專利名稱：用于外延反應(yīng)器的基座以及操作基座的工具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于外延反應(yīng)器(epitaxial reactors )的基座和用 于操作該基座的工具。
背景技術(shù)：
眾所周知，外延反應(yīng)器是設(shè)計用來處理基片的裝置，該基片通常 被稱為"薄片"，用于在微電子行業(yè)中制造電氣部件，特別是集成電路。
為了進行該處理，需要將薄片加熱到通常高于iooon的高溫。當(dāng)
該處理涉及碳化硅或用化學(xué)符號表示為"SiC"的外延沉積時，溫度非 常高， 一般高于1500'C。
薄片放置在外延反應(yīng)器的反應(yīng)室內(nèi)的托盤上，該托盤通常被稱為
"基座，，；該基座通常具有用于容納薄片的凹陷部；有些基座僅設(shè)置一
個凹陷部，有些基座設(shè)置多個凹陷部；有些基座具有大致上平坦的形 狀，有些基座具有截頭金字塔的形狀。
有兩類外延反應(yīng)器具有冷壁的外延反應(yīng)器和具有熱壁的外延反 應(yīng)器；當(dāng)處理溫度非常高時，優(yōu)選地使用熱壁生長爐。
在外延反應(yīng)器中，熱量可由燈通過輻射、由電阻通過導(dǎo)電或由電 感器通過電磁感應(yīng)提供；基座具有支撐的功能，并且通常還具有加熱 基片的功能。
通常地，基座仍然在生長爐的反應(yīng)室內(nèi)，薄片在處理之前被引入 到該室中，并且在處理后從該室中取出。
在一些特定的生長爐中，特別是以非常高的溫度運行的生長爐中， 特別是用于碳化硅層的外延生長的生長爐中，帶薄片的基座在處理之 前被引入到該室中，并在處理后從該室中取出。
特別是在這些特定的生長爐中，重要的是具有一種將基座引入到 該室中并將基座從該室中取出的簡單可靠的方法。
本發(fā)明的總體目的是滿足這種需要。

發(fā)明內(nèi)容
該目的通過具有所附的權(quán)利要求中描述的特定特征的基座和工具 所實現(xiàn)。
構(gòu)成本發(fā)明的基礎(chǔ)的想法是提供一種具有突出部分的基座，該突 出部分能夠由工具簡單可靠地夾住。
根據(jù)一個方面，本發(fā)明還涉及一種外延反應(yīng)器，其中所述基座能 夠以簡單可靠的方式引入和取出。


結(jié)合附圖考慮下面的說明，本發(fā)明將變得更為清楚，其中 圖1示出了本發(fā)明特別適用的反應(yīng)室(由絕緣襯套環(huán)繞)； 圖2示出了包括如圖1的組件的CVD反應(yīng)室的一部分； 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的基座的實施方式的例子；和 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的工具的實施方式的例子。
具體實施例方式
說明書和附圖都應(yīng)該認為只是解釋性的，并且因此不是限制性的； 此外，應(yīng)當(dāng)理解這些附圖是示意性的和簡化的。
圖i示出了一種組件，其包括總體上由附圖標(biāo)記l表示的反應(yīng)室 和環(huán)繞該反應(yīng)室并總體上由附圖標(biāo)記2表示的襯套。
圖1示出在上部右側(cè)是該組件的中央橫截面的前視圖，在上部左 側(cè)是該組件中夾橫截面的側(cè)視圖，在下部左側(cè)是該組件中央橫截面的 俯視圖。
在圖1的室1中，例如可有利的使用根據(jù)本發(fā)明的基座；而且根 據(jù)本發(fā)明的工具特別有利于將基座引入到該室或類似的室中，以及將 基座從該室或類似的室中取出。
室1特別適合在用于碳化硅外延生長的CVD (化學(xué)氣相沉積)生
長爐中使用。
室l具有能夠容納基片的腔12，在該基片上，沉積有半導(dǎo)體材料 層；為此目的，腔12具有大體上平坦的底壁以能夠在CVD生長爐中
設(shè)置在大體上水平的位置；腔12由其它壁環(huán)繞，特別是由上壁和兩個 側(cè)壁環(huán)繞。反應(yīng)氣體能夠縱向地穿過腔12。室1能夠以加熱該腔12 的壁的方式來加熱，從而還加熱在其內(nèi)流動的反應(yīng)氣體。室1能夠通 過電磁感應(yīng)來加熱；為此目的，室l通常由石墨制成，并涂敷有碳化 硅或碳化鉭的保護層。圖1中示出的室1沿著軸線10均勻地延伸 300mm的長度，并且其截面具有環(huán)狀外形，該環(huán)的直徑為270mm; 可選地，該截面可具有多邊形或橢圓的形狀。圖1中示出的腔12的截 面內(nèi)部形狀大致為矩形，其寬度為210mm，高度為25mm。
與圖1中的室類似的室可具有不同的尺寸；例如寬度可以在20mm 到40mm之間，高度可以在150mm到300mm之間。這些反應(yīng)室的具 體特征是其具有比高度大得多的寬度(通常為7到IO倍)，并且在任 何情形下，具有有限的高度；從而，基座的引入和取出操作是難以進 行的。
在圖1中示出類型的反應(yīng)室中，基片通常擱置在基座上，從而便 于在生長過程開始前裝載該基片，并且便于在生長過程結(jié)束后卸載該 基片。在如圖l的例子中，基座總體上由附圖標(biāo)記3表示，并且能夠 在六個相應(yīng)的凹陷部或"凹穴"內(nèi)支撐六個圓形基片。此時，基片的 數(shù)量可以從最小為l到最大為12而變化，并且它們的直徑可以從最小 為2英寸到最大為6英寸而變化，但是這和本發(fā)明的目的是不相關(guān)聯(lián) 的；顯然，隨著基片數(shù)量的增加，它們的直徑相應(yīng)地減小。值得注意 的是，基座3僅在圖1的三個視圖的其中一個中示出。
在圖1所示的相同類型的反應(yīng)室中，設(shè)想出基片支撐件可以轉(zhuǎn)動 以便有助于在基片上形成均勻的沉積是有利的。如圖l的實施例，該 基座3是可轉(zhuǎn)動的，盡管使基座3轉(zhuǎn)動的裝置未示出；各種使盤轉(zhuǎn)動 的方案對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言都是公知的，例如從文獻 WO2004/053189中得到，該文獻在此引入以供參考。
在例如圖l所示的室中，設(shè)想出將基片支撐件容納在腔的底壁的 凹陷部中是有利的，從而使該腔的內(nèi)表面不具有突然的凸起或陷入。
在圖l所示的實施例中，(可轉(zhuǎn)動的)基座3大致為直徑190mm、
厚度5mm的薄盤形式，并且容納具有環(huán)形形狀的腔12的底壁的凹陷 部11內(nèi)。
例如圖l所示的室的基片支撐件通常還能夠加熱該基片；實際上， 其主要由輻射(由室1產(chǎn)生，特別是由腔12的壁產(chǎn)生)并且其次由電 /磁感應(yīng)而加熱；因此，基座3優(yōu)選地例如由石墨(熱和電流的優(yōu)良導(dǎo) 體的材料)制成，并涂敷有碳化硅或碳化鉭的保護層。
圖1中的室1具有兩個大的通孔13和14,反應(yīng)氣體不從其中穿 過并且其中不設(shè)置基片；從而，這些孔對于本發(fā)明的目的不重要。
例如圖1所示的許多關(guān)于室的功能和結(jié)構(gòu)細節(jié)-包括孔13和14 的功能和結(jié)構(gòu)一可從文獻WO2004/053187和WO2004/053188獲得， 這兩個文獻在此引入以供參考。
外延反應(yīng)器的反應(yīng)室必需與周圍環(huán)境物理隔離，以使得能夠精確 控制反應(yīng)環(huán)境。外延反應(yīng)器的反應(yīng)室也必需與周圍環(huán)境熱隔離；實際
上，在外延生長過程期間，室和其環(huán)境的溫度條件為iooor;到2000
。C之間(取決于沉積材料)，并且因此限制熱量的損失是重要的；為此 目的，室由絕熱結(jié)構(gòu)環(huán)繞。
在圖l所示的實施例中，室1由絕熱襯套2環(huán)繞；襯套2可例如 由多孔石墨即耐熱和絕熱材料制成；襯套2包括圓柱主體21和兩個分 別位于左側(cè)和右側(cè)的側(cè)蓋22A和22B,這些側(cè)蓋通過周邊環(huán)安裝在主 體21上，該周邊環(huán)用于改進主體和蓋的連接區(qū)域的絕熱性能。兩個蓋 22A和22B分別具有兩個開口 221A和221B，這兩個開口的截面與腔 12的截面大致相同，其分別用于反應(yīng)氣體的進入和廢氣的排出，這些 開口顯然與腔12大致對齊。
使用合適的工具特別使用根據(jù)本發(fā)明的工具，這些開口還用作裝 載和卸栽基片，甚至用于引入和取出帶有基片的基座3。優(yōu)選地，僅 使用兩個開口中的其中一個用于裝載和卸載，特別地，開口 221B用 于排出廢氣。
圖2示出了包括如圖1的組件的CVD反應(yīng)室的一部分。
如圖1的組件被插入在長石英管4的中央?yún)^(qū)域中，該管4的長度
例如為反應(yīng)室的長度的兩倍、三倍或四倍；其中，管4的功能是分散 從側(cè)蓋22并且特別是從開口 221發(fā)出的輻射能量。
設(shè)置入口接頭6和出口接頭7;這些部件典型地由石英制成；入 口接頭6的功能是將反應(yīng)氣體供應(yīng)管(圖2中未示出)與側(cè)蓋22A的 開口 221A連接在一起，該入口接頭6具有環(huán)形截面，該開口 221A具 有矩形并且非常扁平的截面；出口接頭7的功能是朝向廢氣排出管(圖 2中未示出)引導(dǎo)廢氣。
生成電》茲場的電》茲線圏5能夠通過電磁感應(yīng)而加熱室1,該線圏 在靠近圖1的組件的中央?yún)^(qū)域中巻繞在管4上。
設(shè)置在管4的兩端的兩個橫向凸緣一在左側(cè)8A和右側(cè)8B—典型 地由金屬制成并用于將管固定到外延反應(yīng)器的主體。
如上所述，如圖2的組件特別適用于執(zhí)行碳化硅的外延生長，原 因是其特別適合于在反應(yīng)室的腔12中產(chǎn)生和維持非常高的溫度。
圖3示出了例如一種插入在圖1的反應(yīng)室中的基座3;該基座是 本發(fā)明的實施方式的實施例。上部為側(cè)^L圖(圖3A)，并且左下部為 其中央部分的放大比例的截面視圖(圖3B)。
如圖3的基座3包括盤形體部31和從主體31的第一側(cè)邊突出的 部件32。在第一側(cè)邊，主體31設(shè)置有用于容納六個基片的六個凹陷 部311,在該基片上執(zhí)行外延沉積。部件32由包括柄部321和頭部322 的銷組成。在主體M的第二個側(cè)邊上具有圓柱形座，用于容納具有引 導(dǎo)基座3轉(zhuǎn)動的作用的銷。
圖4示出了工具9，該工具能夠以有利的方式將如圖3的基座3 引入如圖1的反應(yīng)室1的腔12或?qū)⑷鐖D3的基座3從如圖1的反應(yīng)室 1的腔12取出。上部為俯視圖(圖4A)，并且下部為兩端的其中一端 的》文大截面視圖(圖4B)。
工具9專門設(shè)計為夾住基座3的部件32。其由桿91構(gòu)成，該桿 在其一端(圖4的右端)具有槽92;桿91被制成為使得銷32的柄部 321配合在其槽92內(nèi)。而且，桿91具有沿著槽92的整個長度的凹陷 部93;凹陷部93^L設(shè)計為容納銷32的頭部322。
如圖4的工具9由石英制成；其厚度為8mm并且寬度為45mm; 該槽的寬度為14mm,并且凹陷部的寬度為33mm、深度為4 - 5mm。 如圖3的銷32與基座的主體形成為單件式，由石墨制成并涂敷有碳化 鉭層；其具有直徑為10mm、高度為10mm的柄部和直徑為25mm、 高度為5mm的頭部。
通常，用于根據(jù)本發(fā)明的基片支撐件包括突出部，該突出部被設(shè) 計為由工具夾住，以使基片從外延反應(yīng)器的反應(yīng)室引入和取出。顯然 地，可以構(gòu)想出一個以上的突出部，盡管使基片支撐件的結(jié)構(gòu)變得復(fù) 雜。
特別地，根據(jù)本發(fā)明的基片支撐件是基座并且可有利地用于外延 反應(yīng)器中；典型地，該基座包括具有至少一個用于容納基片的凹陷部 的主體，其中在該基片上執(zhí)行外延生長。
根據(jù)其最簡單的實施方式，突出部為銷。
為了容易地夾住基座，可以使其突出部分合適地成形。根據(jù)一個 有利的可能，該突出部是銷，其包括柄部和頭部；柄部的第一端連接 到主體，并且柄部的第二端連接到頭部。
在此情形下，出于簡化的目的，柄部和頭部都具有大致圓柱體的 形狀并且可以大致同軸；優(yōu)選地，頭部的直徑是柄部的直徑的兩倍或 三倍；優(yōu)選地，柄部的高度是頭部的高度的兩倍或三倍。在如圖3的 實施例中，精確使用了根據(jù)這兩個標(biāo)準(zhǔn)的兩個圓柱體?？蛇x地，可能 使用兩個棱柱體或者一個棱柱體和一個圓柱體；除了圓柱體或棱柱體 之外，頭部也能夠具有的一端或每端倒圓或凹下而不是平坦，例如圓 錐或金字塔形狀。
本發(fā)明典型地應(yīng)用于具有大致為盤的主體的基座。
在此情形下，將突出部分設(shè)置在盤的中央是有利的；以此方式，
當(dāng)突出部分被工具夾住時，基座是平衡的。
根據(jù)本本發(fā)明的基座的優(yōu)選實施方式，用于基座基片的所有凹陷
部設(shè)置在基座的盤的一側(cè)，并且突出部分設(shè)置在盤的相同側(cè)的中央； 以此方式，當(dāng)突出部分被工具夾住時，不僅基座是平衡的，而且其自
動保持平衡。
有兩種設(shè)計根據(jù)本發(fā)明的具有突出部分的基座的方法。 根據(jù)第一種結(jié)構(gòu)上的可能性，該突出部分與該基座的主體形成為 單件式。
根據(jù)第二種結(jié)構(gòu)上的可能性，該突出部分例如由螺接或膠合安裝 在該基座主體上。
關(guān)于用于根據(jù)本發(fā)明的基座的材料，這取決于多種因素。 本發(fā)明最典型的應(yīng)用是由感應(yīng)加熱的外延反應(yīng)器。
在此情形下，基座的主體優(yōu)選地由導(dǎo)電材料制成，優(yōu)選地為石墨； 此外，優(yōu)選地，該突出部分還應(yīng)該由導(dǎo)電材料制成，優(yōu)選地與該基座 的主體相同的材料，優(yōu)選地為石墨。
在多種情形下，特別是在硅或碳化硅的外延沉積時，在主體和突 出部分上都涂敷以一層惰性的和耐高溫材料是有利的，該材料優(yōu)選地 為碳化硅(化學(xué)符號為SiC)或碳化鉭(化學(xué)符號為TaC)。
在突出部分安裝在基座的主體上的情形下，對于層涂敷該主體和 在將該突出部分應(yīng)用到該主體之后形成突出部分是有利的；以此方式， 基座由兩部分組成，但是其可具有與構(gòu)造為單件式的基座相類似的特 征。
從上面段落可見，根據(jù)本發(fā)明的基座通常由石墨制成。在此情形 下，將基座制成為單件式是非常昂貴的(因為這必需通過使大塊石墨 成形)，但是其優(yōu)點在于，不僅因為這更為結(jié)實，而且因為由此其更能 抵抗物理和化學(xué)試劑，這些試劑對外延反應(yīng)器的反應(yīng)室內(nèi)部是非常有 害的。
需要指出的是，當(dāng)基座涂敷以材料層時，優(yōu)選地其不應(yīng)形成尖銳 拐角并且連接半徑應(yīng)該仔細地設(shè)計，從而獲得厚度均勻的涂敷層并且 限制熱應(yīng)力和機械應(yīng)力；而且，實現(xiàn)涂敷層良好地粘附到下層材料是 重要的；在石墨涂敷以碳化鉭的情形下，粘附的問題尤其突出。在圖 3示出的實施方式中，所有的拐角是圓形的。
一般地，根據(jù)本發(fā)明的工具專門設(shè)計成夾住根據(jù)本發(fā)明的基座的
突出部分。
可以手動地使用該工具。
可選地，該工具可包括用于安裝或?qū)⑵浣雍显跈C械手的臂上的裝
置，由此可用于用來操作基座的自動或半自動系統(tǒng)。如圖4的工具被 設(shè)計成接合在機械手的臂上，并且上述裝置簡單地相當(dāng)于桿91的左 端。
根據(jù)非常簡單但是非常有效的實施例，根據(jù)本發(fā)明的工具包括桿， 該桿一端具有槽。顯然，該槽具有與基座的相應(yīng)部件相配合的功能， 例如在如圖3和4中示出的情形下在銷的頭部之下與銷的柄部接合。
在如圖4所示的實施例中，該工具簡單地包括單個桿，可選地， 圖4中示出類型的桿能夠形成根據(jù)本發(fā)明的工具的端子部件。
如圖4的桿非常長且非常細，從而可容易地通過水平平移運動引 入到如圖2的生長爐的室1的腔12中并從其中取出。
優(yōu)選地，在槽所坐落的一端，桿的截面大致為矩形；在此情形下， 可預(yù)見到桿的合適尺寸中桿的寬度是桿的厚度的3到9倍，并且可以 預(yù)見到槽的合適尺寸中槽的寬度是桿的厚度的l到3倍；桿的厚度通 常將位于5mm到15mm之間，取決于其材料以及其必需操作的基座 的重量。
為了獲得較小尺寸的接合區(qū)域，可以沿著槽在桿上設(shè)置至少一個 凹陷部；該凹陷部可有利地用于部分或者完全地容納基座的銷的頭部； 該凹陷部還可具有確保接合更為可靠的功能。該凹陷部可在槽的全長 上延伸，正如圖4中的實施例，或者可設(shè)置在槽的端部或中部。 桿可有利地具有一個以上用于基座銷的頭部的凹陷部。 在優(yōu)選地靠近槽的位置處可有兩個凹陷部，例如直徑略有不同的 圓柱形凹陷部；若凹陷部的形狀為截頭圓錐形，基座易于相對于凹陷 部從而相對于桿(在偏差較小的情形下)自動地居中，因為該頭部可 沿著圓錐的側(cè)壁滑動。兩個不同的凹陷部是有用的，例如因為在生長 過程期間，材料層沉積在銷的頭部上并增大其尺寸；以此方式，在頭 部小時，使用小凹陷部，在頭部大時，使用大凹陷部。
此外，可以設(shè)想在槽的全長上延伸的第一凹陷部和在槽的端部或
中部例如為圓柱形或截頭圓錐形的第二凹陷部；第一凹陷部可有利地 設(shè)有容納表面，例如為圓錐形狀，使得基座銷的頭部能夠接合在第二 凹陷部內(nèi)并滑動。
如圖4的工具是實施方式的有利的實施例；桿是長的且直的，并 且具有扁平的、矩形的均勻截面，也就是其具有兩個長邊和兩個短邊； 槽是直的并且平行于桿的長度方向；槽與桿的截面的長邊相交；凹陷 部在槽的全長上延伸(在右側(cè)和左側(cè)從起始到末端)并且還繞著其端 子端，該端子端僅在桿的截面的兩個長邊的其中一個上。
設(shè)想桿的槽在其前端即在其入口處具有容納表面是有用的；以此 方式，例如將易于將基座銷的柄部插入到槽中，此外將可以補償槽和 柄部之間的較小的未對準(zhǔn)。
作為槽的入口處容納表面的替代形式或者另外形式，可以使得槽 的寬度比柄部的直徑大得多，從而補償槽和柄部之間的較小未對準(zhǔn)并 避免(或者至少限制)在工具和基座的柄部之間接觸。
如圖4中實施例的工具可具有幾乎圓形的拐角；這特別是在可能 接觸到基座的部件中是有用的，特別是銷的柄部和頭部，從而避免(或 者至少限制)基座的表面被工具所刮擦。
該工具具有一個鉸接部，該鉸接部優(yōu)選地具有受到限制轉(zhuǎn)動(優(yōu) 選地小于IO度)的可能性；在桿的情形下，該鉸接部可設(shè)置在其中部， 例如靠近夾住基座的端部；以此方式將容易夾住基座，特別是將銷的 柄部插入到槽中并補償工具和基座之間較小的未對準(zhǔn)。該鉸接部可有 利地結(jié)合到槽的入口處的容納表面。
如前所述，根據(jù)本發(fā)明的工具具有夾住基座的功能，典型地設(shè)計 為用于外延反應(yīng)器，以便將其引入到反應(yīng)室中或從反應(yīng)室中取出。
一般地，該工具將帶有在200。C到400。C的溫度范圍內(nèi)生長的基片 的基座取出，薄片在反應(yīng)室外冷卻。 一般地，具有待生長的基片的基 座在通常為從15。C到30。C的室溫時被引入。
工具的桿可由金屬或非金屬材料制成，或者在任何情形下，由在
上述溫度時特別堅固并保持足夠的剛度的材料制成。
至于非金屬材料，優(yōu)選的材料是石英，其不僅非常耐高溫而且惰
性還非常高；此外其成本還相當(dāng)?shù)汀?br> 至于金屬，優(yōu)選材料是不銹鋼；在各種不銹鋼中，最佳的選擇是 鐵基鋼，其特征為鉻含量16 - 18%，鎳含量10 - 14%,鉬含量2 - 4%， 碳含量<0.08%。
為了制造更耐高溫的不銹鋼工具，其具有涂層是有用的；為此目 的，可以使用氧化物例如氧化釩或氧化鈦或氧化鋯或氧化鴒；可選地， 可以使用氮化物或碳化物，例如同樣的金屬。該涂層可有利地由PVD (物理氣相沉積)獲得。
如果基座不在特別高的溫度操作，還可以將不銹鋼工具涂以 PTFE (聚四氟乙烯)或PEEK (聚醚醚酮)或類似材料的涂層。
如前所述和下面將要保護的，根據(jù)本發(fā)明的基座和工具適于用在 外延反應(yīng)器中，并且特別是通過電磁感應(yīng)加熱基座的外延反應(yīng)器中。
根據(jù)一個具體的方面，本發(fā)明還涉及到外延反應(yīng)器；其特征在于， 其包括這種基座和這種工具。此外，其還可包括裝配有臂的機械手， 根據(jù)本發(fā)明的工具安裝或接合在該臂上。
該生長爐可有利地裝配有用于操作基座的自動或半自動系統(tǒng)；在 此情形下，其將包括電子控制系統(tǒng)，其能夠控制該機械手，以便借助 工具夾住基座的突出部分。
如前所述和下面將要保護的，根據(jù)本發(fā)明的基座和工具特別適于 并且有利于用在具有由電磁感應(yīng)加熱的長而且寬且低的反應(yīng)室的外延 反應(yīng)器中，該反應(yīng)室例如在圖2中所示。
根據(jù)本發(fā)明的生長爐的優(yōu)選實施方式，其包括反應(yīng)室，該反應(yīng)室 具有高度介于20mm和40mm之間的大致為矩形的入口；電子控制系 統(tǒng)能夠控制該機械手的運動以便夾住該基座的突出部分，松開該基座 的突出部分，將基座引入到反應(yīng)室中并從反應(yīng)室取出基座；優(yōu)選地， 反應(yīng)室的入口寬度介于150mm和300mm之間，基座的盤的直徑為20 -40mm,小于入口的寬度。
參照圖l和圖2，在基片的裝載期間執(zhí)行下列操作進行長的水 平平移運動，以將基座3引入到腔12中，進行向下的短的豎直平移運 動，以將基座3放置在凹陷部11中并將其釋放，進行長的豎直平移運 動以取出工具9;并且在基座的卸載期間，進行長的水平平移運動， 以將工具9引入到腔12中，進行向上的短的豎直平移運動，以夾住基 座3并將其從凹陷部11抬起，進行長的豎直平移運動以取出基座3。
在裝載和卸載期間，不容易在基座腔的凹陷部和工具之間獲得精 確的對準(zhǔn)。為了補償基座和工具之間的較小未對準(zhǔn)，可以使桿特別是 其槽和/或其凹陷部具有合適的尺寸和/或合適的形狀。為了補償基座 和腔的凹陷部之間較小的未對準(zhǔn)，可以使腔的凹陷部具有張開的邊緣
具有其張開的入口
權(quán)利要求
1.一種用于外延反應(yīng)器的基座(3)，其包括主體(31)，該主體設(shè)置有至少一個用于容納基片的凹陷部(311)，外延生長將要在該基片上進行，其特征在于，所述基座包括突出部分(32)，該突出部分能夠由工具(9)夾住，以便被引入到外延反應(yīng)器的反應(yīng)室(12)中或從其中取出。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的基座，其中所述突出部分(32)為銷。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基座，其中所述銷包括柄部(321)和 頭部(322)，所述柄部(321)的第一端連接到所述主體(31)，所述 柄部(321)的第二端連接到所述頭部(322)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的基座，其中所述柄部(321)的形狀大 致為圓柱體，其中所述頭部(322)的形狀大致為圓柱體，其中所述頭 部的直徑優(yōu)選地為所述柄部直徑的2或3倍，并且其中所述柄部的高 度優(yōu)選地為所述頭部的高度的2或3倍。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l-4中任一項所述的基座，其中所述主體(31) 的形狀大致為盤狀。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基座，其中所述突出部分(32)大致位 于所述盤(31)的中央。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的基座，其中所述或每個凹陷部(311) 設(shè)置在所述盤(31)的一側(cè)面上，并且其中所述突出部分(32)位于 所述盤(31)的所述側(cè)面。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的基座，其中所述突出部分 (32)和所述主體(31)形成為單件式。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的基座，其中所述突出部分 (32)安裝在所述主體(31)上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的基座，其中所述主體(31) 由導(dǎo)電材料制成，優(yōu)選地為石墨。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的基座，其中所述主體(31)由一層惰 性或耐高溫材料涂敷，優(yōu)選地為SiC或TaC。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項所述的基座，其中所述突出部 分(32)由導(dǎo)電材料制成，優(yōu)選地為石墨。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的基座，其中所述突出部分(32)由一 層惰性或耐高溫材料涂敷，優(yōu)選地為SiC或TaC。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11和13所述的基座，其中在將所述突出部分 (32)安裝到所述主體(31)上之后形成涂覆所述主體(31)和所述突出部分(32)的層。
15. —種工具(9),其特征在于，該工具專門設(shè)計成夾住根據(jù)權(quán) 利要求1-14中任一項所述的基座(3)的突出部分(32)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的工具，其特征在于，其包括用于將其 安裝或接合到機械手的臂上的裝置。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的工具，其特征在于，其包括桿 (91)，該桿的其一端具有槽(92)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的工具，其中在所述端，所述桿(91) 的截面大致為矩形，其中所述桿(91)的寬度優(yōu)選地為所述桿(91) 的厚度的3到9倍，并且其中所述槽(92)的寬度優(yōu)選地為所述桿(91) 的厚度的1到3倍。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的工具，其中所述桿(91)具有 沿著所述槽(92)的至少一個凹陷部(93)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17-19中任一項所述的工具，其中所述桿(91) 由優(yōu)選地為不銹鋼的金屬或優(yōu)選地為石英的非金屬材料制成。
21. —種外延反應(yīng)器，其特征在于，其包括根據(jù)權(quán)利要求1-14 中任一項所述的基座(3)和/或包括根據(jù)權(quán)利要求15-20中任一項所 述的工具(9)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的外延反應(yīng)器，其特征在于，其包括能 夠通過電磁感應(yīng)加熱所述基座(3)的裝置(5)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于外延反應(yīng)器的基座(3)，其包括主體(31)，該主體設(shè)置有至少一個用于容納基片的凹陷部(311)，外延生長將要在該基片上進行；基座(3)包括突出部分(32)，該突出部分能夠由工具(9)夾住，從而被引入到外延反應(yīng)器的反應(yīng)室(12)中或從其中取出。
文檔編號C30B35/00GK101103453SQ200680001595
公開日2008年1月9日 申請日期2006年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月14日
發(fā)明者D·克里帕, F·普雷蒂, G·瓦倫特, I·卡爾松 申請人:Lpe公司