專利名稱：陶瓷加熱器和在陶瓷加熱器上固定熱電偶的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開大體涉及電加熱器，尤其涉及陶資加熱器和在陶資加熱器 上固定熱電偶的方法。
背景技術(shù)：
該部分的陳述僅僅提供與本公開相關(guān)的背景信息，且不構(gòu)成現(xiàn)有 技術(shù)。
典型的陶資加熱器通常包括陶資基體和電阻加熱元件，該電阻加 熱元件被嵌入陶瓷基體內(nèi)或被固定到陶資基體的外表面上。由于陶資 材料具有優(yōu)良的熱傳導性，因此由電阻加熱元件產(chǎn)生的熱量可以被快 速傳遞到靠近陶資基體設(shè)置的目標對象。
但是，因為陶瓷材料和金屬材料的潤濕性不好，陶瓷材料很難與 金屬材料相結(jié)合。許多陶瓷材料和金屬材料是非潤濕性的，這使得熔 融金屬難于克服毛細壓力流入陶瓷材料的小孔里。另外，由于陶瓷材 料和金屬材料之間的熱膨脹系數(shù)的差異很大，因此很難在高溫下保持 陶瓷材料和金屬材料之間的結(jié)合。
因此，與陶瓷加熱器一起使用的熱電偶一般通過金屬護套附連到 陶瓷基體。用于測量陶瓷加熱器溫度的熱電偶的熱接點或測量接點被 收納并焊接到金屬護套內(nèi)，金屬護套則被固定到陶瓷基體。護套一般 通過機械附件，例如彈簧加載裝置，被設(shè)置成接近陶瓷基體。
由于熱電偶測量金屬護套的溫度，而不是直接測量陶瓷基體的溫 度，所以這種將熱電偶固定到陶乾加熱器的傳統(tǒng)方法具有延遲溫度響 應的缺點。護套的大的熱質(zhì)量也傾向于進一步延遲熱電偶的溫度變化， 因此，熱電偶的準確的溫度測量取決于金屬護套的熱特性。當陶資加 熱器以非?？斓乃俣壬郎兀绻饘僮o套不能快速響應陶瓷基體的溫度變化，熱電偶就無法即刻地準確測量出陶資加熱器的溫度。因此，
在以相對高的功率密度供電并且以相對快的速度升溫的陶f:加熱器 中，就可能產(chǎn)生"超調(diào)"，"超調(diào)"指參數(shù)由較低值到較高值的轉(zhuǎn)變超出 了最終值時對參數(shù)的不理想控制。由于不能準確測量和控制升溫曲線 的溫度，陶瓷加熱器被提升到超過了目標溫度的溫度，這導致目標對 象的不理想力口熱。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一種形式是，提供了一種陶資加熱器，該加熱器包括陶 瓷基體和至少 一 個用于測量陶瓷基體的溫度的熱電偶。所述至少 一 個 熱電偶包括直接結(jié)合到陶t:基體的接點。
另 一種形式的陶瓷加熱器包括限定了至少 一個凹槽的陶瓷基體、 嵌入到陶瓷基體的電阻加熱元件、至少一個熱電偶和活性釬焊料。熱 電偶包括一對絲，該對絲限定了遠端部分和靠近遠端部分設(shè)置的接點。 接點設(shè)置在所述凹槽內(nèi)。活性釬焊料也設(shè)置在所述凹槽內(nèi)，并且所述 至少 一 個熱電偶的接點與活性釬焊料相接觸。
在另 一種形式中，提供了 一種用來將包括一對絲的熱電偶固定到 陶瓷基體的方法，其中所述一對絲限定了接點。該方法包括直接將熱 電偶的接點結(jié)合到陶瓷基體。
在另一種形式中，提供了一種將包括一對絲的熱電偶固定到陶瓷 基體的方法，該方法包括焊接熱電偶的絲以形成接點；清潔陶乾加 熱器基體的表面；施加活性釬焊料到陶瓷加熱器基體的表面；把接點 放置在活性釬焊料上；干燥活性釬焊料；在真空室中加熱活性釬焊料; 以預定的溫度和時間在真空室中保持活性釬焊料；冷卻到室溫。
根據(jù)這里提供的說明可清楚本發(fā)明的其它應用領(lǐng)域。應理解的是， 這里的說明和具體的例子僅是用于例舉，并不是為了限制本公開的范 圍。


文中的附圖僅是用于例舉，絕不是為了限制本公開的范圍。
圖1是依據(jù)本公開教導構(gòu)造的固定有熱電偶的陶瓷加熱器的透視
圖2是依據(jù)本公開教導的圖l中具有熱電偶的陶瓷加熱器的分解 透視圖3是依據(jù)本么、開教導的圖1中陶瓷加熱器和熱電偶沿線3-3的 截面視圖4是圖3中局部A的放大圖，該圖顯示了依據(jù)本公開第一種實 施例的在陶資基體和熱電偶之間的連接；
圖5是與圖4類似的放大圖，該圖顯示了依據(jù)本公開第二種實施 例的在陶資基體和熱電偶之間的可替代的連接；
圖6是一個流程圖，用于顯示依據(jù)本公開教導將熱電偶固定到陶 瓷加熱器的方法；
圖7是與圖4類似的放大圖，該圖顯示了依據(jù)本公開第三種實施 例在陶瓷基體和熱電偶之間的可替代的連接；
圖8是與圖7類似的放大圖，該圖顯示了依據(jù)本公開第四種實施 例的在陶資基體和熱電偶之間的可替代的連接；
圖9顯示了可替代的金屬鍍層的雙層構(gòu)造，及其與陶瓷基體和熱 電偶的結(jié)合，為了表達清楚，圖中去除了熱電偶的絲和絕緣套；以及
圖10是流程圖，用于顯示依據(jù)本公開教導將熱電偶固定到陶瓷基 體的另一種方法。
在所有附圖中，相應的附圖標記表示相應部分。
具體實施例方式
下面的描述僅是作為示例，并不用于限制本公開、申請或用途。 應理解的是，所有附圖的相應附圖標記都表示相似或相應的部分或特 征。
參見圖l到圖3，圖示了依據(jù)本公開的教導構(gòu)造的陶瓷加熱器， 該加熱器總體上用附圖標記IO表示。陶資加熱器10包括陶瓷基體12、嵌入陶瓷基體12內(nèi)的電阻加熱元件14 (虛線顯示)、以及熱電偶16。 電阻加熱元件14終止于兩個端子墊18 (虛線顯示)，導線(未顯示) 被附連至端子墊，用于將電阻加熱元件14連接到電源(未顯示)。陶 瓷基體12優(yōu)選采用氮化鋁(A1N )、氧化鋁(A1203 )、或氮化硅(Si3N4) 制造。但是，這些材料只是為了示例，應理解可以采用其他陶瓷材料， 并且仍然屬于本公開的范圍內(nèi)。電阻加熱元件14可以是本領(lǐng)域任意已 知類型，例如，電阻線圏或電阻薄膜等。盡管圖中的電阻加熱元件14 是嵌入陶瓷基體12的，但在不背離本公開精神的情況下，電阻加熱元 件14也可以設(shè)置在陶瓷基體12的外表面。
熱電偶16被固定到陶資基體12上，并優(yōu)選設(shè)置在凹槽20內(nèi)，以 用于在陶瓷加熱器10工作時測量陶瓷基體12的溫度。根據(jù)陶瓷基體 12的尺寸和電阻加熱元件14的布置，可以在陶資加熱器10上附連不 止一個的熱電偶16，并且這仍然包括在本發(fā)明范圍內(nèi)。例如，如果陶 瓷加熱器10具有多個加熱區(qū)(未顯示)，為了分別測量和控制多個加 熱區(qū)，優(yōu)選具有相應于多個加熱區(qū)的多個熱電偶16。
正如圖2中更清楚的顯示，熱電偶16包括一對由不同的金屬制成 的導電絲22。這對導電絲22包括優(yōu)選焊接在一起的遠端24，從而形 成珠26。此外，熱電偶16還包括適合連接到控制器或其他溫度處理 裝置/回路(未顯示)的近端28，這樣導電絲22、珠26和控制器就形 成了電路。珠26作為熱接點或測量接點，并被放置在靠近陶瓷基體 12的位置。近端28作為冷接點或參考接點。當陶瓷基體12的溫度升 高以及隨后珠26的溫度升高時，就產(chǎn)生了橫過電路的電壓。通過測量 橫過電路的電壓，就可以確定珠26與冷接點之間的溫度差，因此就得 到珠26的溫度以及隨之得到陶瓷基體12的溫度。
熱電偶16優(yōu)選還包括一對絕緣套30。如圖4中更清楚的顯示， 絕緣套30包圍著導電絲22，導電絲22的遠端24的一部分從絕緣套 30中伸出，以形成珠26。絕緣套30為導電絲22提供絕緣和保護。絕 緣套30優(yōu)選采用陶瓷材料、有機粘接玻璃纖維或基于聚合物的絕緣材 料制作。熱電偶16可以是K型、J型、T型、R型、C型或B型熱電偶等。 這些類型熱電偶的特點在于導電絲的成分，并且適用于具有不同靈敏 度的不同溫度范圍。例如，包括鎳鉻絲(Ni-Cr合金)和鎳鋁絲(Ni-Al 合金)的K型熱電偶是一種通用熱電偶，其溫度范圍為約200°C ~約 1200°C，并且靈敏度約為41jiV/。C。 R型熱電偶具有貴金屬絲并且是 所有熱電偶中最穩(wěn)定的，但是靈敏度相對較低(約10jiV/。C )。 B型熱 電偶具有鉑絲和銠絲，適用于高達約1800。C的高溫測量。
如圖4中更清楚的顯示，珠26被設(shè)置在陶瓷基體12的凹槽20 中。凹槽20基本上被活性釬焊料32填充，活性釬焊料32包圍著珠 26并將珠26固定到陶瓷基體12上。應理解的是，珠26可以與凹槽 20的內(nèi)表面34直接接觸，或完全被活性釬焊料32包圍，這仍屬于本 公開的范圍。
可替代的是，如圖5所示，珠26被結(jié)合到陶瓷基體12的外表面 36，而不是按照前面描述那樣結(jié)合在凹槽20內(nèi)。優(yōu)選地，熱電偶16 的珠26與活性釬焊料32相接觸，并且活性釬焊料32與陶瓷基體12 的外表面36接觸。同樣，應理解的是，珠26可以與凹槽20的內(nèi)表面 34直接接觸，或完全被活性釬焊料32所包圍，這仍屬于本公開的范 圍內(nèi)?；钚遭F焊料32優(yōu)選為活性釬焊合金。優(yōu)選的活性釬焊合金包括 由Wesgo⑧公司出售的Ticusil⑧合金(Ag-Cu-Ti合金)、由Wesgo⑧公 司出售的Silver-ABA⑧合金(Ag-Ti合金)、Au-Ni-Ti合金和Au-Ti合 金。
現(xiàn)在參見圖6，現(xiàn)在描述依據(jù)本公開的教導將熱電偶16固定到陶 資基體12的方法。應理解的是，可以改變或變更這里圖示和描述的步 驟順序，并且仍然屬于本發(fā)明的范圍，同樣，這些步驟僅僅是本公開 一種形式的示例。首先，對將要結(jié)合熱電偶16的陶瓷基體12的表面 進行清潔。如前面所述，該表面可以是凹槽20的內(nèi)表面34或陶瓷基 體12的外表面36。優(yōu)選地，采用超聲波清潔器和丙酮或酒精來清除 粘附到該表面上的灰塵粒和油脂。焊接熱電偶16的導電絲22的遠端 24以形成珠26，該珠將作為熱接點或測量接點。接下來，將活性釬焊料32施加到陶瓷基體12的凹槽20或外表面 36，然后將熱電偶16的珠26放置在活性釬焊料32上?；钚遭F焊料 32優(yōu)選采用膏或箔的形式，盡管也可采用仍然屬于本公開范圍內(nèi)的其 它形式。當活性釬焊料32以膏的形式施加時，在施加活性釬焊料32 之前可以將珠26插入凹槽20，以使珠26與陶瓷基體12直接接觸， 即與凹槽20的內(nèi)表面34直接接觸。另外，優(yōu)選采用干燥過程來干燥 活性釬焊料膏。干燥過程優(yōu)選在室溫下進行，持續(xù)一段時間，該時間 應足以蒸發(fā)掉膏中的溶劑。
然后，將帶有熱電偶16的陶資基體12放置在真空室(未顯示) 內(nèi)加熱。優(yōu)選地，加熱過程中把真空控制在小于約5xl0"托的壓力。 活性釬焊料32和珠26被加熱到約950。C到約1080。C之間。當達到所 需的溫度時，將該溫度保持約5到約60分鐘。在一種形式里，在加熱 過程中把活性釬焊料32加熱到約950°C，并在該溫度保持約15分鐘。
加熱過程后，將真空室冷卻到室溫，以允許活性釬焊料32凝固。 當活性釬焊料32凝固時，熱電偶16的珠26就被直接結(jié)合到陶瓷基體 12上。
參見圖7,該圖顯示了具有用依據(jù)本公開教導的另一種方法固定 的熱電偶的陶資加熱器，該陶資加熱器大體用附圖標記40表示。陶瓷 加熱器40具有與圖3到圖5所示的陶瓷加熱器IO相類似的結(jié)構(gòu)，除 了陶瓷基體12與熱電偶16之間的連接不同外。在下面的描述中，相 應的附圖標記表示與圖l到圖5中的前述描述相類似或相應的部分和 特征。
圖7顯示，熱電偶16的珠26設(shè)置在陶資基體12的凹槽20內(nèi)。 該凹槽20的內(nèi)表面36覆蓋有金屬鍍層42。珠26設(shè)置于凹槽20內(nèi)， 并且普通釬焊料44而不是活性釬焊料32基本上填充珠26和金屬鍍層 42之間的空間。
可替代的是，熱電偶16的珠26被結(jié)合到陶瓷基體12的外表面 36，如圖8所示。金屬鍍層42設(shè)置于外表面34和普通釬焊料44之間。 金屬鍍層42可以是如圖8所示的單層結(jié)構(gòu)或如圖9所示的雙層結(jié)
10構(gòu)。當優(yōu)選采用單層結(jié)構(gòu)時，金屬鍍層42優(yōu)選為厚度約O.ljim到ljim 的Ti層，并且通過化學鍍形成。當優(yōu)選采用雙層結(jié)構(gòu)時，金屬鍍層 42優(yōu)選包括與陶瓷基體12接觸的第一層46，和設(shè)置于第一層46和普 通釬焊料44之間的第二層48。第一層46是主要層，并優(yōu)選由Mo、 MnO、玻璃粉和有機粘結(jié)劑的混合物制造而成。第二層48優(yōu)選為Ni 層、Cu層或Au層，并且是厚度小于第一層46的薄層。第二層48的 厚度優(yōu)選為約2jtm到5nm。第一層46作為結(jié)合層，用于將金屬的第 二層48結(jié)合到陶資基體12，這樣通過第二層48,熱電偶16就可由普 通釬焊料44結(jié)合到陶瓷基體12。
優(yōu)選的普通釬焊料44包括Ag-Cu合金或Au-Ni合金。
參考圖10，現(xiàn)在描述依據(jù)本公開教導將熱電偶16固定到陶瓷基 體12的第二種方法。正如前面陳述的，可以改變或變更這里圖示和描 述的步驟順序，并且仍然屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。首先，對將要結(jié)合熱 電偶16的陶瓷基體12的表面進行清潔。如前面所述，該表面可以是 凹槽20的內(nèi)表面34或陶瓷基體12的外表面36。然后，焊接熱電偶 16的導電絲22以形成珠26。
接下來，在凹槽20的內(nèi)表面34或陶瓷基體12的外表面36成形 金屬鍍層42。金屬鍍層42可以通過濺鍍薄的Ti層而成形?？商娲?是，金屬鍍層42也可以通過在陶瓷基體12上先成形第一層46，然后 在第一層46上成形第二層48來成形。在成形第一層46時，準備包括 Mo、 MnO、玻璃粉、有機粘結(jié)劑和溶劑的混合物的膏，并將其施加 到陶瓷基體12上。然后，在成形氣體的氣氛中燒制陶瓷基體12和膏。 優(yōu)選地，成形氣體是分子比例為4: l的氮和氫的混合氣體，或者是裂 解氨，該裂解氨是分子比例為3: l的氫和氮的混合氣體。當燒制過程 完成后，溶劑就從膏中脫出，并且膏凝固并附連到陶瓷基體12。
第一層46成形后，通過無電極電鍍法將可以是Ni、 Cu或Au層 的第二層48施加到第一層46上，從而完成金屬鍍層42。
完成金屬鍍層42后，不管是單層或雙層結(jié)構(gòu)，將普通釬悍料44 放置在金屬鍍層42上，并且熱電偶16的珠26放置在普通釬焊料44上。然后普通釬焊料44被熔化并凝固，從而完成將熱電偶16結(jié)合到 陶瓷基體12。由于加熱和凝固普通釬焊料44的過程基本上類似于與 圖4~8相關(guān)的加熱和凝固活性釬焊料32的過程，因此這里為了簡化 省略了說明。
根據(jù)本公開，由于熱電偶16的珠26被直接結(jié)合到陶資基體12， 因此來自于陶瓷基體12的熱量就被直接傳遞到熱電偶16的珠26。這 樣，珠26的溫度就幾乎即刻地反映出陶瓷基體12的溫度，并因此可 以更加準確地測量出陶資加熱器10的溫度。另外，通過采用活性釬焊 料或與金屬鍍層結(jié)合的普通釬焊料，熱電偶16即使在暴露于更高的溫 度下時也具有長期的穩(wěn)定性。
依據(jù)本公開的陶瓷加熱器IO具有多種用途。例如，該陶瓷加熱器 10可用于半導體后端芯片結(jié)合設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備。陶瓷加熱器10優(yōu)選 用于以相對快的升溫速率加熱物體。
本發(fā)明的說明僅是示例性，因此，不背離本發(fā)明要點的變化均屬 于本發(fā)明的范圍。這類變化不應被視為背離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種陶瓷加熱器，該陶瓷加熱器包括陶瓷基體；以及至少一個用于測量陶瓷基體溫度的熱電偶，該至少一個熱電偶包括直接結(jié)合到陶瓷基體上的接點。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱器，其中，接點通過活性釬焊 料結(jié)合到陶瓷基體。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷加熱器，其中，活性釬焊料選自于 由Au-Cu-Ti合金、Ag-Ti合金、Au-Ni-Ti合金以及Au-Ti合金構(gòu)成的 組。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱器，其中，陶瓷基體由選自于 由氮化鋁(A1N)、氧化鋁(A1203 )和氮化硅(Si3N4)構(gòu)成的組的材 料制造。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱器，其中，所述至少一個熱電 偶選自于由K型、J型、T型、R型、C型和B型熱電偶構(gòu)成的組。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱器，其中，陶瓷基體限定有凹 槽，所述至少一個熱電偶的接點設(shè)置于該凹槽內(nèi)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷加熱器，其中，陶瓷基體的凹槽基 本上由活性釬焊料填充。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱器，其中，所述至少一個熱電 偶包括一對限定有遠端部分的絲，接點被設(shè)置成靠近絲的遠端部分。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶資加熱器，其中，絲的遠端部分被結(jié) 合到一起以形成珠，珠與設(shè)置于陶瓷基體上的活性釬焊料相接觸，從 而將熱電偶結(jié)合到陶瓷基體。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷加熱器，其中，所述一對絲的至 少一部分被絕緣物包圍。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的陶瓷加熱器，其中，絕緣物包括一對 設(shè)置在該對絲上的陶瓷套。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷加熱器，該陶瓷加熱器還包括與 陶瓷基體接觸的金屬鍍層，并且接點被結(jié)合到金屬鍍層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的陶瓷加熱器，其中，金屬鍍層包括由 Mo、 MnO、玻璃粉和有機粘結(jié)劑的混合物制成的第一層。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的陶資加熱器，其中，金屬鍍層還包括 由選自于由Ni、 Cu和Au構(gòu)成的組中的材料制成的第二層。
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的陶瓷加熱器，其中，金屬鍍層是Ti層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的陶瓷加熱器，其中，通過釬焊料將接 點結(jié)合到金屬鍍層。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的陶瓷加熱器，其中，釬焊料選自于由 Ag-Cu合金和Au-Ni合金構(gòu)成的組。
18、 一種陶資加熱器，該陶資加熱器包括 限定有至少一個凹槽的陶瓷基體； 嵌入陶資基體內(nèi)的電阻加熱元件；至少一個熱電偶，該熱電偶包括一對限定有遠端部分的絲，以及 靠近該遠端部分設(shè)置的接點，該接點設(shè)置在凹槽內(nèi)；以及設(shè)置于凹槽內(nèi)的活性釬焊料，并且所述至少 一個熱電偶的接點與 活性釬焊料接觸。
19、 一種將熱電偶固定到陶瓷基體的方法，其中熱電偶包括一對 限定了接點的絲，該方法包括將熱電偶的接點直接結(jié)合到陶瓷基體。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述直接結(jié)合是采用活 性釬焊料實現(xiàn)的。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，該方法還包括將膏形式的活性 釬焊料施加到陶瓷基體，并把熱電偶的接點放置在活性釬焊料膏上。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，該方法還包括將其上設(shè)置有熱 電偶的接點的活性釬焊料加熱至約950。C到約1080。C之間，并將該溫度保持約5到60分鐘。
23、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，加熱是在小于5xi0-6托壓力的真空室中進行的。
24、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，將活性釬焊料填入陶瓷 基體的凹槽內(nèi)。
25、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，將活性釬焊料施加到陶 瓷基體的外表面。
26、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，接點是通過在絲的遠端 部分焊接絲而形成的。
27、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述直接結(jié)合包括在陶 瓷基體上設(shè)置金屬鍍層，并且通過釬焊料將接點結(jié)合到金屬鍍層。
28、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，設(shè)置金屬鍍層包括將 Mo、 MnO、玻璃粉、有機粘結(jié)劑和溶劑的混合物施加到陶瓷基體上 以形成第一層，并施加選自于由Ni、 Cu和Au構(gòu)成的組的材料以形成 第二層。
29、 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，設(shè)置金屬鍍層包括在陶 瓷基體上設(shè)置Ti層。
30、 一種將包括一對絲的熱電偶固定到陶瓷基體的方法，該方法 包括焊接熱電偶的絲以形成接點；清潔陶瓷基體的表面；將活性釬焊料施加到陶資基體的表面上；將接點放置在活性釬焊料上；干燥活性釬焊料；在真空室中加熱活性釬焊料；將活性釬焊料以預定的溫度和時間在真空室中保持；并且 將活性釬焊料冷卻至室溫。
31、 根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，活性釬焊料為選自于由 箔和膏構(gòu)成的組的一種形式。
全文摘要
一種陶瓷加熱器(10)，該陶瓷加熱器包括具有形式為珠(26)的熱接點或測量接點的熱電偶(16)，該珠(26)通過活性釬焊料(32)直接結(jié)合到陶瓷基體(12)?？商娲氖牵谔沾苫w(12)上設(shè)置金屬鍍層(42)，并且熱電偶的珠(26)通過普通釬焊料被直接結(jié)合到金屬鍍層(42)。由于將珠直接結(jié)合到陶瓷基體，珠的溫度幾乎即刻地反映出陶瓷加熱器的溫度，這樣熱電偶就能準確測量陶瓷加熱器的溫度。
文檔編號H05B3/26GK101433125SQ200780014804
公開日2009年5月13日 申請日期2007年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月26日
發(fā)明者D·J·布洛克, H·林, J·E·史密斯 申請人:沃特洛電氣制造公司