專利名稱：主動(dòng)矩陣型顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種主動(dòng)矩陣型顯示裝置，尤有關(guān)一種主動(dòng)矩陣型顯示裝置的像素布局。
背景技術(shù)：
近年來，使用有機(jī)電激發(fā)光(Organic Electro Luminescence，以下簡(jiǎn)稱有機(jī)EL)組件的有機(jī)EL顯示裝置作為替代CRT和LCD的顯示裝置而受到矚目。特別是，目前正在發(fā)展一種具備有薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，以下簡(jiǎn)稱TFT)，并將薄膜晶體管當(dāng)作用以使有機(jī)EL組件驅(qū)動(dòng)的開關(guān)組件的主動(dòng)矩陣型有機(jī)EL顯示裝置。
目前，當(dāng)作平面顯示器使用的主動(dòng)矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的彩色顯示已被實(shí)用化，而在此種彩色有機(jī)EL顯示裝置中，將以矩陣狀配置于玻璃基板上的多個(gè)像素分配成例如R(紅色)、G(綠色)、B(藍(lán)色)的任一顏色。
在實(shí)現(xiàn)此種主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置時(shí)，像素的布局型態(tài)已知有，將同色像素于行方向以條狀并列的條狀配列，以及，將同色像素于行方向中以每行偏移預(yù)定間距的方式并列的三角狀配列。由于該三角狀配列能夠以更佳的高分辨率顯示影像，因此適合做為彩色有機(jī)EL顯示裝置的像素布局。
在下述的專利文獻(xiàn)1中記載有使用三角狀配列的主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置。
專利文獻(xiàn)1日本國(guó)專利公開第2003-108032號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明欲解決的問題發(fā)明的目的為，在使用三角狀配列的主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置中，提供一種像素布局，用以謀求各像素的開口率的提升，并且可確保保持電容的電容值。
解決問題的手段本發(fā)明的主動(dòng)矩陣型顯示裝置具有以矩陣狀配置的多個(gè)像素，而各像素具備有被供給像素選擇信號(hào)的像素選擇線；被供給顯示資料的資料線；對(duì)應(yīng)前述像素選擇信號(hào)而將前述顯示資料取入像素中的像素選擇晶體管；由與前述像素選擇晶體管的源極形成一體的第1電極以及隔著電容絕緣膜與該第1電極相對(duì)向的前述保持電容線所構(gòu)成，以保持前述顯示資料的保持電容；顯示組件；以及對(duì)應(yīng)前述保持電容中所保持的顯示數(shù)據(jù)而從驅(qū)動(dòng)電源線供給電流或電壓至前述顯示組件的驅(qū)動(dòng)晶體管；同時(shí)，前述驅(qū)動(dòng)電源線以延伸于前述保持電容線上的方式，一面折曲一面延伸于行方向。
此外，除了上述構(gòu)造之外，保持電容線橫跨過配置于列方向的多個(gè)像素，并沿著前述像素選擇晶體管一面以鋸齒狀折曲一面延伸。
再者，除了上述構(gòu)造之外，前述像素選擇晶體管的源極和前述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極間以接點(diǎn)構(gòu)造加以連接，而該接點(diǎn)構(gòu)造由連接前述像素選擇晶體管的源極和金屬層的第1接點(diǎn)，以及連接前述金屬層和前述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的第2接點(diǎn)所構(gòu)成，并且將前述第1及第2接點(diǎn)與前述保持電容線平行配置。
發(fā)明效果依據(jù)本發(fā)明，可謀求各像素的開口率的提升，并且能夠確保保持電容的電容值。


第1圖為顯示本發(fā)明實(shí)施型態(tài)的主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置的像素布局的示意圖；第2(a)圖及第2(b)圖為對(duì)應(yīng)于第1圖的虛線所圍住的區(qū)域的平面模式圖；第3圖為對(duì)應(yīng)于第1圖的虛線所圍住的區(qū)域的平面模式圖；以及第4圖為沿著第2圖的X-X線的剖視圖(第4(a)圖)，以及沿著Y-Y線的剖視圖(第4(b)圖)。
主要組件符號(hào)說明10 有機(jī)EL組件11 像素選擇TFT
11s源極 11d漏極12 驅(qū)動(dòng)TFT 12d漏極12g柵極 12g柵極13 保持電容 20 像素選擇線21R，21G，21B 資料線22 保持電容線23 驅(qū)動(dòng)電源線30 絕緣性基板31 柵極絕緣膜32 層間絕緣膜33 平坦化絕緣膜34 鋁層 40 接點(diǎn)41 凹部 42 主動(dòng)層43 第1電極 44 電容絕緣膜Vpp正驅(qū)動(dòng)電壓CV 負(fù)電壓C1第1接觸孔 C2第2接觸孔具體實(shí)施方式
以下參照?qǐng)D式說明用以實(shí)施本發(fā)明的最佳型態(tài)(以下稱為實(shí)施型態(tài))。
第1圖為顯示本發(fā)明實(shí)施型態(tài)的主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置的像素布局的示意圖。在第1圖中雖然僅顯示2列3行的像素配列，但實(shí)際上在行方向以及列方向反復(fù)此像素配列，而構(gòu)成n列m行的矩陣狀像素區(qū)域。
在第1圖中，一個(gè)像素為由點(diǎn)虛線所圍住的區(qū)域，而在第1行中配列有對(duì)應(yīng)于R、G、B的像素，在第2行中則配列有僅偏移預(yù)定間距(在第1圖中約為1.5像素)的R、G、B像素，而構(gòu)成三角狀配列。此外，對(duì)應(yīng)于R、G、B的各像素的間距彼此不同。
各像素具備有機(jī)EL組件10、像素選擇TFT11(TFT為薄膜晶體管的簡(jiǎn)稱)、用以驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL組件10的驅(qū)動(dòng)TFT12、以及保持電容13。
舉例而言，在像素選擇TFT11中，是將系為像素選擇線的柵極線20連接至以N信道型形成并以雙柵極形成的柵極，并且將保持電容13連接至源極11s。此外，在對(duì)應(yīng)于R的像素中，將供給R的顯示資料的資料線21R連接至像素選擇TFT11的漏極11d，而在對(duì)應(yīng)于G的像素中，將供給G的顯示資料的資料線21G連接至像素選擇TFT11的漏極11d，而在對(duì)應(yīng)于B的像素中，將供給B的顯示資料的資料線21B連接至像素選擇TFT11的漏極11d。
保持電容13由與像素選擇TFT的源極11s形成一體的第1電極，以及隔著該第1電極及電容絕緣膜而對(duì)向配置于其上方的保持電容線22所構(gòu)成。
此外，將像素選擇TFT11的源極11s連接至例如以P信道型形成的驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極。將供給正驅(qū)動(dòng)電壓Vpp的驅(qū)動(dòng)電源線23連接至驅(qū)動(dòng)TFT12的源極12s，并將有機(jī)EL組件10的陽極連接至驅(qū)動(dòng)TFT12的漏極12d。將負(fù)電壓CV供給至有機(jī)EL組件的陰極。陽極和陰極間則形成有機(jī)EL發(fā)光層。
在主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置中，主要藉由形成于各像素的陽極的形成區(qū)域來界定各像素的發(fā)光區(qū)域。其余的像素選擇TFT11、驅(qū)動(dòng)TFT12、保持電容13則無助于發(fā)光。于此，為了提高在像素面積中所占的發(fā)光面積的比例，亦即開口率，而必須盡可能地提高發(fā)光區(qū)域的面積，并盡可能地縮小其余的像素選擇TFT11等的形成面積。
因此，在本實(shí)施型態(tài)中，特別采用以下的像素布局。(1)藉由在各像素的保持電容線22上疊置驅(qū)動(dòng)電源線23，而縮小驅(qū)動(dòng)電源線23的形成面積。(2)藉由以沿著配列于列方向的多個(gè)像素選擇TFT11而一面以鋸齒狀折曲一面延伸的方式配置保持電容線22，從而謀求像素面積的有效活用。(3)將連接像素選擇TFT11的源極11s和驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極12g間的接點(diǎn)的縱向方向以平行于保持電容線22的方式配置。
以下參照第1圖、第2圖以及第3圖具體地進(jìn)行說明。第2圖為對(duì)應(yīng)于第1圖的虛線所圍住的區(qū)域的平面模式圖，而為了易于了解圖式內(nèi)容，在第2(a)圖中，以斜線表示形成有像素選擇TFT11的源極11s、漏極11d的主動(dòng)層區(qū)域，而在第2(b)圖中，以斜線表示驅(qū)動(dòng)電源線23。
以下對(duì)上述第(1)點(diǎn)進(jìn)行說明。在第1圖中，若以于行方向鄰接配列的像素RB、像素LG為目標(biāo)進(jìn)行說明的話，則驅(qū)動(dòng)電源線23沿著像素LG的左邊延伸，于該路徑途中和驅(qū)動(dòng)TFT12的源極12s連接，然后折曲而橫切過像素LG，然后沿著像素RB的右邊延伸。于此，在驅(qū)動(dòng)電源線23橫切過像素LG的位置，驅(qū)動(dòng)電源線23以疊置于保持電容線22上的方式延伸。
其次，對(duì)上述第(2)點(diǎn)進(jìn)行說明。保持電容線22沿著第2圖中的3個(gè)像素選擇TFT11，而一面以鋸齒狀折曲一面延伸。亦即，保持電容線22在鄰接的像素選擇TFT11、11的雙柵極之間，以接近柵極線20的方式折曲，然后，以通過雙柵極前端的方式折曲，然后，在其次的雙柵極之間以接近柵極線20的方式折曲。像素選擇TFT11的源極11s則對(duì)向配置于保持電容線22的下層，并于此部分形成保持電容13，而有效活用狹小的面積，確保適當(dāng)?shù)碾娙葜怠?br> 保持電容13的電容值由像素選擇TFT11的源極11s和柵極線20疊置的部分的面積來加以界定。在本實(shí)施型態(tài)中，雖然該疊置部分的形狀在對(duì)應(yīng)于R、G、B的各像素中不同，但將其面積設(shè)計(jì)成相等。
其次，對(duì)上述第(3)點(diǎn)進(jìn)行說明。將保持電容線22以鋸齒狀折曲而配置時(shí)，在保持電容線22中便會(huì)形成平面視的凹凸部。因此，連接像素選擇TFT11的源極11s和驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極12g的接點(diǎn)40的縱向方向與保持電容線22平行配置，并以在保持電容線的凹部41中收容接點(diǎn)40一部份的方式配置接點(diǎn)40。藉此，由于能夠節(jié)省各像素的上下方向的面積，因而能夠確保提高發(fā)光區(qū)域，因此能夠提升開口率。
以下，參照第4圖對(duì)接點(diǎn)40的構(gòu)造進(jìn)行詳細(xì)說明，其中，驅(qū)動(dòng)電源線23疊置于保持電容線22上而延伸。第4圖為沿著第2圖的X-X線的剖視圖(第4(a)圖)，以及沿著Y-Y線的剖視圖(第4(b)圖)。
如第4(a)圖所示，在玻璃基板等的絕緣性基板30上形成有主動(dòng)層42。主動(dòng)層42使用藉由雷射退火處理而將非晶硅(Amorphous Silicon)予以多結(jié)晶化所得到的多晶硅。在主動(dòng)層42中形成有像素選擇TFT11的源極11s、漏極11d、與源極11s為一體的保持電容13的第1電極43。在主動(dòng)層42上則形成有柵極絕緣膜31，以及與柵極絕緣膜31為一體且與柵極絕緣膜31同時(shí)形成的電容絕緣膜44。
在柵極絕緣膜31上形成作為像素選擇TFT11的柵極的柵極線20，而在電容絕緣膜44上形成作為第2電極的保持電容線22。柵極線20例如以鉻(chrome)層形成。此外，在柵極線20、保持電容線22上形成層間絕緣膜32。另外，驅(qū)動(dòng)電源線23隔著層間絕緣膜32在保持電容線22上延伸。在驅(qū)動(dòng)電源線23上則形成有平坦化絕緣膜33。
此外，第4(b)圖顯示接點(diǎn)40的構(gòu)造，在絕緣性基板30上形成有像素選擇晶體管11的源極11s的延伸部分，并且透過形成于柵極絕緣膜44和層間絕緣膜32中的第1接觸孔C1，將鋁(Al)層34連接于源極11s的延伸部分。此外，將驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極12g鄰接源極11s配置，并且透過形成于層間絕緣膜32中的第2接觸孔C2，將鋁層34連接于驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極12g。
如此，依據(jù)本實(shí)施型態(tài)，由于能夠?qū)⒂袡C(jī)EL組件10的發(fā)光區(qū)域以外的部分的面積予以縮小，因此能夠提升對(duì)應(yīng)于R、G、B的各像素的開口率。另外，在本實(shí)施型態(tài)中，對(duì)應(yīng)于R、G、B的各像素即使顏色相同開口率也不相同。舉例而言，雖然第1圖的像素RB和像素LB兩者皆為綠色的像素，但其開口率卻不同。
另外，雖然以主動(dòng)矩陣型彩色有機(jī)EL顯示裝置為例說明本實(shí)施型態(tài)，但本發(fā)明也能夠廣泛地應(yīng)用于具有像素選擇TFT和保持電容的一般主動(dòng)矩陣型顯示裝置，例如，主動(dòng)矩陣型LCD顯示裝置等。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)矩陣型顯示裝置，具有以矩陣狀配置的多個(gè)像素，而各像素具備有被供給像素選擇信號(hào)的像素選擇線；被供給顯示資料的資料線；對(duì)應(yīng)前述像素選擇信號(hào)而將前述顯示資料取入像素中的像素選擇晶體管；由與前述像素選擇晶體管的源極形成一體的第1電極以及隔著電容絕緣膜與該第1電極相對(duì)向的前述保持電容線所構(gòu)成，以保持前述顯示資料的保持電容；顯示組件；以及對(duì)應(yīng)前述保持電容中所保持的顯示數(shù)據(jù)而從驅(qū)動(dòng)電源線供給電流或電壓至前述顯示組件的驅(qū)動(dòng)晶體管；同時(shí)前述驅(qū)動(dòng)電源線以延伸于前述保持電容線上的方式，一面折曲一面延伸于行方向。
2.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其中，前述保持電容線橫跨過配置于列方向的多個(gè)像素，并沿著前述像素選擇晶體管一面以鋸齒狀折曲一面延伸。
3.如權(quán)利要求1項(xiàng)或第2所述的主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其中，前述像素選擇晶體管的源極和前述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極間以接點(diǎn)構(gòu)造加以連接，而該接點(diǎn)構(gòu)造由連接前述像素選擇晶體管的源極和金屬層的第1接點(diǎn)，以及連接前述金屬層和前述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的第2接點(diǎn)所構(gòu)成，而前述第1及第2接點(diǎn)與前述保持電容線平行配置。
4.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其中，前述各像素對(duì)應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的任一者，而對(duì)應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的各像素的保持電容的圖案形狀各自不同。
5.如權(quán)利要求4所述的主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其中，前述對(duì)應(yīng)于紅色、綠色、藍(lán)色的保持電容的電容值彼此相等。
6.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其中，前述紅色、綠色、藍(lán)色的各像素的間距互不相同。
7.如權(quán)利要求6所述的主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其中，前述紅色、綠色、藍(lán)色的各像素即使顏色相同，開口率也不相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種主動(dòng)矩陣型顯示裝置，其目的在于謀求各像素開口率的提升，并且確保保持電容的電容值。其中，藉由將驅(qū)動(dòng)電源線23疊置于各像素的保持電容線22上，俾縮小驅(qū)動(dòng)電源線23的形成面積。此外，以沿著配列于列方向的多個(gè)像素選擇TFT11而一面以鋸齒狀折曲一面延伸的方式配置保持電容線22，從而謀求像素面積的有效活用。此外，將連接像素選擇TFT11的源極11s和驅(qū)動(dòng)TFT12的柵極12g間的接點(diǎn)的縱向方向以平行于保持電容線22的方式配置。
文檔編號(hào)H05B33/00GK1604169SQ20041007806
公開日2005年4月6日 申請(qǐng)日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月30日
發(fā)明者松本昭一郎, 大久保馬利 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社