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一種衛(wèi)星接收高頻頭lnb偏置電路的制作方法

文檔序號:8808518閱讀:638來源:國知局
一種衛(wèi)星接收高頻頭lnb偏置電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]衛(wèi)星電視接收系統(tǒng)由衛(wèi)星室外單元和衛(wèi)星機頂盒構(gòu)成,衛(wèi)星室外單元包括:反射面天線和低噪聲功率放大器(Low Noise Block, LNB),LNB又稱衛(wèi)星接收高頻頭,它由低噪聲功率放大器與低噪聲混頻器、本機振蕩器構(gòu)成,用于將天線接收的衛(wèi)星信號進行低噪聲放大和降頻。LNB偏置電路就是給LNB供電的電路。
[0003]早年,主導(dǎo)低噪聲功率放大器LNB的射頻微波有源器件是基于砷化鎵的MESFET工藝。進入21世紀(jì),衛(wèi)星通信、高速寬帶、個人無線通信產(chǎn)業(yè)對效率、線性以及低噪提出了更高的要求,射頻微波低噪聲放大轉(zhuǎn)向異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT)工藝,并推動砷化鎵偽型態(tài)高電子迀移率晶體管(GaAs pHEMT)工藝技術(shù)的進一步成熟。到目前為止,GaAs pHEMT工藝技術(shù)還是衛(wèi)星接收高頻頭第一級低噪聲放大器件的主流工藝技術(shù)。一般的LNB偏置電路主要是給采用GaAs pHEMT工藝技術(shù)的場效應(yīng)管(FET)供電。
[0004]但是,砷化鎵原材料成本要高出硅很多,最終導(dǎo)致采用砷化鎵工藝的射頻器件成本比較高;隨著技術(shù)的發(fā)展,采用鍺硅(SiGe)技術(shù)的射頻微波器件特性逐步提高,在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題上獲得改善而日趨實用,并且制程成熟、整合度高,具有成本較低的優(yōu)勢。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,可利用單一恒流源驅(qū)動兩個采用硅工藝的射頻微波雙極晶體管(BJT),使其中一個晶體管處于恒流狀態(tài)時,另一個晶體管處于非恒流狀態(tài)。
[0006]本實用新型為解決上述技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案:
[0007]一種衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,用于利用單一恒流源驅(qū)動二路晶體管,包括二路可切換恒流控制模塊、極性判斷模塊,所述二路可切換恒流控制模塊包括單一恒流源單元、恒流值調(diào)節(jié)單元以及切換開關(guān);所述單一恒流源單元包括第一、第二輸出端,切換開關(guān)包括兩個輸入端、兩個輸出端;所述極性判斷模塊的輸入端與電源連接,極性判斷模塊的輸出端與切換開關(guān)的其中一個輸入端連接;切換開關(guān)的兩個輸出端分別與二路晶體管的基極連接;外部恒流控制信號由恒流值調(diào)節(jié)單元的輸入端輸入,恒流值調(diào)節(jié)單元的輸出端與單一恒流源單元的輸入端連接,單一恒流源單元的第一輸出端分別與二路晶體管的集電極連接,單一恒流源單元的第二輸出端與切換開關(guān)的另一個輸入端連接。
[0008]進一步的,該偏置電路還包括5V參考電壓模塊,所述5V參考電壓模塊的輸入端與電源連接,5V參考電壓模塊的輸出端作為參考電壓輸出端。
[0009]進一步的,該還包括22KHz音頻檢測模塊,所述22KHz音頻檢測模塊的輸入端與電源連接,22KHz音頻檢測模塊的輸出端作為控制電壓輸出端。
[0010]優(yōu)選的,所述恒流值調(diào)節(jié)單元的輸入端還外接一電阻,所述電阻的大小為17ΚΩ~50ΚΩ 0
[0011]優(yōu)選的,所述切換開關(guān)為以下開關(guān)中的其中一種:單刀雙擲開關(guān)、雙刀雙擲開關(guān)。
[0012]優(yōu)選的,所述二路晶體管均為射頻微波雙極晶體管。
[0013]優(yōu)選的,所述5V參考電壓模塊為低壓差線性穩(wěn)壓器。
[0014]本實用新型采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下技術(shù)效果:
[0015]1、本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,可以驅(qū)動采用硅工藝的射頻微波雙極晶體管(BJT);而一般的LNB偏置電路只能驅(qū)動金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管或結(jié)型場效應(yīng)晶體管。
[0016]2、本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,兩個射頻微波雙極晶體管僅需一個恒流輸出端;而一般的LNB配置電路則需要針對兩個射頻微波雙極晶體管,配置兩個恒流輸出端。
[0017]3、本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,不同于現(xiàn)有偏置電路對引腳的隨意排列,特殊優(yōu)化了電路引腳的排列順序,可減少所需的射頻微波PCB面積,降低了整機成本。
【附圖說明】
[0018]圖1是本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路的內(nèi)部框圖。
[0019]圖2是本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路的工作原理圖。
[0020]圖3是本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路的引腳排列圖。
【具體實施方式】
[0021]下面詳細(xì)描述本實用新型的實施方式,所述實施方式的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施方式是示例性的,僅用于解釋本實用新型,而不能解釋為對本實用新型的限制。
[0022]本實用新型的目的是為一種衛(wèi)星接收高頻頭LNB系統(tǒng)提供直流偏置電流和偏置電壓的電路,并且這種衛(wèi)星接收高頻頭采用了基于硅工藝的射頻微波雙極晶體管作為低噪聲放大器。另外,為降低電路的封裝引腳數(shù)量和昂貴的射頻微波PCB板的面積,本實用新型重新設(shè)計了一種新的恒流控制架構(gòu),在電路引腳的順序排列上也做了特殊的設(shè)計。由于射頻微波PCB板的成本較高,在LNB模塊設(shè)計中減少所需的射頻微波PCB板面積,可降低BOM成本,提高產(chǎn)品競爭力。
[0023]如圖1所示,本實用新型衛(wèi)星接收高頻頭LNB偏置電路,共分為四個部分,第一部分為二路可切換恒流控制模塊,二路可切換恒流控制模塊包括單一恒流源單元、恒流值調(diào)節(jié)單元和切換開關(guān),切換開關(guān)可分別控制二路射頻微波晶體管處于恒流狀態(tài),當(dāng)5腳輸入的電壓源電平變化時,通過切換開關(guān)可切換二路恒流源的開啟和關(guān)閉;第二部分為5V參考電壓模塊;第三部分為22KHz音頻檢測模塊,它根據(jù)輸入電壓源中是否存
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