一種振膜組件及應(yīng)用該種振膜組件的受話器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及聲電能轉(zhuǎn)換電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種振膜組件及應(yīng)用該種振膜組件的受話器。
【背景技術(shù)】
[0002]受話器為一種在無聲音泄漏條件下將音頻電信號轉(zhuǎn)換成聲音信號的電聲器件，廣泛用于移動電話、固定電話及助聽器等通信終端設(shè)備中，實現(xiàn)音頻(語音、音樂)重放。
[0003]通常所說的受話器是指動圈式受話器，其工作原理與傳統(tǒng)的動圈式揚聲器相似:變化的音頻電信號饋入音圈，音圈置于一個永磁體磁路的磁隙里，音圈因變化的電流所產(chǎn)生的變化的電磁場力(洛侖茲力)的驅(qū)動而上下振動，并帶動振動膜驅(qū)動前后空氣，產(chǎn)生聲波。
[0004]受話器振膜一般為整張振膜，高頻所對應(yīng)的振膜特性是其具備一定強度，但在振膜振動過程中對振膜折環(huán)部分則是希望其具備較軟的特性，因此，單獨采用整張振膜的方式無法同時滿足上述性能要求。為了解決這一問題，現(xiàn)有的一些受話器的結(jié)構(gòu)，或者是振膜的中間位置單獨成型來補強，或者是在中間位置上結(jié)合平板復(fù)合層來補強，上述方法雖然能夠獲得較好的高頻性能，但是平板復(fù)合層質(zhì)量大，價格高，沒有成本優(yōu)勢。
[0005]因此，有必要針對上述問題，對現(xiàn)有的受話器結(jié)構(gòu)，特別是振膜結(jié)構(gòu)進行改進，以求降低成本，并且獲取更好的高頻性能。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N振膜組件，用于提高受話器的高頻性能。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，現(xiàn)提出的方案如下:
[0008]一種振膜組件，包括振膜本體部；所述振膜本體部包括中間部、環(huán)繞于所述中間部外周的折環(huán)部以及位于所述振膜本體部邊緣位置的固定部，所述中間部結(jié)合有補強層，其中，
[0009]所述中間部和所述補強層的相對的表面上分別設(shè)置有凹陷部；所述凹陷部對應(yīng)設(shè)置并且凹陷方向相反。
[0010]優(yōu)選的，所述補強層結(jié)合于所述中間部的下側(cè)；所述中間部表面設(shè)置向上的凹陷部，所述補強層表面對應(yīng)設(shè)置向下的凹陷部。
[0011]優(yōu)選的，所述補強層結(jié)合于所述中間部的上側(cè)；所述中間部表面設(shè)置向下的凹陷部，所述補強層表面對應(yīng)設(shè)置向上的凹陷部。
[0012]優(yōu)選的，所述凹陷部的數(shù)量為至少一個。
[0013]優(yōu)選的，所述補強層的與所述中間部相對的表面同時設(shè)置有第一凹陷部和第二凹陷部；所述第一凹陷部與所述中間部的凹陷部對應(yīng)設(shè)置；所述第二凹陷部沿所述補強層的長軸方向延伸，并且將多個所述第一凹陷部部分覆蓋。
[0014]優(yōu)選的，所述凹陷部設(shè)置有多個；所述多個凹陷部于所述中間部和所述補強層表面對應(yīng)設(shè)置，且任意分布。
[0015]優(yōu)選的，所述折環(huán)部具有向下的凹面。
[0016]優(yōu)選的，所述補強層為聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酰亞胺高分子材料或鋁金屬材質(zhì)。
[0017]優(yōu)選的，所述振膜本體部為矩形、跑道型或橢圓形。
[0018]一種受話器，包括上述任意一項公開的振膜組件。
[0019]從上述的技術(shù)方案可以看出，本申請通過在振膜的中間部和補強層相對的表面上對應(yīng)設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)，并且方向相反，使得振膜的高頻部分得到了較大的延伸，因此，提高了應(yīng)用本申請實施例公開的振膜的受話器的高頻性能。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本申請實施例公開的振膜組件的爆炸圖；
[0022]圖2為本申請實施例公開的受話器結(jié)構(gòu)的爆炸圖；
[0023]圖3為本申請實施例公開的受話器結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0024]圖4為圖3沿A-A線的剖視圖；
[0025]圖5為圖4中A部分的放大圖；
[0026]其中的附圖標記包括:
[0027]1、振膜本體部，11、中間部，12、折環(huán)部，13、固定部，14、凹陷部，2、補強層，21、第一凹陷部，22、第二凹陷部，3、導(dǎo)磁板，4、中心磁鐵，5、中心華司，6、邊磁路，7、音圈，8、振膜，9、前蓋，10、外殼，11、阻尼網(wǎng)，12、阻尼。
【具體實施方式】
[0028]針對于現(xiàn)有技術(shù)中，獲取受話器較高的高頻性能成本較高的問題，本申請公開了一種振膜組件及應(yīng)用該種振膜組件的受話器。
[0029]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0030]參見圖1所示，本申請實施例公開的振膜組件包括振膜本體部1，振膜本體部I包括中間部11、環(huán)繞中間部11設(shè)置的折環(huán)部12以及位于振膜本體部I的邊緣位置的固定部13，中間部11上結(jié)合有補強層2。
[0031 ] 參閱圖5，為圖4中A部分的局部放大圖，可以看出，本實施方式闡述的僅僅為補強層2結(jié)合于中間部11上側(cè)的情況，該情況下，中間部11表面的凹陷部14向下凹陷，而補強層2表面則設(shè)置與凹陷部14方向相反的凹陷部，二者配合成型。另一種情況是，當補強層2結(jié)合于中間部11的下側(cè)時，則是中間部11表面的凹陷部向上凹陷，而補強層2表面的凹陷部則向下凹陷，如此配合成型才能達到本方案的技術(shù)效果。
[0032]需要說明的是，本實施方式示出的補強層2的表面同時設(shè)置有第一凹陷部21和第二凹陷部22，其中，第一凹陷部21為與凹陷部14相對設(shè)置的結(jié)構(gòu)，而第二凹陷部22則為沿補強層2的長軸方向延伸的凹陷結(jié)構(gòu)。本實施方式中，第一凹陷部22與凹陷部14的數(shù)量均設(shè)置為多個，實施時，具體的數(shù)量不做限制。如圖1和圖5所示，第二凹陷部22將若干個第一凹陷部21部分覆蓋，可進一步的延伸振膜組件的高頻部分，效果更好。
[0033]優(yōu)選的，凹陷部14和第一凹陷部21設(shè)置有多個，并且可在中間部11和補強層2的表面任意分布，其可以如圖所示沿長軸方向均勻排列，也可以為非均勻分布，還可以沿短軸方向分布，只要能夠滿足二者對應(yīng)設(shè)置并且方向相反即可。實施時，凹陷部14和第一凹陷部21的形狀也不做限制，可以是如圖所示的矩形，也可以是圓形、橢圓形等規(guī)則形狀或者其他不規(guī)則形狀，還可以是幾種形狀的組合。
[0034]優(yōu)選的，折環(huán)部12具有向下的凹面，該設(shè)計可以降低產(chǎn)品的厚度，滿足產(chǎn)品薄型化的需求。
[0035]優(yōu)選的，補強層2可以為聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸乙二醇酯或者聚醚酰亞胺高分子材料，也可以為鋁金屬材質(zhì)，需要說明的是，補強層2的材料并不限于上述幾種，也可以是其他可成型的材質(zhì)，其中所述補強層的成型方式可以為多種，例如注模成型、壓印成型等。
[0036]優(yōu)選的，振膜本體部I為可以為矩形，也可以為跑道型或橢圓形。
[0037]圖2、圖3示出的是應(yīng)用本實用新型公開的振膜組件的雙磁路結(jié)構(gòu)的受話器，圖4為圖3沿A-A線的剖視圖。需要說明的是，該技術(shù)方案不僅應(yīng)用于雙磁路結(jié)構(gòu)的受話器，同樣可用于單磁路結(jié)構(gòu)的受話器，此方面不做限制。
[0038]如圖2、圖3和圖4共同所示，應(yīng)用本技術(shù)方案公開的振膜組件的一種受話器，包括磁路系統(tǒng)、振動系統(tǒng)和輔助系統(tǒng)；磁路系統(tǒng)包括平板狀的導(dǎo)磁板3、固定于導(dǎo)磁板3表面的中心磁鐵4以及覆蓋于中心磁鐵4表面的中心華司5 ;中心磁鐵4和中心華司5構(gòu)成中心磁路；中心磁路的外周設(shè)置有邊磁路6 ;振動系統(tǒng)包括音圈7和振膜本體部I以及與振膜本體部I結(jié)合的補強層2 ;輔助系統(tǒng)包括前蓋8和與前蓋8相配合的外殼9 ;其中，前蓋8上開設(shè)有通孔，通孔的表面覆蓋有阻尼網(wǎng)10，可用于防塵；外殼10上設(shè)置有聲孔，聲孔表面同樣覆蓋有阻尼11，也可以用于防塵。
[0039]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種振膜組件，包括振膜本體部；所述振膜本體部包括中間部、環(huán)繞于所述中間部外周的折環(huán)部以及位于所述振膜本體部邊緣位置的固定部，所述中間部結(jié)合有補強層，其特征在于: 所述中間部和所述補強層的相對的表面上分別設(shè)置有凹陷部；所述凹陷部對應(yīng)設(shè)置并且凹陷方向相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜組件，其特征在于: 所述補強層結(jié)合于所述中間部的下側(cè)；所述中間部表面設(shè)置向上的凹陷部，所述補強層表面對應(yīng)設(shè)置向下的凹陷部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜組件，其特征在于: 所述補強層結(jié)合于所述中間部的上側(cè)；所述中間部表面設(shè)置向下的凹陷部，所述補強層表面對應(yīng)設(shè)置向上的凹陷部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的振膜組件，其特征在于: 所述凹陷部的數(shù)量為至少一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振膜組件，其特征在于: 所述補強層的與所述中間部相對的表面同時設(shè)置有第一凹陷部和第二凹陷部；所述第一凹陷部與所述中間部的凹陷部對應(yīng)設(shè)置；所述第二凹陷部沿所述補強層的長軸方向延伸，并且將多個所述第一凹陷部部分覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振膜組件，其特征在于: 所述凹陷部設(shè)置有多個；所述多個凹陷部于所述中間部和所述補強層表面對應(yīng)設(shè)置，且任意分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜組件，其特征在于: 所述折環(huán)部具有向下的凹面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜組件，其特征在于: 所述補強層為聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酰亞胺高分子材料或鋁金屬材質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振膜組件，其特征在于，包括: 所述振膜本體部為矩形、跑道型或橢圓形。
10.一種受話器，其特征在于，包括: 權(quán)利要求1-9任意一項公開的振膜組件。
【專利摘要】本申請公開了一種振膜組件，包括振膜本體部，振膜本體部包括中間部、環(huán)繞于中間部外周的折環(huán)部以及位于振膜本體部邊緣位置的固定部，中間部結(jié)合有補強層，中間部和補強層的相對的表面上分別設(shè)置有凹陷部，凹陷部對應(yīng)設(shè)置并且凹陷方向相反。本申請還公開了一種應(yīng)用該種振膜組件的受話器，本申請通過在振膜本體部的中間部和補強層上設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)，使得所述振膜的高頻部分得到了延伸，因此，提高了應(yīng)用本申請實施例公開的振膜組件的受話器的高頻性能。
【IPC分類】H04R1-10
【公開號】CN204465829
【申請?zhí)枴緾N201520217823
【發(fā)明人】趙國棟, 何超鋒, 穆瑞祥
【申請人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年4月13日