專利名稱：陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法，特別是涉及一種可防止其上的線路在芯片(IC)壓合時遭到破壞的陣列基板。
背景技術(shù)：
當玻璃覆晶(chip on glass，COG)工藝往更細間隙(fine pitch)發(fā)展時，因為機器精度及為了增加工藝容許度(process window)，在IC壓合中，會有很大的機率會壓到相鄰線路，以下參考圖1a、1b、1c詳細說明。
如圖1a所示，在一陣列基板100上，通常設(shè)有多條線路110，且在各線路110上均設(shè)有一墊片120，當IC塊(bump)200與墊片120對位正常時，如圖1b所示般；然而，當對位偏移時，將如圖1c所示般，IC塊200壓到相鄰線路110，由于線路110表層僅有保護層(passivation)，IC塊200有可能會壓穿保護層而造成線路110與墊片120產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法，其可防止其上的線路在芯片壓合時遭到破壞。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種陣列基板，包括一基板、一第一線路、一第二線路、一圖案化保護層、一第一墊片、以及一第一保護墊，其中第一線路設(shè)置于基板上，第二線路以與第一線路大體上平行的方式設(shè)置于基板上，圖案化保護層設(shè)置于基板上并覆蓋第一線路以及第二線路，且具有一第一開口暴露出部份第一線路，第一墊片設(shè)置于第一開口內(nèi)并與第一線路接觸，第一保護墊設(shè)置于第二線路上，且在與第二線路大體上垂直的方向上與第一墊片重疊。
在一優(yōu)選實施例中，第一保護墊由銦錫氧化物制成，且其長度可比第一墊片的長度長或與其相等，而寬度可比第二線路的寬度寬或與其相等。
在另一優(yōu)選實施例中，圖案化保護層還具有一第二開口暴露出部份第二線路，而上述陣列基板還包括一第二墊片和一第二保護墊，其中第二墊片設(shè)置于第二開口內(nèi)并與第二線路接觸，而第二保護墊設(shè)置于第一線路上，且在與第一線路大體上垂直的方向上與第二墊片重疊。
又，第二保護墊由銦錫氧化物制成，且其長度可比第二墊片的長度長或與其相等，而寬度可比第一線路的寬度寬或與其相等。
又在本發(fā)明中，提供一種陣列基板的制造方法，包括下列步驟首先，提供一基板；接著，形成大體上彼此平行的一第一線路以及一第二線路于基板上；之后，形成一圖案化保護層于基板上并覆蓋第一線路以及第二線路，其中圖案化保護層具有一第一開口暴露出部份第一線路；最后，形成一圖案化導(dǎo)電層，以于第一開口內(nèi)形成一第一墊片以及于第二線路上的圖案化保護層上方形成一第一保護墊，其中形成于第二線路上的第一保護墊與形成于第一線路上的第一墊片在與第二線路大體上垂直的方向上重疊。
在一優(yōu)選實施例中，于形成一圖案化保護層于基板上并覆蓋第一線路以及第二線路的步驟中，圖案化保護層還具有一第二開口暴露出部份第二線路；又，于形成一圖案化導(dǎo)電層的步驟中，于第二開口內(nèi)形成一第二墊片以及于第一線路上的圖案化保護層上方形成一第二保護墊，且形成于第一線路上的第二保護墊與形成于第二線路上的第二墊片在與第一線路大體上垂直的方向上重疊。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實施例，以更詳細地說明本發(fā)明。


圖1a為現(xiàn)有陣列基板的示意圖；圖1b為圖1a中的墊片與IC塊對位正常時的示意圖；圖1c為圖1a中的墊片與IC塊對位偏移時的示意圖；圖2為本發(fā)明的陣列基板的第一實施例的示意圖；圖3a為沿圖2的線a-a的剖面圖；圖3b為沿圖2的線b-b的剖面圖；圖3c為沿圖2的線c-c的剖面圖；圖3d為沿圖2的線d-d的剖面圖；圖3e為沿圖2的線e-e的剖面圖；
圖4a、4b為制造圖2中的陣列基板的過程的示意圖；圖5為圖2中的墊片與IC塊對位偏移時的示意圖；圖6a為本發(fā)明的陣列基板的第二實施例的示意圖；圖6b為圖6a中的墊片與IC塊對位偏移時的示意圖；；以及圖7為本發(fā)明的陣列基板的第三實施例的示意圖。
簡單符號說明10、10’、10”、100～陣列基板；11～基板；12～第一線路； 13～第二線路；110～線路；14～第一墊片；15～第一保護墊； 15a、15b、19a、19b、19’～保護墊；16～第二墊片； 17～第二保護墊；18～圖案化保護層； 18a～第一開口；18b～第二開口；120～墊片；200～IC塊。
具體實施例方式
第一實施例參考圖2、3a、3b、3c，本發(fā)明的陣列基板10的第一實施例包括一基板11、多條線路(包括一第一線路12和一第二線路13)、一圖案化保護層18、多個墊片(包括一第一墊片14和一第二墊片16)、以及多個保護墊(包括一第一保護墊15和一第二保護墊17)，其中各線路12、13以大體上相互平行的方式設(shè)置于基板11上。
如圖3b、3d所示般，圖案化保護層18設(shè)置于基板11上，并覆蓋第一線路12以及第二線路13，且具有一第一開口18a和一第二開口18b(參考圖4b)，以分別暴露出部份第一線路12和部分第二線路13；各墊片設(shè)置于圖案化保護層18的開口內(nèi)并與線路接觸，例如，在圖3b中，第一墊片14設(shè)置于第一開口18a內(nèi)并與第一線路12接觸，而在圖3d中，第二墊片16設(shè)置于第二開口18b內(nèi)并與第二線路13接觸。
于本實施例中，各保護墊經(jīng)由與形成第一墊片14以及第二墊片16相同的圖案化導(dǎo)電層被設(shè)置于各線路上，例如，在圖3c中，第一保護墊15設(shè)置于第二線路13上，而在圖3e中，第二保護墊17設(shè)置于第一線路12上；又，應(yīng)注意的是各保護墊在與線路大體上垂直的方向上與相鄰線路上的墊片重疊，例如，參考圖2，第一保護墊15在與第二線路13大體上垂直的方向上與第一線路12上的第一墊片14重疊，而第二保護墊17在與第一線路12大體上垂直的方向上與第二線路13上的第二墊片16重疊。
各保護墊與墊片材料相同，均由銦錫氧化物制成；又，應(yīng)了解的是雖然在圖式中，各保護墊的長度比相鄰線路上的墊片長度長，但并不限于此，也可與其相等或較小；相似地，雖然在圖式中，雖然各保護墊的寬度與線路的寬度相等，但并不限于此，也可比線路寬或窄。
本實施例的構(gòu)成如上所述，以下說明本實施例的陣列基板的制造方法。
本實施例的陣列基板的制造方法包括下列步驟首先，提供一基板11；接著，形成大體上彼此平行的線路12、13于基板11上，如圖4a所示；之后，形成圖案化保護層18于基板11上并覆蓋線路12、13，其中圖案化保護層18具有開口18a、18b，以暴露出部份線路12、13，如圖4b所示；最后，形成一圖案化導(dǎo)電層，并于開口18a、18b內(nèi)形成墊片14、16，如圖3b、3d所示，且于線路12、13上的圖案化保護層上方形成保護墊15、17，如圖3c、3e所示。
如上述，由于在相鄰線路上對應(yīng)于墊片的位置上設(shè)置保護墊，而此保護墊的材料和墊片一樣，由銦錫氧化物制成，其較硬且耐刮，即使發(fā)生IC塊200對位偏移的情形，如圖5所示般，也不至于對于線路造成壓傷及造成短路，可增加工藝容許度，使更細間隙(fine pitch)的IC產(chǎn)品得以進入量產(chǎn)階段；又，由于保護墊和墊片由同一圖案化導(dǎo)電層制成，并不會增加任何成本。
第二實施例圖6a為本發(fā)明的陣列基板10’的第二實施例的示意圖，本實施例的陣列基板10’與第一實施例的陣列基板10的不同點在于在第一實施例中，各線路上的墊片以每兩條線路為一組的方式設(shè)置，而在本實施例中，各線路上的墊片則以每三條線路為一組的方式設(shè)置。
詳而言之，在第一實施例中，各線路上只需增設(shè)一保護墊對應(yīng)一側(cè)的相鄰線路上的墊片即可，而在本實施例中，則需在各線路上增設(shè)兩個保護墊對應(yīng)兩側(cè)的相鄰線路上的墊片(例如，圖6a中的15a和15b、19a和19b)，藉此，即使發(fā)生IC塊200對位偏移的情形，如圖6b所示，也不至于對線路造成壓傷。
又，應(yīng)了解的是雖然在第一和第二實施例中，分別以每兩條和每三條線路為一組的方式進行說明，但并不限于此，也可以每三條以上的線路為一組的方式設(shè)置墊片。
第三實施例圖7為本發(fā)明的陣列基板10”的第三實施例的示意圖，本實施例的陣列基板10”與第二實施例的陣列基板10’的不同點在于在第二實施例中為分開的兩保護墊19a、19b在本實施例中連接為單一保護墊19’，藉此可使工藝更為簡化。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以后附的權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板；第一線路，設(shè)置于該基板上；第二線路，以與該第一線路大體上平行的方式設(shè)置于該基板上；圖案化保護層，設(shè)置于該基板上并覆蓋該第一線路以及該第二線路，且具有第一開口暴露出部份該第一線路；第一墊片，設(shè)置于該第一開口內(nèi)并與該第一線路接觸；第一保護墊，設(shè)置于該第二線路上，且在與該第二線路大體上垂直的方向上與該第一墊片重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該第一保護墊由銦錫氧化物制成。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該第一保護墊的長度比該第一墊片的長度長。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該第一保護墊的寬度比該第二線路的寬度寬。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中該圖案化保護層還具有第二開口暴露出部份該第二線路，而上述陣列基板還包括第二墊片，設(shè)置于該第二開口內(nèi)并與該第二線路接觸；以及第二保護墊，設(shè)置于該第一線路上，且在與該第一線路大體上垂直的方向上與該第二墊片重疊。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中該第二保護墊由銦錫氧化物制成。
7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中該第二保護墊的長度比該第二墊片的長度長。
8.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中該第二保護墊的寬度比該第一線路的寬度寬。
9.一種陣列基板的制造方法，包括提供基板；形成大體上彼此平行的第一線路以及第二線路于該基板上；形成圖案化保護層于該基板上并覆蓋該第一線路以及該第二線路，其中該圖案化保護層具有第一開口暴露出部份該第一線路；以及形成圖案化導(dǎo)電層，以于該第一開口內(nèi)形成第一墊片以及于該第二線路上的圖案化保護層上方形成第一保護墊；其中形成于該第二線路上的該第一保護墊與形成于該第一線路上的該第一墊片在與該第二線路大體上垂直的方向上重疊。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其中該第一保護墊以長度比該第一墊片長的方式被形成。
11.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其中該第一保護墊以寬度比該第二線路寬的方式被形成。
12.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其中于形成圖案化保護層于該基板上并覆蓋該第一線路以及該第二線路的步驟中，該圖案化保護層還具有第二開口暴露出部份該第二線路，而于形成圖案化導(dǎo)電層的步驟中，于該第二開口內(nèi)形成第二墊片以及于該第一線路上的圖案化保護層上方形成第二保護墊，且形成于該第一線路上的該第二保護墊與形成于該第二線路上的該第二墊片在與該第一線路大體上垂直的方向上重疊。
全文摘要
一種陣列基板及其制造方法，其中陣列基板包括一基板、一第一線路、一第二線路、一圖案化保護層、一墊片、以及一保護墊，第一線路設(shè)置于基板上，第二線路以與第一線路大體上平行的方式設(shè)置于基板上，圖案化保護層設(shè)置于基板上并覆蓋第一線路以及第二線路，且具有一開口暴露出部份第一線路，墊片設(shè)置于開口內(nèi)并與第一線路接觸，保護墊設(shè)置于第二線路上，且在與第二線路大體上垂直的方向上與墊片重疊。
文檔編號H05K1/00GK1805655SQ200510134199
公開日2006年7月19日 申請日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月27日
發(fā)明者陳慧昌, 陳建良 申請人:友達光電股份有限公司