專(zhuān)利名稱(chēng)：電子鎮(zhèn)流器及其點(diǎn)火電流限流的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熒光燈電子鎮(zhèn)流器領(lǐng)域，特別涉及一種可對(duì)點(diǎn)火電流 進(jìn)行限流的電子鎮(zhèn)流器及其點(diǎn)火電流限流的控制方法。
背景技術(shù)：
圖1是用電子鎮(zhèn)流器芯片IC作為控制器的串聯(lián)諧振電子鎮(zhèn)流器 的基本電路圖。圖中T1、 T2是功率管，可以是雙極型晶體管，也可以 是MOSFET,功率管組成半橋驅(qū)動(dòng)器。Cl是隔直電容，L是諧振(限 流)電感，C是諧振電容，LAMP是熒光燈管。
一般來(lái)說(shuō)，這種電路有三種狀態(tài)預(yù)熱狀態(tài)、點(diǎn)火狀態(tài)和工作(點(diǎn) 亮)狀態(tài)。其等效電路圖為圖2 (預(yù)熱狀態(tài))和圖3 (工作狀態(tài))。
從圖2中可以得出，當(dāng)燈管沒(méi)有導(dǎo)通時(shí)，直流電壓經(jīng)過(guò)半橋驅(qū)動(dòng)器 并經(jīng)過(guò)隔直電容器Cl后在A點(diǎn)變成為交流電，這交流電施加于由電 感L、電容C組成的LC諧振網(wǎng)絡(luò)。其諧振頻率f。為
圖4為流過(guò)回路的電流i和頻率f的關(guān)系曲線。圖中f。為諧振頻率， 在f。的左邊電路呈容性狀態(tài)，在f。的右邊電路呈感性狀態(tài)。由于對(duì)于 "它激式"的半橋驅(qū)動(dòng)器， 一般來(lái)說(shuō)都要求其工作在感性狀態(tài)，所以 半橋驅(qū)動(dòng)器的工作頻率是要求大于f。。
圖4還表示對(duì)LC諧振網(wǎng)絡(luò)施加交流電壓后，在感性區(qū)，其電流i隨頻率的降^f氐而增大，在f。處達(dá)到最大值(純電阻狀態(tài))。
電子鎮(zhèn)流器在預(yù)熱狀態(tài)時(shí)，由于頻率fp較高，于f。偏右，此時(shí)電
流ip較小，見(jiàn)圖5。
而當(dāng)電子鎮(zhèn)流器進(jìn)行點(diǎn)火時(shí)，點(diǎn)火是個(gè)動(dòng)態(tài)的過(guò)程，也就是施加 于LC網(wǎng)絡(luò)的交流電頻率迅速向諧振點(diǎn)靠近，也就是頻率從fp向工作頻 率fr掃描，稱(chēng)為掃頻， 一般工作頻率約等于諧振頻率f。。此時(shí)電流會(huì) 隨著頻率的降低而迅速增大，諧振電容C兩端的電壓也會(huì)隨著頻率的 降低而迅速增大。由于熒光燈管是連接在C兩端的，所以相當(dāng)于焚光 燈管得到了瞬間的高電壓。假如這種電壓高于熒光燈管的啟動(dòng)擊穿電 壓，燈管就會(huì)被點(diǎn)亮，電路進(jìn)入正常的工作狀態(tài)。 一旦電路進(jìn)入正常 工作狀態(tài)，也就如圖3所示的等效電路，此時(shí)電路的諧振頻率從f。變 為f。'， f。，較f。小，如圖6所示。此時(shí)的f。，仍遠(yuǎn)小于工作頻率fr，電路 仍處在感性區(qū)，電流不會(huì)很大，整個(gè)系統(tǒng)是安全的。
上面討論的是熒光燈管是正常的，并且是連接良好的。問(wèn)題是假 如熒光燈管出現(xiàn)異常，如漏氣、斷裂、燈管連接不良等等，在那些異 常情況下，當(dāng)在點(diǎn)火也就是頻率掃描時(shí)，頻率迅速向f?？拷?，電流會(huì) 急劇增加，并且是長(zhǎng)時(shí)間維持大電流。 一般來(lái)說(shuō)，這樣的大電流，時(shí) 間長(zhǎng)了就會(huì)燒毀半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管。針對(duì)這種情況，有必要采取措 施對(duì)電流加以限制，以避免功率管被燒毀。目前存在的電子鎮(zhèn)流器芯 片IC,大多數(shù)都沒(méi)有對(duì)功率管的電流加以限制，若焚光燈管出現(xiàn)異常 情況，電子鎮(zhèn)流器的半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管會(huì)承受很大的電流，電子鎮(zhèn) 流器很容易燒毀。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種對(duì)點(diǎn)火電流進(jìn)行限流的電子鎮(zhèn)流器及其點(diǎn)火電流限流的控制方法。
本發(fā)明提供的電子鎮(zhèn)流器，包括鎮(zhèn)流器芯片IC,由功率管組成的半橋驅(qū)動(dòng)器，諧振電路，在半橋驅(qū)動(dòng)器的第二功率管T2與接地之間串聯(lián)一采樣電阻，所述鎮(zhèn)流器芯片IC的檢測(cè)端連接到所述第二功率管T2與所述采樣電阻之間的節(jié)點(diǎn)。
進(jìn)一步地，所述功率管為雙極型晶體管，所述第二功率管T2的發(fā)射極與所述采樣電阻連接。
進(jìn)一步地，所述功率管為MOSFET,所述第二功率管T2的源極與所述采樣電阻連接。
另外本發(fā)明還提供了電子鎮(zhèn)流器的點(diǎn)火電流限流的控制方法，方案如下，
在電子鎮(zhèn)流器芯片IC上設(shè)置一檢測(cè)比較電壓Vmax和一最大允許電流im狀，當(dāng)半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流達(dá)到最大允許電流imax時(shí)，采樣電阻上得到與所述檢測(cè)比較電壓Vmax相等的電壓；
若所述半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流小于最大允許電流imax，采樣電阻上的電壓小于檢測(cè)比較電壓Vmax,則電子鎮(zhèn)流器芯片IC輸出脈沖正常掃描頻率；若所述半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流達(dá)到或超過(guò)最大允許電流imax,采樣電阻上的電壓達(dá)到或超過(guò)檢測(cè)'比較電壓Vmax,則停止掃描頻率，并保持輸出頻率fmax不變；
5若輸出頻率fmax維持時(shí)間超過(guò)預(yù)定時(shí)間T，則電子鎮(zhèn)流器芯片IC關(guān)閉輸出脈沖。
采用本發(fā)明提供的點(diǎn)火電流限流的控制方法的電子鎮(zhèn)流器，若焚光燈管出現(xiàn)故障時(shí)，點(diǎn)火時(shí)電子鎮(zhèn)流器芯片IC維持輸出頻率fn^—定時(shí)間T，如果維持時(shí)間超過(guò)預(yù)定時(shí)間T,則電子鎮(zhèn)流器芯片IC立即關(guān)閉輸出脈沖，保護(hù)電子鎮(zhèn)流器不被燒毀。


圖1為串聯(lián)諧振電子鎮(zhèn)流器的基本電路圖；圖2為串聯(lián)諧振電子鎮(zhèn)流器處于預(yù)熱狀態(tài)的等效電路圖；圖3為串聯(lián)諧振電子鎮(zhèn)流器處于工作狀態(tài)的等效電路圖；圖4為回路電流和頻率的關(guān)系曲線圖5為電子鎮(zhèn)流器處于預(yù)熱狀態(tài)時(shí)回路電流和頻率的關(guān)系曲線圖；圖6為電子鎮(zhèn)流器處于工作狀態(tài)時(shí)回路電流和頻率的關(guān)系曲線圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的串聯(lián)諧振電子鎮(zhèn)流器的電路圖；圖8為根據(jù)本發(fā)明 一優(yōu)選實(shí)施例的回路電流和頻率的關(guān)系曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。
如圖7所示，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的電子鎮(zhèn)流器是在圖1中的半橋驅(qū)動(dòng)器的第二功率管T2與接地之間串接一采樣電阻Rs,若該半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管采用雙極型晶體管，則第二功率管T2的發(fā)射極連接采樣電阻Rs，若該半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管采用MODFET，則第二功率管T2的源極連接采樣電阻Rs。在電子鎮(zhèn)流器芯片IC中設(shè)置檢測(cè)比較電
壓Vmax和最大允許電流imax，電子鎮(zhèn)流器芯片IC的檢測(cè)端DET連接至
第二功率管T2與采樣電阻Rs之間的節(jié)點(diǎn)。組成的回路中，采樣電阻Rs用來(lái)檢測(cè)功率管的電 流o
本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的電子鎮(zhèn)流器點(diǎn)火電流限流的控制方法為，
在如圖7所示的電子鎮(zhèn)流器的電子鎮(zhèn)流器芯片IC上設(shè)置一檢測(cè)比較電
壓V讓和一最大允許電流in^。當(dāng)半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流達(dá)到最大允許電流i隨時(shí)，采樣電阻RS上將得到與檢測(cè)比較電壓Vmax相等的電
壓；通過(guò)檢測(cè)端DET將該電壓送到電子鎮(zhèn)流器芯片IC。
在點(diǎn)火掃描時(shí)，若半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流小于最大允許電流i隱，采樣電阻Rs上的電壓小于檢測(cè)比較電壓v隨，則電子鎮(zhèn)流器芯片IC輸出脈沖正常掃描頻率；若半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流達(dá)到或超過(guò)最大允許電流imax,采樣電阻Rs上的電壓達(dá)到或超過(guò)檢測(cè)比較電壓v瞧，電子鎮(zhèn)流器芯片IC的輸出脈沖頻率就不繼續(xù)向諧振頻率f?？拷Ｖ箳呙桀l率，并保持對(duì)應(yīng)的輸出頻率4^不變，如圖8所示，從圖8
中可以看出，imax可以設(shè)為遠(yuǎn)小于i。，這樣諧振電流不會(huì)再增加，可限
制在一個(gè)可以控制的水平上；若熒光燈出現(xiàn)故障，如漏氣、斷裂、燈
管連接不良等，當(dāng)輸出頻率fmax維持一段時(shí)間T還沒(méi)有排除故障，一
旦這種狀態(tài)超過(guò)預(yù)定時(shí)間T時(shí)，鎮(zhèn)流器芯片IC就立即關(guān)閉輸出脈沖，以保護(hù)電子鎮(zhèn)流器不被燒毀；若在預(yù)定時(shí)間T內(nèi)，焚光燈管的故障被排除，那么，電子鎮(zhèn)流器芯片IC繼續(xù)掃頻，直到焚光燈管被點(diǎn)亮為止。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種電子鎮(zhèn)流器，包括鎮(zhèn)流器芯片IC，由功率管組成的半橋驅(qū)動(dòng)器，諧振電路，其特征在于，在半橋驅(qū)動(dòng)器的第二功率管T2與接地之間串聯(lián)一采樣電阻，所述鎮(zhèn)流器芯片IC的檢測(cè)端連接到所述第二功率管T2與所述采樣電阻之間的節(jié)點(diǎn)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述功率管 為雙極型晶體管，所述第二功率管T2的發(fā)射極與所述采樣電阻連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述功率管 為MOSFET,所述第二功率管T2的源極與所述采樣電阻連接。
4、 如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器的點(diǎn)火電流限流的控制方法， 其特征在于，在電子鎮(zhèn)流器芯片IC上設(shè)置一檢測(cè)比較電壓vmax和一最大允許電流im欲，當(dāng)半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流達(dá)到最大允許電流imax時(shí)，采樣 電阻上得到與所述檢測(cè)比較電壓Vn^相等的電壓；若所述半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流小于最大允許電流imax，采樣電阻上的電壓小于檢測(cè)比較電壓vmax,則電子鎮(zhèn)流器芯片IC輸出脈沖正 常掃描頻率；若所述半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管的電流達(dá)到或超過(guò)最大允許電流imax,采樣電阻上的電壓達(dá)到或超過(guò)^T測(cè)比較電壓Vmax，則停止掃 描頻率，并保持輸出頻率fmax不變；若輸出頻率fmax維持時(shí)間超過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間T，則電子鎮(zhèn)流器芯片IC 關(guān)閉輸出脈沖。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可對(duì)點(diǎn)火電流進(jìn)行限流的電子鎮(zhèn)流器包括鎮(zhèn)流器芯片IC，由功率管組成的半橋驅(qū)動(dòng)器，諧振電路，在半橋驅(qū)動(dòng)器的第二功率管T2與接地之間串聯(lián)一采樣電阻，所述鎮(zhèn)流器芯片IC的檢測(cè)端連接到所述第二功率管T2與所述采樣電阻之間的節(jié)點(diǎn)。且也提供了電子鎮(zhèn)流器的點(diǎn)火電流限流的控制方法，對(duì)點(diǎn)火時(shí)的電流進(jìn)行限流以避免電子鎮(zhèn)流器的半橋驅(qū)動(dòng)器的功率管承受大的電流，保護(hù)電子鎮(zhèn)流器不被燒毀。
文檔編號(hào)H05B41/298GK101472376SQ20071009468
公開(kāi)日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月29日
發(fā)明者王小明 申請(qǐng)人:上海貝嶺股份有限公司