一種納米復合材料電路板的孔化方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種線路板的孔化方法，尤其是涉及一種納米復合材料電路板的孔化方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，國內(nèi)對高頻電路板的孔化處理方式通常采用化學法，即金屬鈉加荼四氫膚喃等溶液，形成荼鈉絡(luò)合物，使孔內(nèi)聚四氟乙烯表層原子受到浸蝕達到潤濕孔的目的。此方法雖然可以解決孔金屬化的問題，但存在毒性大，金屬鈉易燃，危險性大，需專人管理等缺點。
[0003]根據(jù)納米復合材料電路基板的特性，首先采用等離子處理技術(shù)對孔壁進行處理，再按照常規(guī)電路板的孔化方式進行金屬化處理。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為克服上述問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種納米復合材料電路板的孔化方法，包括:
(1)去毛刺，首先通過去毛刺設(shè)備對鉆孔后的板面進行去毛刺處理，去除孔邊緣的納米復合材料毛刺，同時對表面進行拋光處理；
(2)等離子處理，將拋光去毛刺后的電路板放入低溫等離子設(shè)備中，采用合適的氣體對孔內(nèi)納米復合材料層進行濺射刻蝕等物理反應處理；
(3)化學沉銅，將經(jīng)等離子處理好的電路板進行表面除油、微蝕、預浸、活化、加速、沉銅；
(4)全板電鍍，在化學沉銅層上通過電解方法沉積金屬銅，以提供足夠的導電性/厚度及防止導電電路出現(xiàn)熱和機械缺陷。
[0005]所述步驟(I)中采用800目和1200目兩組尼龍磨刷對板面進行拋光處理。
[0006]所述步驟(3)中孔化參數(shù)采用納米復合材料電路板特定孔化參數(shù)，鉆速130?160krpm，進刀 180 ?200cm/min，上升 1200_1500cm/min。
[0007]所述步驟(4)中鉆刀采用納米復合材料電路板特定的硬質(zhì)合金單刃雕刻鉆刀。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點是:改變了孔化方式，由于納米復合材料的塑膠特性，普通磨刷不能夠徹底清除孔壁邊緣的毛刺和批鋒，采用800目和1200目兩組尼龍磨刷能夠非常有效地將孔內(nèi)及孔邊緣由于鉆孔產(chǎn)生的納米復合材料碎肩、批鋒和毛刺進行去除。通過低溫等離子處理機對低氣壓氣體施加電場進行輝光放電，產(chǎn)生低溫等離子體，在高分子材料表面發(fā)生濺射刻蝕等物理反應，使其具有親水性，改善表面的浸潤性和接觸性，對聚四氟乙烯材料具有改性、激活，達到良好的孔化效果。
【具體實施方式】
[0009]一種納米復合材料電路板的孔化方法，包括:以下步驟:步驟一，將鉆孔后的電路板放入去毛刺設(shè)備，采用800目和1200目兩組尼龍磨刷對鉆孔后的板面和孔口進行去毛刺處理，去除孔邊緣的納米復合材料毛刺，同時對表面進行拋光處理；步驟二，在抽真空的環(huán)境下，在二個高壓電極之間注入氮氣和氬氣氣體，將拋光去毛刺后的電路板放在二個電極之間，通過對低氣壓氣體施加電場進行輝光放電，使腔內(nèi)產(chǎn)生低溫等離子體，在高分子材料表面發(fā)生濺射刻蝕等物理反應；步驟三，將經(jīng)等離子處理好的電路板進行表面除油、微蝕、預浸、活化、加速、沉銅；步驟四全板電鍍，在化學沉銅層上通過電解方法沉積金屬銅，以提供足夠的導電性/厚度及防止導電電路出現(xiàn)熱和機械缺陷。
[0010]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種納米復合材料電路板的孔化方法，其特征在于，包括: (1)去毛刺，首先通過去毛刺設(shè)備對鉆孔后的板面進行去毛刺處理，去除孔邊緣的納米復合材料毛刺，同時對表面進行拋光處理； (2)等離子處理，將拋光去毛刺后的電路板放入低溫等離子設(shè)備中，采用合適的氣體對孔內(nèi)納米復合材料層進行濺射刻蝕等物理反應處理； (3)化學沉銅，將經(jīng)等離子處理好的電路板進行表面除油、微蝕、預浸、活化、加速、沉銅； (4)全板電鍍，在化學沉銅層上通過電解方法沉積金屬銅，以提供足夠的導電性/厚度及防止導電電路出現(xiàn)熱和機械缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米復合材料電路板的孔化方法，其特征在于，所述步驟(I)中采用800目和1200目兩組尼龍磨刷對板面進行拋光處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米復合材料電路板的孔化方法，其特征在于，所述步驟(3)中采用低溫等離子設(shè)備，在抽真空的環(huán)境下，在二個高壓電極之間注入氮氣和氬氣氣體，電路板放在二個電極之間，通過對低氣壓氣體施加電場進行輝光放電，使腔內(nèi)產(chǎn)生低溫等離子體，在高分子材料表面發(fā)生濺射刻蝕等物理反應。
【專利摘要】一種納米復合材料電路板的孔化方法，包括：（1）去毛刺，首先通過去毛刺設(shè)備對鉆孔后的板面進行去毛刺處理，去除孔邊緣的納米復合材料毛刺，同時對表面進行拋光處理；（2）等離子處理，將拋光去毛刺后的電路板放入低溫等離子設(shè)備中，采用合適的氣體對孔內(nèi)納米復合材料層進行濺射刻蝕等物理反應處理；（3）化學沉銅，將經(jīng)等離子處理好的電路板進行表面除油、微蝕、預浸、活化、加速、沉銅；（4）全板電鍍，在化學沉銅層上通過電解方法沉積金屬銅；本發(fā)明的優(yōu)點是：有效地將孔內(nèi)及孔邊緣由于鉆孔產(chǎn)生的納米復合材料碎屑、批鋒和毛刺進行去除，改善表面的浸潤性和接觸性，對聚四氟乙烯材料具有改性、激活，達到良好的孔化效果。
【IPC分類】H05K3-42
【公開號】CN104582322
【申請?zhí)枴緾N201410796560
【發(fā)明人】劉兆
【申請人】泰州市博泰電子有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月22日