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用于降低同步開關(guān)噪聲的設(shè)備和方法

文檔序號(hào):8169971閱讀:950來源:國知局
專利名稱:用于降低同步開關(guān)噪聲的設(shè)備和方法
用于降低同步開關(guān)噪聲的設(shè)備和方法
背景技術(shù)
同步開關(guān)噪聲(SSN)是一種在電子系統(tǒng)內(nèi)可能存在的噪聲形式。 SSN可能是因?yàn)榇罅框?qū)動(dòng)器在短時(shí)間窗內(nèi)在同一個(gè)方向進(jìn)行開關(guān)產(chǎn)生 的。大量這種開關(guān)的影響可能包括送到芯片的電壓產(chǎn)生谷值或者峰值, 而且它們可以作為噪聲通過激活的驅(qū)動(dòng)器和未激活的驅(qū)動(dòng)器傳播。
在極端情況下,SSN可能妨礙電子系統(tǒng)正常工作。例如,對(duì)于芯 片上的電源面和/或者接地面的電壓電平的干擾可能妨礙邏輯電路系統(tǒng) 正常工作。如果門陣列輸出的邏輯1小于在反相器上的最小容許邏輯1, 則該反相器不能正確判別該邏輯1。同樣,高于反相器上的最大容許邏 輯0的、來自門陣列的邏輯0可能產(chǎn)生不正確或者不確定的結(jié)果。
傳統(tǒng)上,克服SSN的嘗試包括利用物理方法擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)器/管腳、 差分信號(hào)、使驅(qū)動(dòng)器組之間的時(shí)間產(chǎn)生時(shí)滯以及/或者對(duì)該電路系統(tǒng)添 加電阻器。然而,從封裝角度看,這些嘗試可能不利于性能、成本、 設(shè)計(jì)容限和/或者復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及通過尋求降低同步開關(guān)驅(qū)動(dòng)器的凈轉(zhuǎn)變能量克服同步 開關(guān)噪聲(SSN)。本發(fā)明的各種實(shí)施例提供的方法包括用于減少在從 第一狀態(tài)到第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變期間的值發(fā)生變化的相鄰驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量的編 碼協(xié)議。通過減小轉(zhuǎn)變期間值變化的累計(jì)數(shù),可以減小累積電流變化 以及同步開關(guān)噪聲效應(yīng)。此外,減小累積電流變化還可以減小芯片的 接地面和/或者電源面上的電壓波動(dòng),從而最小化因?yàn)殡妷汗戎祷蛘叻?值產(chǎn)生的可能不適當(dāng)邏輯功能。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,提供了一種用于降低同步開關(guān)噪聲的 方法。該方法包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值;以及獲 取每個(gè)第一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。確定每個(gè)第一組位從第一狀態(tài) 到第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變的第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),而且如果通過改變第一組 位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值能夠降低第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少 一個(gè)值與該第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低該第一開關(guān)噪 聲累積效應(yīng)。將該替用值組作為該第二狀態(tài)寫入該第一組位,而且在 該第一字的至少一位設(shè)置第一標(biāo)志符。
根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,提供了一種用于減小轉(zhuǎn)變噪聲的總線協(xié)議。 該方法包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值;以及獲取每個(gè)第 一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。確定每個(gè)第一組位從該第一狀態(tài)到該第 二狀態(tài)轉(zhuǎn)變的第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。如果通過改變該第一組位的第 二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì)值能夠降低該第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少 一個(gè)值與該第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低該第一開關(guān)噪 聲累積效應(yīng)。將該替用值組作為該第二狀態(tài)寫入該第一組位,以及在 該第一字的至少一位設(shè)置第一標(biāo)志符。此外,根據(jù)該方法,該總線協(xié) 議包括讀取該第一字的至少一位上的所述標(biāo)志符。如果設(shè)置該標(biāo)志 符,則從該第一組位讀取該替用值組,以及根據(jù)該替用值組確定該第 一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。作為一種選擇,如果沒有設(shè)置該標(biāo)志符, 則讀取該第一組位的值作為該第一組位的第二狀態(tài)。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施 例,提供了一種用于減小數(shù)字電路系統(tǒng)中的轉(zhuǎn)變噪聲的計(jì)算機(jī)可讀介 質(zhì)。該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)具有用于執(zhí)行上面描述的方法的代碼。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于減小轉(zhuǎn)變能量的方法。根 據(jù)該方法,確定表示至少多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的分?jǐn)?shù)。每個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變均 是從第一狀態(tài)到相應(yīng)第二狀態(tài)。如果該分?jǐn)?shù)表示該多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的 一半以上第一狀態(tài)與該相應(yīng)第二狀態(tài)不同,則反相該第二狀態(tài)的值, 而且設(shè)置標(biāo)志符。將該第二狀態(tài)寫入對(duì)應(yīng)于該多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的多個(gè) 位。如果設(shè)置了該標(biāo)志符,則將該標(biāo)志符寫入與對(duì)應(yīng)于該多個(gè)二進(jìn)制
9轉(zhuǎn)變的多個(gè)位相關(guān)的位。
本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于降低數(shù)字電路系統(tǒng)中的瞬 態(tài)噪聲的設(shè)備。該設(shè)備包括用于確定至少表示多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的分 數(shù)的裝置,每個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變均是從第一狀態(tài)到相應(yīng)第二狀態(tài);以及用 于如果該分?jǐn)?shù)表示該多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的一半以上第一狀態(tài)與該相應(yīng)第 二狀態(tài)不同,則反相該第二狀態(tài)的值的裝置。還設(shè)置有如果該分?jǐn)?shù) 表示該多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的一半以上第一狀態(tài)與該相應(yīng)第二狀態(tài)不同, 則用于設(shè)置標(biāo)志符的裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于降低同步開關(guān)噪聲的方 法,該方法包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值;以及獲取 每個(gè)第一組位的第二狀態(tài)的第一預(yù)計(jì)值。確定第一替用值組,其中, 該第一替用值組至少一個(gè)值與該第二狀態(tài)的第一預(yù)計(jì)值不同,以降低 第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。該方法還包括將該第一替用值組作為該第二 狀態(tài)寫入該第一組位。該方法可以選擇性地包括從該第一組位讀取 該第一替用值組;以及根據(jù)該第一替用值組,分別確定每個(gè)第一組位 的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例,利用用于執(zhí)行包括上面描 述的方法的代碼,提供了一種用于降低數(shù)字電路系統(tǒng)中的瞬態(tài)噪聲的 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。


根據(jù)在此所做的描述以及附圖,本發(fā)明顯而易見,在所有不同附 圖中,同樣的參考符號(hào)表示相同的部分。
圖1是可以采用本發(fā)明的說明性實(shí)施例的環(huán)境的原理圖; 圖2是根據(jù)本發(fā)明的說明性實(shí)施例的方法的流程圖;以及 圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)說明性實(shí)施例的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
通過尋求減少在從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)轉(zhuǎn)變期間值改變的相鄰驅(qū) 動(dòng)器的數(shù)量,本發(fā)明的各種實(shí)施例克服同步開關(guān)噪聲。通過減小轉(zhuǎn)變 期間的值變化的累積數(shù),可以減小累積電流變化以及同步開關(guān)噪聲效 果。此外,減少累積電流變化還可以減少芯片的接地面和/或者電源面
(power plane)的電壓波動(dòng),從而將因?yàn)殡妷汗戎祷蛘叻逯狄鸬目赡?的不適當(dāng)邏輯功能降低到最小。
在說明性實(shí)施例中,本發(fā)明可以用于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 100和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA) 200。圖1示出采用具有 單個(gè)FPGA 200的多個(gè)SRAM 100的典型實(shí)現(xiàn)。在該說明性實(shí)施例中, 每個(gè)SRAM100分別是36位器件。對(duì)于每個(gè)8位字,附加位用作標(biāo)志 符位,下面將做詳細(xì)說明。盡管通過該說明性實(shí)施例,作為本發(fā)明實(shí) 施例的實(shí)現(xiàn)例子,但是,顯然,本發(fā)明可以應(yīng)用于種類繁多的電子系 統(tǒng)和電路。作為非限制性例子,可以采用ram禾n/或者專用集成電路 (ASIC)管芯(die)。
參考圖2,本發(fā)明的說明性實(shí)施例提供了一種用于評(píng)分處理的方法 300,該評(píng)分處理確定通過在字中的位被寫入之前對(duì)它們進(jìn)行編碼是 否可以降低對(duì)被評(píng)估的字的開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。該方法300將實(shí)際寫 入SRAM100的、在該例中是8位的先前字,與預(yù)計(jì)要寫入SRAM 100 的、在該例中為8位的相應(yīng)字位的預(yù)計(jì)值進(jìn)行比較,即步驟310。在該 說明性實(shí)施例中,利用評(píng)分處理可以執(zhí)行該比較步驟310,下面將做更 詳細(xì)說明。
請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2,如果在310的比較確定通過改變要寫入的位,例 如,通過減小每位的邏輯值的累積數(shù),可以減小開關(guān)噪聲累積效應(yīng), 則在值被寫入SRAM 100,即步驟330,之前,對(duì)預(yù)計(jì)值進(jìn)行編碼,即 步驟320,然后,在步驟340設(shè)置標(biāo)志符位。如果在步驟310比較確定 通過改變要寫入的位,不能減小開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則在不改變的情 況下,將該預(yù)計(jì)值寫入SRAM 100,即步驟350。同樣,在讀SRAM 100時(shí),讀取每字的標(biāo)志符位,以確定是否要對(duì)相應(yīng)8位字進(jìn)行解碼。在
每個(gè)SRAM 100中,對(duì)每字執(zhí)行方法300。作為選擇,可以采用多個(gè)標(biāo) 志符位,而且可以結(jié)合每個(gè)標(biāo)志符位或者各標(biāo)志符位,使用任意數(shù)量 的字位。
可以利用種類繁多的技術(shù),例如,通信系統(tǒng)原理、統(tǒng)計(jì)或者其他 數(shù)學(xué)運(yùn)算,執(zhí)行比較310,試圖將轉(zhuǎn)變期間邏輯值的變化引起的瞬態(tài)能 量降低到最小。在該說明性實(shí)施例中,可以采用評(píng)分處理。請(qǐng)參考表1, 對(duì)所寫入的先前位值(不考慮它先前是否被編碼)與投射位值之間的 每種邏輯轉(zhuǎn)變設(shè)立分?jǐn)?shù)。通過提供每次邏輯轉(zhuǎn)變類型引起的瞬態(tài)電壓 效應(yīng)的表示,如果發(fā)生從先前寫入的值到預(yù)計(jì)值的轉(zhuǎn)變,則這些分?jǐn)?shù) 意在近似每次位轉(zhuǎn)變的開關(guān)噪聲效應(yīng)。如表1所示,利用分?jǐn)?shù)表示瞬 態(tài)電壓效應(yīng)的方向,例如,0到1的轉(zhuǎn)變,分?jǐn)?shù)是+1,而1到0的轉(zhuǎn) 變,分?jǐn)?shù)是—1。
表1
寫入的先前位投射位值分?jǐn)?shù)

000
110
01+ 1
10—1
在8位字的例子中,最高分?jǐn)?shù)可能是+ 8和一8,它表示以單向的 或者其它的方式的所有位轉(zhuǎn)變。分?jǐn)?shù)0表示無凈轉(zhuǎn)變,其中0到1的 轉(zhuǎn)變與1到0的轉(zhuǎn)變平衡。在該說明性實(shí)施例中,如果該位的總分?jǐn)?shù) 大于+ 3或者小于一3,則寫入該標(biāo)志符位,表示編碼轉(zhuǎn)變,表示對(duì)于 該字,將已編碼轉(zhuǎn)變和已編碼位寫入SRAM 100。如果總分?jǐn)?shù)小于+ 4 而大于一4,則不寫入所述標(biāo)志符位,而且對(duì)于該字的要被寫入SRAM IOO的各位不進(jìn)行編碼。該說明性實(shí)施例中的得分處理目標(biāo)是,通過使轉(zhuǎn)變位靜止以及使 靜態(tài)位轉(zhuǎn)變,使得減少當(dāng)有許多位在一個(gè)方向發(fā)生變化時(shí)的轉(zhuǎn)變能量。 在一種實(shí)現(xiàn)中,編碼處理可以是自動(dòng)的,同時(shí)利用標(biāo)志符位覆蓋編碼 以及允許寫入未編碼位。
在本說明性實(shí)施例中,標(biāo)志符位可以僅是用于表示已編碼字位的1 或者用于表示未編碼字位的O。作為選擇,可以利用標(biāo)志符位來最小化 在編碼期間的轉(zhuǎn)變能量。作為例子,表2示出如何利用標(biāo)志符位來避 免對(duì)于編碼轉(zhuǎn)變的標(biāo)志符位發(fā)生轉(zhuǎn)變。
表2
寫入SRAM/從SRAM讀寫入SRAM/從SRAM讀取動(dòng)作
取的先前標(biāo)志符位值的當(dāng)前標(biāo)志符位
01不進(jìn)行編碼/解碼。
未編碼轉(zhuǎn)變。
10不進(jìn)行編碼/解碼。
未編碼轉(zhuǎn)變。
00編碼/解碼。
編碼轉(zhuǎn)變。
11編碼/解碼。
編碼轉(zhuǎn)變
根據(jù)該說明性實(shí)施例,可以特別定位該字位以及任選的標(biāo)志符位,
以便在管腳引出線上以及FPGA管芯上,使它們緊密定位在一起。在 這種配置中,本發(fā)明可以獲得更大的好處,因?yàn)槔镁o密間隔,被緊 密定位在一起的每位的累積偏移物理效應(yīng)可能更有效。因此,累積得 分處理可以更接近地表示偏移物理效應(yīng)。
在本發(fā)明的另一個(gè)說明性實(shí)施例中,不利用得分處理確定是否需
13要編碼,而是對(duì)每個(gè)轉(zhuǎn)變進(jìn)行編碼以尋求降低開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。在 該實(shí)施例中,如圖3中的例子所示,方法400包括410,讀取第一字 的第一組位的第一狀態(tài)的值;然后420,分別獲得第一組位的第二狀態(tài) 的第一預(yù)計(jì)值。430,確定第一替用值組,其中第一替用值組至少有一 個(gè)值與第二狀態(tài)的第一預(yù)計(jì)值不同,以降低第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。 該方法還包括440,將第一替用值組作為第二狀態(tài)寫入第一組位。該方 法還可以選擇性地包括450,從第一組位讀取第一替用值組;以及460, 根據(jù)該第一替用值組,分別確定每個(gè)第一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。 與其他實(shí)施例的各方面、在此描述的方面或者變換例組合采用該該實(shí) 施例。
本發(fā)明的各實(shí)施例還可以包括預(yù)見到比僅下一個(gè)狀態(tài)更多的狀 態(tài)。例如,在確定將期望值作為第二狀態(tài)寫入該位的過程中,除了第 二狀態(tài),任意編碼處理還可以考慮到對(duì)應(yīng)于一個(gè)或者多個(gè)未來狀態(tài)的 預(yù)計(jì)值,以尋求降低對(duì)應(yīng)于該狀態(tài)變化的任意轉(zhuǎn)變或者所有轉(zhuǎn)變的開 關(guān)噪聲累積效應(yīng)。
各種實(shí)施例可以應(yīng)用于種類繁多的應(yīng)用中。例子包括,但并不局 限于存儲(chǔ)介質(zhì)日期、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)或者它們的組合。在不局限于涉及順序 尋址存儲(chǔ)器的情況的同時(shí),涉及存儲(chǔ)器尋址的非順序變化的本發(fā)明各 種實(shí)施例的應(yīng)用可以從種類繁多的存儲(chǔ)器管理技術(shù)受益。作為例子, 這種技術(shù)有助于使當(dāng)前位于存儲(chǔ)位置的值與該存儲(chǔ)位置的一個(gè)或者多 個(gè)預(yù)計(jì)值相關(guān),通過得知當(dāng)前位于該單元的、與該預(yù)計(jì)值進(jìn)行比較的 值,可以更好地表示該轉(zhuǎn)變。可能發(fā)生這種情況的例子包括這樣使用 存儲(chǔ)介質(zhì),在還接收實(shí)時(shí)命令的同時(shí),在存儲(chǔ)器尋址中請(qǐng)求非順序變 化。
結(jié)合本發(fā)明的各種實(shí)施例使用的存儲(chǔ)器管理技術(shù)的非限制性說明 性例子包括使用內(nèi)部查找表。在該例中,還利用該查找表存儲(chǔ)一段字 中的第一字,連同于對(duì)應(yīng)于該段的第一字的存儲(chǔ)單元??梢跃幋a,也可以不編碼該査找表中的存儲(chǔ)字。諸如10101010的規(guī)范字位于對(duì)應(yīng)于 該段的第一字的存儲(chǔ)單元。該段中剩余字的存儲(chǔ)單元含有該段的剩余 部分的編碼形式或者未編碼形式的字。因此,在將規(guī)范字寫入含有相 同規(guī)范字的位時(shí),被寫入該單元的任意新段可以最小化開關(guān)噪聲累積
效應(yīng)(或者換句話說,通過10101010值潛在地減少了開關(guān)噪聲累積效
應(yīng)),同時(shí)可以得知該段的各字的剩余預(yù)計(jì)值,而且可以選擇性地利 用任意編碼過程來最小化與第一字之后的字相關(guān)的開關(guān)噪聲累積效 應(yīng)。
利用正確編碼技術(shù)和相應(yīng)解碼技術(shù),本發(fā)明的實(shí)施例可以用作總
線協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),以尋求最小化總線上各導(dǎo)體中的SSN。采用本發(fā)明的例 子可以包括,但并不局限于,F(xiàn)PGA和ASIC。本發(fā)明實(shí)施例還可以用 于自動(dòng)測試設(shè)備。應(yīng)該明白,可以在種類繁多的電子設(shè)備上,特別是 采用邏輯開關(guān)電路系統(tǒng)的電子設(shè)備上,實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的各種實(shí)施例,而 且可以以硬件或者軟件或者它們的組合的方式實(shí)現(xiàn)各種方法。
在此描述的說明性實(shí)施例、各種實(shí)現(xiàn)以及例子具有說明性意義, 而非限制性意義。盡管作為例子描述了本發(fā)明,但是在本發(fā)明的實(shí)質(zhì) 范圍內(nèi),本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以設(shè)想典型實(shí)施例的各種修改和 變型??梢越M合采用上述實(shí)施例的特征和特性。該優(yōu)選實(shí)施例僅是說 明性的,總之,不應(yīng)該認(rèn)為是限制性的。不是由上面的描述,而是由 所附權(quán)利要求書限定本發(fā)明范圍,而且落入權(quán)利要求書范圍內(nèi)的所有 變型和等同意欲包括在其內(nèi)。
1權(quán)利要求
1.一種用于降低同步開關(guān)噪聲的方法,包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值;獲取每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值;確定每個(gè)所述第一組位從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng);以及如果通過改變所述第一組位的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì)值能夠降低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少一個(gè)值與所述第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),將所述替用值組作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位,以及在所述第一字的至少一位中設(shè)置第一標(biāo)志符。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括 讀取第二字的第二組位的第一狀態(tài)的值; 獲取每個(gè)所述第二組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值; 確定每個(gè)所述第二組位從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的第二開關(guān)噪聲累積效應(yīng);以及如果通過改變所述第二組位的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì)值能夠降 低所述第二開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少一個(gè)值與所述第二狀態(tài)的 預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低所述第二開關(guān)噪聲累積效應(yīng),將所述 替用值組作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位,以及在所述第二字的 至少一位中設(shè)置第二標(biāo)志符。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,設(shè)置所述第一標(biāo)志符,而 不設(shè)置所述第二標(biāo)志符。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,確定替用值組的步驟提供 以所述第一組位的反相組位的形式的替用值組。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,利用所述第一組位的所述 第一狀態(tài)的每位的一半以上的值是否與所述第一組位的所述第二狀態(tài) 的每個(gè)相應(yīng)位的所述預(yù)計(jì)值不同,確定是否能夠降所述第一開關(guān)噪聲 累積效應(yīng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,確定替用值組的步驟提供 以所述第 一組位的反相組位的形式的替用值組。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,通過芯片上緊密定位的管腳執(zhí)行寫入所述替用值組的步驟,每個(gè)管腳對(duì)應(yīng)于所述第一組位的位。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,通過現(xiàn)場可編程門陣列管芯上的電路,執(zhí)行寫入所述替用值組的步驟。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,通過專用集成電路管芯上 的電路,執(zhí)行寫入所述替用值組的步驟。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,讀取第一字的第一組位 的第一狀態(tài)的值包括讀取靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,讀取第一字的第一組位 的第一狀態(tài)的值包括從36位器件讀取8位。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,讀取第一字的第一組位 的第一狀態(tài)的值包括讀取對(duì)應(yīng)于自動(dòng)測試設(shè)備的數(shù)據(jù)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,進(jìn)一步包括 讀取所述第一字的至少一位中的所述第一標(biāo)志符;以及 如果設(shè)置了所述第一標(biāo)志符,則從所述第一組位讀取所述替用值組以及根據(jù)所述替用值組確定所述第一組位的所述第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,進(jìn)一步包括,將所述第一組位 的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì)值作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,進(jìn)一步包括,如果沒有設(shè)置所述第一標(biāo)志符,則使所述第一組位的值保持不變。
16. —種用于降低瞬態(tài)噪聲的總線協(xié)議,包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值;獲取每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值;確定每個(gè)所述第一組位從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的 第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng);如果通過改變所述第一組位的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì)值能夠降 低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少一個(gè)值與所述第二狀態(tài)的 預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),將所述 替用值組作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位,以及在所述第一字的 至少一位中設(shè)置第一標(biāo)志符;讀取所述第 一字的至少一位中的所述標(biāo)志符;如果設(shè)置了所述標(biāo)志符,則從所述第一組位讀取所述替用值組, 并根據(jù)所述替用值組確定所述第一組位的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì) 值;以及如果沒有設(shè)置所述標(biāo)志符,則讀取所述第一組位的值作為所述第 一組位的所述第二狀態(tài)。
17. —種用于降低數(shù)字電路系統(tǒng)中的瞬態(tài)噪聲的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì), 該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)具有用于執(zhí)行包括如下的方法的代碼,該方法包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值; 獲取每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值;確定每個(gè)所述第一組位從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng);如果通過改變所述第一組位的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì)值能夠降 低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少一個(gè)值與所述第二狀態(tài)的 預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),將所述 替用值組作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位,以及在所述第一字的 至少一位中設(shè)置第一標(biāo)志符;讀取所述第一字的至少一位中的所述標(biāo)志符;如果設(shè)置了所述標(biāo)志符,則從所述第一組位讀取所述替用值組, 并根據(jù)所述替用值組確定所述第一組位的所述第二狀態(tài)的所述預(yù)計(jì) 值;以及如果沒有設(shè)置所述標(biāo)志符,則讀取所述第一組位的值作為所述第 一組位的所述第二狀態(tài)。
18. —種用于降低轉(zhuǎn)變能量的方法,包括確定表示至少多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的分?jǐn)?shù),每個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變是從第一 狀態(tài)到相應(yīng)的第二狀態(tài);如果所述分?jǐn)?shù)指示出所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的一半以上的第一狀態(tài) 與所述相應(yīng)的第二狀態(tài)不同,則反相所述第二狀態(tài)的所述值并設(shè)置標(biāo) 志%;將所述第二狀態(tài)寫入對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的多個(gè)位;以及 如果設(shè)置了所述標(biāo)志符,則將所述標(biāo)志符寫入與對(duì)應(yīng)于所述多個(gè) 二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的所述多個(gè)位相關(guān)的位。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,進(jìn)一步包括 讀取所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的每個(gè)的所述第二狀態(tài); 讀取對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的所述標(biāo)志符; 如果所述標(biāo)志符指示出所述第二狀態(tài)的所述值先前被反相,則反相所述第二狀態(tài)的所述值。
20. —種用于降低數(shù)字電路系統(tǒng)中的瞬態(tài)噪聲的設(shè)備,包括用于確定至少表示多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的分?jǐn)?shù)的裝置,每個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn) 變是從第一狀態(tài)到相應(yīng)的第二狀態(tài);用于如果所述分?jǐn)?shù)指示出所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的一半以上的第一 狀態(tài)與所述相應(yīng)的第二狀態(tài)不同,則反相所述第二狀態(tài)的所述值的裝置;以及用于如果所述分?jǐn)?shù)指示出所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的一半以上的第一 狀態(tài)與所述相應(yīng)的第二狀態(tài)不同,則設(shè)置標(biāo)志符的裝置。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的設(shè)備,進(jìn)一步包括 用于讀取所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的每個(gè)的所述第二狀態(tài)的裝置; 用于讀取對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)二進(jìn)制轉(zhuǎn)變的所述標(biāo)志符的裝置; 用于如果所述標(biāo)志符指示出所述第二狀態(tài)的所述值先前被反相,則反相所述第二狀態(tài)的所述值的裝置。
22. —種用于降低同步開關(guān)噪聲的方法,包括 讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值; 獲取每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的第一預(yù)計(jì)值; 確定至少一個(gè)值與所述第二狀態(tài)的所述第一預(yù)計(jì)值不同的第一替用值組,以降低第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng);以及將所述第一替用值組作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,進(jìn)一步包括 在確定所述第一替用值組之前,獲取每個(gè)所述第一組位的第三狀態(tài)的第二預(yù)計(jì)值;以及在寫入所述第一替用值組之前,確定至少一個(gè)值與所述第三狀態(tài) 的所述第二預(yù)計(jì)值不同的第二替用值組,以降低第二開關(guān)噪聲累積效 應(yīng)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其中,確定第一替用值組和確 定第二替用值組的步驟包括既降低所述第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng)也降低所述第二開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,進(jìn)一步包括從所述第一組位讀取所述第一替用值組;以及 根據(jù)所述第一替用值組,確定每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的所 述預(yù)計(jì)值。
26. —種用于降低數(shù)字電路系統(tǒng)中的瞬態(tài)噪聲的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)具有用于執(zhí)行包括如下的方法的代碼,該方法包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)的值; 獲取每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的第一預(yù)計(jì)值;確定至少一個(gè)值與所述第二狀態(tài)的所述第一預(yù)計(jì)值不同的第一替 用值組,以降低第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng);將所述第一替用值組作為所述第二狀態(tài)寫入所述第一組位;從所述第一組位讀取所述第一替用值組;以及根據(jù)所述第一替用值組,確定每個(gè)所述第一組位的第二狀態(tài)的所 述預(yù)計(jì)值。
全文摘要
通過降低轉(zhuǎn)變期間值改變的驅(qū)動(dòng)器的累積數(shù)量,可以降低累積電流變化以及同步開關(guān)噪聲效應(yīng)。此外,降低累積電路變化還可以降低芯片的接地面和/或者電源面上的電壓波動(dòng),從而最小化因?yàn)殡妷汗戎祷蛘叻逯狄鸬目赡懿贿m當(dāng)邏輯功能。在一種實(shí)現(xiàn)中,該方法包括讀取第一字的第一組位的第一狀態(tài)值;以及獲取每個(gè)第一組位的第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值。如果通過改變該第一組位的第二狀態(tài)的該預(yù)計(jì)值能夠降低該第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng),則確定至少一個(gè)值與該第二狀態(tài)的預(yù)計(jì)值不同的替用值組,以降低該第一開關(guān)噪聲累積效應(yīng)。
文檔編號(hào)H05K9/00GK101496461SQ200680023917
公開日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
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