 除去樹脂膜12 (膜分離步驟)。該步驟使鍍催化劑5僅僅在三維的絕緣襯底51的希望形成 電路的階梯面的區(qū)域中留下。然后如圖27E所示，僅僅在殘留未除去的鍍催化劑5的區(qū)域中形成無電鍍膜6(鍍 加工步驟)。該步驟導(dǎo)致僅僅在形成電路凹槽3的區(qū)域中沉積無電鍍膜。該鍍加工步驟導(dǎo)致僅僅在三維的絕緣襯底51的殘留未除去的鍍催化劑5的表面 上的區(qū)域中沉積無電鍍膜，因而，在希望形成電路的區(qū)域中精確地形成傳導(dǎo)膜。還可以防止 在不希望形成電路的區(qū)域中沉積無電鍍膜。結(jié)果，即使當(dāng)形成多個(gè)具有窄的間距以及線寬 的精細(xì)電路時(shí)，也沒有不需要的殘留在相鄰電路之間的鍍膜。因此可以防止發(fā)生短路和遷 移。圖27E中所示的三維電路板60在這些步驟中被形成。如上所述，通過本實(shí)施例中 的形成電路的方法，例如，可以在三維電路板的階梯狀的區(qū)域上精確地并且容易地形成電路。本發(fā)明的一方面中如上所述的制造電路板的方法包括在絕緣襯底的表面上形成 可膨脹的樹脂膜的膜形成步驟、在可膨脹的樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于可膨脹 的樹脂膜的厚度的電路凹槽的電路凹槽形成步驟、在絕緣襯底的電路凹槽的表面上以及沒 有形成電路凹槽的可膨脹的樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑或其前體的催化劑沉積步驟、用 特殊的液體使可膨脹的樹脂膜膨脹并且從絕緣襯底表面除去該膨脹的樹脂膜的膜分離步 驟、以及在除去可膨脹的樹脂膜之后僅僅在鍍催化劑或由鍍催化劑的前體形成的鍍催化劑 殘留未除去的區(qū)域中形成無電鍍膜的鍍加工步驟。通過這種制造方法，可以在膨脹之后通 過分離該保護(hù)膜來容易地除去不想要的鍍催化劑。因而可以僅僅在由殘留的鍍催化劑限定 的區(qū)域中形成無電鍍膜。因而可以使所產(chǎn)生的電路外形非常精確。結(jié)果，例如，即使當(dāng)從特 殊的間距中提取多個(gè)電路線路時(shí)，也沒有例如電路線路之間的無電鍍膜的碎片，不必?fù)?dān)心 短路和遷移。還可以形成具有希望的深度的電路。當(dāng)用液體處理時(shí)的可膨脹的樹脂膜的膨脹度較好為50%以上。通過利用具有這種 膨脹度的可膨脹的樹脂膜，可以容易地從絕緣襯底表面除去該可膨脹的樹脂膜。在以上制造方法中，較佳的，催化劑沉積步驟包括將可膨脹的樹脂膜浸泡在酸性 催化劑金屬膠體溶液中的步驟，膜分離步驟包括在堿性溶液中膨脹該可膨脹的樹脂膜的步 驟，并且該可膨脹的樹脂膜是不能在酸性催化劑金屬膠體溶液中膨脹而能在堿性溶液中膨 脹的樹脂膜。根據(jù)以上制造方法，在催化劑沉積步驟中沒有分離該可膨脹的樹脂膜，其中， 可膨脹的樹脂膜在酸性條件中被處理、并且在膜分離步驟中被有選擇地分離，其中，繼該催 化劑沉積步驟之后，該可膨脹的樹脂膜在堿性溶液中被處理。因此，在催化劑沉積步驟精確 地保護(hù)未經(jīng)受鍍膜的部分，并且可以在鍍催化劑已經(jīng)沉積之后分離可膨脹的樹脂膜。這能 夠更精確地制造電路。在該方案中，較佳的，可膨脹的樹脂膜相對(duì)于酸性催化劑金屬膠體溶 液具有10%以下的膨脹度，并且相對(duì)于堿性溶液具有50%以上的膨脹度。在堿性條件中有選擇地被分離的可膨脹的樹脂膜的實(shí)例是通過涂布懸浮液或乳
25液形式的彈性體、隨后通過干燥來形成的樹脂膜，該懸浮液或乳液形式的彈性體諸如是具 有羧基的二烯類彈性體、丙烯酸彈性體以及聚酯彈性體。彈性體的使用有益于通過調(diào)節(jié)交 聯(lián)度或凝膠度來容易地形成具有預(yù)定膨脹度的可膨脹的樹脂膜。在這些彈性體當(dāng)中，含有 苯乙烯_ 丁二烯共聚物以及具有羧基的二烯類彈性體更好?？膳蛎浀臉渲ぽ^好的是含有包括丙烯酸樹脂的樹脂作為主要成分，該丙烯酸樹 脂具有100到800酸當(dāng)量的羧基?？膳蛎浀臉渲ぽ^好的是通過在絕緣襯底表面上涂布并且干燥彈性體懸浮液或 乳液來預(yù)備的膜。可以通過這種方法在絕緣襯底的表面上容易地形成可膨脹的樹脂膜。可選的，最好是通過將在支持襯底上涂布并且干燥彈性體懸浮液或乳液而預(yù)備的 樹脂膜預(yù)先地轉(zhuǎn)移到絕緣襯底的表面上來形成可膨脹的樹脂膜。這種方法是更好的，因?yàn)?可以預(yù)先預(yù)備多個(gè)可膨脹的樹脂膜，所以它有益于高產(chǎn)率。為了以高精度預(yù)備精細(xì)電路，可膨脹的樹脂膜的厚度最好為ΙΟμπι以下。為了制造需要精細(xì)加工的產(chǎn)品，諸如天線電路，經(jīng)過上述的電路圖案構(gòu)造被局部 地除去的區(qū)域的寬度較好的是20 μ m以下。因?yàn)椋绻陔娐钒疾坌纬刹襟E中通過激光加工形成電路凹槽，則可以以高精度 形成精細(xì)電路并且通過調(diào)節(jié)激光功率容易地控制例如機(jī)械加工深度，所以這也是有利的。 還可以利用激光加工為層間連接形成通孔并且在絕緣襯底中安裝電容器。本發(fā)明的另一個(gè)方面中如上所述的制造電路板的方法包括在絕緣襯底的表面上 形成樹脂膜的膜形成步驟、在樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于樹脂膜的厚度的電路 凹槽的電路凹槽形成步驟、在電路凹槽的表面上以及樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑或其前 體的催化劑沉積步驟、除去樹脂膜的膜除去步驟、以及在除去樹脂膜之后無電鍍該絕緣襯 底的鍍加工步驟，其中，在電路凹槽形成步驟中，在電路凹槽的區(qū)域中形成局部加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。 通過這種制造方法，可以在形成在絕緣襯底上的樹脂膜的外表面上，例如通過激光加工形 成具有希望的深度和形狀的電路圖案區(qū)域。在具有電路圖案的樹脂膜的絕緣襯底的整個(gè)表 面上沉積鍍催化劑以及隨后分離樹脂膜使得鍍催化劑僅僅留在電路圖案區(qū)域的表面上。在 絕緣襯底上進(jìn)行無電鍍使得形成的鍍膜僅僅留在電路圖案區(qū)域的表面上。在這種情況下， 通過形成三維的加固結(jié)構(gòu)，具體地，通過在希望加固的區(qū)域中蝕刻較深的槽來形成在電路 圖案區(qū)域的表面上具有固定作用的不規(guī)則形狀或局部厚的鍍膜，可以提高易損壞的電路的 區(qū)域的機(jī)械強(qiáng)度以及粘附強(qiáng)度。在用于電路的制造方法中，電路圖案區(qū)域較好的是具有至少一個(gè)用于電子部件的 平面式安裝的焊盤區(qū)域以及與焊盤區(qū)域整體形成的電路布線區(qū)域，其中，不規(guī)則形狀被形 成在焊盤區(qū)域的表面上。用于安裝諸如LSI的電子部件的焊盤區(qū)域是由于碰撞尤其易碎并 且容易分離的區(qū)域。在這種易遭碰撞的焊盤區(qū)域的表面上安裝不規(guī)則形狀使焊盤區(qū)域中的 金屬線路的粘附強(qiáng)度提高，并且因而使安裝在其上的LSI等等的安裝強(qiáng)度提高。較好的是，在如上所述的制造電路的方法中，電路圖案區(qū)域具有至少一個(gè)用于電 子部件的平面式安裝的焊盤區(qū)域以及與該焊盤區(qū)域整體地形成的電路布線區(qū)域，以及以焊 盤區(qū)域具有凹槽深度等于或大于電路布線區(qū)域中的凹槽深度的方式，形成局部加固結(jié)構(gòu)。 當(dāng)電路板在其上安裝有電子部件的狀態(tài)遭受碰撞時(shí)，在具有焊盤區(qū)域以及與該焊盤區(qū)域整 體地形成的電路布線區(qū)域的電路圖案中，靠近焊盤區(qū)域和電路布線區(qū)域之間的連接區(qū)域的區(qū)域經(jīng)常裂開。在這種情況下，通過使焊盤區(qū)域中的凹槽深度大于電路布線區(qū)域的凹槽深 度來形成局部加固結(jié)構(gòu)，從而可以使形成在焊盤區(qū)域中的鍍膜比形成在電路布線區(qū)域中的 鍍膜厚。這樣可以加固焊盤區(qū)域和電路布線區(qū)域之間的連接區(qū)域。此外在制造電路的方法中較好的是，電路圖案區(qū)域具有至少一個(gè)用于電子部件的 平面式安裝的焊盤區(qū)域和與該焊盤區(qū)域整體地形成的電路布線區(qū)域，并且局部加固結(jié)構(gòu)是 在焊盤區(qū)域中形成在凹槽的外圍上的凸出部。當(dāng)安裝LSI等等時(shí)，在焊盤區(qū)域中形成在凹 槽的外圍上的凸出部進(jìn)一步提高安裝強(qiáng)度。本發(fā)明的又一個(gè)方面中的制造多層電路板的方法包括在形成于電路板上的絕緣 層的表面上形成樹脂膜的膜形成步驟，該絕緣層埋入在第一電路的預(yù)定位置處伸出的傳導(dǎo) 棒；通過激光加工，在樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于樹脂膜的厚度的電路凹槽的 電路凹槽形成步驟；通過激光加工從樹脂膜的外表面露出傳導(dǎo)棒的傳導(dǎo)棒露出步驟；在露 出的傳導(dǎo)棒的表面上、絕緣層中的電路凹槽的表面上、通過露出傳導(dǎo)棒形成在絕緣層中的 小孔的內(nèi)壁的表面上，以及樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑或其前體的催化劑沉積步驟；除 去樹脂膜的膜除去步驟；以及在膜除去步驟之后在鍍催化劑殘留未除去的區(qū)域中形成無電 鍍膜而形成第二電路、以及通過層間連接使第一和第二電路與傳導(dǎo)棒相互連接的鍍加工步 驟。在該結(jié)構(gòu)中，通過局部地激光加工除去形成在包含傳導(dǎo)棒的電路板的絕緣層表面上的 樹脂膜來形成電路凹槽、在電路凹槽的表面上以及未除去的樹脂膜的整個(gè)表面上沉積鍍催 化劑、然后除去該樹脂膜，從而僅僅在電路凹槽的表面上沉積鍍催化劑。因而，僅僅在由具 有沉積的鍍催化劑的區(qū)域所限定的區(qū)域中形成無電鍍膜。這樣，可以通過僅僅在希望形成 電路的區(qū)域中沉積鍍催化劑，而形成具有高清晰度外形的電路。此外，因?yàn)橥ㄟ^激光加工而 從樹脂膜的外表面露出傳導(dǎo)棒之后形成無電鍍膜，所以預(yù)先形成的第一電路以及最新形成 在絕緣層上的第二電路可利用傳導(dǎo)棒相互層間連接。在這種情況下，即使露出傳導(dǎo)棒，但是 因?yàn)樗鼈儽煌诘幂^深，其中形成有傳導(dǎo)棒的較低層的第一電路也仍不會(huì)受損傷。因而，通過 高能激光器處理可以完全地除去傳導(dǎo)棒表面上的污跡。由于那個(gè)緣故，第一和第二電路可 以經(jīng)由傳導(dǎo)棒通過層間連接相互充分地連接，而不用去污處理。因?yàn)橥ㄟ^本方法無需去污 處理就能層間連接，所以可以防止由在預(yù)備第二電路中使用的樹脂膜的去污處理產(chǎn)生的分 離或溶解作用。較佳的，具有埋入的傳導(dǎo)棒的電路板較好的是在形成有第一電路的表面上另外具 有用于散熱的包含形成的傳導(dǎo)棒的傳導(dǎo)膜，該傳導(dǎo)膜形成為與第一電路電絕緣；在用于散 熱的傳導(dǎo)膜中的傳導(dǎo)棒較佳的是埋入該絕緣層中，同時(shí)傳導(dǎo)棒在第一電路中伸出；傳導(dǎo)棒 露出步驟具有附加的步驟，該附加的步驟是，通過激光加工，從樹脂膜的外表面使伸出形成 在用于散熱的傳導(dǎo)膜中的傳導(dǎo)棒露出；在該催化劑沉積步驟中，鍍催化劑或其前體另外沉 積在從用于散熱的傳導(dǎo)膜中露出的傳導(dǎo)棒的表面上以及通過露出傳導(dǎo)棒形成在絕緣層中 的孔的內(nèi)壁上；以及在該鍍加工步驟中形成通過層間連接被連接到第一散熱器的第二散熱 器。從而形成在散熱效率方面優(yōu)越的電路板。為了露出傳導(dǎo)棒，傳導(dǎo)棒的頂部區(qū)域的一部分可通過激光加工被除去。與用于第 一電路的金屬箔的厚度相比較，傳導(dǎo)棒具有足夠大的高度。所以，即使高強(qiáng)度激光被照射在 傳導(dǎo)棒上，用于第一電路的金屬箔也仍未受損傷。因而，可以無需去污處理，而經(jīng)過激光加 工充分地除去殘留在傳導(dǎo)棒表面上的污跡達(dá)到傳導(dǎo)棒的頂部區(qū)域被局部除去的程度。
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如上所述制造多層電路板的方法較佳的包括附加的檢查步驟，該附加的檢查步驟 通過在膜除去步驟之后將熒光物質(zhì)添加到樹脂膜并且監(jiān)視來自熒光物質(zhì)的放射，來檢查膜 除去故障。在以上制造多層電路板的方法中，考慮到當(dāng)線寬和線間距極小的時(shí)候，在相鄰布 線之間的應(yīng)該除去膜的區(qū)域中的膜可能有少量的殘留而沒有完全的除去。還有考慮到由激 光加工除去的樹脂膜的碎片移動(dòng)到電路凹槽里并且殘留在電路凹槽中。如果樹脂膜殘留在 線路之間，則在該區(qū)域中不可避免地形成鍍膜，這可能引起遷移和短路。此外，如果樹脂膜 的碎片殘留在形成的電路凹槽中，則可能導(dǎo)致獲得的電路的耐熱性故障以及傳播損耗。在 這種情況下，如上所述，通過將熒光物質(zhì)添加到該樹脂膜、將來自特殊光源的光照射到膜除 去面上、并且因而允許在膜除去步驟之后在膜殘留的區(qū)域中放射熒光物質(zhì)，來檢查膜除去 故障的出現(xiàn)以及膜除去故障的位置。樹脂膜較佳的是可以利用特殊液體被膨脹而與絕緣層表面分離的可膨脹的樹脂 膜，并且具體地，較佳的是對(duì)液體具有50%以上的膨脹度的可膨脹的樹脂膜。利用這種可膨 脹的樹脂膜，可以容易地從絕緣層表面分離該樹脂膜。該包含傳導(dǎo)棒的電路板較佳的是具有整體地層壓在表面上的絕緣層的襯底，該表 面具有預(yù)先形成在其中的傳導(dǎo)棒，且傳導(dǎo)棒在第一電路中的預(yù)定位置處伸出，因?yàn)槿菀讓?傳導(dǎo)棒埋入絕緣層中并且因而容易制造電路板。該包含傳導(dǎo)棒的電路板較佳的是通過在表面上涂布樹脂溶液并且將其硬化成為 絕緣層而獲得襯底，該表面具有預(yù)先形成的傳導(dǎo)棒，該傳導(dǎo)棒在第一電路的預(yù)定位置處伸 出，因?yàn)榭梢匀菀椎卣{(diào)節(jié)絕緣層的厚度。該包含傳導(dǎo)棒的電路板較佳的是通過首先在電路的表面上形成絕緣層、通過從與 具有絕緣層的第一電路的表面相對(duì)的表面鉆孔露出電路、并且通過從露出的第一電路表面 產(chǎn)生鍍膜而在鉆孔的區(qū)域中形成傳導(dǎo)棒而獲得的襯底。在這種情況下，在鉆孔的區(qū)域中產(chǎn) 生鍍膜的步驟更好的是，在鉆孔之后，利用在去污處理之后露出的第一電路作為電極，通過 電解電鍍產(chǎn)生鍍膜的步驟。通過該方法，可以在預(yù)備樹脂膜之前對(duì)第一電路的表面進(jìn)行去 污，然后經(jīng)過電解電鍍形成傳導(dǎo)棒用于層間連接。因而不用擔(dān)憂在預(yù)備電路中樹脂膜由于 去污處理而被膨脹或溶解。在這種情況下，因?yàn)槔寐冻龅牡谝浑娐纷鳛殡姌O的電解電鍍 產(chǎn)生鍍膜，因此可以容易地形成傳導(dǎo)棒。如果為第一電路通電比較困難，則可利用露出的電 路表面來作為鍍核，通過無電鍍來產(chǎn)生鍍膜。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)制造多層電路板的方法，該方法包括在其上形成有第一電路 的襯底的表面上形成絕緣層的絕緣層形成步驟；在絕緣層表面上形成樹脂膜的膜形成步 驟；通過激光加工，在樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于樹脂膜的厚度的電路凹槽的 電路凹槽形成步驟；在電路凹槽的表面上以及樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑或其前體的催 化劑沉積步驟；除去樹脂膜的膜除去步驟；在膜除去步驟之后，通過在鍍催化劑殘留未除 去的區(qū)域中形成無電鍍膜來形成第二電路的鍍加工步驟；通過激光加工在第二電路的特殊 的區(qū)域露出第一電路的激光加工步驟；以及通過在露出的第一電路的表面上產(chǎn)生鍍膜，經(jīng) 過層間連接而將第一和第二電路相互連接的層間連接形成步驟。在上述的結(jié)構(gòu)中，在預(yù)備 第二電路后，可以在期望的區(qū)域形成與第一電路的層間連接區(qū)域。因?yàn)樵诘诙娐飞项A(yù)備 和產(chǎn)生鍍膜之后，通過對(duì)第二電路進(jìn)行鉆孔而形成第一和第二電路之間的層間連接，所以 即使當(dāng)為了除去污跡而對(duì)第一電路表面進(jìn)行去污處理時(shí)，也不影響第二電路的制造。結(jié)果，即使當(dāng)具有小的線寬和線間距的第二電路通過該構(gòu)造方法被層壓時(shí)，也形成了抗短路和遷 移的第二電路。在這種情況下，因?yàn)榭梢岳寐冻龅牡谝浑娐纷鳛殡姌O，通過電解電鍍產(chǎn)生 鍍膜，因此可以容易地形成層間連接。如果為第一電路通電比較困難，則可利用露出的電路 表面來作為鍍核，通過無電鍍來產(chǎn)生鍍膜。較佳地，襯底在形成有第一電路的表面上另外具有用于散熱的第一傳導(dǎo)膜，該傳 導(dǎo)膜形成為與第一電路電絕緣；以及電路凹槽形成步驟具有附加的步驟，該附加的步驟是， 通過激光加工從上述的第一傳導(dǎo)膜上形成第二傳導(dǎo)膜，該第二傳導(dǎo)膜形成用于散熱的凹 槽，且第二傳導(dǎo)膜形成的凹槽離電路凹槽的距離等于或大于樹脂膜的厚度；以及在催化劑 沉積步驟中，另外在形成凹槽的第二傳導(dǎo)膜的表面上沉積鍍催化劑或其前體；以及在鍍加 工步驟中，通過在形成凹槽的第二傳導(dǎo)膜的表面上形成無電鍍膜，來形成用于散熱的第二 傳導(dǎo)膜；以及露出電路的激光加工步驟具有經(jīng)過激光加工從上述的第一傳導(dǎo)膜上露出用于 散熱的第一傳導(dǎo)膜的附加的步驟；以及在層間連接形成步驟中，另外，通過在露出的第一傳 導(dǎo)膜的表面上產(chǎn)生鍍膜，經(jīng)過層間連接而將第一和第二傳導(dǎo)膜相互連接。依據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在該成像設(shè)備中，執(zhí)行文檔圖像是彩色或單色的判定，并且成像中 使用的圖像數(shù)據(jù)可以以適合于文檔圖像的壓縮形式被壓縮。因此，變得容易減少存儲(chǔ)部件 的容量。
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權(quán)利要求
一種制造電路板的方法，其特征在于，所述方法包括膜形成步驟，在絕緣襯底的表面上形成可膨脹的樹脂膜；電路凹槽形成步驟，在所述可膨脹的樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于所述可膨脹的樹脂膜的厚度的電路凹槽；催化劑沉積步驟，在所述電路凹槽的表面上以及所述可膨脹的樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑或所述鍍催化劑的前體；膜分離步驟，用特殊的液體使所述可膨脹的樹脂膜膨脹，然后從所述絕緣襯底表面分離所述膨脹后的樹脂膜；以及鍍加工步驟，在分離所述可膨脹的樹脂膜之后，僅僅在所述鍍催化劑或由所述鍍催化劑的前體形成的所述鍍催化劑殘留未分離的區(qū)域中，形成無電鍍膜。
2.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述可膨脹的樹脂膜對(duì)于所 述液體的膨脹度是50%以上。
3.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述催化劑沉積步驟包括將 所述可膨脹的樹脂膜浸泡在酸性催化劑金屬膠體溶液中的步驟，所述膜分離步驟包括在堿 性溶液中使所述可膨脹的樹脂膜膨脹的步驟，以及所述可膨脹的樹脂膜是不能在所述酸性 催化劑金屬膠體溶液中膨脹而能在所述堿性溶液中膨脹的樹脂膜。
4.如權(quán)利要求3所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述可膨脹的樹脂膜相對(duì) 于所述酸性催化劑金屬膠體溶液具有10%以下的膨脹度，并且相對(duì)于所述堿性溶液具有 50%以上的膨脹度。
5.如權(quán)利要求4所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述可膨脹的樹脂膜是彈性 體，所述彈性體選自由二烯類彈性體、丙烯酸彈性體以及聚酯彈性體組成的組合，所述彈性 體具有羧基。
6.如權(quán)利要求4所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述可膨脹的樹脂膜含有包 括丙烯酸樹脂的樹脂作為主要成分，所述丙烯酸樹脂具有100到800酸當(dāng)量的羧基。
7.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述可膨脹的樹脂膜含熒光 物質(zhì)，以及所述方法包括在所述膜分離步驟之后通過監(jiān)視來自所述熒光物質(zhì)的放射以檢查 膜分離故障的附加的檢驗(yàn)步驟。
8.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述可膨脹的樹脂膜的厚度 是ΙΟμ 以下。
9.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，在所述電路凹槽形成步驟中 形成的所述電路凹槽具有20 μ m以下的寬度的區(qū)域。
10.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，在所述電路凹槽形成步驟 中，通過激光加工形成所述電路凹槽。
11.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，在所述電路凹槽形成步驟 中，通過壓紋形成所述電路凹槽。
12.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，在電路凹槽形成步驟中，在 所述絕緣襯底中形成通孔。
13.如權(quán)利要求10所述的制造電路板的方法，其特征在于，在所述電路凹槽形成步驟 中，為了在所述電路板中預(yù)備電容器結(jié)構(gòu)，在所述絕緣襯底中形成兩個(gè)電容器形成電極凹槽，所述兩個(gè)電容器形成電極凹槽經(jīng)由作為絕緣體的絕緣襯底構(gòu)成材料相互面對(duì)。
14.如權(quán)利要求1所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述絕緣襯底具有階梯狀的 面，并且所述絕緣襯底表面是所述階梯狀的面。
15.一種制造電路板的方法，其特征在于，所述方法包括 膜形成步驟，在絕緣襯底的表面上形成樹脂膜；電路凹槽形成步驟，在所述樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于所述樹脂膜的厚度 的電路凹槽；催化劑沉積步驟，在所述絕緣襯底的所述電路凹槽的表面上以及所述樹脂膜的表面上 沉積鍍催化劑或所述鍍催化劑的前體；除去所述樹脂膜的膜除去步驟；以及 鍍加工步驟，在除去所述樹脂膜之后對(duì)所述絕緣襯底進(jìn)行無電鍍，其中， 在所述電路凹槽形成步驟中，在所述電路凹槽的區(qū)域中形成局部加固結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求15所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述局部加固結(jié)構(gòu)是在所 述電路凹槽的表面的預(yù)定區(qū)域上形成的不規(guī)則形狀。
17.如權(quán)利要求16所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述電路凹槽具有由焊盤 區(qū)域和電路布線區(qū)域組成的電路圖案，所述焊盤區(qū)域用于電子部件的平面式安裝，所述電 路布線區(qū)域與所述焊盤區(qū)域整體地形成在一起，并且所述不規(guī)則形狀形成在所述焊盤區(qū)域 中的所述凹槽表面上。
18.如權(quán)利要求15所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述電路凹槽具有由焊盤 區(qū)域和電路布線區(qū)域組成的電路圖案，所述焊盤區(qū)域用于電子部件的平面式安裝，所述電 路布線區(qū)域與所述焊盤區(qū)域整體地形成在一起，以及，所述局部加固結(jié)構(gòu)具有凹槽形，所述 凹槽形在所述焊盤區(qū)域中的凹槽深度比在所述電路布線區(qū)域中的凹槽深度大，并且所述凹 槽形在所述焊盤區(qū)域中的形成的鍍膜的厚度比在所述電路布線區(qū)域中形成的鍍膜的厚度 要厚。
19.如權(quán)利要求15所述的制造電路板的方法，其特征在于，所述電路凹槽具有由焊盤 區(qū)域和電路布線區(qū)域組成的電路圖案，所述焊盤區(qū)域用于電子部件的平面式安裝，所述電 路布線區(qū)域與所述焊盤區(qū)域整體地形成在一起，并且在所述焊盤區(qū)域中，通過在所述凹槽 的外圍上形成至少一個(gè)凸出部來形成所述局部加固結(jié)構(gòu)。
20.一種制造多層電路板的方法，其特征在于，所述方法包括膜形成步驟，在形成在電路板上的絕緣層的表面上形成樹脂膜，傳導(dǎo)棒埋入所述絕緣 層，所述傳導(dǎo)棒在第一電路的預(yù)定位置處伸出；電路凹槽形成步驟，通過激光加工，在所述樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于所 述樹脂膜的厚度的電路凹槽；傳導(dǎo)棒露出步驟，通過激光加工，使所述傳導(dǎo)棒從所述樹脂膜的外表面露出； 催化劑沉積步驟，在露出的所述傳導(dǎo)棒的表面上、所述絕緣層中的電路凹槽上、通過露 出所述傳導(dǎo)棒形成在所述絕緣層中的小孔的內(nèi)壁上、以及所述樹脂膜的表面上沉積鍍催化 劑或所述鍍催化劑的前體；除去所述樹脂膜的膜除去步驟；以及鍍加工步驟，在所述膜除去步驟之后，通過在所述鍍催化劑殘留未除去的區(qū)域中形成 無電鍍膜來形成第二電路，并且利用所述傳導(dǎo)棒通過層間連接使所述第一電路和所述第二電路相互連接。
21.如權(quán)利要求20所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，具有埋入的所述傳導(dǎo) 棒的所述電路板在形成有所述第一電路的表面上另外具有用于散熱的傳導(dǎo)膜，所述傳導(dǎo)膜 包含形成為與所述第一電路電絕緣的傳導(dǎo)棒；以及在用于散熱的所述傳導(dǎo)膜中的所述傳導(dǎo) 棒被埋入所述絕緣層中，同時(shí)所述傳導(dǎo)棒在所述第一電路中伸出；所述傳導(dǎo)棒露出步驟具 有通過激光加工、使在用于散熱的所述傳導(dǎo)膜中伸出形成的所述傳導(dǎo)棒從所述樹脂膜的所 述外表面露出的附加的步驟；其中，在所述催化劑沉積步驟中，在用于散熱的所述傳導(dǎo)膜中 露出的所述傳導(dǎo)棒的所述表面上以及通過露出所述傳導(dǎo)棒而形成在所述絕緣層中的孔的 內(nèi)壁上，另外沉積鍍催化劑或所述鍍催化劑的前體；以及在所述鍍加工步驟中形成經(jīng)過層 間連接被連接到第一散熱器的第二散熱器。
22.如權(quán)利要求20所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，用于露出所述傳導(dǎo)棒 的所述激光加工除去所述傳導(dǎo)棒的頂部區(qū)域的一部分。
23.如權(quán)利要求20所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，所述樹脂膜是隨著利 用特殊的液體被膨脹而與所述絕緣層表面分離的可膨脹的樹脂膜。
24.如權(quán)利要求20所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，包含傳導(dǎo)棒的電路板 是襯底，通過將絕緣層整體地層壓在預(yù)先形成有傳導(dǎo)棒的所述表面上而獲得所述襯底，所 述傳導(dǎo)棒在所述第一電路中的預(yù)定位置處伸出。
25.如權(quán)利要求20所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，包含傳導(dǎo)棒的電路板 是襯底，通過將樹脂溶液涂布在預(yù)先形成有傳導(dǎo)棒的所述表面上并且使所述樹脂溶液硬化 成為絕緣層，而獲得所述襯底，所述傳導(dǎo)棒在所述第一電路中的預(yù)定位置處伸出。
26.如權(quán)利要求20所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，具有埋入的傳導(dǎo)棒的 所述電路板是襯底，通過在所述第一電路的所述表面上形成絕緣層、通過激光加工使所述 第一電路從所述絕緣層的所述表面露出、并且通過從所述露出的第一電路產(chǎn)生鍍膜而在所 述第一電路的所述表面上形成傳導(dǎo)棒，以此來獲得所述襯底。
27.如權(quán)利要求26所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生鍍膜的步驟 是，利用在經(jīng)過所述激光加工的區(qū)域的去污處理之后露出的所述第一電路作為電極，經(jīng)過 電解電鍍而產(chǎn)生鍍膜的步驟。
28.如權(quán)利要求26所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生鍍膜的步驟 是，利用在經(jīng)過所述激光加工的區(qū)域的去污處理之后露出的所述第一電路作為鍍核，經(jīng)過 無電鍍而產(chǎn)生鍍膜的步驟。
29.一種通過如權(quán)利要求21所述的制造方法獲得的多層電路板，其特征在于，包括穿 透內(nèi)部層的散熱結(jié)構(gòu)。
30.一種制造多層電路板的方法，其特征在于，所述方法包括絕緣層形成步驟，在襯底的表面上形成絕緣層，所述襯底上形成有第一電路；膜形成步驟，在所述絕緣層表面上形成樹脂膜；電路凹槽形成步驟，通過激光加工，在所述樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于所 述樹脂膜的厚度的電路凹槽；催化劑沉積步驟，在所述絕緣層上形成所述電路凹槽的表面上以及所述樹脂膜的表面 上，沉積鍍催化劑或所述鍍催化劑的前體；除去所述樹脂膜的膜除去步驟；鍍加工步驟，在所述膜除去步驟之后，通過在所述鍍催 化劑殘留未除去的區(qū)域中形成無電鍍膜來形成第二電路；激光加工步驟，通過激光加工，在所述第二電路的特殊的區(qū)域中露出所述第一電路；以及層間連接形成步驟，通過在所述露出的第一電路的表面上產(chǎn)生鍍膜，經(jīng)過層間連接而 將所述第一和第二電路相互連接。
31.如權(quán)利要求30所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，所述層間連接形成步 驟是，利用在經(jīng)過所述激光加工的區(qū)域的去污處理之后露出的所述第一電路作為電極，經(jīng) 過電解電鍍而產(chǎn)生所述鍍膜的步驟。
32.如權(quán)利要求30所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，所述層間連接形成步 驟是，利用在經(jīng)過所述激光加工的區(qū)域的去污處理之后露出的所述第一電路作為鍍核，經(jīng) 過無電鍍而產(chǎn)生所述鍍膜的步驟。
33.如權(quán)利要求30所述的制造多層電路板的方法，其特征在于，所述襯底在形成有所述第一電路的表面上另外具有用于散熱的第一傳導(dǎo)膜，所述第一 傳導(dǎo)膜形成為與所述第一電路電絕緣；以及所述電路凹槽形成步驟具有附加的步驟，所述附加的步驟是，通過激光加工從所 述第一傳導(dǎo)膜上形成第二傳導(dǎo)膜，所述第二傳導(dǎo)膜形成用于散熱的凹槽，所述第二傳導(dǎo)膜 形成的所述凹槽離所述電路凹槽的距離等于或大于所述樹脂膜的厚度；以及在所述催化劑沉積步驟中，另外在形成所述凹槽的所述第二傳導(dǎo)膜的表面上沉積 鍍催化劑或所述鍍催化劑的前體；以及在所述鍍加工步驟中，通過在形成所述凹槽的所述第二傳導(dǎo)膜的表面上形成無電 鍍膜，來形成用于散熱的第二傳導(dǎo)膜；以及露出所述第一電路的所述激光加工步驟具有通過激光加工從所述第一傳導(dǎo)膜上 露出用于散熱的所述第一傳導(dǎo)膜的附加的步驟；以及在層間連接形成步驟中，另外，通過在露出的所述第一傳導(dǎo)膜的表面上產(chǎn)生鍍膜， 經(jīng)過層間連接而將所述第一傳導(dǎo)膜和所述第二傳導(dǎo)膜相互連接。
全文摘要
制造多層電路板的方法包括膜形成步驟，在絕緣襯底的表面上形成可膨脹的樹脂膜；電路凹槽形成步驟，在可膨脹的樹脂膜的外表面上形成深度等于或大于可膨脹的樹脂膜的厚度的電路凹槽；催化劑沉積步驟，在電路凹槽的表面上以及可膨脹的樹脂膜的表面上沉積鍍催化劑；膜分離步驟，用特殊的液體使可膨脹的樹脂膜膨脹，然后分離該膨脹的樹脂膜；以及鍍加工步驟，在分離可膨脹的樹脂膜之后，僅僅在鍍催化劑或由鍍催化劑的前體形成的鍍催化劑殘留未分離的區(qū)域中，形成無電鍍膜。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101982024SQ20098011181
公開日2011年2月23日 申請日期2009年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月30日
發(fā)明者吉岡慎悟, 藤原弘明 申請人:松下電工株式會(huì)社